医学电子学基础习题解答

解得： I1 2A
I 2 3A
I 3 1A
绪论
习题2
电路如图所示，已知 1 12V 2 9V ， ， 2、 3 8V， r1 r2 r3 1 ， R5 3 ， R1 R2 R3 R4 2 。求通过 R5 的电流 有多大？
绪论
VCE VCC
VCE ( I C ) RC VCE 4.87V RL
26 hie 200 (1 60) 1257 1.26k 1.5
h fe RL Av 5.1 hie hie ( 1) RB 2 RB1
Ri RB 2 RB1 // hie
Ro1 RC
(1 h fe ) RE vo 2 AV 2 vi hie (1 h fe ) RE
( RS // RB1 // RB 2 ) hie Ro 2 RE // 1 h fe
② 当 RC RE 时， vo1 vo 2 即 vo1 和 vo 2 振幅相等，相位相反。
电子学基础习题解答
教材:《电子线路》(第四版) 梁明理 邓仁清 主编
制作：黄亚洲 2011
绪论
习题1
绪论 1、图中 1=6V，r1=0.2Ω， 2=4.5V，r2=0.1Ω，
3 =2.5V，r3=0.1Ω，R1=0.5Ω，R2=0.5Ω，
(用基尔霍夫定理求解)
R3=2.5Ω，求通过电阻R1、R2、R3的电流。
IC = hfeIB = 1.5mA VCE = VCC－ICRC = 7.35V
26 hie 200 (1 60) 1.5 1257
1.26k
直流通路
教材 P130
第二章 放大器基础
习题 2.5
h fe RC ib hie AV 7.6 {vi ib hie ( ib ) RB 2 } hie RB1 hie ( 1) RB 2 RB1
vi Ri RB // RB //[ hie (1 h fe ) RE ] 103k ib
Ro RE // ( RS // RB ) hie 43 1 h fe
教材 P132
第二章 放大器基础
习题 2.9
2.9 解：①
h fe RC vo1 AV 1 vi hie (1 h fe ) RE
Ri RB 2 RB1 // hie 39k 1.26k 40k
Ro RC 5.1k
教材 P130
第二章 放大器基础
习题 2.5
VCC 0.7 0.7 0.025mA 25A ② 带负载RL时， I B RB1 RB 2
IC = hfeIB = 1.5mA
Ri = hie // RB1 // RB2 ≈ hie = 1.1kΩ Ro = RC = 5.1kΩ
教材 P132
第二章 放大器基础
习题 2.8
2.8 解：I BQ

VCC VBEQ RB (1 h fe ) RE
15V 0.7V 250k (1 50) 5.1k 0.028mA 28A
I CQ
Av
h fe RC RB hie

38 2 4.54 16 0.7337
Ri RB hie 16.7k
Ro RC 2k
教材 P130
第二章 放大器基础
习题 2.5
2.5 解：① 不带负载RL时
VCC 0.7 0.7 IB 0.025mA RB1 RB 2 25A
解得： I1 2A
I 2 3A
I 3 1A
绪论
习题1
1 2 I1 R1 ( I1 I 3 )r1 ( I 2 I1 )r2 0 或 2 3 I 2 R2 ( I 2 I1 )r2 ( I 2 I 3 )r3 0 I R I R I R 0 2 2 3 3 1 1
I Z I Z max
第一章 半导体器件的特性
习题 1.12
1.12 解： h fe
h fb 1 h fb
0.98 49 1 0.98
IC 10mA IB 0.2mA 200A h fe 49
教材 P52
第二章 放大器基础
习题 2.1
第二章 放大器基础
2.1 解：(a) 能正常放大； (b) 不能正常放大，输入端交流短路； (c) 不能正常放大，C结反偏不能满足； (d) 不能正常放大，VGS＜0不能满足。
教材 P130
第二章 放大器基础
习题 2.2
2.2 解：
(a)
(b)
教材 P130
第二章 放大器基础
习题 2.4
2.4 解：由教材P132图P2.3(b)知：
26mV 1.4mA 1147 1.15k
vi ib hie vo
vo ie RE
RE RE // RL 3.38k
(1 h fe ) RE vo (1 50) 3.38k AV 0.993 vi hie (1 h fe ) RE 1.15k (1 50) 3.38k
e
vT
0.05 vD 77.89mV
100 vT vT
(2) i I D R ( sat ) (e
1) 1)
iD I R ( sat) (e
100
iD e 26 1 100 46.7 iD e 26 1
100
教材 P50
第一章 半导体器件的特性
VCEQ = VCC－ICQ(RC + RE) ≈ 5.74V
I BQ
I CQ h fe
1.68 0.028mA 28A 60
直流通路
教材 P132
第二章 放大器基础
习题 2.7
26mV ② hie 200 (1 60) 1144 1.1k 1.68mA RL 60 2.55k Av h fe 139 R R C //R L L hie 1.1k
习题2
解：①戴维南定理求解，如图所示，有：
Vab 2 3 I ( R2 R4 r3 )
1 3 12V 8V I 0.4A R1 R3 R2 R4 r1 r3 4 2 2 1
9V 8V 0.4 (2 2 1) 1V 1V 2 I R5 A 0.154A r Rab 3.5 3.5 3 13
第二章 放大器基础
习题 2.12
vo g m ( R1 R2 ) 2.12 解：Av 0.63 vi 1 g m ( R1 R2 )
vo iD ( R1 R2 ) g mvGS ( R1 R2 )
vi vGS vo [1 g m ( R1 R2 )]vGS
习题 1.5
1.5 解：
(a)
(b)
(c)
(d)
教材 P51
第一章 半导体器件的特性
习题 1.7
1.7 解：
教材 P51
第一章 半导体器件的特性
习题 1.9
1.9 解：(1)
V1 VZ VZ 15V 6V 6V IZ 13mA R RL 0.5k 2k
I Z min I Z I Z max ∴电路能正常工作
rs Rab 3.5
rs // R5 7 2 2 I R5 I s A A 0.154A R5 13 7 13
第一章 半导体器件的特性
习题 1.2
第一章 半导体器件的特性 1.2解： (1) 由 iD I R ( sat) (e
vD
vD vT
1) 得：
当 iD 0.95I R ( sat) 时
教材 P134
第二章 放大器基础
习题 2.10
2.10 解： ① VBQ
I CQ
R B2 VCC 4.8V R B1 R B2
4.8 0.7 I EQ 2.4mA 1.5 0.2
VCEQ = VCC－ICQ(RC + RE1+ RE2) ≈ 3.72V
2.4mA I BQ 0.048mA 48A h fe 50 ② hie 200 (1 50) 26mV 752.5 0.75k 2.4mA
绪论
习题2
② 诺顿定理求解，如图所示，有：
I1 I 2 I s 2 1 2 I1 ( R1 r1 R3 ) I s r2 0 I s A 7 I ( R r R ) I r 0 4 s 2 3 2 2 2 3
39k 1.26k 40k
Ro RC 5.1k
直流通路
教材 P130
第二章 放大器基础
习题 2.7
2.7 解：① VBQ
R B2 VCC 4.4V R B1 R B2
VBQ VBEQ RE 4.4 0.7 1.68mA 2.2
I CQ I EQ
vo VZ 6V
(2)
V1 VZ VZ 10V 6V 6V IZ 0.5mA R RL 0.5k 0.8k
I Z I Z min
∴电路不能正常工作
(3) I Z
V1 VZ 20V 6V 28mA R 0.5k
∴ 稳压管可能被烧坏
教材 P52
4.18 0.7 I C1 I E1 1.045mA 0.33 3
VC1 VCC I C1RC1 10.55V
IC1 1.045mA I B1 0.0209mA 21A h fe 50
I CQ h fe I BQ 50 0.028mA 1.4mA
VCEQ VCC I CQ RE 15V 1.4mA 5.1k 7.68V
教材 P132
第二章 放大器基础
习题 2.8
hie rbb (1 h fe )
26 I CQ
200 (1 50)
绪论
习题1
解：如图所示，有：
I 4 I1 I 3 0 I I I 0 2 3 5 I1 I 2 I 6 0 1 2 I1 R1 I 4 r1 I 6 r2 0 2 3 I 2 R2 I 6r2 I 5 r3 0 I1 R1 I 2 R2 I 3 R3 0
vGS iD R1 (1 g m R1 )vGS ii RG RG
vi RG [1 g m ( R1 R2 )] Ri 3.7 M ii 1 g m R1
教材 P135
第二章 放大器基础
习题 2.17
wenku.baidu.com2.17 解：
VB1 R B2 VCC 4.18V R B1 R B2
AV h fe RL hie (1 h fe ) RE1 9.17
I CQ
教材 P134
第二章 放大器基础
习题 2.10
Ri RB1 // RB 2 //[ hie (1 h fe ) RE1 ] 8.18k
Ro RC 3k
教材 P134
I BQ VBB VBEQ RB 1.5V 0.7V 0.05mA 16k
I CQ h fe I BQ 38 0.05mA 1.9mA
1.9mA h fe 38 I BQ 0.05mA 26 hie 200 (1 38) 733.7 1.9