光伏组件选型：单晶、多晶的可靠性与经济性比较分析

光伏组件选型：单晶、多晶的可靠性与经济性比较分析

光伏组件选型：单晶、多晶的可靠性与经济性比较分析

本文摘要：单晶硅片与多晶硅片在晶体品质、电学性能、机械性能方面有显著差异。下面的图1是晶体硅光伏产业链的完整图示，从硅料到硅棒、硅片、电池、组件再到系统。如图中红色边框标示，单晶和多晶的差别主要在于原材料的制备方面，单晶是直拉提升法，多晶是铸锭方法，后端制造工艺只有一些细微差别。

单多晶硅片性能对比

单晶硅片与多晶硅片在晶体品质、电学性能、机械性能方面有显著差异。下面的图1是晶体硅光伏产业链的完整图示，从硅料到硅棒、硅片、电池、组件再到系统。如图中红色边框标示，单晶和多晶的差别主要在于原材料的制备方面，单晶是直拉提升法，多晶是铸锭方法，后端制造工艺只有一些细微差别。

图1晶体硅光伏产业链图示

晶体品质差异

图2展示了单晶和多晶硅片的差异。硅片性质的差异性是决定单晶和多晶系统性能差异的关键。左图是单晶硅片，是一种完整的晶格排列；右图是多晶硅片，它是多个微小的单晶的组合，中间有大量的晶界，包含了很多的缺陷，它实际上是一个少子复合中心，因此降低了多晶电池的转换效率。另一方面，单晶硅片的位错密度和金属杂质比多晶硅片小得多，各种因素综合作用使得单晶的少子寿命比多晶高出数十倍，从而表现出转换效率优势。

图2单晶硅片与多晶硅片外观图示

单晶是一种完整的晶格排列，在同样的切片工艺条件下表面缺陷少于多晶，在电池制造环节，单晶电池的碎片率也是小于1%的，通常情况下是0.8%左右。单晶硅片可以稳定应用金刚线切割工艺，显著降低切片成本，并提高电池转换效率。对多晶而言，晶体结构的缺陷导致在电池环节的碎片率一般大于2%，并且硅片切割工艺的改进难度很大，因为它没法用金刚线切割，只能用传统的砂线来切，成本上基本没有多大的下降空间。

电学性能差异

图3是单多晶的少子寿命对比。蓝色代表少子寿命较高的区域，红色代表少子寿命较低的区域。很明显，单晶的少子寿命是明显高于多晶的。

图3单晶与多晶少子寿命分布比较

机械性能差异

图4是单晶硅片和多晶硅片的机械性能电脑分析对比数据。可以看出，多晶硅片的最大弯曲位移比单晶硅片低1/4，因此在电池的生产和运输过程中更容易破碎。我们今天讲电站的质量问题，很重要的一点，组件在运输安装过程中可能产生电池片破碎、隐裂等问题，相对多晶而言，单晶在运输中的抗破坏性能比较好。另外，在电站长期的高低温交替过程中，多晶组件更容易发生隐裂，这样就降低了组件的输出功率。

图4单晶硅片与多晶硅片机械性能比较

单多晶电池对比

晶硅电池发展历程

1839年，法国科学家贝克雷尔发现液体的光生伏特效应。

1917年，波兰科学家切克劳斯基发明CZ技术，后经改良发展成为太阳能用单晶硅的主要制备方法。

1941年，奥尔在硅材料上发现了光伏效应。

1954年，美国科学家恰宾和皮尔松在美国贝尔实验室首次制成了实用的单晶硅太阳能电池。

1955-1975年，由于单晶电池成本较高，产业界不断致力于降低晶体制造成本，并提出铸锭单晶工艺。

1976年，铸锭单晶技术失败，德国瓦克公司率先将铸锭多晶用于太阳能电池生产，牺牲晶体品质以降低发电成本。

2005-2010年，多晶电池技术基于相对便宜的成本快速扩大份额。

2013年，松下HIT单晶电池转换效率达到25.6%，突破了光伏产业界最高理论效率极限，人们再次评估各种技术的性能和成本区间。

2013-2015年，连续快速拉晶技术和金刚线切片技术的导入使得单晶组件成本与多晶组件成本差距缩小到3%以内，采用单晶组件与采用多晶组件的电站单位投资成本持平。

预计到2016年，随着PERC等高效技术的应用，单晶组件与多晶组件成本将达到一致。

转换效率对比

影响转换效率的3项主要参数是：Voc(开路电压)、Isc(短路电流)、FF(填充因子)，公式为：Eta=Voc×Isc×FF

从光电转换效率参数分解来看，单晶电池的各项参数全面领先于多晶，详见表1。一般来讲目前工艺下国内单晶电池量产效率是19.55%左右，做得好的话可以达到19.8%-19.9%，取决于它是三栅线还是四栅线；多晶电池量产效率一般是18.12%左右。

表1 量产单晶电池与多晶电池的典型电学参数

J

sc

(mA/cm2) V

oc

(V)

FF

(%)

E

ta

(%)

IR

ev

2

(A)

Rs

(Ω)

Rsh

(Ω)

单晶电池38.14 0.643 79.7 19.55 0.020 0.001 1153

多晶电池35.96 0.637 79.1 18.12 0.056 0.002 502

下面的表2是单晶电池和多晶电池在量产层面转换效率发展潜力的数据，单晶优势非常明显：表2 单晶电池与多晶电池已实现的最高量产转换效率差异

单晶电池多晶电池

一般效率19.55%-19.9% 18.0%-18.5%

改良效率（PERC）20.5%-21% 18.6%-19.0%

最高效率（HIT、IBC等） 22%-23% 尚无量产

在实验室记录方面，单晶技术潜力的优势更加显著。多年前澳大利亚新南威尔士大学开发出的P型单晶硅电池（PERL）最高转换效率可达25%，这一纪录多年没有被打破。PERL与我们现在做的PERC差别就在于，PERL在BSF上不使用铝扩散，而是采用了硼扩散，因此转换效率比PERC更高一点。目前SunPower开发出的N型单晶硅IBC电池的最高转换效率达25%，松下N型单晶硅HIT异质结电池转换效率高达24.7%，去年推出的"HIT+IBC"电池的效率高达创记录的25.6%(Panasonic)。以上数据全部是基于单晶硅技术的实验室记录，而多晶硅电池最高实验室转换效率仅为20.8%，差别是比较大的。单晶硅电池在各项主要参数上均全面高于多晶硅电池，在未来高效率发展方面具有更大的潜力。

下图5是单多晶量子效率的对比，结果显示单晶电池无论是在短波还是近红外波段，量子效率都明显高于多晶。这主要是由于多晶硅片存在较高的晶界和位错缺陷，少子寿命普遍低于单晶。