存储系统存储

3.2 随机读写存储器(RAM)
<1>地址的总位数不变，总存储器字容量不变。 例:芯片的地址线是A0～A13,存储器的地址总线还是A0～A13
<2>数据线的位数增加，增加的数量等于各芯片位数之和。 例:共两个芯片，每个芯片4位，总存储器的数据总线是8位。
※ 相当于要增加一个大楼的总人数，可以增加房间内可居住 的人数，而没有增加房间的数量。
外存储器
简称
用途
特点
Cach e 主存
外存
高速存取指令和数据
存放计算机运行期间的 大量程序和数据
存放系统程序和大型数 据文件及数据库
存取速度快，但存储 容量小
存取速度较快，存储 容量不大
存储容量大，位成本 低
Chapter6
3.1 存储器概述
❖3 技术指标（主存）和基本操作
存取时间：启动一次存储器操作到操作完成的时间。 存储周期：连续两次启动存储器的最小间隔时间。 存储器带宽：单位时间里存储器所存取的信息量（字节/秒)。 基本操作：“读”和“写”。 读:从存储器中取出数据 写:是将数据放入存储器。
CS A13 ﹕ 16K×8 A0
R/W D0～D7
CS A13 ﹕ 16K×8 A0
R/W D0～D7
D0～D7
Chapter14
（2）字扩展
3.2 随机读写存储器(RAM)
<1>地址的总位数增加，总存储器字容量增加。字容量 增加等于各芯片字容量乘以芯片个数。
例:芯片的字容量是16K，4个芯片，总存储器的字容量为 4×16K=64K。
❖ 按在计算机系统中的作用分 根据存储器在计算机系统中所起的作用，可分为主存储器、
辅助存储器、高速缓冲存储器、控制存储器等。
Chapter4
❖2 存储器的分级结构
3.1 存储器概述
RAM、ROM、 PROM、 EPROM、 E2PROM
Chapter5
3.1 存储器概述
名称 高速缓冲存
储器
主存储器
Chapter2
3.1 存储器概述
❖1 分类
❖ 按存储介质分 半导体存储器：用半导体器件组成的存储器。 磁表面Fra Baidu bibliotek储器：用磁性材料做成的存储器。
❖ 按存储方式分 随机存储器：任何存储单元的内容都能被随机存取，且存
取时间和存储单元的物理位置无关。 顺序存储器：只能按某种顺序来存取，存取时间和存储单
元的物理位置有关。
Chapter16
（3）字位扩展
A15 A14
A13
﹕
A0
R/W D0～D3 D4～D7
译
码
器 0
CS A1C3S A1﹕3 2114 ﹕A20114 A0 R/W R/WD0～D7 D0～D7
3.2 随机读写存储器(RAM)
字扩展
1
CS A1C3 S A﹕13 2114 ﹕A20 114 A0 R/W RD/DW0～0～DD7 7
Chapter13
3.2 随机读写存储器(RAM)
（2）字位扩扩展展：将各芯片的地址线、数据线、读写控制线
相应并联，而由片选信号来区分各芯片的地址范围。
A15
译
A14
码 器
1
2
3
0
A13
﹕
A0
R/W
CS A13 ﹕ 16K×8 A0
R/W D0～D7
CS A13 ﹕ 16K×8 A0
R/W D0～D7
3.2 随机读写存储器(RAM)
（1）位位扩扩展展：是将多片存储器的地址、片选、读写控 制A0端～RA1／3 W可相应并联，数据端分别引出。
D0～D7
CS R/W D0～D3 D4～D7
A0～A13
CS 16K×4
R/W
D0～D3
A0～A13
CS 16K×4
R/W
D0～D3
Chapter12
（1）位扩展
第三章 存储系统
2009/9
3.1 存储器概述
❖1 分类
存储器是计算机系统中的记忆设备，用来存放程序和数据。 ❖ 构成存储器的存储介质，目前主要采用半导体器件和磁性
材料。存储器中最小的存储单位就是一个双稳态半导体电路 或一个CMOS晶体管或磁性材料的存储元，它可存储一个二 进制代码。由若干个存储元组成一个存储单元，然后再由许 多存储单元组成一个存储器。
2
CS A1C3 S A﹕13 2114 ﹕A20 114 A0 R/W RD/DW0～0～DD7 7
3
CS
A1C3 S A﹕13 2114
Chapter3
3.1 存储器概述
❖1 分类
❖ 按存储器的读写功能分 只读存储器(ROM)：存储的内容是固定不变的，只能读出而 不能写入的半导体存储器。 随机读写存储器(RAM)：既能读出又能写入的半导体存储器。
❖ 按信息的可保存性分 非永久记忆的存储器：断电后信息即消失的存储器。 永久记忆性存储器：断电后仍能保存信息的存储器。
3.2 随机读写存储器(RAM)
❖4 存储器与CPU连接
1个存储器的芯片的容量是有限的，它在字数或字长 方面与实际存储器的要求都有很大差巨，所以需要在字 向和位向进行扩充才能满足需要。 （1）位扩展
位扩展指的是用多个存储器器件对字长进行扩充。 （2）字扩展
字扩展指的是增加存储器中字的数量
Chapter11
<2>数据线的位数不变，总存储器的数据总线位数等于各芯 片位数。
例:共4芯片，每个芯片8位，总存储器的数据总线是8位。
※ 相当于要增加一个大楼的总人数，可以增加房间数，而没 有增加房间内的人数。
Chapter15
3.2 随机读写存储器(RAM)
（3）字位扩展 实际存储器往往需要字向和位向同时扩充。 一个存储器的容量为M×N位，若使用L×K位存储器芯片， 那么，这个存储器共需要M/L×N/K存储器芯片。
Chapter9
3.2 随机读写存储器(RAM)
❖2 静和Y态存选M储择O体线S：(存列存储 线储)器的单(交元S叉R的A来集M选合)择，所通需常要用的X选单择元线。(行线)
地址译码器：将用二进制代码表示的地址转换成输 出端的高电位，用来驱动相应的读写电路，以便选择 所要访问的存储单元。Chapter10
Chapter7
3.1 存储器概述
❖3 技术指标（主存）和基本操作
读/写
CPU AR DR
读/写 准备好 地址 数据 主存储器
地址总线 数据总线 控制总线
Chapter8
3.2 随机读写存储器(RAM)
❖4 半导体读/写存储器分为：静态MOS存储器 (SRAM)和动态MOS存储器（DRAM）。
SRAM:双稳态触发器来保存信息。（功耗大，cache用） DRAM:MOS电容存储电荷保存信息。（功耗小，主存用）