先进LGA-SIP封装技术
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先进LGA‐SiP封装技术
内容纲要
11.SiP技术的主要应用和发展趋势
2.华天科技自主设计SiP产品介绍
3.高密度SiP封装主要技术挑战
4.SiP技术带动MCP封装工艺技术的发展
5.SiP技术促进BGA封装技术的发展
6.SiP催生新的先进封装技术的发展
催生新的先进封装技术的发展
1.SiP技术的主要应用
2. 华天的SiP技术：UTI
LGA‐SiP Application: UTI
(Universal Transport Interface)
1.SMT PAD开窗方式：
0201：non-Solder mask
define
0402: Solder mask define
2.关键信号的差分阻抗控制
3.大片敷铜时采取void设计，有
效释放塑封、高温流程的应力
4.高密度封装中的3D结构及布局，
高度装中结构
防止SMT污染第二压焊点
5.IC和
5与客户协同设计，将许多
封装的组装技术结合起来，创
建出具有最优成本、尺寸和性
能的高集成度产品。
2. 华天的SiP技术：UTI（续）
模拟
differential pairs)模拟
差分阻抗（differential pairs)
差分阻抗（
LGA‐SiP, 堆叠芯片+并肩芯片+27无源器件
2. 华天的
SiP 技术：UTI （续）
Package Type MCM/SiP
PACKAGE INFORMATION
LGA ‐SiP Application: UTI
(U i l T t I t f )
Package Size LGA 12X14 64P 0.65Pitch Max package thk 1.00mm max Die size 1 ( Level 1) 3.242 x 3.241 mm (Universal Transport Interface)Loop1
Loop2
Die to Die Bonding Parameter Bond pad opening/pitch 55.0 x 55.0 um Die size 2 ( Level 1) 3.220 x 3.320 mm Bond pad opening/ pitch 75.0 x 75.0 um Ball
Loop140um Loop2120um Ball size 42um p p g p Die size 3 ( Level 2) 1.600 x 1.800mm Bond pad opening/ pitch
75.0 x 75.0 um
Bump
Bump height
15um
SUBSTRATE
Substrate thk 0.26mm[150um core, Green Material]Substrate type
Normal plating trace process
COMPONENTS
No. of 0201 components 26N f 0402t
No. of 0402 components 1
2. 华天的SiP技术：UTI（续）
LGA‐SiP（UTI）主要结构参数
N/S ITEM Min(unit: mm)Nomimal(unit: mm)Max(unit: mm)
e Substrate thickness 基板厚度0.220.260.30
a Marking depth 印字深度0.0250.040.05
b Top die loop height 顶层芯片高度NA NA140
c Top die thickness 顶层芯片厚度050
c1Top die thickness NA0.150NA d1Top adhesive thickness 顶层粘片胶厚度NA NA0.025 c2Btm die thickness 底层芯片厚度0.2700.2800.290 d2Btm adhesive thickness 底层粘片胶厚度NA NA0.025 M Mold cap thickness塑封体厚度0.6500.7000.750
G Wire to mold clearance [M-(a+b+c+d)] 线-塑封体间隙0.07NA NA
f1Pad to pad clearance (side by side) 器件pad间间距0.280NA NA f2Clear bonding towards components 器件到第二焊点间距0.292NA NA
g p器件到第焊点间距
T Total thickness 总厚度0.900.96 1.02
2. 华天的SiP 技术：RF ‐SIM
Package Type MCM/SiP (PiP)PACKAGE INFORMATION
LGA ‐SiP Application: RF ‐SIM ，一种超薄的RF-
Package Size LGA 12X18 9P Max package thk 0.63mm Die size 1 ( Level 1) 2.400 x 2.400mm •SiP封装产品Feature:
Volume<50% current RF Module in Markets Bond pad opening/pitch 60.0 x 60.0 um Die size 2 ( Level 1) 3.710 X 3.610mm Bond pad opening/ pitch 60.0 x 60.0 um Area< 60% current Markets
• RF Module in Die size 3 ( Level 2) 1.350 x 1.980mm Bond pad opening/ pitch
60.0 x 60.0 um
SUBSTRATE
Substrate thk 0.13mm[60um thin core]Substrate type
Etching back busless process
COMPONENTS
No. of 0201 components 23LGA 1.6X1.2 4P
1