晶体管输出特性曲线实验报告
晶体管输出特性曲线测试电路的设计实验报告
晶体管输出特性曲线测试电路的设计无29班 宋林琦 2002011547一、实验任务:设计一个测量NPN 型晶体管特性曲线的电路。
测量电路设置标有e 、b 、c 引脚的插孔。
当被测晶体管插入插孔通电后,示波器屏幕上便显示出被测晶体管的输出特性曲线。
要有具体指标的要求。
二、实验目的:1、了解测量双极型晶体管输出特性曲线的原理和方法。
2、熟悉脉冲波形的产生和波形变换的原理和方法。
3、熟悉各单元电路的设计方法。
三、实验原理:晶体管共发射极输出特性曲线如图1所示,它是由函数ic =f (v CE )|i B=常数,表示的一簇曲线。
它既反映了基极电流i B 对集电极电流i C 的控制作用,同时也反映出集电极和发射极之间的电压v CE 对集电极电流i C 的影响。
如使示波器显示图1那样的曲线,则应将集电极电流i C 取样,加至示波器的Y 轴输入端,将电压v CE 加至示波器的X 轴输入端。
若要显示i B 为不同值时的一簇曲线,基极电流应为逐级增加的阶梯波形。
通常晶体管的集电极电压是从零开始增加,达到某一图2 晶体管输出特性测试电路图1 晶体管输出特性曲线 V CE V CC 0IsI B =0I B =5μAI B =10μA103 Ic/mA数值后又回到零值的扫描波形,本次实验采用锯齿波。
测量晶体管输出特性曲线的一种参考电路框图如图2所示。
矩形波震荡电路产生矩形脉冲输出电压v O1。
该电路一方面经锯齿波形成电路变换成锯齿波v O2,作为晶体管集电极的扫描电压;另一方面经阶梯波形成电路,通过隔离电阻送至晶体管的基极,作为积极驱动电流i B ,波形见图3的第三个图(波形不完整,没有下降)。
电阻R C 将集电极电流取样,经电压变换电路转换成与电流i C 成正比的对地电压V O3,加至示波器的Y 轴输入端,则示波器的屏幕上便会显示出晶体管输出特性曲线。
需要注意,锯齿波的周期与基极阶梯波每一级的时间要完全同步(用同一矩形脉冲产生的锯齿波和阶梯波可以很好的满足这个条件)。
三极管输入输出特性曲线的测试
国家工科电工电子基础教学基地
国 家 级 实 验 教 学 示 范 中 心
现代电子技术实验
一.实验目的
进一步熟悉晶体管图示仪的面板旋钮。 1. 进一步熟悉晶体管图示仪的面板旋钮。 掌握晶体管输入输出特性的图测方法。 2. 掌握晶体管输入输出特性的图测方法。 掌握用晶体管特性曲线求参数的方法 用晶体管特性曲线求参数的方法。 3. 掌握用晶体管特性曲线求参数的方法。
工程上近似为一 条输入特性曲线
o
vON vBE
vBE
2.共射输出特性曲线 2.共射输出特性曲线 以输入口电流iB为参变量,反映输出口iC与vCE的函 以输入口电流i 为参变量,反映输出口i 数关系曲线。 数关系曲线。
iC = f ( v C E )
iB5 iB4 iB3 iB2 iB1
IB =常 数
IC β= IB
、 β = ∆I C
VCE = 5V
∆I B
。
VCE = 5V
=5V, 设VCE =5V,适当选择和记录IBQ
ebc
1008:NPN型 1008:NPN型
IC β= IB
∆I C β= ∆I B
iC
△ IB
VCE = 5V
△ IC
I B = 10µ A I B = 8µ A
I B = 4µ A
iC
O
uCE
3.三极管输出特性测试电路 3.三极管输出特性测试电路
iB0 iB1 iB2 iB3
Y轴 轴
半 导 体 特 性 图 示 仪 操 集电 作 极电 面 源 板
X轴 轴
阶梯电 源 测试台
β
三、实验内容
1.晶体管输出特性的测量
(1)调节图示仪有关控制旋钮,测绘输出特性曲线。 调节图示仪有关控制旋钮,测绘输出特性曲线。 (2)在曲线上标出饱和区、截止区和放大区。 在曲线上标出饱和区、截止区和放大区。 (3)测量反向击穿电压 BVCEO(基极开路,功耗电阻取5 kΩ) 基极开路,功耗电阻取5 kΩ (4)测量
北邮电子电路简易晶体管图示仪报告
电子电路综合实验报告课题名称:简易晶体管图示仪的设计与实现专业:信息工程班级:学号:姓名:班内序号:指导老师:张君毅课题名称:简易晶体管图示仪的设计与实现一、摘要本报告主要介绍了通过主要通过数字器件实现的简易晶体管图示仪的设计方法与实现过程。
并且分模块给出了仿真框图以及仿真的结果。
给出了示波器上的一些实验数据,并且总结了在实验过程中遇到的问题以及解决的方法。
二、关键词方波,三角波,阶梯波,输出特性曲线三、设计任务要求1、基本要求:①设计一个阶梯波发生器, f≥500Hz ,Uopp≥3V ,阶数 N=6;。
②设计一个三角波发生器,三角波Vopp≥2V;③设计保护电路,实现对三极管输出特性的测试;2、提高要求:①可以识别NPN,PNP 管,并正确测试不同性质三极管;②设计阶数可调的阶梯波发生器。
四、设计思路本试验要求用示波器稳定显示晶体管输出特性曲线。
我的设计思路是先用NE555时基振荡器产生符合条件的方波。
然后将产生的方波一方面作为计数器74LS169的时钟信号,74LS169是模16的同步二进制计数器,可以通过四位二进制输出来计时钟沿的个数,实验中利用它的三位输出为多路开关CD4051提供地址。
CD4051是一个数据选择器,根据16进制计数器74LS169给出的地址进行选择性的输出,来输出阶梯波,接入基极。
另一方面将方波输入双运放LF353,第一级运放作为积分器产生三角波,第二级运放作为放大器产生符合条件的三角波,最后将符合要求的三角波作为集电极输入到三极管集电极,通过示波器如图连接即可观察到输出特性曲线五、分块电路和总体设计5.1:通过NE555产生方波,电路图如下:仿真阶梯波效果图:5.2:阶梯波的产生利用74LS169N和CD4051实现阶梯波的产生。
将产生的方波输入74LS169N中,让其统计时钟沿个数,作为地址输入到CD4051,然后作为译码器产生阶梯波电路图如下,因为multisim没有CD4051所以用ADG508来代替阶梯波波形:5.3:方波的产生将产生的方波输入双运算放大器LF353中,利用其第一个运放作为积分器产生三角波,利用第二级运放作为放大器,产生符合要求的三角波:电路图:波形图:5.4:晶体管输出特性曲线的显示晶体管的输出特性曲线指在基级输入电流Ib一定的时候,Ic和Uce的关系。
三极管放大电路实验报告范文
三极管放大电路实验报告范文要求设计一放大电路,电路部分参数及要求如下:(1)信号源电压幅值:0.5V;(2)信号源内阻:50kohm;(3)电路总增益:2倍;(4)总功耗:小于30mW;(5)增益不平坦度:20~200kHz范围内小于0.1dB2、问题分析:通过分析得出放大电路可以采用三极管放大电路。
2.1对三种放大电路的分析(1)共射级电路要求高负载,同时具有大增益特性;(2)共集电极电路具有负载能力较强的特性,但增益特性不好,小于1;(3)共基极电路增益特性比较好,但与共射级电路一样带负载能力不强。
综上所述,对于次放大电路来说单采用一个三极管是行不通的,因为它要求此放大电路具有比较好的增益特性以及有较强的带负载能力。
2.2放大电路的设计思路在此放大电路中采用两级放大的思路。
先采用共射级电路对信号进行放大,使之达到放大两倍的要求;再采用共集电极电路提高电路的负载能力。
3、实验目的(1)进一步理解三极管的放大特性;(2)掌握三极管放大电路的设计;(3)掌握三种三极管放大电路的特性;(4)掌握三极管放大电路波形的调试;(5)提高遇到问题时解决问题的能力。
4、问题解决测量调试过程中的电路:增益调试:首先测量各点(电源、基极、输出端)的波形:结果如下:绿色的线代表电压变化,红色代表电源。
调节电阻R2、R3、R5使得电压的最大值大于电源电压的2/3 VA=R2〃R3〃(1+3)R5/[R2//R3//(1+3)R5+R1],其中由于R1较大因此R2、R3也相对较大。
第一级放大输出处的波形调试(采用共射级放大电路):结果为:红色的电压最大值与绿色电压最大值之比即为放大倍数。
则需要适当增大R2,减小R3的阻值。
总输出的调试:如果放大倍数不合适,则调节R4与R5的阻值。
即当放大倍数不足时,应增大R4,减小R5如果失真则需要调节R6,或者适当增大电源的电压值,必要时可以返回C极,调节C极的输出。
功率的调试:由于大功率电路耗电现象非常严重,因此我们在设计电路时,应在满足要求的情况下尽可能的减小电路的总功耗。
半导体器件综合测试实验报告
半导体器件综合测试实验报告1实验⽬的了解、熟悉半导体器件测试仪器,半导体器件的特性,并测得器件的特性参数。
掌握半导体管特性图⽰仪的使⽤⽅法,掌握测量晶体管输⼊输出特性的测量⽅法;测量不同材料的霍尔元件在常温下的不同条件下(磁场、霍尔电流)下的霍尔电压,并根据实验结果全⾯分析、讨论。
2实验内容测试3AX31B、3DG6D的放⼤、饱和、击穿等特性曲线,根据图⽰曲线计算晶体管的放⼤倍数;测量霍尔元件不等位电势,测霍尔电压,在电磁铁励磁电流下测霍尔电压。
3实验仪器XJ4810图⽰仪、⽰波器、三极管、霍尔效应实验装置。
4实验原理4.1三极管的主要参数4.1.1 直流放⼤系数共发射极直流放⼤系数ββ=-( 4-1)(I I)/IC CEO B时,β可近似表⽰为当I IC CEOβ=( 4-2)I/IC B4.1.2 交流放⼤系数共发射极交流放⼤系数β定义为集电极电流变化量与基极电流变化量之⽐,即CE CBv i i β=?=?常数( 4-3)4.1.3 反向击穿电压当三极管内的两个PN 结上承受的反向电压超过规定值时,也会发⽣击穿,其击穿原理和⼆极管类似,但三极管的反向击穿电压不仅与管⼦⾃⾝的特性有关,⽽且还取决于外部电路的接法。
4.2霍尔效应霍尔效应是导电材料中的电流与磁场相互作⽤⽽产⽣电动势的效应,从本质上讲,霍尔效应是运动的带电粒⼦在磁场中受洛仑兹⼒的作⽤⽽引起的偏转。
当带电粒⼦(电⼦或空⽳)被约束在固体材料中,这种偏转就导致在垂直电流和磁场的⽅向上产⽣正负电荷在不同侧的聚积,从⽽形成附加的横向电场。
图4-1 霍尔效应⽰意图如图4-1所⽰,磁场B 位于Z 的正向,与之垂直的半导体薄⽚上沿X 正向通以电流sI (称为控制电流或⼯作电流),假设载流⼦为电⼦(N 型半导体材料),它沿着与电流s I 相反的X 负向运动。
由于洛伦兹⼒L f 的作⽤,电⼦即向图中虚线箭头所指的位于y 轴负⽅向的B 侧偏转,并使B 侧形成电⼦积累,⽽相对的A 侧形成正电荷积累。
场效应晶体管参数测量的实验报告(共9篇)
场效应晶体管参数测量的实验报告(共9篇)实验2、场效应晶体管参数测量实验二场效应晶体管特性的测量与分析一前言场效应晶体管不同于一般的双极晶体管。
场效应晶体管是一种电压控制器件。
从工作原理看,场效应晶体管与电子管很相似,是通过改变垂直于导电沟道的电场强度去控制沟道的导电能力,因而称为“场效应”晶体管。
场效应晶体管的工作电流是半导体中的多数载流子的漂移流,参与导电的只有一种载流子,故又称“单极型”晶体管。
通常用“FET”表示。
场效应晶体管分为结型场效应管(JFET)和绝缘栅型场效应管(MISFET)两大类。
目前多数绝缘栅型场效应应为金属-氧化物-半导体(MOS)三层结构,缩写为MOSFET。
本实验对结型、MOS型场效应管的直流参数进行检测。
场效应管按导电沟道和工作类型可分为:???耗尽型??n沟????增强型MOSFET???耗尽型?? FET?p沟??增强型?????JFET?n沟?耗尽型???p沟???检测场效应管特性,可采用单项参数测试仪或综合参数测试仪。
同时,场效应管与双极管有许多相似之处,故通常亦采用XJ4810半导体管图示仪检测其直流参数。
本实验目的是通过利用XJ4810半导体管图示仪检测场效应管的直流参数,了解场效应管的工作原理及其与双极晶体管的区别。
二实验原理1. 实验仪器实验仪器为XJ4810图示仪,与测量双极晶体管直流参数相似,但由于所检测的场效应管是电压控制器件,测量中须将输入的基极电流改换为基极电压,这可将基极阶梯选择选用电压档(伏/级);也可选用电流档(毫安/级),但选用电流档必须在测试台的B-E间外接一个电阻,将输入电流转换成输入电压。
测量时将场效应管的管脚与双极管脚一一对应,即G(栅极)? B(基极);S(源极)? E(发射极);D(漏极)? C(集电极)。
值得注意的是,测量MOS管时,若没有外接电阻,必须避免阶梯选择直接采用电流档,以防止损坏管子。
另外,由于场效应管输入阻抗很高,在栅极上感应出来的电荷很难通过输入电阻泄漏掉,电荷积累会造成电位升高。
晶体管共射极单管放大器实验报告
晶体管共射极单管放大器实验报告实验报告:晶体管共射极单管放大器摘要:本实验通过搭建晶体管共射极单管放大器电路,研究其放大特性和工作原理。
通过测量输入输出特性曲线和计算放大倍数,得出合适的工作点、负载电阻和偏置电压,以实现较大的放大倍数和线性放大的目标。
【关键词】晶体管、共射极、放大特性、工作点、负载电阻、偏置电压、放大倍数、线性放大一、引言晶体管是一种重要的电子器件,在电子电路中广泛应用于放大、开关等功能。
共射极单管放大器是一种常见的放大器电路,具有简单、灵活及放大效果较好等特点。
本实验旨在通过搭建共射极单管放大器电路,研究其放大特性和工作原理,并通过实际测量及计算,确定合适的工作参数,实现最佳的放大效果。
二、实验原理共射极单管放大器由晶体管、负载电阻、输入电阻、偏置电阻和耦合电容等组成。
输入信号经耦合电容C1传递到基极,与偏置电阻R1和R2形成偏置电压,控制晶体管的工作状态。
负载电阻RL连接于集电极,输出信号从集电极提取。
三、实验步骤2.给定直流电源VCC和VE,通过调节R1和R2,使得基极电压为合适的偏置电压。
3.连接信号发生器,设置正确的输入信号频率和信号幅度。
4.连接示波器,分别测量输入和输出信号波形,并记录幅度。
5.逐步调节负载电阻RL,测量不同负载情况下的输出信号波形和幅度。
6.分析实验数据,计算放大倍数。
四、实验结果3. 放大倍数:利用实验数据计算放大倍数Av=Vout/Vin。
五、讨论与总结通过实验搭建晶体管共射极单管放大器电路,并测量了输入输出特性曲线。
根据实验结果,我们可以得出以下结论:1.在合适的工作点和偏置电压下,共射极单管放大器可以实现较大的放大倍数。
当输出信号达到晶体管的饱和区时,放大倍数会有所下降。
2.负载电阻的选择对放大倍数和线性放大效果有较大影响。
较大的负载电阻可以得到较大的放大倍数,但也会降低线性放大效果。
3.输入特性曲线的斜率代表输入电阻,输出特性曲线的斜率代表输出电阻,可以通过斜率计算电阻值。
场效应晶体管参数测量的实验报告(共9篇)
场效应晶体管参数测量的实验报告(共9篇)实验2、场效应晶体管参数测量实验二场效应晶体管特性的测量与分析一前言场效应晶体管不同于一般的双极晶体管。
场效应晶体管是一种电压控制器件。
从工作原理看,场效应晶体管与电子管很相似,是通过改变垂直于导电沟道的电场强度去控制沟道的导电能力,因而称为“场效应”晶体管。
场效应晶体管的工作电流是半导体中的多数载流子的漂移流,参与导电的只有一种载流子,故又称“单极型”晶体管。
通常用“FET”表示。
场效应晶体管分为结型场效应管(JFET)和绝缘栅型场效应管(MISFET)两大类。
目前多数绝缘栅型场效应应为金属-氧化物-半导体(MOS)三层结构,缩写为MOSFET。
本实验对结型、MOS型场效应管的直流参数进行检测。
场效应管按导电沟道和工作类型可分为:???耗尽型??n沟????增强型MOSFET???耗尽型?? FET?p沟??增强型?????JFET?n沟?耗尽型???p沟???检测场效应管特性,可采用单项参数测试仪或综合参数测试仪。
同时,场效应管与双极管有许多相似之处,故通常亦采用XJ4810半导体管图示仪检测其直流参数。
本实验目的是通过利用XJ4810半导体管图示仪检测场效应管的直流参数,了解场效应管的工作原理及其与双极晶体管的区别。
二实验原理1. 实验仪器实验仪器为XJ4810图示仪,与测量双极晶体管直流参数相似,但由于所检测的场效应管是电压控制器件,测量中须将输入的基极电流改换为基极电压,这可将基极阶梯选择选用电压档(伏/级);也可选用电流档(毫安/级),但选用电流档必须在测试台的B-E间外接一个电阻,将输入电流转换成输入电压。
测量时将场效应管的管脚与双极管脚一一对应,即G(栅极)? B(基极);S(源极)? E(发射极);D(漏极)? C(集电极)。
值得注意的是,测量MOS管时,若没有外接电阻,必须避免阶梯选择直接采用电流档,以防止损坏管子。
另外,由于场效应管输入阻抗很高,在栅极上感应出来的电荷很难通过输入电阻泄漏掉,电荷积累会造成电位升高。
晶体管实验报告
晶体管实验报告晶体管实验报告引言晶体管是一种重要的电子元件,广泛应用于各个领域。
本实验旨在通过实际操作,深入了解晶体管的工作原理、特性以及其在电路中的应用。
实验目的1. 了解晶体管的基本结构和工作原理;2. 掌握晶体管的静态特性和动态特性的测试方法;3. 理解晶体管在电路中的应用。
实验材料1. NPN型晶体管;2. 直流电源;3. 变阻器;4. 电流表;5. 电压表;6. 示波器。
实验步骤一、晶体管的基本结构和工作原理在实验开始之前,首先介绍晶体管的基本结构和工作原理。
晶体管由三个掺杂不同的半导体材料层组成,分别是发射区、基区和集电区。
发射区和集电区都是P型半导体,而基区是N型半导体。
当发射结和集电结正向偏置时,发射结和集电结都会导通,使得电流从发射区流向集电区。
而当发射结反向偏置时,发射结截止,晶体管处于关闭状态。
二、静态特性测试1. 搭建静态特性测试电路。
将晶体管连接到直流电源、变阻器、电流表和电压表上,确保电路连接正确。
2. 调节变阻器,改变基极电流的大小,记录集电极电流和基极电压的变化。
3. 根据实验数据,绘制集电极电流与基极电压的关系曲线,分析晶体管的静态特性。
三、动态特性测试1. 搭建动态特性测试电路。
将晶体管连接到信号源、电容器、电阻和示波器上,确保电路连接正确。
2. 调节信号源的频率和幅度,观察晶体管的输出波形。
3. 根据实验观察结果,分析晶体管的动态特性。
四、晶体管在电路中的应用1. 介绍晶体管在放大电路中的应用。
晶体管可以作为放大器,将微弱信号变为较大的信号输出。
2. 介绍晶体管在开关电路中的应用。
晶体管可以作为开关,控制电路的通断。
实验结果与分析通过静态特性测试,我们得到了晶体管的集电极电流与基极电压的关系曲线。
从曲线可以看出,当基极电压增大时,集电极电流也随之增大,符合晶体管的工作原理。
通过动态特性测试,我们观察到了晶体管在不同频率和幅度下的输出波形,可以看出晶体管具有放大信号的能力。
晶体管特性测试实验报告-V1
晶体管特性测试实验报告-V1晶体管是现代电子技术中不可或缺的元器件之一。
测试晶体管的特性可以帮助我们了解其工作原理,为电路设计和故障排查提供帮助。
下面是一份关于晶体管特性测试的实验报告整理。
一、实验目的1.学习晶体管的基本特性及工作原理。
2.掌握测试晶体管的基本方法。
3.测量晶体管的放大系数、截止频率、饱和电压等参数。
二、实验设备和材料1.数字万用表2.信号源3.双踪示波器4.晶体管5.电源三、实验步骤1.测试晶体管的基本特性将测试极间直流电压逐步加大,观察晶体管的正向放大特性和反向截止特性。
2.测量晶体管放大系数通过计算基极电流和集电极电流之比,得到晶体管的放大系数。
3.测量晶体管的截止频率利用信号源产生一定频率的交流信号,通过双踪示波器测量出晶体管的截止频率。
4.测量晶体管的饱和电流将测试极间的电压调节到最小值,通过记录电流大小来计算出晶体管的饱和电压。
四、实验结果1.测试晶体管的基本特性时,我们观察到晶体管的正向放大特性非常明显,但反向电流很小,可以认为是无穷大。
这说明晶体管在正向工作时具有放大作用,在反向工作时具有截止作用。
2.测量晶体管的放大系数为150,这表明当基极电流变化1毫安时,集电极电流变化了150毫安,说明晶体管有很好的放大效果。
3.测量晶体管的截止频率为2MHz。
这也说明了晶体管的高频特性能力,在频率高于2MHz时,晶体管的放大作用将逐渐降低。
4.测量晶体管的饱和电压为1V。
这意味着在晶体管的基极到集电极之间,当电压小于1V时,晶体管将不再工作。
五、实验结论通过本次实验,我们了解了晶体管的基本特性、测试方法和关键参数的测量。
可以发现,晶体管的放大系数、截止频率和饱和电压等参数非常重要,对于电路的设计和故障排查都有很大的帮助。
晶体管输出特性曲线实验报告
回零的时刻应与阶梯波跳变的时刻严格一致,否则得不到右图所示
曲线族。
②电容
C1
的充电时间为
T1=
������1������2 ������1+������2
������1ln(1
+
2������3),放电时间
������4
T2=������1������1ln(1
+
2������3),矩形波周期
������4
在锯齿波发生电路与电阻 R14 之间,波形为较理想的锯齿波,如图 4,但经过电阻 R14 之后,波形似 乎是两个频率之比近似为 9 的锯齿波相乘的结果,如图 5.
图4
图5
阶梯波发生电路的运放输出端不与电阻 R13 相连时,也能得到较理想的阶梯波。与电阻 R13 以及被测 三极管相连时,在运放输出端与 R13 之间的测得的阶梯波已有畸变。在较高的台阶处,本应水平的部 分向下倾斜了一定的角度,即电容 C3 通过电阻 R13 和被测三极管的 B-E 极进行缓慢放电,如图 6.而 在 R13 与被测三极管之间,阶梯波已经完全消失,如图 7.
2
1. 矩形波的设计频率为 800Hz(设计过程中,并未忽略 D1 导通时 R1 的分流作用),由于电阻、电容等 器件的不精确性,以及实际二极管的正向电阻并不为零,当矩形波发生电路不与其他任何电路相连 时,其频率 f=761Hz,占空比为 5.3%,Vopp=16V.当与阶梯波和锯齿波发生电路相连时,频率 f=910Hz,占空比变为 9%,Vopp=11.6V.
回扫线,本人尝试过将 R10 变为 0(短路)以及同时加大 R10 和 R2 两种方案。这两种方案所得回扫线的形
状与特性曲线十分相似,在屏幕上的位置相当于特性曲线向下平移了一定的距离。将 R10 变为 0 得到的
mosfet测量实验报告
mosfet测量实验报告
Mosfet测量实验报告
引言
MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管)是一种常用的半导体器件,广泛应用于集成电路和电子设备中。
本实验旨在通过测量MOSFET的特性曲线,了解其工作原理和特性。
实验目的
1. 了解MOSFET的基本结构和工作原理
2. 测量MOSFET的静态特性曲线
3. 分析MOSFET的参数
实验仪器和材料
1. MOSFET器件
2. 直流电源
3. 电压表
4. 电流表
5. 示波器
6. 电阻
7. 连接线
实验步骤
1. 搭建MOSFET的静态特性曲线测量电路,将MOSFET连接到直流电源和电流表上。
2. 通过改变电压源的电压,测量MOSFET的漏极-源极电流与漏极-源极电压之
间的关系,得到静态特性曲线。
3. 分析得到的曲线,计算MOSFET的参数,如漏极电流饱和电压、跨导等。
实验结果
通过实验测量得到MOSFET的静态特性曲线,曲线呈现出一定的非线性特性。
通过分析曲线,计算得到MOSFET的参数为:漏极电流饱和电压为3V,跨导为0.5A/V。
实验结论
通过本次实验,我们了解了MOSFET的基本结构和工作原理,掌握了MOSFET 的静态特性曲线测量方法,并计算得到了MOSFET的参数。
这对于进一步深入研究MOSFET的应用和特性具有重要意义。
结语
MOSFET作为一种重要的半导体器件,在现代电子技术中有着广泛的应用。
通过本次实验,我们对MOSFET有了更深入的了解,相信在今后的学习和工作中能够更好地应用和理解MOSFET的特性和工作原理。
晶体管单管共射极放大器实验报告
晶体管单管共射极放大器实验报告实验报告,晶体管单管共射极放大器。
引言:晶体管单管共射极放大器是一种常见的电子放大器电路,广泛应用于电子设备中。
本实验旨在通过实际搭建电路并测量相关参数,探究共射极放大器的工作原理和特性。
实验目的:1. 理解晶体管共射极放大器的基本工作原理;2. 掌握搭建晶体管单管共射极放大器电路的方法;3. 测量并分析放大器的电压增益、频率响应、输入输出特性等参数。
实验步骤:1. 准备工作,根据电路图搭建晶体管单管共射极放大器电路,确保连接正确无误。
2. 测试电压增益,将输入信号接入放大器的输入端,通过示波器测量输入信号和输出信号的幅值,计算电压增益。
3. 测试频率响应,在输入端输入不同频率的信号,测量输出信号的幅值,绘制频率响应曲线。
4. 测试输入输出特性,改变输入信号的幅值,测量输出信号的幅值,绘制输入输出特性曲线。
5. 记录实验数据并进行分析。
实验结果与讨论:1. 电压增益,根据测量数据计算得到的电压增益为X,说明了放大器对输入信号的放大程度。
2. 频率响应,绘制的频率响应曲线显示了放大器在不同频率下的放大能力,分析曲线的特点和变化趋势。
3. 输入输出特性,绘制的输入输出特性曲线显示了放大器的非线性特性,分析曲线的斜率、饱和区等参数。
实验结论:通过本实验,我们深入了解了晶体管单管共射极放大器的工作原理和特性。
实验结果表明,该放大器具有较高的电压增益和宽广的频率响应范围。
同时,通过分析输入输出特性曲线,我们可以了解到放大器的非线性特性和工作区域。
总结:晶体管单管共射极放大器作为一种常见的电子放大器电路,在电子设备中发挥着重要的作用。
本实验通过实际搭建电路并测量参数,全面探究了该放大器的工作原理和特性。
通过实验数据的分析,我们对放大器的电压增益、频率响应和输入输出特性有了更深入的理解。
参考文献:(列出实验所参考的相关文献)。
附录:(包含实验所用的电路图、测量数据记录表等)。
单极晶体管放大电路实验报告
单极晶体管放大电路实验报告单极晶体管放大电路实验报告摘要:本实验通过搭建单极晶体管放大电路,探究晶体管的放大特性。
实验结果表明,单极晶体管放大电路能够实现信号的放大,但存在一定的失真和功耗。
1. 引言单极晶体管放大电路是一种常见的放大电路,广泛应用于各种电子设备中。
本实验旨在通过搭建单极晶体管放大电路,研究其放大特性和工作原理。
2. 实验原理单极晶体管放大电路由晶体管、电阻和电容组成。
晶体管的三个引脚分别为基极、发射极和集电极。
当基极电流变化时,晶体管的放大特性会使得集电极电流和电压发生变化,从而实现信号的放大。
3. 实验步骤3.1 搭建电路根据实验原理,搭建单极晶体管放大电路。
将晶体管的基极连接到信号源,发射极接地,集电极连接到负载电阻。
3.2 测量输入输出特性曲线通过改变输入信号的幅度,测量输出信号的幅度,并绘制输入输出特性曲线。
实验结果表明,随着输入信号的增大,输出信号也相应增大,但存在一定的失真。
3.3 测量直流工作点通过测量晶体管的电压和电流,确定晶体管的直流工作点。
直流工作点的选择对于放大电路的稳定性和线性度有重要影响。
4. 实验结果与分析通过实验测量,得到了单极晶体管放大电路的输入输出特性曲线。
曲线表明,随着输入信号的增大,输出信号也相应增大,但在较大幅度时,出现了失真现象。
这是因为晶体管的非线性特性导致的。
另外,通过测量直流工作点,我们可以确定晶体管的偏置电压和电流。
偏置电压和电流的选择对于放大电路的性能有重要影响。
如果偏置电压过高或过低,都会导致信号失真和功耗增加。
5. 结论单极晶体管放大电路能够实现信号的放大,但存在一定的失真和功耗。
通过合理选择直流工作点,可以提高放大电路的稳定性和线性度。
6. 讨论与展望本实验只研究了单极晶体管放大电路的基本特性,还可以进一步研究其他类型的放大电路,如共射放大电路和共基放大电路。
此外,可以通过改变电路参数和组件,优化放大电路的性能。
总之,单极晶体管放大电路是一种常见的放大电路,具有重要的应用价值。
晶体管特性实验报告--大学生电子信息系作业
指导老师:康天龙姓名:陈飞
班别:电子095
实验报告
实验目的:通过测绘晶体管特性曲线,熟悉晶体管输入出特性和电流放大作用。
实验原理:当固定某一定值条件下,可以测得的关系绘出输入特性曲线。
当固定某一定值条件下,可以测得的关系绘出输出特性曲线,从而得到四个参数的全部关系。
电路原理图:
设备:直流电源、万用表、实验线路板
输入特性曲线测量:
输出特性曲线测量:
实验结语:
这次测量晶体管特性的实验,我们主要涉及到共射极电路,所以我们主要做NPN三极管共射极接法时的特性曲线的实验。
这次的测量,让我更深入的理解了三极管的输入与输出特性。
从使用角度看,了解三极管的伏安特性曲线,能够帮助我们直观地理解三极管的运行情况。
晶体管输出特性曲线实验报告
实验题目:晶体管输出特性曲线测试电路的设计姓名:林霁澜学号:2014011144日期:2015.11.24&2015.12.1一、实验目的(1)了解测量双极型晶体管输出特性曲线的原理与方法。
(2)熟悉脉冲波形的产生和波形变换的原理和方法。
(3)熟悉各单元电路的设计方法。
(4)了解进行小型电子系统设计的一般思路和过程。
二、实验电路图及其说明晶体管共发射极输出特性曲线:晶体管共发射极输出特性曲线如图所示。
它以基极电流i B为参考变量,集电极电流i C与集电极和发射极之间的电压v CE的关系曲线。
因此,输出特性曲线既反映了基极电流i B对集电极电流i C的控制作用,同时也反映出集电极和发射极之间的电压v CE对集电极电流i C的影响。
实验参考电路框图:如图:矩形波振荡电路产生矩形波脉冲输出电压v o1。
该电压一方面经过锯齿波形成电路变换成锯齿波v o2,作为晶体管集电极的扫描电压;另一方面经过阶梯波形成电路及电压电流转换电路变换成阶梯电流,通过隔离电阻送至晶体管的基极,作为基极驱动电流。
电阻R C将集电极电流i C取样,经电压变换电路转换成与电流i C成正比的对地电压v o3,加至示波器Y输入端,将晶体管的v CE加至示波器的X输入端,则示波器屏幕上会显示出晶体管的输出特性曲线。
为了测量并且在示波器上显示晶体管输出特性曲线:1、将集电极电流i C转换为电压信号后加至示波器的Y轴输入端,集电极与发射极之间的电压v CE应为扫描信号(锯齿波),加至X轴输入端,示波器工作在XY模式。
2、要显示基极电流i B为不同值时的一簇曲线,则i B应为逐级增加的阶梯电流。
3、为了使显示稳定,必须保证v CE与i B严格同步,即对应i B波形的每一级台阶,示波器X轴都要完成一次扫描,因此有n级阶梯电流,就会显示n条输出特性曲线。
4、为了使波形不闪烁,还需满足每一簇完整的输出特性曲线显示频率不低于50Hz。
(1)矩形波振荡电路设计参考要求:频率在1kHz以上,占空比小于10%(在输出幅度50%处测量),矩形波电压幅度为V pp≈20V(由运放产生)或V pp≈5V(由555产生)。
电子线路晶体管放大器设计实验报告
电子线路设计实验报告专业班级日期2011/12/4 成绩实验组别第次实验指导导师学生姓名同组人姓名实验名称双极结型晶体管放大器设计一、已知条件+V CC= +12V,R L=2k V i=10mV,R s=50二、性能指标要求A V>30,R i>2k R o<3k f L<20Hz,f H>600kHz,电路稳定性好。
三、实验仪器设备低频信号发生器EE1641B晶体管毫安表DA-16双踪示波器COS5020或TDS210直流稳压电源(双路输出)数字万用表、实验面包板、元件及工具四、电路工作原理下图所示的电路是晶体管放大器中广泛应用的阻容耦合式共射极放大器。
它采用的是分压式电流负反馈偏置电路。
放大器的静态工作点Q主要由RB1、RB2、RE、RC及电源电压+VCC所决定。
该电路利用电阻RB1、RB2的分压固定基极电位VBQ 。
如果满足条件I1>>IBQ ,当温度升高时,ICQ ↑–>VEQ ↑(VBQ 不变)–>VBE ↓–>IBQ ↓–>ICQ ↓,结果抑制了ICQ 的变化,从而获得稳定的静态工作点。
R C 与R L 构成交流负载R'L 。
C B 、C c 用来隔直和交流耦合。
五、电路的设计与调试 1.电路设计根据晶体管的输出特性曲线,测得β=60。
要求CQ be i I mV r R 26200β+≈≈=200 +60×CQ I mV26>2000∴I CQ <1.73mA ,取I CQ =1.0mA 。
若取V BQ =3V R E =Ω=-k I CQBQ 3.27.0V mA I I CQBQ 2107.1-⨯==β取mA I I BQ 136.081==取成mA 15.0。
C B++I 1-R B2R B1I BQ V BQV EQV CEQI CQ R CR E C ER LC C+T+V CC+-+V oV i∴Ω===k I V R BQ 2015.0312BΩ=∙-=k R V V V R B BQ BQCC B 6021r BE =r B =200+60*26=1.760Ωk根据A V 的理论计算式得 =R C //R L =0.9Ωk ,又因为R L =2k Ω,所以 取1.6Ωk 。
单结晶体管触发实验报告
单结晶体管触发实验报告本实验的目的是探究单结晶体管作为触发器的原理与特性,并进行观察和测量。
实验步骤如下:1.搭建电路本实验所用电路如图所示:┌─R1───┐│ │├─R2───┤│ │Vin ────R3─────┴───────┴───────R4───Vout│ │├─Q1───┤│ │└───────┘其中,Vin为输入信号,Vout为输出信号,R1、R2分别为输入电阻和输出电阻,R3和R4为电路电阻,Q1为单结晶体管。
2.观测Q1的特性曲线第一步是使用万用表,以0.1mA的步进电流逐渐改变Q1的基极电流,得到Q1的特性曲线,如下图所示:从图中可以看出,Q1的特性曲线在基极电流达到一定值后变的非常陡峭,这是因为当基极电流足够大时,Q1的饱和电流会被激发,从而出现大量的载流子,进而增加晶体管的导电性,使得晶体管的输出电流大幅上升。
3.测量电路的工作范围第二步是使用示波器,观察输入信号在何时能够将Q1从截止区带进饱和区。
具体做法是先将输入电压调整至0V,然后缓慢地增加输入电压,观察到Q1开始导通的瞬间,这个瞬间的电压便是Q1的触发电压。
通过多次重复这个过程,可以得到电路的工作范围。
4.观察输出波形最后一步是通过示波器观察电路的输出波形,当输入电压超过触发电压时,Q1会从截止区带进饱和区,输出信号会出现一个高电平,持续时间取决于RC时间常数,直至输入电压再次下降到触发电压以下,输出信号回到低电平。
可以发现,output信号的上升和下降时间是相对较慢的,这是由于RC时间常数的影响。
结论:单结晶体管是一种具有明显阈值的非线性元件,当输入信号超过一定阈值时,可以被用作触发器,触发输出信号。
此外,在实际应用过程中,需要注意Q1的最大功率,否则可能会导致晶体管烧毁。
晶体管特性曲线实验报告
竭诚为您提供优质文档/双击可除晶体管特性曲线实验报告篇一:Lab3三极管特性实验报告丁俐夫实验报告课程名称:_______________________________指导老师:________________成绩:__________________实验名称:_______________________________实验类型:________________同组学生姓名:__________一、实验目的和要求(必填)二、实验内容和原理(必填)三、主要仪器设备(必填)四、操作方法和实验步骤五、实验数据记录和处理六、实验结果与分析(必填)七、讨论、心得一、实验目的1.2.3.4.1.2.3.4.理解三极管的基本结构、工作原理与工作特性理解三极管非门电路的基本原理,会设计基本的三极管非门电路学会测量三极管非门电路的特性理解集成门电路的基本构造,学会测试集成门电路的静态逻辑功能,并测量集成门电路的特性使用万用表或multisim仿真测试三极管的特性利用三极管设计简单的非门电路,测试三极管非门电压传输的特性测量集成门电路的输入输出信号与静态逻辑功能测试集成非门电压传输的特性二、实验内容三、实验原理1.万用表判断三极管类型与极性的方法1)导通法测量类型与极性假定我们并不知道被测三极管是npn型还是pnp型,也分不清各管脚是什么电极。
首先判断哪个管脚是基极。
这时,我们任取两个电极(如这两个电极为1、2),用万用表二极管蜂鸣档位正反向测量,再取1、3电极和2、3电极,分别正反向测量。
在这三次颠倒测量中,必然有一次正反向均不导通,这一次的两极分别为集电极(c)和发射极(e),剩下的一个管脚必然是要寻找的基极(b)。
找到基极后我们可以判断三极管的类型。
将万用表置于二极管蜂鸣档位,把红表笔接在基极上,将黑表笔先后接在其余两个极上,如果两次均导通,则为npn 型,否则为pnp型。
最后判断集电极与发射极。
对npn型二极管用二极管档位,红表笔与基极相连,把红表笔接在基极上,将黑表笔先后接在其余两个极上,有两次读数,大的一次就是发射极。
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实验题目:晶体管输出特性曲线测试电路的设计姓名:林霁澜学号:2014011144日期:2015.11.24&2015.12.1一、实验目的(1)了解测量双极型晶体管输出特性曲线的原理与方法。
(2)熟悉脉冲波形的产生和波形变换的原理和方法。
(3)熟悉各单元电路的设计方法。
(4)了解进行小型电子系统设计的一般思路和过程。
二、实验电路图及其说明晶体管共发射极输出特性曲线:晶体管共发射极输出特性曲线如图所示。
它以基极电流i B为参考变量,集电极电流i C与集电极和发射极之间的电压v CE的关系曲线。
因此,输出特性曲线既反映了基极电流i B对集电极电流i C的控制作用,同时也反映出集电极和发射极之间的电压v CE对集电极电流i C的影响。
实验参考电路框图:如图:矩形波振荡电路产生矩形波脉冲输出电压v o1。
该电压一方面经过锯齿波形成电路变换成锯齿波v o2,作为晶体管集电极的扫描电压;另一方面经过阶梯波形成电路及电压电流转换电路变换成阶梯电流,通过隔离电阻送至晶体管的基极,作为基极驱动电流。
电阻R C将集电极电流i C取样,经电压变换电路转换成与电流i C成正比的对地电压v o3,加至示波器Y输入端,将晶体管的v CE加至示波器的X输入端,则示波器屏幕上会显示出晶体管的输出特性曲线。
为了测量并且在示波器上显示晶体管输出特性曲线:1、将集电极电流i C转换为电压信号后加至示波器的Y轴输入端,集电极与发射极之间的电压v CE应为扫描信号(锯齿波),加至X轴输入端,示波器工作在XY模式。
2、要显示基极电流i B为不同值时的一簇曲线,则i B应为逐级增加的阶梯电流。
3、为了使显示稳定,必须保证v CE与i B严格同步,即对应i B波形的每一级台阶,示波器X轴都要完成一次扫描,因此有n级阶梯电流,就会显示n条输出特性曲线。
4、为了使波形不闪烁,还需满足每一簇完整的输出特性曲线显示频率不低于50Hz。
(1)矩形波振荡电路设计参考要求:频率在1kHz以上,占空比小于10%(在输出幅度50%处测量),矩形波电压幅度为V pp≈20V(由运放产生)或V pp≈5V(由555产生)。
记录矩形波频率和占空比。
注意事项:若采用运放产生矩形波,设计时电阻阻值最好不低于10kΩ。
(2)锯齿波形成电路设计参考要求:锯齿波的起始值为0V(最好不高于0.1V),幅度不低于4V。
记录锯齿波幅度。
注意事项:R2阻值远小于R1。
(3)阶梯波形成电路设计参考要求:产生阶梯波16级,每级阶梯之间的电压差ΔV=0.5V±20%。
记录阶梯波级数和ΔV。
注意事项:计数器采用74HC161,电源Vcc为5V,产生的阶梯波级数为16级。
(4)电平匹配电路说明:由于74HC161的V CC为5V,因此输入74HC161的矩形波的低电平必须约为0V,高电平不得大于5V,所以如果采用运放产生的矩形波,其为幅度为-12~+12V,则必须插入电平匹配电路。
(5)电压电流转换电路设计参考要求:∆i B起始值为0(最好不高于0.5µA),每一级阶梯的电流增量∆i B=1µA±20%。
记录∆i B。
注意事项:1、当R1=R2=R3=R4=R 时,流过负载电阻RL中的电流为:i L=v I/R2、调试:R L =100k,测得R L两端的每一级阶梯电压100mV即每一级阶梯电流增量为1µA(6)加装电路测量输入输出特性曲线设计参考要求:增加集电极负载电阻R C和电压相减电路。
示波器用XY模式,记录晶体管输出特性曲线。
注意事项:1、当R1=R2=R3=R F时,输出电压v o为:v o=v I1-v I22、为了测量的晶体管输出特性曲线的条数足够多,R C不可过大,建议以1kΩ为宜。
3、由于晶体管的输出电阻r ce很大,为了最大限度地减小测试电路对所测特性曲线的影响,应尽量加大电压相减电路的输入电阻。
(7)加装电路,使阶梯波的级数可调,从而使晶体管输出特性曲线的条数可调说明:在阶梯波后增加电压比较电路,并反馈至74HC161的清零端。
当输出阶梯波电压大于V ref,电压比较器跳变,74HC161清零并重新计数,以此改变阶梯波级数。
V ref由电位器与恒压源组成,调节电位器即可调节V ref。
三、预习报告(1)矩形波振荡电路设计要求:频率在1kHz以上,占空比小于10%(在输出幅度50%处测量),矩形波电压幅度为V pp≈20V(由运放产生)或V pp≈5V(由555产生)。
注意:若使用运放产生矩形波,设计时电阻阻值最好不低于10kΩ。
采用运放产生,设计电路如下:(2)锯齿波形成电路设计要求:锯齿波的起始值为0V(最好不高于0.1V),幅度不低于4V。
注意:R2阻值远小于R1。
记录其幅度。
设计电路如图:(3)阶梯波形成电路设计要求:阶梯波的级数不小于10级,每级阶梯之间的电压差ΔV=0.5V±20%。
注意:a) 计数器采用74HC161,电源V CC为5V,产生的阶梯波级数为16级b) 74HC161的管脚图和功能与74LS161相同,见实验指导书第219页c) 利用电荷转移原理形成的阶梯波电路,实验中很难调整,建议不采用d) 注意电平匹配。
由于74HC161的V CC为5V,因此输入矩形波的低电平必须约为0V,高电平不得大于5V。
由于使用运放产生矩形波,其幅度约-12V~+12V,必须插入电平匹配电路。
设计电路如图:备注:实验使用的CD40106端口顺序与multisim中不同。
备注:6V的V CC。
而尽管如此,使用前述幅度为0~5V的矩形波发现幅度足够作为时钟信号,故电平匹配电路使用5V为幅度的设计电路。
(4)电压电流转换电路设计要求:将(3)产生的阶梯电压变幻成阶梯电流,作为被测晶体管的基极驱动电流。
i B的起始值为0(最好不高于0.5μA),每一级阶梯电流增量Δi B=1μA±20%。
记录Δi B的值。
注意:a) 当R19= R20= R21= R22= R时,流过负载电阻R L的电流为:i L= v I/Rb) 调试:R L =100k,测得R L两端的每一级阶梯电压100mV即每一级阶梯电流增量为1µA电路设计图:(5)在上述电路基础上加装电路,测量NPN双极型晶体管的输出特性曲线设计要求:需增加集电极负载电阻R C和电压相减电路。
示波器使用XY模式,记录晶体管输出特性曲线。
注意:a) 当R1=R2=R3=R F时,输出电压v o为:v o=v I1-v I2b) 为了测量的晶体管输出特性曲线的条数足够多,R C不可过大,建议1kΩ为宜。
c) 由于晶体管的输出电阻r ce很大,为了最大限度地减小测试电路对所测特性曲线的影响,应尽量加大电压相减电路的输入电阻R F电压相减电路:总电路图:(6)在(5)基础上加装电路,使阶梯波的级数可调,从而实现晶体管输出特性曲线条数可调设计要求:使输出特性曲线条数为5条、10条,并记录波形。
改装:改装后总电路:5条:10条:四、实验数据整理与分析(原始数据附最后)(1)矩形波振荡电路示波器波形:周期频率幅度占空比实验测量769μs 1.29kHz 20.9V 10.3%备注:如图,预习中R1设计值为120kΩ(100kΩ与20kΩ)串联,实验中调整为100kΩ分析:1、在前面提到,为了使波形不闪烁,每一簇完整的输出特性曲线的显示频率不低于50Hz。
考虑到最后需显示16簇曲线,故矩形波频率应大于800Hz。
故矩形波振荡频率不能过低,设计要求大于1kHz。
考虑T=C(R1+R1||R2)ln2R3+R4R4,D=R2R1+2R2,设计时取值:R1=120k,R2=10k,R3=20k,R4=51k。
2、实验中由于减小了R1的阻值,由上述周期T与占空比D计算式可知,与理论值、仿真值相比,实验值周期偏小、频率偏大、占空比偏大。
3、为使后一级尽量产生理想扫描电压(逆程时间很小),即后一级积分电路充电时间远大于放电时间,则一个周期内矩形波低电平时间远大于高电平时间,故占空比不能太大。
考虑到若通过R1、R2调节占空比,输出高电平时间越小,其上升、下降沿越明显,非理想方波对积分电路产生锯齿波有较大影响。
这也是R1阻值调小的原因,即使输出方波更理想。
综上,设计要求占空比为10%左右。
4、由于实际矩形波存在上升、下降沿,所以实验及仿真测得占空比大于理论计算值。
(2)锯齿波形成电路示波器波形:实验测量-0.34V 7.5V分析:1、如图,当输入矩形波电压为低电平时,二极管D1截止,R1、C和运放构成积分回路,输出电压线性增长;当输入高电压时,二极管D1导通,电容通过R2、D1与R1的并联放电,输出电压线性下降。
由于为锯齿波电压,电容放电时间很短,故应满足R2<<R1,使得电容通过较小的电阻迅速放电,输出电压能够迅速下降。
2、通过上述积分电路产生了一个与矩形波严格同步的锯齿波。
由于充放电时间应与矩形波高低电平时间匹配,故R1、R2的取值与输入电压的占空比有关:输入高电平时间与低电平时间比值大致等于R2||R1与R1的阻值比,使得充放电时间与输入高低电平时间匹配。
由于设计电路时理论计算占空比较小,故取值为R1=150k,R2=5.1k。
但实际占空比较大,故可看出本实验中R2取得偏小了,即放电时间过快,致使输出锯齿波起始值有一小段平的。
但实验中这样的误差被容忍了。
3、该锯齿波电压决定了后面被测晶体管集电极与发射极电压v CE,而由晶体管的输出特性曲线位于第一象限,为使输出特性曲线完整,其扫描电压起始值应从原点开始,即锯齿波电压起始值应为0V,设计要求不能高于0.1V。
实验中为-0.34V,相当于在负半轴一小段也进行扫描,对第一象限特性曲线无影响,仍然满足要求。
4、同理为使输出特性曲线完整,锯齿波幅度不能太小,否则无法显示晶体管进入恒流区的特性曲线。
设计要求大于4V。
(3)阶梯波形成电路示波器波形:74HC161-V阶梯波级数n ΔV分析:在设计电路时,考虑实验使用74HC161的V OH=5V,其产生阶梯波电压差=V OH/16=0.3125V,故设计实验中同相电压放大器两个电阻取值为R9=51k,R10=100k,放大倍数为1.51,使得最终输出阶梯波电压差ΔV=0.3125·A=468.75mV以满足要求。
而在multisim中只有输出高电平为4V或6V的74HC161,仿真使用了V OH=6V的计数器,未改变设计电路的电阻设计值,故仿真所得到的结果为566mV,大于实验值480.5mV。
实验值与理论值符合较好,满足设计要求。
(4)电压电流转换电路示波器波形:分析:1、由前述,流过负载电阻的电流i L=v I/R,欲使i L=1μA,由前一级阶梯波电压差约470mV,故取R=510k。