三极管的特性.

35学时
实现电路:
第2章
信号放大电路的分析与制作
35学时
（3） 三极管内部载流子的传输过程
I CBO
I CN
1) 发射区向基区注入多子电 子，形成发射极电流 IE。 2)电子到达基区后 (基区空穴运动因浓度低而忽略) 多数向 BC 结方向扩散形成 ICN。 少数与空穴复合，形成 IBN 。
IB
I BN
39 k A 10~50 V 2SA1015 A LED B 5.1 k B 39 k 10~50 V 2SA1015 LED 5.1 k
增大电源电压，当发光二极管LED亮时，A、 B之间的电压即为晶体管的反向击穿电压。
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1.4 晶体三极管识别与检测方法
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2、电流放大原理 （1） 三极管放大的条件
内部 条件
发射区掺杂浓度高 外部 基区薄且掺杂浓度低 条件 集电结面积大
发射结正偏 集电结反偏
（2） 满足放大条件的三种电路
E ui B 共基极 C uo ui
B
E
C uo ui
E
B
C
uo
共发射极
共集电极
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模拟电子技术的实践
三极管的型号、结构 三极管的特性
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第5课
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六 三极管的特性、识别 1、三极管的结构与型号 collector
集电极 C 基极 B N P N — 集电区 集电结 — 基区 发射结 — 发射区 C B P N P E
1.4.2晶体三极管的输入、输出特性曲线的测试 一、任务的描述 1、项目任务编号：1.4.2 2、项目任务名称：晶体三极管的输入、输出特性曲线的 测试 3、项目任务的内容：按图1.4.3所示的电路联接，通过改 变RP1和RP2电位器的阻值，画出晶体管的特性曲线，从而学会 研究晶体三极管放大特性的一种方法，为今后分析放大电路打 下基础。 4、项目任务的目的：通过对晶体管的特性曲线的简单测 试，学会放大电路的研究方法，深入理解晶体管的电流放大特 性。同时学会正确选用合适的电子测量仪器进行参数测试。 5、需要的相关知识：晶体三极管的输入、输出特性曲线， 电路的连接，电子仪器的使用等。 介绍 介绍
●目测判别极性 ●用指针式万用表判别极性 （2） 三极管性能的检测 ●用万用表的 hFE挡检测 值 ●用晶体管图示仪或直流参数测试表检测 (略) ●用指针式万用表检测
放大能力的检测 穿透电流的检测 反向击穿电压的检测
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IE
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（4）三极管的电流分配关系
IB = I BN ICBO
IC = ICN + ICBO
当管子制成后，发射区载流子浓度、基区宽度、集 电结面积等确定，故电流的比例关系确定，即：
I C I CBO I CN I B I CBO I BN
IC IB (1 )ICBO IB ICEO 穿透电流

1k
0

1k
0
一般情况下， 中、小功率锗管C、E间的电阻 > 10 k； 大功率锗管C、E间的电阻 > 1.5 k； 硅管C、E间的电阻 >100 k（在 R 10 k挡测量）。
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检测反向击穿电压 U(BR)CEO
反向击穿电压低于50V的晶体管,可按图示电路检测。
三个电极：发射极（ e) 、基极 (b) 和集电极 (c) 。同
时,在三个区的两两交界处,
形成两个PN结, 分别
称为发射结和集电结。常用的半导体材料有硅和 锗, 因此共有四种三极管类型。它们对应的型号分 别为： 3A( 锗 PNP) 、 3B( 锗 NPN) 、 3C( 硅 PNP) 、 3D(硅NPN)四种系列。
IE
基区空 基极电源提供(IB) 穴来源 集电区少子漂移(ICBO) 即： IBN IB + ICBO IB = IBN – ICBO
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I CBO
IC
I CN
3) 集电区收集扩散过 来的载流子形成集 电极电流 IC
IB
I C = ICN + ICBO
I BN
按结构分： 按使用频率分： 按功率分：
硅管、锗管
NPN、 PNP 低频管、高频管 小功率管 < 500 mW 中功率管 0.5 1 W 大功率管 > 1 W
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无论是 NPN 型或是 PNP 型的三极管 , 它们均包
含三个区: 发射区、基区和集电区, 并相应地引出
base
发射极 E B
emitter
C
B
C
NPN 型 E
PNP 型
E
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集成电路中典型NPN型BJT的截面图
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目测判别三极管极性
ECB E C B C B E
C B E
EBC
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分类：
按材料分：
用指针式万用表判断三极管极性
红表笔是(表内电源)负极 黑表笔是(表内电源)正极 在 R100或 R1k 挡测量 测量时手不要接触引脚
基极B的判断： 当黑（红）表笔接触某一极，红（黑）表笔分别接触 另两个极时，万用表指示为低阻，则该极为基极，该管为 NPN（PNP）。
C、E极的判断： 基极确定后，比较 B 与另外两个极间的正向电阻，较 大者为发射极E，较小者为集电极C。
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IE = IC + IB
IC IB ICEO
I E (1 ) I B I CEO
I E IC I B
IC IB I E (1 ) I B
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3、三极管的识别和检测
（1） 三极管极性的判别
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三极管放大能力的检测
硅管：100 k 锗管：20 k

1k
0
PNP
硅管：100 k 锗管：20 k

1k
0
NPN 指针偏转角度越大，则放大能力越强
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用万用表检测穿透电流 ICEO
通过测量C、E间的电阻来估计穿透电流 ICEO的大小。
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用万用表的 hFE挡检测 值
● 若有ADJ挡，先置于ADJ 挡进行调零。 ● 拨到 hFE挡。 ● 将被测晶体管的C、B、E三个引脚分别插入相应的 插孔中（TO-3封装的大功率管，可将其3个电极接出 3根引线，再插入插孔）。 ● 从表头或显示屏读出该管的电流放大系数 。