双极型晶体管和场效应管基础知识

双极型晶体管和场效应管基础知识
1.场效应管主要有结型场效应管(JFET)和绝缘栅型场效应管(IGFET)。

绝
缘栅型场效应管的衬底(B)与源析(S)连在一起，它的三个极分别为栅极(G)、
漏极(D)和源极(S)。

晶体管分NPN和PNP管，它的三个极分别为基极(b)、
集电极(c)、发射极(e)。

场效应管的G、D、S极与晶体管的b、c、e极有相
似的功能。

绝缘栅型效应管和结型场效应管的区别在于它们的导电机构和电
流控制原理根本不同，结型管是利用耗尽区的宽度变化来改变导电沟道的宽
窄以便控制漏极电流，绝缘栅型场效应管则是用半导体表面的电场效应、电
感应电荷的多少去改变导电沟道来控制电流。

它们性质的差异使结型场效应
管往往运用在功放输入级(前级)，绝缘栅型场效应管则用在功放末级(输出级)。

 2.双极型晶体管内部电流由两种载流子形成，它是利用电流来控制。

场效
应管是电压控制器件，栅极(G)基本上不取电流，而晶体管的基极总要取一定的电流，所以在只允许从信号源取极小量电流的情况下，应该选用场效应管。

而在允许取一定量电流时，选用晶体管进行放大，可以得到比场效应管高的
电压放大倍数。

 3.场效应管是利用多子导电(多子：电子为多数载流子，简称多子)，而晶体管是既利用多子，又利用少子(空穴为少数载流子，简称少子)，由于少子的
浓度易受温度，辐射等外界条件的影响，因此在环境变化比较剧烈的条件下，采用场效应管比较合适。