七星华创单晶炉介绍
单晶炉资料范文范文
单晶炉资料范文范文单晶炉是现代工业生产中的一项重要设备，具有高效、精确的特点，在许多行业中都有广泛应用。
单晶炉技术是一种通过控制熔融的材料在特定温度条件下逐渐形成单晶体的方法。
下面是一份关于单晶炉的资料范文，详细介绍了单晶炉的原理、结构和应用。
单晶炉（Monocrystalline Furnace）是一种利用溶液的化学性质和温度控制来合成单晶体的设备。
其工作原理是通过控制熔融的材料在特定温度条件下逐渐形成单晶体。
单晶炉可以用于生产各种单晶材料，例如硅片、蓝宝石、锗单晶等。
单晶炉的结构一般包括炉体、温度控制系统、搅拌装置、冷却系统等组成部分。
炉体是单晶炉的主体，通常由石英、陶瓷等材料制成，具有良好的耐高温性能。
温度控制系统用于控制单晶炉的工作温度，保证单晶材料的生长质量。
搅拌装置用于搅拌熔融的溶液，防止其中的杂质和气泡对单晶材料的生长产生不良影响。
冷却系统则用于对熔融材料进行降温，使其逐渐形成单晶体。
单晶炉广泛应用于半导体、光电子、光学、化学等领域。
在半导体领域，单晶炉用于制造硅片，是IC芯片生产过程中的关键设备。
硅片是集成电路的基础材料，单晶炉通过高温熔融和凝固技术，将硅材料逐渐生长成为单晶体，再通过切割和加工，制成晶圆用于芯片制造。
在光电子和光学领域，单晶炉用于制造蓝宝石和其他光学单晶材料，用于制造高亮度LED和激光器等器件。
在化学领域，单晶炉用于合成有机无机杂化材料和无机单晶材料，用于研究材料的结构和性质。
单晶炉的主要优点是生产效率高和生长质量好。
由于单晶炉可以通过控制温度和其他条件，使得单晶材料在特定方向上逐渐生长，因此可以实现高效的生产。
其次，单晶炉可以消除晶界和颗粒间的结构缺陷，使得单晶材料具有良好的物理和化学性质。
此外，单晶炉还可以通过控制溶液的成分和掺杂，制备出特定性能的单晶材料，满足不同领域的需求。
然而，单晶炉也存在一些挑战和限制。
首先，单晶炉的设备成本和运行成本较高，需要高温、高压和复杂的控制系统。
单晶炉技术说明书
单晶炉技术说明书1000字单晶炉是一种用于生产高品质单晶体的设备，它是半导体产业的重要设备之一。
下面我将为大家介绍单晶炉的技术说明书。
一、单晶炉的结构单晶炉主要由炉体、加热系统、制冷系统、控制系统等组成。
1. 炉体：炉体是单晶炉的主要组成部分，主要由炉体本体、电极、隔热材料和炉内环境构成。
炉体内部需要保持一定的真空或惰性气氛，以确保单晶生长的质量和稳定性。
2. 加热系统：加热系统是单晶炉的关键部分之一，它主要由加热元件、加热源、温度控制等组成。
加热源可以是电阻丝、感应加热、火焰等形式，但大多数单晶炉使用的是电阻丝。
3. 制冷系统：制冷系统是单晶炉的另一个重要部分，它主要用于保持单晶生长的过程，在单晶炉内部形成适宜的温度梯度和温度分布。
制冷系统主要由冷却水系统和压缩机组成。
4. 控制系统：控制系统是单晶炉的核心，它主要由计算机控制系统和温度控制系统组成。
计算机控制系统主要用于控制整个单晶炉的运行和生长过程，包括加热、真空、气氛等参数，而温度控制系统则主要用于精确控制单晶生长过程中的温度。
二、单晶生长过程单晶生长是单晶炉最重要的功能之一，主要通过以下步骤进行：1. 清洗晶体：将要生长的晶体进行表面清洗，去除表面杂质、油脂等污物和氧化物，确保晶体表面的干净度。
2. 落合：将准备好的晶种和熔融的材料放到炉体中，让晶种和熔融材料相遇，然后慢慢拉出晶种，使熔融的材料附着在晶种上。
3. 晶体生长：炉体内部形成的温度梯度和温度分布，使得材料开始在晶种上生长，形成单晶体。
4. 结晶完成：当晶体完成生长后，将晶体缓慢升温，淬火，将单晶从晶棒上取下。
三、单晶生长常见问题及解决办法1. 晶体表面不平整：可能是晶体过快生长，或熔融液中杂质太多。
解决办法：加大温度梯度，降低熔融材料的污染。
2. 晶体裂纹：可能是晶体过快生长，晶体内部应力过大。
解决办法：控制生长速度，减小温度梯度。
3. 不均匀生长：可能是炉内温度不均匀，或者晶种准备不足。
单晶炉的数据和要求
单晶炉的数据和要求单晶炉是一种重要的材料热处理设备，在材料科学和工程领域有广泛应用。
下面将介绍单晶炉的数据和要求。
首先是单晶炉的基本数据。
单晶炉的工作温度范围通常在几百度到数千度之间，具体取决于所需的材料生长温度。
单晶炉通常由高温炉体、炉内加热元件、温度控制系统和真空装置构成。
炉体材料一般采用耐高温的材质，如石英或陶瓷。
而炉内加热元件则通常采用电阻丝或电阻片，以提供所需的加热功率。
温度控制系统则是保持单晶生长过程中恒定的温度，通常通过PID控制算法进行控制。
真空装置则用于提供高真空环境，以避免杂质的污染。
其次是单晶炉的要求。
在单晶生长过程中，高纯度的材料是非常关键的。
因此，单晶炉需要具备良好的真空密封性能，以确保炉内杂质的最小化。
此外，炉内温度的均匀性和稳定性也是非常重要的。
温度不仅需要在整个单晶生长过程中保持稳定，还需要在炉内各个位置上保持均匀。
这样才能确保所生长的单晶具有良好的结晶性能。
另外，单晶炉还需要能够提供所需的加热功率，以满足材料生长的需求。
加热功率的调节应该精确可靠，以确保单晶的生长速度和质量。
最后，单晶炉还需要具备安全性能，以防止操作人员因为高温或真空等因素而受伤。
总结起来，单晶炉是一种用于材料热处理的设备，工作温度范围广，通常由高温炉体、炉内加热元件、温度控制系统和真空装置构成。
在单晶炉的设计中，需要考虑材料的纯度、温度的均匀性和稳定性、加热功率的调节以及安全性能等要求。
单晶炉的设计与构造需要兼顾这些因素，并保证其能够为材料生长提供良好的条件。
希望这些信息能够对您对单晶炉有所了解。
单晶炉工艺技术
单晶炉工艺技术单晶炉工艺技术是一项关键的技术，用于制造高纯度、高质量的单晶材料。
单晶材料广泛应用于半导体、光电和能源等领域，对现代科技的发展起到了重要的推动作用。
本文将介绍单晶炉工艺技术的基本原理、主要步骤和常见问题。
单晶炉工艺技术的基本原理是通过热力学和动力学原理，将多晶材料熔化、结晶形成单晶。
单晶炉通常由炉体、导热系统、温度控制系统和真空系统等组成。
首先，将多晶材料放入炉腔内，并加热至高温，使材料熔化。
然后，通过适当的降温速度和温度梯度，使材料重新结晶，形成单晶。
单晶炉工艺技术的主要步骤包括：1. 准备材料：选择高纯度的多晶材料，通常为硅、镓、锗等半导体材料。
2. 切割多晶材料：通过机械或化学方法将多晶材料切割成适当大小的块状。
3. 净化材料：将切割好的多晶材料进行化学净化，去除其中的杂质和氧化物。
4. 装载材料：将净化后的多晶块放入炉腔中，准备进行熔化过程。
5. 加热和熔化：通过加热装置，提高炉腔内的温度，使多晶材料熔化。
6. 结晶生长：逐渐降低温度和控制温度梯度，使材料重新结晶形成单晶。
7. 冷却和退火：在适当的温度下，对单晶进行冷却和退火处理，提高单晶的完整性和质量。
8. 检测和分选：对产生的单晶进行检测和分选，筛选出质量合格的单晶材料。
在单晶炉工艺技术中，常见的问题包括：1. 杂质：多晶材料中可能存在不同程度的杂质，如金属杂质、氧化物等，这些杂质会影响单晶的质量和性能。
2. 晶体缺陷：在熔化和结晶过程中，可能会产生晶体缺陷，如位错、气泡等，这些缺陷会影响单晶的完整性和物理性能。
3. 结晶速率：控制结晶速率是单晶炉工艺技术的关键，过快或过慢的结晶速率都会导致单晶材料的质量下降。
4. 温度控制：保持炉腔内的温度稳定是制备高质量单晶的关键，温度的变化会影响结晶过程和单晶的形貌。
总结而言，单晶炉工艺技术是一项复杂而关键的技术，通过合理的控制和调节，可以制备高质量的单晶材料。
在实际生产过程中，需要密切关注材料的准备、熔化和结晶过程，并及时解决可能出现的问题，以保证单晶材料的质量和性能。
北京七星华创微电子有限责任公司_企业报告(供应商版)
分地区主要项目
（1）未知（11）
序号
项目名称
招标单位
中标金额 （万元）
1
中 电 科 10 所 DC-DC 变 换 器 0208G-2
中国电子科技集团公司第 十研究所
2
中国电子科技集团公司第 中电科 10 所 DC/DC 变换器 1129G 十研究所
133.8 55.5
3
中国电子科技集团公司第 中电科 10 所 DCDC 变换器 0208G 十研究所
目录 企业基本信息 .................................................................................................................................1 一、业绩表现 .................................................................................................................................1
企业基本信息
企业名称: 营业范围：
北京七星华创微电子有限责任公司
生产厚膜混合集成电路、LTCC 混合集成电路、微组装模块电路；电子产品、集成电路、电 子元器件、电子设备的技术开发、技术咨询、技术转让、技术服务；销售电子产品、通讯设 备、机械设备、计算机软硬件及外围设备、家用电器、建筑材料、装饰材料、日用品、办公 用品；物业管理。（市场主体依法自主选择经营项目，开展经营活动；依法须经批准的项目， 经相关部门批准后依批准的内容开展经营活动；不得从事国家和本市产业政策禁止和限制类 项目的经营活动。）
1.1 总体指标 ..........................................................................................................................1 1.2 业绩趋势 ..........................................................................................................................1 1.3 项目规模 ..........................................................................................................................2 1.4 地区分布 ..........................................................................................................................4 1.5 行业分布 ...........................................................................................................................5 二、竞争能力 .................................................................................................................................7 2.1 中标率分析 ......................................................................................................................7 三、竞争对手 .................................................................................................................................7 3.1 主要竞争对手....................................................................................................................7 3.2 重点竞争项目....................................................................................................................8 四、服务客户 .................................................................................................................................8 4.1 关联客户中标情况 ............................................................................................................8 4.2 主要客户投标项目............................................................................................................9 五、信用风险 ...............................................................................................................................10 附录 .............................................................................................................................................10
单晶炉的数据和要求
单晶炉的数据和要求单晶炉是一种用于制造单晶材料的设备，通过控制温度和压力等参数，将液体材料逐渐凝固成为单晶体。
单晶材料具有高度的晶体结构完整性和均匀性，因此在许多领域有着广泛的应用，如电子器件、光学器件、能源材料等。
本文将介绍单晶炉的基本数据和要求，以帮助读者了解该设备的特点和应用。
一、单晶炉的基本数据1.外观和结构：单晶炉通常由炉体、加热元件、晶体生长室、真空系统、温度控制系统等组成。
其外观一般呈圆筒状或立方体状，尺寸大小根据不同的生长要求而有所差异。
2.温度范围：单晶炉的温度范围通常在1000℃至3000℃之间，不同的材料需要不同的生长温度。
常用的加热元件有电阻加热、感应加热等，可根据实际需求选择。
3.生长室：用于放置生长石英坩埚和控制生长过程的环境。
生长室内需要具备一定的密封性和真空度，以防止杂质进入，影响晶体的质量。
4.控制系统：包括温度控制、压力控制、气体流量控制等功能，用于调节生长环境的参数，保证单晶的质量和生长的速度。
5.真空系统：用于排除生长环境中的气体，保持生长过程中的高真空状态，以减少杂质对晶体的影响。
真空系统包括真空泵、阀门等设备。
二、单晶炉的要求1.温度稳定性：单晶材料的生长过程需要精确控制温度，在不同的生长阶段需要提供不同的温度梯度。
单晶炉的温度控制系统需要具备高精度和稳定性，以确保生长过程的一致性和均匀性。
2.真空度要求：单晶材料生长需要在高真空环境下进行，以排除气体对晶体生长质量的影响。
单晶炉的真空系统需要具备高真空度和良好的密封性，以保证晶体生长的纯净性。
3.晶体生长速率控制：不同的晶体材料需要在特定的生长速率下进行生长，以获得所需的晶体质量和尺寸。
单晶炉的控制系统需要能够精确地控制生长环境中的参数，以调节晶体生长速率。
4.安全性和可靠性：单晶炉属于高温设备，使用过程中需要注意安全防护。
同时，设备的可靠性也是使用者关注的重点，确保设备稳定运行和长时间的使用寿命。
三、单晶炉的应用1.半导体材料生长：单晶炉在半导体行业中广泛应用，用于生长硅单晶和其他半导体材料的单晶。
史上最全的半导体材料工艺设备汇总
小编为您解读半导体生产过程中的主要设备概况。
1、单晶炉设备名称：单晶炉。
设备功能：熔融半导体材料，拉单晶，为后续半导体器件制造，提供单晶体的半导体晶坯。
主要企业（品牌）：国际：德国PVA TePla AG公司、日本Ferrotec公司、美国QUANTUM DESIGN公司、德国Gero公司、美国KAYEX公司。
国：京运通、七星华创、京仪世纪、晶龙、理工晶科、华盛天龙、汉虹、华德、中国电子科技集团第四十八所、申和热磁、上虞晶盛、耐特克、晶阳、江南、科晶材料技术、科仪公司。
2、气相外延炉设备名称：气相外延炉。
设备功能：为气相外延生长提供特定的工艺环境，实现在单晶上，生长与单晶晶相具有对应关系的薄层晶体，为单晶沉底实现功能化做基础准备。
气相外延即化学气相沉积的一种特殊工艺，其生长薄层的晶体结构是单晶衬底的延续，而且与衬底的晶向保持对应的关系。
主要企业（品牌）：国际：美国CVD Equipment公司、美国GT公司、法国Soitec公司、法国AS公司、美国ProtoFlex公司、美国科特·莱思科（Kurt J.Lesker）公司、美国Applied Materials公司。
国：中国电子科技集团第四十八所、赛瑞达、科晶材料技术、金盛微纳、力冠电子科技。
3、分子束外延系统（MBE，Molecular Beam Epitaxy System）设备名称：分子束外延系统。
设备功能：分子束外延系统，提供在沉底表面按特定生长薄膜的工艺设备；分子束外延工艺，是一种制备单晶薄膜的技术，它是在适当的衬底与合适的条件下，沿衬底材料晶轴方向逐层生长薄膜。
主要企业（品牌）：国际：法国Riber公司、美国Veeco公司、芬兰DCA Instruments公司、美国SVT Associates公司、美国NBM公司、德国Omicron公司、德国MBE-Komponenten公司、英国Oxford Applied Research（OAR）公司。
直拉单晶炉设备简介结构
直拉单晶炉设备简介结构单晶炉设备，也称为单晶生长炉，是一种用于生产高质量单晶材料的先进设备。
单晶材料在电子、光电子、光学和磁学等领域有着广泛的应用。
单晶炉设备通过熔融法或气相沉积法进行单晶生长，其结构一般包括炉体、加热元件、温度控制装置、控制系统和附件等部分。
一、炉体炉体是单晶炉设备的主体部分，一般由炉罐和炉盖两部分组成。
炉罐通常由耐高温、高膨胀系数的材料制成，如石墨、石英等。
炉罐的内部需要保持一定的真空度，以防止杂质的污染。
炉盖通常是一个单向旋转的结构，方便单晶生长过程中的试样的进出。
二、加热元件加热元件是单晶炉设备中起到加热作用的部分，一般由电阻丝、电阻板等构成。
加热元件的作用是提供足够的热量使试样内部达到熔点并保持一定的熔化状态。
加热元件通常布置在炉罐的外侧，通过电源供电控制加热温度。
三、温度控制装置温度控制装置是保证单晶生长过程中温度的稳定性和精确性的关键部分。
一般由温度传感器、温控仪和加热控制系统组成。
温度传感器通过测量试样的温度信号反馈给温控仪，温控仪根据设定的温度范围和精度，调节加热控制系统提供的热量，以实现稳定的温度控制。
四、控制系统控制系统是单晶炉设备的核心部分，主要包括温度控制系统、真空控制系统、气体流量控制系统和运行状态监测系统等。
温度控制系统通过控制加热元件的供电功率，实现对温度的控制。
真空控制系统通过控制抽气装置的工作状态，实现对炉罐内真空度的控制。
气体流量控制系统用于控制与单晶生长过程相关的气体的输入和排出。
运行状态监测系统可根据实际需要监测单晶炉设备的工作状态和性能，以提供参考和保障设备的正常运行。
五、附件单晶炉设备的附件包括保护屏、加热瓶、真空泵等。
保护屏是一种用于保护实验人员免受高温辐射的屏障。
加热瓶是单晶生长过程中用来加热试样的容器。
真空泵是单晶炉设备用于维持炉罐内真空度的设备，通常由机械泵和分子泵组成。
总结起来，单晶炉设备是一种结构复杂、功能完善的高精度设备，用于生产高质量单晶材料。
单晶炉培训资料
操作后的安全检查
关闭单晶炉并切断 电源，等待设备冷 却。
对现场进行清理， 确保安全卫生。
检查设备是否有异 常情况，如变形、 泄漏、损坏等。
06
单晶炉的未来发展趋势
技术创新方向
更高的晶体生长速率
通过改进加热系统、熔体流动控制等提高晶 体生长速率。
加热与熔化
总结词
设置温度、加热、观察熔化过程、控制熔速
详细描述
根据工艺要求设置好温度，开始加热并观察熔化过程，控制 熔速以达到生产要求。
引晶与放肩
总结词
调整温度、加入籽晶、控制晶向、调整转速
详细描述
根据工艺要求调整好温度，加入籽晶，控制晶向，并调整转速以达到生产要 求。
转肩与缩颈
总结词
控制晶向、调整温度、监控生长速度、检查炉内状况
设备结构
磁拉单晶炉主要由炉体、加热器 、控制系统和磁力系统等组成。
工艺流程
磁拉单晶炉采用磁场控制生长方 式，原料按一定量加入坩埚，在 高温下熔化，通过籽晶的旋转和 提拉，使熔体中的原子按一定方 向生长。
应用领域
磁拉单晶炉主要用于生产高纯度 、高均匀性的单晶硅、锗等。
03
单晶炉的工艺流程
装料与除尘
方向生长。
应用领域
直拉单晶炉主要用于生产半导 体材料、太阳能电池材料等。
泡生法单晶炉
设备结构
泡生法单晶炉主要由炉体、加热器、控制系统和坩埚等组成。
工艺流程
泡生法单晶炉采用水平生长方式，原料按一定量加入坩埚，在高温下熔化，通过籽晶的旋转和提拉，使熔体中的原子按一 定方向生长。
应用领域
泡生法单晶炉主要用于生产高纯度单晶硅、锗等。
直拉单晶炉设备简介、结构
晶盛，两家技术很接近，几乎差别不大（至于原因
不告诉你们），上海汉虹是原来做单晶炉的日本
ferrotec公司子公司（在90年代初将单晶炉技术卖给
美国KAYEX，权限好像是10年，03年到期又出来 造单晶路，但原来图纸都丢掉了，现在是重新设 计），现在其单晶炉为准全自动，功能尚可。
至于西安华德，其是德国CGS公司和西安理工 大学合资企业，德国CGS公司是原来的莱宝公司， 华德公司是CGS公司负责自动化控制部分，西安理 工大学负责电源柜和机械部分，至于自动化程度，
听说没上去，原因是CGS公司害怕中国的知识产权
保护不力，怕自己的先进技术被偷盗，故把自己最
古老的技术带到了中国，指望蒙国人一把，但目前
此外国内还有北京、常州、宁夏等地生产 直拉单晶炉。很多炉型都采用了磁场装臵， 大大地提高了单晶硅的质量。 宁夏日晶新能源装备股份有限公司是专业
的直拉式单晶硅直拉炉生产厂家，目前主要产
品有单晶炉、铸锭炉、石英坩埚、其他半导体
相关设备，公司技术力量雄厚，研制开发技术
支持能力强大，并在上海同时设有销售及售后
我国直拉单晶炉生产情况
国内现在单晶炉厂家有：北京京运通、
北京七星华创、北京京仪世纪、河北宁晋
阳光晶体设备、西安理工大学工厂、西安
华德晶体设备、常州华盛天龙、上海汉虹、
浙大KAYEX、上虞晶盛（杭州慧祥）等企
业。
其中上虞晶盛、浙产全自动或准全自动
拉制单晶直径125mm。该炉采用软轴提拉机构,大大
降低了设备高度。等径控制采用IRCON光学高温计、
计算机对直径信号进行控制。我国区熔硅单晶的发 展也非常快,特别是75~100mm区熔硅单晶的需求量 在不断上升，为此，1989年年我们研制成功TDLFZ35型区熔炉。
单晶炉构造
单晶炉构造单晶炉构造单晶炉是材料科学领域用于制备高纯度单晶的重要设备，它主要由加热室、降温室、气体处理系统和控制系统等部分组成。
其构造精密、操作复杂，下面将从构造的各个方面进行介绍。
一、加热室加热室是单晶炉的核心部件，主要由炉体、加热器和保温材料组成。
炉体是单晶炉承受外部温度变化和内部高温作用的主要承载部件，由石墨、石英和陶瓷等耐高温材料制成。
加热器则是将电能转化为热能的关键部件，常用的有电阻丝和感应加热等方式，能够提供长时间、稳定地加热环境。
保温材料则主要用于隔离炉体和加热器的高温区域与外部温度差异较大的区域，通常采用氧化铝陶瓷等材料。
二、降温室降温室具有使晶体逐渐冷却的作用，主要由冷却器、炉心支架、石英管和封接材料等组成。
封接材料通常为高纯度石英或高温聚合材料，能够承受高温和氧化介质的腐蚀。
石英管则是传导与将炉内高热量储存压载晶体移动到降温室的重要渠道。
炉心支架则承担着晶体和石英管的固定和支撑作用，通常采用陶瓷和石墨混合材料，具有高强度和低热膨胀系数的优点。
三、气体处理系统气体处理系统主要作用是保障单晶炉内部气氛稳定和纯净。
它通常有气体进口、循环处理、尾气处理、真空开关等组成。
气体进口要求高纯度，通常采用氢气、氮气、氩气等惰性气体，以及少量的有机气体。
循环处理需要对炉体、石英管等部件进行不断清洗、抽真空、注入惰性气体等操作，以维持高纯度氛围。
尾气处理则主要是将炉内产生的废气处理成无害物质进行排放。
四、控制系统单晶炉在生产加工过程中需要进行精确的控制操作，以保障晶体生长过程中的稳定性，控制系统是实现这些操作的关键。
它主要由计算机控制系统、数据采集与传输系统、传感器、操作界面等组成。
计算机控制系统是单晶炉生产的大脑所在，通过精准的算法来控制炉内各个参数，并实时反馈数据给操作员进行分析和调整。
数据采集与传输系统则负责将炉内参数传输到计算机系统中，采集形式多样，常用的有温度传感器、压力传感器、流量计等。
单晶拉晶多晶铸锭辅助设备明细表 (1)
拉晶&铸锭辅助设备明细表一、线开方切割辅助设备明细：适用于以下机型----单晶硅拉晶炉，多晶硅铸锭炉001、单晶拉制炉北京京运通：JRDL-800/JRDL-900CCD型单晶炉常州华盛天龙：DRF-50 单晶硅生长炉、DRF95直拉式硅单晶炉上海汉虹：FT-CZ2008A FT-CZ2208AE FT-CZ2208A北京京仪世纪：MCZ-6000HB/MCZ-6000A/MCZ-6000K型单晶炉西安理工晶体科技有限公司：TDR-100/TDR—120型硅单晶炉中国电子第48所：CZ800A/CZ900A型单晶炉江阴市华英光伏科技有限公司：TDR85单晶硅炉 TDR95单晶硅炉宁夏日晶新能源装备股份有限公司：单晶炉NXRJ-CZ8520/CZ9022/CZ9524 B/P宁晋阳光半导体设备有限公司(晶龙集团)： CZ-70/80/90/110A单晶硅生长炉上虞晶盛机电工程有限公司：TDR80A/TDR85A/TDR95A/TDR112A全自动晶体生长炉德国普发拓普公司：EKZ 2700/3500单晶提拉炉西安华德晶体设备(西安理工大学) ：北京七星华创、宁夏晶阳、浙大KAYEX、西安创联、无锡惠德晶体、江南电力等002、多晶铸锭炉北京京运通：JZ-450多晶硅铸锭炉浙江精工：JJL240型多晶硅铸锭炉、JJL500型多晶硅铸锭炉上海汉虹：HXH-270/450型多晶硅铸锭炉北京京仪世纪：VB-450型多晶铸锭炉中国电子第48所：R13240-1/R13450-1/UM型多晶硅铸锭炉常州华盛天龙：DRZF450多晶硅浇铸炉上虞晶盛机电工程有限公司：MCS450型多晶铸锭炉美国GT-Solar：DSS240TM/DSS450TM/DSS450HPTM多晶浇铸炉新一代DSS650TM 德国普发拓普公司：VGF 632/732 Si多晶硅铸锭炉宁夏日晶新能源装备股份有限公司：多晶铸锭炉NXRJ-MC500 B/P……序号品名规格型号单位单价(元)数量总价(元)备注多晶铸锭用辅助设备1 多晶硅锭吊装夹具BS-DSS450型最大起吊重量：1000KG台多晶硅锭装夹用2 硅锭翻转台BS-GT450型最大承重：1000KG辆多晶硅锭喷砂翻转用3 多晶硅锭龙门式吊具BS-LMD2000型最大承重：2000KG套横梁净跨度：2600mm两侧立柱高度：3800mm4 电动起重装置BS-DDL2000型台2T×6米,附有电控箱、手控线开关、吊钩总成1套5 LED数显电子吊秤BS-OCS1000型最大称重：1000KG台多晶硅锭称重用6多晶硅锭平板运输车（加强承载型,1000KG）BS-MGD1200型1000×750×650mm辆不锈钢平板为向下折弯钣焊，防止脱模时碰撞7 硅料烘箱BS-GLT500型/380V/21KW 台外形尺寸：L×W×H= 2046×1193×2288mm8 不锈钢烘料(车)架配套烘箱/五层辆外形尺寸：L×W×H= 900×850×1500mm9 不锈钢烘料(车)架配套烘箱/八层辆外形尺寸：L×W×H= 900×850×1500mm10 40mm高硅料滤篮(烘料篮盘)配套烘料架/L×W×H=800×400×40mm只SUS316L不锈钢篮筐，不带PP板，Φ8mm×50%SUS316L不锈钢篮筐，耐高温PP板,Φ8mm×50%11 70mm高硅料滤篮(烘料篮盘)配套烘料架/L×W×H=800×400×70mm只SUS316L不锈钢篮筐，不带PP板，Φ8mm×50%SUS316L不锈钢篮筐，耐高温PP板,Φ8mm×50%12 多晶石英坩埚烘箱BS-SYT100型380V/14KW/单工位台多晶石英坩埚通用BS-SYT350型380V/42KW/三工位台单晶拉制用辅助设备13 单晶硅棒运输车BS-GBY1618型套材质：不锈钢带硅棒周边保护14 硅棒横移放置架15 不锈钢重锤Φ53.5×L=520mm 根16 钼夹头京运通80定制只17 钼爪L×W×H=205×46×8mm 个18 钼螺杆+钼螺丝M6×55mm 根19 取大盖工具BS-DGB800型件20 取保温筒扳手工具BS-BWG800型件21 取导流筒工具BS-DLB800型件22 取坩埚杆螺钉工具BS-GGG800型件23 取石墨螺栓工具BS-SMG800型件24 托晶架BS-TJ800型个25 热场推车BS-TC800型辆26 拖棒车BS-TBC800型辆27 石英坩埚喷涂烘箱BS-SYT22型18寸～22寸台含旋转喷涂台28 单晶石英坩埚烘箱BS-SYT100型380V/14KW/单工位台单晶16～24英寸坩埚通用BS-SYT350型台380V/28KW/两工位29 ………。
单晶炉的数据和要求
单晶炉的数据和要求单晶炉是一种用于生产单晶材料的设备，主要应用于半导体、光电子、陶瓷等行业。
单晶材料的制备对于提高材料的性能和可靠性有着重要的影响。
下面将详细介绍单晶炉的数据和要求。
一、单晶炉的基本数据1.炉内温度：单晶炉需要能够达到并稳定控制的高温环境，一般要求在1600°C以上，以适应单晶材料的生长需求。
2.炉子形式：单晶炉通常采用直立式结构，由炉体、加热器、保温层和炉门等组成。
3.单晶炉室容量：炉室容量的大小直接影响到生产的单晶材料的尺寸，一般要求能够容纳不同尺寸的单晶材料，如晶格直径达到2英寸、3英寸或6英寸等。
4.单晶法：单晶炉可根据不同的单晶法设计，如布里奇曼单晶法、凝固熔体法或溶液法等。
根据所选用的单晶法，单晶炉需要具备相应的特殊要求和功能。
5.控温系统：高温环境下需要精确的温度控制，单晶炉需要配备稳定可靠的温度控制系统，如PID控制器等，以确保在单晶材料的生长过程中能够实现所需的温度变化和控制。
二、单晶炉的要求1.温度均匀性：在单晶材料生长过程中，要求炉内的温度均匀分布，以确保单晶材料具备良好的结晶品质。
因此，单晶炉需要具备良好的温度均匀性。
2.真空状态：在一些单晶法中，高温环境下需要维持一定的真空状态，以避免单晶材料与氧气等物质的反应，影响单晶材料的质量。
因此，单晶炉需要能够提供良好的封闭性能和客户所需的真空范围。
3.气氛控制：在有些单晶法中，需要在炉内控制特定的气氛，如氮气、氢气等，以保证单晶材料生长的良好环境。
因此，单晶炉需要具备可控的气氛控制系统。
4.安全性：由于高温环境的特殊性，单晶炉需要具备良好的安全性能，如防爆、防火等措施，确保操作人员的安全。
5.自动化程度：随着技术的不断发展，自动化程度的提高可以提高单晶材料生长的效率和质量。
因此，单晶炉需要具备较高的自动化程度，如温度、压力、气氛等参数的自动控制和监测。
综上所述，单晶炉是一种用于生产单晶材料的设备，具备高温、温度均匀性、真空状态、气氛控制、安全性和自动化程度等要求。
七星华创单晶炉介绍
北京七星华创电子股份有限公司坐落于中关村高科技产业开发区“电子城科技园”，是一家以微电子技术为核心，以电子专用设备与新型电子元器件为主营业务，集研发、生产、销售、服务及对外投资于一体的大型综合性高科技公司。
七星华创拥有近五十年的真空设备和微电子设备研发制造经验。
七星华创是中国最大的电子专用设备生产基地和尖端的电子元器件制造基地，与美国、法国、日本、韩国等多家国际知名公司有着长期的合作交流，并以优质的产品和优良的服务赢得了国内外客户的赞许和信赖。
北京七星华创电子股份有限公司地址：北京市朝阳区酒仙桥东路1号通讯地址：北京741信箱5分箱邮编：100016电话：8610-64348388，84572692，64361831-8561、8565、8258传真：8610-64376543电子邮箱：gyl@公司网址：HG6001 HG9001单晶炉HG9001单晶炉主要技术指标：电源： 3相380V±10%,50HZ变压器容量： 230KVA加热器最大加热功率： 150KVA加热器最高加热电压： 60V最高加热温度： 1500℃冷炉极限真空度： 3Pa晶体直径： φ6"/φ8"熔料量： 90Kg主炉室尺寸： φ850×1220mm 翻板阀通径： φ260mm拉伸腔尺寸： φ260×2270mm籽晶拉速范围： 0～8.5mm/min 籽晶快速范围：≥400mm/min 籽晶转速范围： 0～50R/min 坩埚升速范围： 0～2mm/min坩埚快速范围：≥100mm/min坩埚转速范围： 0～20R/min籽晶提升有效行程： 2900mm 坩埚升降有效行程： 400mm 主机占地面积： 2500mmX1500mm整机占地面积： 5500mmX3000mm 主机最大高度： 6300mmHG6001单晶炉主要技术指标：电源： 3相380V±10%,50HZ 籽晶拉速范围： 0～8.5mm/min 加热器最大加热功率： 150KVA 籽晶快速：≥400mm/min 加热器最高加热电压： 60V 籽晶转速范围： 0～50R/min 最高加热温度： 1500℃ 坩埚升速范围： 0～2mm/min 冷炉极限真空度： 3Pa 坩埚快速：≥100mm/min 晶体直径： φ6"/φ8" 坩埚转速范围： 0～20R/min 熔料量： 60Kg 籽晶提升有效行程： 2600mm主炉室尺寸： φ800×1120mm 坩埚升降有效行程： 400mm阀通径： φ260mm 主机占地面积： 2500mmX1500mm副炉室尺寸： φ260×2270mm 主机最大高度： 6200mm产品特点:采用四川英杰直流电源•5柱变压器，空载电流小，效率比3柱高10%--15%。
北京七星华创单晶炉HG1504说明书
北京七星华创单晶炉HG1504说明书1.用途：本设备为软轴提拉型单晶炉，是在惰性气体（氟气）环境中，用石墨电阻加热器将硅半导体材料溶化，用直拉法生长单晶的设备。
9001型炉采用18热场，投料量60Kg，可拉制6"或8”的单晶。
（1201型炉，采用18”或2（F热场，投料量最大120Kg，，可拉制6”~10"的单晶。
）2.设备的工作原理概述：本设备采用软籽晶轴提升机构，显著降低了单晶炉的高度，因而在一般厂房小即可安装使用，便于装配维修和拉晶操作，同时实现了籽晶轴转速稳定的效果。
本设备在性能和控制上都进行了改进。
在机械结构方面采用了先进的磁流体密封技术、拱形封头式炉盖结构以及合理的主、副室提升机构。
单晶的提升采用的是可承受190Kg的不锈钢丝绳。
炉室结构为顶开式，主炉室和副炉室开启时由螺母丝杠装置实现上移。
上升到位后对称旋出，便于机动取出晶体，拆除热场系统和清理炉内各部。
主炉室和副炉室之间，设有翻板阀，可在维持主炉室工艺条件不变的情况下取出晶体，更换籽晶。
3.设备的安装与要求设备安装环境本设备应在清洁、减震的工作环境小运行，应放置在专用的混凝土基础上，环境条件应选在恒温、恒湿车间。
也可在能与空气中粉尘、振动和冲击波隔离的较好环境中工作，地面应尽量平整，并且有自然排水管孔，使回水能自然排放。
突然的外界较强烈的冲击振动，有可能影响晶体的内在质量。
因此，厂房应尽量选择在避开振源的地方。
当条件限制而不能避开时，则要做必要的隔振措施。
其具体要求是：相对湿度W65%外界振源半大于10HZ时，振幅应小于0.003mm可腐蚀性气体尽量杜绝。
本设备在氨气环境中工作，开炉时应通风使氛气扩散后再进行操作，厂房应保持良好的通风条件，防止氨气沉积。
冷却水源与排水本设备主体的进水共分3路，一路冷却主机下部各冷却部位，一.路冷却主机上部，一路冷却电缆及机械泵。
水管与主机相连时，以软胶管连接，以防止振动干扰主机。
国内单晶炉现状
国内单晶炉现状国内现在单晶炉厂家有：北京京运通、北京七星华创、北京京仪世纪、河北宁晋阳光晶体设备、西安理工大学工厂、西安华德晶体设备、常州华盛天龙、上海汉虹、浙大KAYEX、上虞晶盛（杭州慧祥）等企业。
其中上虞晶盛、浙大KAYEX、上海汉虹、西安华德晶体设备等四家企业生产全自动或准全自动炉，其中自动化程度最高的属浙大KAYEX、上虞晶盛，两家技术很接近，几乎差别不大（至于原因不告诉你们），上海汉虹是原来做单晶炉的日本ferrotec公司子公司（在90年代初将单晶炉技术卖给美国KAYEX，权限好像是10年，03年到期又出来造单晶路，但原来图纸都丢掉了，现在是重新设计），现在其单晶炉为准全自动，功能尚可。
至于西安华德，其是德国CGS公司和西安理工大学合资企业，德国CGS公司是原来的莱宝公司，华德公司是CGS公司负责自动化控制部分，西安理工大学负责电源柜和机械部分，至于自动化程度，听说没上去，原因是CGS公司害怕中国的知识产权保护不力，怕自己的先进技术被偷盗，故把自己最古老的技术带到了中国，指望蒙国人一把，但目前只有新疆新能源买了其20台设备，其他国内客户也有过购买意向，如天津环欧，但听说评估的结果是性价比不高。
5 g: U6 v; J6 J0 a5 Y; | E/ n作为全自动炉子来说，现在上虞晶盛于去年成立，其设备已经卖到了有色院、峨嵋等半导体厂家、其控股公司杭州慧祥（专门做电控部分）由中标了宁夏隆基320台单晶炉电控部分。
上海汉虹在常州天合40台、上海卡姆丹克40台，最近有签单昱辉120台。
至于KAYEX 则重点是半导体企业。
华德在这里就不用说了。
# p( k9 k* I+ @/ H 再说半自动设备，在以上半自动里面，京运通的设备市场占有率是最大的，但其在后期使用过程中，设备稼动率不高，容易出故障。
西安理工大学工厂由于其夜郎自大不注重产品质量，其销售份额越来越小。
至于楼主提到的京仪世纪，其实质量很烂，其市场营销策略就是价格低（最低可到71~73W），而且针对私企付款资金周转情况放宽，吸引了开化等小厂，至于韩国客商订购，韩国人先作市场调查，1.开化有市场、2.国有企业、3、管理健全，OK！就定100台。
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北京七星华创电子股份有限公司坐落于中关村高科技产业开发区
“电子城科技园”，是一家以微电子技术为核心，以电子专用设备与新型电子元器件为主营业务，集研发、生产、销售、服务及对外投资于一体的大型综合性高科技公司。
七星华创拥有近五十年的真空设备和微电子设备研发制造经验。
七星华创是中国最大的电子专用设备生产基地和尖端的电子元器件制造基地，与美国、法国、日本、韩国等多家国际知名公司有着长期的合作交流，并以优质的产品和优良的服务赢得了国内外客户的赞许和信赖。
北京七星华创电子股份有限公司
地址：北京市朝阳区酒仙桥东路1号
通讯地址：北京741信箱5分箱
邮编：100016
电话：8610-64348388，84572692，64361831-8561、8565、8258
传真：8610-64376543
电子邮箱：gyl@
公司网址：
HG6001 HG9001
单晶炉
HG9001单晶炉主要技术指标：
电源： 3相380V±10%,50HZ
变压器容量： 230KVA
加热器最大加热功率： 150KVA
加热器最高加热电压： 60V
最高加热温度： 1500℃
冷炉极限真空度： 3Pa
晶体直径： φ6"/φ8"
熔料量： 90Kg
主炉室尺寸： φ850×1220mm 翻板阀通径： φ260mm
拉伸腔尺寸： φ260×2270mm
籽晶拉速范围： 0～8.5mm/min 籽晶快速范围：≥400mm/min 籽晶转速范围： 0～50R/min 坩埚升速范围： 0～2mm/min
坩埚快速范围：≥100mm/min
坩埚转速范围： 0～20R/min
籽晶提升有效行程： 2900mm 坩埚升降有效行程： 400mm 主机占地面积： 2500mmX1500mm
整机占地面积： 5500mmX3000mm 主机最大高度： 6300mm
HG6001单晶炉主要技术指标：
电源： 3相380V±10%,50HZ 籽晶拉速范围： 0～8.5mm/min 加热器最大加热功率： 150KVA 籽晶快速：≥400mm/min 加热器最高加热电压： 60V 籽晶转速范围： 0～50R/min 最高加热温度： 1500℃ 坩埚升速范围： 0～2mm/min 冷炉极限真空度： 3Pa 坩埚快速：≥100mm/min 晶体直径： φ6"/φ8" 坩埚转速范围： 0～20R/min 熔料量： 60Kg 籽晶提升有效行程： 2600mm
主炉室尺寸： φ800×1120mm 坩埚升降有效行程： 400mm
阀通径： φ260mm 主机占地面积： 2500mmX1500mm
副炉室尺寸： φ260×2270mm 主机最大高度： 6200mm
产品特点:
采用四川英杰直流电源
•5柱变压器，空载电流小，效率比3柱高10%--15%。
•双反芯6脉波比桥式整流功耗小。
•初级调压功耗小、谐波也小。
•水冷循环噪音小，环境温度低。
采用浙大控制器
•自动化程度高：
除引晶、转肩，其他十多个工艺步全部自动。
•PLC控制：
抗干扰强，稳定可靠。
•触膜屏控制：
直观、信息量大、储存历史数据
采用浙大提拉头
•结构紧凑。
•中心软轴，不偏心。
•动平衡处理。
•25转内基本无扰动。
•共振点摆动小。
坩埚驱动
¾坩埚轴为两段组装空心水冷结构
¾坩埚轴的旋转密封采用磁流体密封，升降密封采用焊接波纹管密封 ¾ 坩埚驱动装置包括坩埚的升降驱动、坩埚的快速升降驱动、坩埚的旋转驱动。
¾坩埚的升降结构采用滚珠丝杠及双直线导轨结构，系统刚性好，运动精度高。
¾驱动电机采用直流伺服电机
其他方面
•焊接要求：打坡口焊接。
X光探伤、煤油渗漏检测、正负压检漏。
•去应力要求：振动实效或退火。
•材料要求：每批材料化验检测。
•质量流量控制仪控制氩气流量。
•电动调节阀调节炉内压力。
•进口软轴钢丝经久耐用。
•大型企业。
今年上市上交所。
•不存在转产问题，保证提供永久、良好的服务。
•做精品、做第一，与半导体单晶厂商共同进步。