上海新傲科科技股份有限公司商业分析

上海新傲科技股份有限公司

商业分析

公司篇

公司简介

上海新傲科技股份有限公司前身上海新傲科技有限公司，成立于2001年，2009年6月整体变更改制为上海新傲科技股份有限公司，是一家致力于高端硅基材料研发与生产的高新技术企业，由中科院上海微系统所牵头，联合中外投资者设立。公司成立至今，获得了国家工业与信息化部、科技部、中国科学院以及上海市有关部门的大力支持。新傲公司现有注册资本人民币1。5亿元，拥有高素质的管理与技术团队，以国际一流半导体企业的模式，高起点、高标准地推进新傲事业的发展。

公司优势/业务特色

SOI:

新傲公司目前是中国唯一的SOI材料生产基地，也是世界上屈指可数的SOI材料规模化供应商之一。拥有SIMOX（注氧隔离）、Bonding（键合）和Simbond（完全自主开发的SOI新技术）三类SOI晶片制造技术，能够提供100mm（4英寸）、125mm（5英寸）和150mm（6英寸）SOI晶片和SOI 外延片，小批量提供8英寸SOI片。产品系列包括高剂量、低剂量、超薄、高阻SIMOX晶片，Bonding晶片，Simbond晶片，并可根据用户需求外延到所需的表层硅厚度，并于2004年8月发布了我国首项SOI制备工艺企业标准。新傲公司丰富的产品能够覆盖SOI的所有应用领域，产品质量和技术能力得到了国际著名公司的认可。目前，新傲公司的产品90%以上销售到美、日、欧、俄、韩、台湾和新加坡等地，并成为Intel、NXP、TOSHIBA、TI、IBM等国际知名公司的供货商。

EPI:

新傲公司目前也是中国技术领先的外延硅片供应商。作为国内首家合资外延厂商，新傲公司可以提供4-6英寸的所有规格与要求的外延硅产品和外延加工服务，现已开始批量提供8英寸外延片。2003年起，仅用三年时间，新傲就已经建设成为国内产品质量最好、技术水平最高、生产规模最大的的外延企业。现今，新傲公司的外延客户现已遍及美、日、韩、台、俄、印等国家和地区，其中包括日本三菱、夏普、VISHAY、华润上华等国际知名公司。

销售网络

Japan，ITX-EG / GSI (Tokyo)

GSI Creos Corporation

Europe，CSD (UK)

Korea，Dail (Seoul)

Singapore

公司发展历程

公司的人力结构

中国科学院院士：1人上海市领军人才：2人全国五一劳动奖章：1人上海市劳模：2人

博士生导师：5人上海市劳模：2人

国家杰出青年基金（总理基金）：1人

上海市科技启明星：5人上海市学科带头人：4人

主营产品篇

集成电路供应链

SOI

定义：SOI是指将一薄层硅置于一绝缘衬底上。晶体管将在称之为"SOI" 的薄层硅上制备。基于SOI结构上的器件将在本质上可以减小结电容和漏电流，提高开关速度，降低功耗，实现高速、低功耗运行。作为下一代硅基集成电路技术，SOI 广泛应用于微电子的大多数领域，同时还在光电子、MEMS等其它领域得到应用。

新傲技术：SIMOX（注氧隔离）、Bonding（键合）和Simbond（完全自主开发的SOI新技术）

新傲SOI圆片特点：

1. 提高运行速度

在特定的电压下，建在新傲SOI材料上电路的运行速度比建在普通硅材料上电路的速度提高百分之30%，这极大地提高了微处理器和其它装置的性能。

2. 降低能量损耗

新傲SOI材料能降低近30%-70%的能量消耗，特别适用于对能量消耗比较高的领域。

3. 改进运行性能

新傲SOI材料能承受高达350摄氏度甚至500摄氏度的高温，对那些在恶劣环境下必须运转良好的设备特别适用。

4. 减小封装尺寸

新傲SOI材料能满足IC制造商对产品越来越小的要求。

SOI应用

SOI的制备

SIMOX

SIMOX是注氧隔离技术的简称。新傲科技采用此技术在普通圆片的层间注入氧离子

以形成隔离层。此方法有两个关键步骤：

离子注入和退火。

在注入过程中，氧离子被注入圆片里，与

硅发生反应形成二氧化硅沉淀物。然而注

入对圆片造成相当大的损坏，而二氧化硅

沉淀物的均匀性也不很好。随后进行的高

温退火能帮助修复圆片损坏层并使二氧化

硅沉淀物的均匀性保持一致。这时圆片的

质量得以恢复而二氧化硅沉淀物所形成的

埋层具有良好的绝缘性。

Bonding

通过在硅和二氧化硅或二氧化硅和二氧化硅之间使用键合技术，两个圆片能够紧密键合在一起，并且在中间形成二氧化硅层充当绝缘层。键合圆片在此圆片的一侧削薄到所要求的厚度后得以制成。

这个过程分三部来完成。第一部是在室温的环境下使一热氧化圆片在另一非氧化圆片上键合；第二部是经过退火增强两个圆片的键合力度；第三部通过研磨、抛光及腐蚀来消薄其中一个圆片到所要求的厚度。

Simbond

在传统的键合和离子注入技术的基础上，新

傲及其合作伙伴发展了制备SOI材料的又一

种方法：Simbond。离子的注入产生了一个

分布均匀的离子注入层。此层用来充当化学

腐蚀阻挡层，可对圆片在最终抛光前器件层

的厚度及其均匀性有很好的控制。采用新傲

所首创的方法制备的SOI硅片具有优越的

SOI均匀性和可调制的埋层厚度。

EPI

新傲为客户提供高质量外延服务：

∙CMOS、分立器件、功率器件、IGBT双层外延、SOI和埋层外延

∙圆片直径：100，125，150 & 200 mm

∙月生产能力20万片以上(4英寸外延片)

∙10级洁净厂房

∙外延炉：

MT7700K 筒式红外加热外延炉

MT7811K 筒式红外加热外延炉

RF平板式外延炉

LPE2061&3061系列机台

单片外延炉

∙客户特定参数

∙加工前后高纯水清洗服务