《电子技术基础》第二章半导体三极管及其放大电路试卷
电子技术基础题库(I_II类题)[1]
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第一章 半导体二极管I 类题一、简答题1． 杂质半导体有哪些？与本征半导体相比导电性有什么不同？答杂质半导体有P 型半导体和N 半导体两种，比本征半导体导电性能增强很多。
2．什么是PN 结？PN 结最基本的特性是什么？ 答；P 型半导体和N 型半导体采用特殊的加工工艺制作在一起，在其交界处产生的特殊薄层称为PN 结。
PN 结最基本的特性是单向导电性。
3． 什么是半导体？半导体有哪些特性？答：导电能力介于导体和绝缘体之间的物质称为半导体。
具有热敏特性、光敏特性和掺杂特性。
二、计算题1． 在下图所示电路中，哪一个灯泡不亮？答：b 不亮2．如图所示的电路中，试求下列两种情况下输出端Y 的电位U Y 及各元件（R ，VD A ，VD B ）中通过的电流；（1）U A =U B =0V ；（2）U A =+3V ，U B =0V ；答：（1）V Y =0VmA 33.9K Ω12V ≈=R I mA5.1232R DB DA ≈===I I I （2）D B 导通，D A 截止 V Y =0VmA39.312≈=R I V 0DA =I mA 3DB =I 3． 在下图所示电路中，设二极管是理想二极管，判断各二极管是导通还是截止？并求U AO =？答：a）图中，二极管导通，U AO=-6V；b）图，二极管截止，U AO=-12V；c）图V1导通，V2截止，U AO=0V。
II类题一、简答题1．从晶体二极管的伏安特性曲线看，硅管和锗管有什么区别？答：硅管死区电压为0.5V左右而锗管为0.2V左右；硅管的正向管压降为0.7V左右而锗管为0.3V左右；硅管的反向饱和电流较小而锗管较大。
2．光电二极管和发光二极管有什么区别？答：发光二极管将电信号转化成光信号，工作时加正向电压；光电二极管将光信号转化成电信号，工作时加反向电压。
3．为什么用万用表的不同电阻档测量同一二极管的正偏内阻数值上差别很大？答：因二极管的非线性。
电子技术基础试题
电子技术基础试题库（第四版）第一章:半导体二极管一、填空题1、根据导电能力来衡量，自然界的物质可以分为______________、__________和__________三类。
导体、绝缘体、半导体2、PN节具有__________特性，即加正向压时__________，加反向压时__________。
单向导电特性、导通、截止3、硅二极管导通时的正向管压降约__________V，锗二极管导通时的正向管压降约__________V。
0.7、0.34、使用二极管时，应考虑的主要参数是__________、__________。
最大整流电流、最高反向工作电压5、在相同的反向电压作用下，硅二极管的反向饱和电流常__________于锗二极管的反向饱和电流，所以硅二极管的热稳定性较__________小、好6、根据导电能力来衡量，自然界的物质可分为 _______ 、_________和__________三类。
导体，绝缘体，半导体7、PN结具有 _____________性能，即加正向电压时PN结________，加反向电压时的PN结_________。
单向导电性，导通，截止二，判断题１、半导体随温度的升高，电阻会增大。
（）N２、二极管是线性元件。
（）N３、不论是哪种类型的半导体二极管，其正向电压都为０.３Ｖ左右。
（）N４、二极管具有单向导电性。
（）Y５、二极管的反向饱和电流越大，二极管的质量越好。
（）N６、二极管加正向压时一定导通（）N7、晶体二极管是线性元件。
（）N8、一般来说，硅晶体二极管的死区电压小于锗晶体二极管的死区电压。
（）Y三、选择题１、ＰＮ结的最大特点是具有（）CＡ、导电性Ｂ、绝缘性Ｃ、单相导电性２、当加在硅二极管两端的正向电压从０开始逐渐增加时，硅二极管（）CＡ、立即导通Ｂ、到０.３Ｖ才开始导通Ｃ、超过死区压才开始导通Ｄ、不导通３、当环境温度升高时，二极管的反向电流将（）AＡ、增大Ｂ、减少Ｃ、不变Ｄ、先变大后变小4、半导体中传导电流的载流子是（）。
电子技术基础题库(I_II类题答案)[1]
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第一章 半导体二极管I 类题一、简答题 1．杂质半导体有P 型半导体和N 半导体两种，比本征半导体导电性能增强很多。
2．P 型半导体和N 型半导体采用特殊的加工工艺制作在一起，在其交界处产生的特殊薄层称为PN 结。
PN 结最基本的特性是单向导电性。
3．导电能力介于导体和绝缘体之间的物质称为半导体。
具有热敏特性、光敏特性和掺杂特性。
二、计算题 1．b 不亮2．（1）V Y =0VmA 33.9K Ω12V ≈=R I mA5.1232R DB DA ≈===I I I （2）D B 导通，D A 截止 V Y =0VmA39.312≈=R I V 0DA =I mA 3DB =I3． a ）图中，二极管导通，U AO =-6V ；b ）图，二极管截止，U AO =-12V ；c ）图V1导通，V2截止，U AO =0V 。
II 类题一、简答题1．硅管死区电压为0.5V 左右而锗管为0.2V 左右；硅管的正向管压降为0.7V 左右而锗管为0.3V 左右；硅管的反向饱和电流较小而锗管较大。
2．发光二极管将电信号转化成光信号，工作时加正向电压；光电二极管将光信号转化成电信号，工作时加反向电压。
3．因二极管的非线性。
加不同电压时二极管的内阻不同，而万用表的不同电阻档的表笔之间的电压不同，造成测量值差别很大。
二、计算题1．2．表b)3．串联二极管，目的是防止电源极性接反；并联二极管目的是防止电流过大而损坏。
第二章.半导体三极管及其放大电路I 类题一、简答1．电流放大。
放大的外部条件是发射结正偏、集电结反偏。
2．截止区、饱和区、放大区。
截止区：IB=0，IC=0，UCE=UCC ，类似开关断开。
饱和区：IC 很大，UCE 很小，类似开关闭合。
放大区：IC 受IB 的控制，IC/IB=β，为线性关系。
3．（1）NPN 型硅管1-B ，2-C ，3-E ；（2）PNP 型硅管1-E ，2-C ，3-B ；（3）PNP 型锗管1-C ，2-B ，3-E ；（4）NPN 型锗管1-B ，2-E ，3-C 。
经典模拟电子技术基础知识总结习题(选择,填空,解答题)
1)开关S合上时，电压表V、电流表A1和电流表A2的读数为
多少？
V：12V A1：12mA A2：6mA
2)开关S打开时，流过稳压管的电流为多少？ IZ：12mA
3)开关S合上，且输入电压由原来30 V上升到33 V时，
此时电压表V、电流表A1和电流表A2的读数为多少？
V：12V
A1：14mA A2：6mA
7.电路如图所示，试估算输出电压 U o 1 和 U o 2，
并标出输出电压对地极性。
-
-45V
+
+9V
8．电容滤波桥式整流电路及输出电压极性如图所示
u2102si n t( V )试求：
（1）画出图中4只二极管和滤波电容（标出极性）；
（2）正常工作时，Uo =？ 12V
（3）若电容脱焊，Uo=？ 9V
＿偏置。
正向
反向
7.当＿三＿极管工作＿在偏＿置截＿，止＿集＿电区极时＿，＿I＿C≈偏0置；。发射极＿
零或反向
反向
8.当＿三正＿极向＿管＿工偏作置在，＿集＿饱电＿和极＿＿区＿正时＿向，＿U偏CE置≈。0。发射极
9.当NPN硅管处在放大状态时，在三个电极电位中， 以＿＿＿＿集极电的电位最高，＿＿＿发＿射极电位最低， ＿＿＿＿极基和＿＿＿＿极发电射位差等于＿＿＿＿。
28V
（5）若其中一个二极管开路，Uo =？ 20V
10. 试分析图示电路的工作原理， 标出电容电压的极性和 数值，并标出电路能输出约多少大的输出电压和极性。
＋
＋
约
＋
＋
2 U 2 、 22 U 2 、 32 U 2 、 42 U 2
第二章 半导体三极管
一、填充题
1.三极管从结构上看可以分成＿＿N＿PN＿＿和＿＿PN＿P＿＿ 两种类型。
《电子技术基础》练习册
第一章整流滤波电路一、填空题1、把P型半导体N型半导体结合在一起，就形成。
2、半导体二极管具有单向导电性，外加正偏电压，外加反偏电压。
3、利用二极管的，可将交流电变成。
4、根据二极管的性，可使用万用表的R×1K挡测出其正负极，一般其正反向的电阻阻值相差越越好。
5、锗二极管工作在导通区时正向压降大约是，死区电压是。
6、硅二极管的工作电压为，锗二极管的工作电压为。
7、整流二极管的正向电阻越，反向电阻越，表明二极管的单向导电性能越好。
8、杂质半导体分型半导体和型半导体两大类。
9、半导体二极管的主要参数有、，此外还有、、等参数，选用二极管的时候也应注意。
10、当加到二极管上的反向电压增大到一定数值时，反向电流会突然增大，此现象称为现象。
11、发光二极管是把能转变为能，它工作于状态；光电二极管是把能转变为能，它工作于状态。
12、整流是把转变为。
滤波是将转变为。
电容滤波器适用于的场合，电感滤波器适用于的场合。
13、设整流电路输入交流电压有效值为U2，则单相半波整流滤波电路的输出直流电压U L（AV）= ，单相桥式整流电容滤波器的输出直流电压U L（AV）= ，单相桥式整流电感滤波器的输出直流电压U L（AV）= 。
14、除了用于作普通整流的二极管以外，请再列举出2种用于其他功能的二极管：，。
15、常用的整流电路有和。
16、为消除整流后直流电中的脉动成分，常将其通过滤波电路，常见的滤波电路有，，复合滤波电路。
17、电容滤波器的输出电压的脉动τ与有关，τ愈大，输出电压脉动愈，输出直流电压也就愈。
18、桥式整流电容滤波电路和半波整流电容滤波电路相比，由于电容充放电过程（a.延长，b.缩短），因此输出电压更为（a.平滑，b.多毛刺），输出的直流电压幅度也更（a.高，b.低）。
二、选择题1、具有热敏特性的半导体材料受热后，半导体的导电性能将。
A、变好B、变差C、不变D、无法确定2、P型半导体是指在本征半导体中掺入微量的。
电子技术基础试题库
１电子技术基础(模拟篇)第一章 半导体二极管一、单选题1. 当温度升高时，二极管正向特性和反向特性曲线分别（ ）。
A. 左移，下移B. 右移，上移C. 左移，上移D. 右移，下移2. 在PN 结外加正向电压时，扩散电流 漂移电流，当PN 结外加反向电压时，扩散电流 漂移电流。
A. 小于，大于B. 大于，小于C. 大于，大于D. 小于，小于3. 设二极管的端电压为U ，则二极管的电流方程为（ ）A. U I e SB. TU U I eS C. )1e (S －T U U I D. 1e S －T U U I4. 下列符号中表示发光二极管的为（ ）。
5. 稳压二极管工作于正常稳压状态时，其反向电流应满足( )。
A. I D = 0B. I D < I Z 且I D > I ZMC. I Z > I D > I ZMD. I Z < I D < I ZM6. 杂质半导体中（ ）的浓度对温度敏感。
A. 少子B. 多子C. 杂质离子D. 空穴7. 从二极管伏安特性曲线可以看出，二极管两端压降大于（ ）时处于正偏导通状态。
A. 0B. 死区电压C. 反向击穿电压D. 正向压降8. 杂质半导体中多数载流子的浓度主要取决于（ ）。
A. 温度B. 掺杂工艺C. 掺杂浓度D. 晶体缺陷9. PN 结形成后，空间电荷区由（ ）构成。
A. 电子和空穴B. 施主离子和受主离子C. 施主离子和电子D. 受主离子和空穴10. 硅管正偏导通时，其管压降约为（ ）。
A 0.1VB 0.2VC 0.5VD 0.7V11. 用模拟指针式万用表的电阻档测量二极管正向电阻，所测电阻是二极管的 电阻，由于不同量程时通过二极管的电流 ，所测得正向电阻阻值 。
A. 直流，相同，相同B. 交流，相同，相同C. 直流，不同，不同D. 交流，不同，不同12. 在25ºC 时，某二极管的死区电压U th ≈0.5V ，反向饱和电流I S ≈0.1pA ，则在35ºC 时，下列哪组数据可能正确：（ ）。
半导体三极管与其放大电路练习与答案
半导体三极管及其放大电路一、选择题1.晶体管能够放大的外部条件是_________a 发射结正偏，集电结正偏b 发射结反偏，集电结反偏c 发射结正偏，集电结反偏答案：c2.当晶体管工作于饱和状态时，其_________a 发射结正偏，集电结正偏b 发射结反偏，集电结反偏c 发射结正偏，集电结反偏答案：a3.对于硅晶体管来说其死区电压约为_________a 0.1Vb 0.5Vc 0.7V答案：b4.锗晶体管的导通压降约|UBE|为_________a 0.1Vb 0.3Vc 0.5V答案：b5. 测得晶体管三个电极的静态电流分别为0.06mA,3.66mA 和3.6mA 。
则该管的β为_____a 40b 50c 60答案：c6.反向饱和电流越小，晶体管的稳定性能_________a 越好b 越差c 无变化答案：a7.与锗晶体管相比，硅晶体管的温度稳定性能_________a 高b 低c 一样答案：a8.温度升高，晶体管的电流放大系数________a 增大b 减小c 不变答案：a9.温度升高，晶体管的管压降|UBE|_________a 升高b 降低c 不变答案：b10.对PNP 型晶体管来说，当其工作于放大状态时，_________ 极的电位最低。
a 发射极b 基极c 集电极答案：c11.温度升高，晶体管输入特性曲线_________a 右移b 左移c 不变答案：b12.温度升高，晶体管输出特性曲线_________a 上移b 下移c 不变答案：a12.温度升高，晶体管输出特性曲线间隔_________a 不变b 减小c 增大答案：c12.晶体管共射极电流放大系数β与集电极电流Ic的关系是_________a 两者无关b 有关c 无法判断答案：a15. 当晶体管的集电极电流Icm>Ic时，下列说法正确的是________a 晶体管一定被烧毁b 晶体管的PC=PCMc 晶体管的β一定减小答案：c16.对于电压放大器来说，越小，电路的带负载能力越强________a 输入电阻b 输出c 电压放大倍数答案：b17.测得晶体管三个电极对地的电压分别为-2V 、-8V 、-2.2V ，则该管为_________a NPN 型锗管b PNP 型锗管c PNP 型硅管答案：b18.测得晶体管三个电极对地的电压分别为2V 、6V 、-2.2V ，则该管_________a 处于饱和状态b 放大状态c 截止状态d 已损坏答案：c19在单级共射放大电路中，若输入电压为正弦波形，则输出与输入电压的相位_________a 同相b 反相c 相差90 度答案：b20在单级共射放大电路中，若输入电压为正弦波形，而输出波形则出现了底部被削平的现象，这种失真是_________ 失真a 饱和b 截止c 饱和和截止答案：a21.引起上题放大电路输出波形失真的主要原因是______a 输入电阻太小b 静态工作点偏低c 静态工作点偏高答案：c23.利用微变等效电路可以计算晶体管放大电路的_______a 输出功率b 静态工作点c 交流参数答案：c25. 既能放大电压，也能放大电流的是_________ 放大电路。
电子技术第二章习题及答案
第二章晶体三极管及其放大电路一、填空题1.三极管有二个PN结，即结和结，在放大电路中结必须正偏，结必须反偏。
2.三极管有型和型，前者的图形符号是后者的图形符号是。
3.三极管各电极电流的分配关系是。
4.三极管输出特性，曲线可分为三个区域，即区、区和区。
当三极管工作在区时，关系式IC =βIB才成立；当三极管工作在区时，IC =0；当三极管工作在区时，UCE=05.有两只三极管，A管的β=200，ICEO =100μA；B管的β=60，ICEO=15μA；管比管性能好。
6.三极管的反向饱和电流ICBO 随温度升高而，穿透电流ICEO随温度升高而，β值随温度的升高而。
7.某三极管的管压降UCE 保持不变，基极电流IB=30uA时，IC=1.2mA,则发射极电流IE=如果基极电流IB 增大到50uA时，IC增加到2mA，则三极管的电流放大系数β= 。
8.工作在放大状态的三极管可作为器件，工作在截止状态和饱和状态的三极管可作为器件。
9.处于放大状态的三极管，IC 与IB的关系是，处于饱和状态的三极管IC不受I B 控制，了放大作用，处在截止状态的三极管IC。
10.PNP型三极管处于放大状态时，三个电极中极电位最高，极电位最低。
11.放大电路的功率放大倍数为100，功率增益为。
12.输入电压为400mV，输出电压为4V，放大电路的电压增益为。
13.晶体三极管放大电路中，当输入信号达到一定时，静态工作点设置太低将使信号产生失真。
14.在共射极放大电路中，当RC减小，而其它条件不变，则晶体三极管负载线变。
共射极放大电路的输出信号是取自于三极管的极。
15.用NPN管的分压式偏置放大电路中，如果把上偏置电阻减小而其它不变，则三极管的集电极电流将。
16.在NPN管放大电路中，当集电极电流减少时，它的UCE电压是。
17.两级放大电路第一级电压放大倍数为100，第二极电压放大倍数为60，则总的电压放大倍数为。
18、多级放大电路常用的耦和方式有、和三种形式。
第二章_半导体三极管及其基本电路(附答案)[1]
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第二章半导体三极管及其基本电路一、填空题1、(2-1，中)当半导体三极管的正向偏置，反向偏置偏置时，三极管具有放大作用，即极电流能控制极电流。
2、(2-1，低)根据三极管的放大电路的输入回路与输出回路公共端的不同，可将三极管放大电路分为，，三种。
3、(2-1，低)三极管的特性曲线主要有曲线和曲线两种。
4、(2-1，中)三极管输入特性曲线指三极管集电极与发射极间所加电压V CE一定时，与之间的关系。
5、(2-1，低)为了使放大电路输出波形不失真,除需设置外,还需输入信号。
6、(2-1，中)为了保证不失真放大，放大电路必须设置静态工作点。
对NPN管组成的基本共射放大电路，如果静态工作点太低，将会产生失真，应调R B，使其，则I B，这样可克服失真。
7、(2-1，低)共发射极放大电路电压放大倍数是与的比值。
8、(2-1，低)三极管的电流放大原理是电流的微小变化控制电流的较大变化。
9、(2-1，低)共射组态既有放大作用，又有放大作用。
10、(2-1，中)共基组态中，三极管的基极为公共端，极为输入端，极为输出端。
11、(2-1，难)某三极管3个电极电位分别为V E=1V,V B=1.7V,V C=1.2V。
可判定该三极管是工作于区的型的三极管。
12、(2-1，难)已知一放大电路中某三极管的三个管脚电位分别为①3.5V，②2.8 V，③5V，试判断：a．①脚是，②脚是，③脚是（e, b，c）；b．管型是（NPN，PNP）；c．材料是（硅，锗）。
13、(2-1，中)晶体三极管实现电流放大作用的外部条件是，电流分配关系是。
14、(2-1，低)温度升高对三极管各种参数的影响，最终将导致I C，静态工作点。
15、(2-1，低)一般情况下，晶体三极管的电流放大系数随温度的增加而，发射结的导通压降V BE 则随温度的增加而。
16、(2-1，低)画放大器交流通路时，和应作短路处理。
17、(2-2，低)在多级放大器里。
前级是后级的，后级是前级的。
第二章 半导体三极管及其放大电路第二章 半导体三极管及其放大电路
第二章半导体三极管及其放大电路一、在括号内用“√”或“×”表明下列说法是否正确。
（1）只有电路既放大电流又放大电压，才称其有放大作用；（）（2）可以说任何放大电路都有功率放大作用；（）（3）放大电路中输出的电流和电压都是由有源元件提供的；（）（4）电路中各电量的交流成份是交流信号源提供的；（）（5）放大电路必须加上合适的直流电源才能正常工作；（）（6）由于放大的对象是变化量，所以当输入信号为直流信号时，任何放大电路的输出都毫无变化；（）（7）只要是共射放大电路，输出电压的底部失真都是饱和失真。
（）（8）处于放大状态的晶体管，集电极电流是多子漂移运动形成的。
（）二、试分析图T2.2所示各电路是否能够放大正弦交流信号，简述理由。
设图中所有电容对交流信号均可视为短路。
图T2.2R＝100k 三、在图T2.3所示电路中，已知V C C＝12V，晶体管的β＝100，'bΩ。
填空：要求先填文字表达式后填得数。
U ＝0V时，测得U B E Q＝0.7V，（1）当iR和R W之若要基极电流I B Q＝20μA，则'b和R b＝≈kΩ；而若测得U C E Q＝6V，则R c＝≈kΩ。
U=5mV时，（2）若测得输入电压有效值iU＝0.6V，则电压放大倍数输出电压有效值'oA ＝≈。
图T2.3uU＝若负载电阻R L值与R C相等，则带上负载后输出电压有效值o＝V。
四、已知图T2.3所示电路中V C C＝12V，R C＝3kΩ，静态管压降U C E Q＝6V；并在输出端加负载电阻R L，其阻值为3kΩ。
选择一个合适的答案填入空内。
（1）该电路的最大不失真输出电压有效值U o m≈；A.2VB.3VC.6VU ＝1mV时，若在不失真的条件下，减小R W，则输出电压的幅（2）当i值将；A.减小B.不变C.增大U ＝1mV时，将R w调到输出电压最大且刚好不失真，若此时增（3）在i大输入电压，则输出电压波形将；A.顶部失真B.底部失真C.为正弦波（4）若发现电路出现饱和失真，则为消除失真，可将。
电子技术基础与技能训练试题
电子技术基础(模拟篇)第一章 半导体二极管一、单选题1. 当温度升高时，二极管正向特性和反向特性曲线分别（ ）。
A. 左移，下移B. 右移，上移C. 左移，上移D. 右移，下移2. 在PN 结外加正向电压时，扩散电流 漂移电流，当PN 结外加反向电压时，扩散电流 漂移电流。
A. 小于，大于B. 大于，小于C. 大于，大于D. 小于，小于3. 设二极管的端电压为U ，则二极管的电流方程为（ ）A. U I e SB. TU U I eS C. )1e (S －T U U I D. 1e S －T U U I4. 下列符号中表示发光二极管的为（ ）。
A B C D5. 稳压二极管工作于正常稳压状态时，其反向电流应满足( )。
A. I D = 0B. I D < I Z 且I D > I ZMC. I Z > I D > I ZMD. I Z < I D < I ZM6. 杂质半导体中（ ）的浓度对温度敏感。
A. 少子B. 多子C. 杂质离子D. 空穴7. 从二极管伏安特性曲线可以看出，二极管两端压降大于（ ）时处于正偏导通状态。
A. 0B. 死区电压C. 反向击穿电压D. 正向压降8. 杂质半导体中多数载流子的浓度主要取决于（ ）。
A. 温度B. 掺杂工艺C. 掺杂浓度D. 晶体缺陷9. PN 结形成后，空间电荷区由（ ）构成。
A. 电子和空穴B. 施主离子和受主离子C. 施主离子和电子D. 受主离子和空穴10. 硅管正偏导通时，其管压降约为（ ）。
A 0.1VB 0.2VC 0.5VD 0.7V11. 用模拟指针式万用表的电阻档测量二极管正向电阻，所测电阻是二极管的 电阻，由于不同量程时通过二极管的电流 ，所测得正向电阻阻值 。
A. 直流，相同，相同B. 交流，相同，相同C. 直流，不同，不同D. 交流，不同，不同12. 在25ºC 时，某二极管的死区电压U th ≈0.5V ，反向饱和电流I S ≈0.1pA ，则在35ºC 时，下列哪组数据可能正确：（ ）。
《电子技术基础》第二章半导体三极管及其放大电路试卷
《电子技术基础》第二章半导体三极管及其放大电路试卷一、单项选择题1.在三极管放大器中,三极管各极电位最高的是( )。
(2 分)A.NPN管的集电极B.PNP管的集电极C.NPN管的发射极D.PNP管的基极2.在一块正常放大的电路板上,测得三极管1、2、3脚对地电压分别为-10V、-10.3V、-14V,下列符合该三极管的有( )。
(2 分)A.PNP型三极管B.硅三极管C.1脚是发射极D.2脚是基极3.一般要求放大电路的( )。
(2 分)A.输入电阻大,输出电阻大B.输入电阻小,输出电阻大C.输入电阻大,输出电阻小D.输入电阻小,输出电阻小4.用万用表判别三极管的管脚时,应该( )。
(2 分)A.用R×1挡或R×10挡B.先判别出基极BC.先判别出发射极ED.不需判别是NPN还是PNP5.三极管按内部结构不同,可分为( )。
(2 分)A.NPN型B.PNP型C.硅管D.锗管6.一个三级放大器,工作时测得A u1=100,A u2= -50,A u3=1,则总的电压放大倍数是( )。
(2 分)A.51B.100C.-5000D.17.在单管共发射极放大电路中,其输出电压u o与输入电压u i( )。
(2 分)A.频率相同B.波形相似C.幅度相同D.相位相反8.有三只晶体三极管,除β和I CEO不同外,其他参数一样,用作放大器件时,应选用( )。
(2 分)A.β=50,I CEO=0.5 mAB.β=140,I CEO=2.5 mAC.β=10,I CEO=0.5 mA9.晶体三极管中电流固定不变的分配原则是:( )。
(2 分)A.B.C.10.在分压式偏置电路中,已知R B1=20kΩ,R B2=10 kΩ,R C=2 kΩ,R E=2kΩ,U CC=12V,β=50,R L=2kΩ。
设U BEQ=0,I CQ为( )。
(2 分)A.1mAB.2mAC.3mAD.4mA二、判断题11.( )功率放大电路的主要作用是向负载提供足够大的功率信号。
电子技术基础第二单元《半导体三极管及其放大电路》测试卷
《电子技术基础》单元试卷班级: 姓名：学号：一、填空题：1、放大电路设置静态工作点的目的是。
2、放大器中晶体三极管的静态工作点是指、和。
3、在共射极放大电路中，输出电压u o和输入电压u i相位。
4、为防止失真，放大器发射结电压直流分量U BE比输入信号峰值U im，并且要大于发射结的。
5、画放大电路的直流通路时，把看成开路；画放大电路交流通路时，把和看成短路。
6、利用通路可估算放大器的静态工作点；利用通路的等效电路可以近似估算放大器的输入电阻、输出电阻和电压放大倍数。
7、小功率三极管的输入电阻r be= 。
8、放大电路中，静态工作点设置得太高，会使i C的半周期和u ce的半周期失真，称为失真；静态工作点设置的太低，会使i C的半周期和u ce的半周期失真，称为失真。
基本放大电路中，通常通过调整来消除失真。
9、若放大电路的电源电压U CC增大，其他条件不变，这放大器的静态工作点将移。
10、共射极基本放大电路中，若R B=240kΩ，R C=3Ω，U CC=12V，β=40,若忽略U BEQ,则I BQ= ，I CQ= ,U CEQ= ,A u= 。
11、在分压偏置电路中，已知R B1=20kΩ，R B2=10kΩ，R C=2kΩ，R E=2kΩ，U CC=12V,β=50,R L=2kΩ，设U BEQ=0,则I CQ= ,I BQ= ,Au= 。
12、多级放大电路常用的级间耦合方式有、、和。
13、多级放大器电路中每级放大电路的电压放大倍数分别为A u1、A u2、……、A un，则总的电压放大倍数为A u= 。
二、选择题：1、三极管构成放大器时，根据公共端不同，可有（）种连接方式A、1B、2C、3D、42、放大器的静态是指（）A、输入信号为零B、输出信号为零C、输入、输出信号均为零D、输入、输出信号均不为零3、表征放大器静态工作点的参数主要是指（）A、I BQB、I EQC、U CEQD、I CQ4、放大电路的静态工作点是指输入信号（）三极管的工作点A、为零时B、为正时C、为负时D、很小时5、放大电路工作在动态时，为避免失真，发射结电压直流分量和交流分量大小关系通常为（）A、直流分量大B、交流分量大C、直流分量和交流分量相等D、以上均可6、放大器输出信号的能量来源是（）A、电源B、晶体三极管C、输入信号D、均有作用7、在单管共发射极放大电路中，其输出电压与输入电压（）A、频率相同B、波形相似C、幅度相同D、相位相反8、放大器的交流通路是指（）A、电压回路B、电流通过的路径C、交流信号流通的路径D、直流信号流通的路径9、某放大器的电压放大倍数为Au=-100，其负号表示（）A、衰减B、表示输出信号与输入信号相位相同C、放大D、表示输出信号与输入信号相位相反10、当放大电路设置合适静态工作点时，如加入交流信号，这时工作点将（）A、沿直流负载线移动B、沿交流负载线移动C、不移动D、沿坐标轴上下移动11、在共射极放大电路的输入端加入一个正弦波信号，这时基极电流的波形为图中（）A B C12、已知电路处于饱和状态，要使电路恢复成放大状态，通常采用的方法是（）A、增大电阻R BB、减小电阻R BC、电阻R B不变13、共发射极放大电路中，当输入信号为正弦电压时，输出电压波形的正半周出现平顶失真，则这种失真为（）A、截止失真B、饱和失真C、非线性失真D、频率失真14、NPN晶体三极管放大电路输入交流正弦波时，输出波形如图所示，则引起波形失真的原因是（）A、静态工作天太高B、静态工作点太低C、静态工作点合适、但输入信号太大15、影响放大器工作点稳定的主要因素是（）A、β值B、穿透电流C、温度D、频率16、在分压式射极偏置电路中，当环境温度升高时，通过三极管发射极电阻的自动调节，会使（）A、U BE降低B、I B降低C、I C降低D、I C升高17、某多级放大电路由三级基本放大器组成，已知每级电压放大倍数为Au，则总的电压放大倍数为（）A、3AuB、Au3C、Au18、阻容耦合多级放大电路的输入电阻等于（）A、第一级输入电阻B、各级输入电阻之和C、各级输入电阻之积D、末级输入电阻19、一个三级放大器，工作时测得A u1=100，A u2= —50，A u3=1，则总的电压放大倍数是（）A、51B、100C、—5000D、120、多级放大器常见的耦合方式有（）A、直接耦合B、阻容耦合C、变压器耦合D、光电耦合三、判断题：1、放大器不设置静态工作点时，由于三极管的发射结有死区电压和三极管输入特性曲线的非线性，会产生失真（）2、放大器带上负载后，放大倍数和输出电压都会上升（）3、放大器具有能量放大作用（）4、变压器能把电压升高，所以变压器也是放大器（）5、放大器在工作时，电路同时存在直流和交流分量（）6、放大电路的交流负载线比直流负载线陡（）7、放电电路静态工作点过高时，在U CC和R C不变情况下，可增加基极电阻R B（）8、造成放大器工作点不稳定的主要因素是电源电压的波动（）9、放大电路的静态工作点一经设定后，不会守外界因素的影响（）10、实际放电电路常采用分压式偏置电路，这是因为它的输入阻抗大（）11、采用阻容耦合的放大电路，前后级的静态工作点互相影响（）12、采用直接耦合的放大电路，前后级的静态工作点相互牵制（）13、多级放大器总的电压放大倍数等于各级放大倍数之和（）14、固定偏置放大器的缺点是静态工作点不稳定（）15、稳定静态工作点，主要是稳定三极管的集电极电流I C （）四、综合题：1、画出如图所示电路的直流通路和交流通路2、如图所示，在电路中，U CC=15V，R B=300kΩ，R C=3KΩ,R L=3kΩ，晶体三极管的β=50，求：（1）放大单路的静态工作点（2）放电电路的输入电阻、输出电阻（3）分别求放大电路空载和负载时的电压放大倍数3、单管放大电路与三极管特性曲线如图所示，已知U CC=12V，R B=200kΩ，R C=4kΩ，RL=4kΩ(1) 在输出特性曲线上做出直流负载线，并确定静态工作点（2）当RC由4kΩ增加到6kΩ，工作点将移至何处（3）当RB由200kΩ变为100kΩ时，工作点将移至何处（4）当电源电压由12V变为6V时，工作点将移至何处（5）在输出特性曲线上做出交流负载线3、在图所示电路中，RB1=60kΩ,RB2=20kΩ，RC=3kΩ，RE=2kΩ，RL=6kΩ，UCC=16V，β=50。
《电子技术基础》题库及答案
《电子技术基础》题库备注：本学期进行到第七章；第一、二、三章是重点内容，要求掌握；第四、八章没有涉及。
一、填空题：第一章半导体二极管○1、根据导电能力来衡量，自然界的物质可以分为导体，半导体和绝缘体三类。
Δ2、导电性能介于导体和绝缘体之间物质是半导体。
○3、半导体具有热敏特性、光敏特性、参杂的特性。
Δ4、PN结正偏时，P区接电源的正极，N极接电源的负极。
○5、PN结具有单向导电特性。
○6、二极管的P区引出端叫正极或阳极，N区的引出端叫负极或阴极。
Δ7、按二极管所用的材料不同，可分为硅二极管和锗二极管两类；○8、按二极管用途不同，可分为普通二极管、整流二极管、稳压二极管、开关二极管、发光二极管、光电二极管和变容二极管。
★9、二极管的正向接法是二极管正极接电源的正极，负极接电源的负极；反响接法相反。
○10、硅二极管导通时的正向管压降约0.7V ，锗二极管导通时的管压降约0.3V。
Δ11、使用二极管时，应考虑的主要参数是最大整流电流，最高反向电压和反向电流。
★12、发光二极管将电信号转换为光信号。
★13、变容二极管在高频收音机的自动频率控制电路中，通过改变其反向偏置电压来自动调节本机震荡频率。
★14、所谓理想二极管，就是当其正偏时，结电阻为零。
第二章半导体三极管及其放大电路○15、三极管是电流控制元件。
○16、三极管具有放大作用外部电压条件是发射结正偏，集电结反偏。
★17、当温度升高时，晶体三极管集电极电流Ic变大，发射结压降变小。
Δ18、三极管处在放大区时，其集电结电压小于零，发射结电压大于零。
★19、三极管的发射区杂质浓度很高，而基区很薄。
Δ20、三极管实现放大作用的内部条件是：发射区杂质浓度要远大于基区杂质浓度，同时基区厚度要很小.Δ21、工作在放大区的某三极管，如果当I B从12μA增大到22μA时，I C从1mA变为2mA，那么它的β约为100 。
○22、三极管的三个工作区域分别是饱和区、放大区和截止区。
半导体三极管及其放大电路练习及答案
半导体三极管及其放大电路一、选择题I. 晶体管能够放大的外部条件是___________a发射结正偏，集电结正偏b发射结反偏，集电结反偏c发射结正偏，集电结反偏答案：c2•当晶体管工作于饱和状态时，其____________a发射结正偏，集电结正偏b发射结反偏，集电结反偏c发射结正偏，集电结反偏答案：a3. 对于硅晶体管来说其死区电压约为___________a 0.1Vb 0.5Vc 0.7V答案：b4. 锗晶体管的导通压降约|UBE|为___________a 0.1Vb 0.3Vc 0.5V答案：b5. 测得晶体管三个电极的静态电流分别为0.06mA,3.66mA和3.6mA。
则该管的B为__________a 40b 50c 60答案：c6. 反向饱和电流越小，晶体管的稳定性能____________a越好b越差c无变化答案：a7. 与锗晶体管相比，硅晶体管的温度稳定性能____________a高b 低c 一样答案：a8. 温度升高，晶体管的电流放大系数___________a增大b 减小c不变答案：a9. 温度升高，晶体管的管压降|UBE| __________a升高b降低c 不变答案：b10. 对PNP型晶体管来说，当其工作于放大状态时，_____________ 极的电位最低。
a发射极b基极c集电极答案：cII. 温度升高，晶体管输入特性曲线__________a右移b左移c 不变答案：b12. ____________________________________ 温度升高，晶体管输出特性曲线a上移b 下移c不变答案：a12.温度升高，晶体管输出特性曲线间隔_____________a不变b 减小c 增大答案：c12.晶体管共射极电流放大系数B与集电极电流Ic的关系是___________a两者无关b 有关c无法判断答案：a15. 当晶体管的集电极电流__________________ lcm>lc时，下列说法正确的是a晶体管一定被烧毁b晶体管的PC=PCM c晶体管的B—定减小16. 对于电压放大器来说，越小，电路的带负载能力越强 ___________a输入电阻b输出c电压放大倍数答案：b17. 测得晶体管三个电极对地的电压分别为-2V、-8V、-2.2V ，则该管为___________________a NPN型锗管b PNP 型锗管c PNP 型硅管答案：b18. 测得晶体管三个电极对地的电压分别为2V、6V、-2.2V ，则该管__________________a处于饱和状态b放大状态c 截止状态d 已损坏答案：c19在单级共射放大电路中，若输入电压为正弦波形，则输出与输入电压的相位 ______________a同相b 反相c 相差90度答案：b20在单级共射放大电路中，若输入电压为正弦波形，而输出波形则出现了底部被削平的现象，这种失真是 __________ 失真a饱和b 截止c饱和和截止答案：a21.引起上题放大电路输出波形失真的主要原因是__________a输入电阻太小b静态工作点偏低c静态工作点偏高答案：c23.利用微变等效电路可以计算晶体管放大电路的___________a输出功率b 静态工作点c交流参数答案：c25. 既能放大电压，也能放大电流的是_____________ 放大电路。
《电子技术基础与技能》单元复习题(一、二单元)
《电子技术基础与技能》单元复习题第一单元二极管及其应用一、单项选择题1．在本征半导体中加入（)元素可形成P型半导体,加入( ）元素可形成N型半导体。
A．五价B．四价C．三价D．二价2．P型半导体中的带电粒子是（），N型半导体中的带电粒子是（)。
A．自由电子B．空穴C．载流子D．中子3．在杂质半导体中，少子的浓度主要取决于（)，而多子的浓度则受( )的影响最大。
A．温度B．掺杂浓度C．掺杂工艺D．晶体缺陷4．PN结加正向电压时，空间电荷区将( ）。
A．变窄B．变宽C．基本不变D．不确定5．如果用万用表测得二极管的正、反向电阻都很大，则二极管（）.A．特性良好B．已被击穿C．内部开路D．功能正常6．桥式整流电路由4只二极管组成，故流过每只二极管的电流为（).A．I o/4 B．I o/3 C．I o/2 D．I o7．在桥式整流电路中，已知U2 =10V，若某一个二极管开路，则此时的输出电压U o=（）。
A．12V B．9V C．4.5V D．3V8．当温度升高时，二极管的正向电压将（)，反向饱和电流将（）。
A．增大B．減小C．基本不变D．以上选项都正确9．稳压管的稳压区是工作在（）状态。
A．反向截止B．正向导通C．反向击穿D．不确定10．发光二极管发光时，其工作在（）区。
A．反向截止B．正向导通C．反向击穿D．不确定11．整流的目的是( ).A．将交流变为直流B．将直流变为交流C．将正弦波变为方波D．将高频变为低频12．在用指针式万用表测量二极管正向电阻时，对于同一只二极管用不同的挡位测出的正向电阻值不同，主要原因是( ).A．指针式万用表在不同挡位时，其内阻不同B．二极管有非线性的伏安特性C．二极管已损坏D．被测二极管的质量差13．下列元器件中，能将电信号转成光信号的元件是（）。
A．发光二极管B．三极管C．二极管D．光电二极管二、多项选择题1．下列关于半导体的表述正确的是（）。
A．半导体的导电能力介于导体和绝缘体之间B．硅、锗是半导体材料C．半导体具有单向导电性D．在纯净的半导体中渗入微量的杂质,会使半导体的导电性能大大减弱2．二极管的主要参数包括( ）。
(完整版)半导体三极管及其放大电路练习及答案
答案：×
60.只要是共射放大电路，输出电压的底部失真都是饱和失真。（）答案：×
三、解答题
r'
61.电路如图PT3.4所示，所有晶体管均为硅管，β均为60，试求：
（1）静态时T1管和T2管的发射极电流。
bb=100Ω，静态时｜UBEQ｜≈0.7V。
a zb 30MHzc 3MHz
52.单级阻容耦合放大电路加入频率为fH和fL的输入信号时，输出电压的相位与中频区相比，在
量值上有度的附加值。
a180b 90c45
53 在单级阻容耦合放大电路的波特图中，
(1)频响应曲线的斜率在高频区和低频区分别为a 20dB/ 十倍频， -20dB/ 十倍频，
b 20dB/ 十倍频， 20dB/ 十倍频，
c -20dB/ 十倍频， 20dB/ 十倍频，
(2)相频响应曲线的斜率在高频区和低频区分别为a 45 ° / 十倍频， -45 ° B/ 十倍频
b 45 ° / 十倍频， 45 ° B/ 十倍频
c - 45°/ 十倍频， -45 ° B/ 十倍频
54.工作在放大区的某三极管，如果当IB从12μA增大到22μA时，IC从1mA变为2mA，那么它的
a 晶体管的电流放大系数太大b 电源电压太高 c 晶体管参数随环境温度的变化而变化答案：c
27.在放大电路中，直流负反馈可以
a 提高晶体管电流放大倍数的稳定性b 提高放大电路的放大倍数
c 稳定电路的静态工作点答案：c
28.可以放大电压，但不能放大电流的是放大电路。
a 共射极b 共集电极c 共基极答案：c
a 差b 好c 差不多
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《电子技术基础》第二章半导体三极管及其放大电路试卷
一、单项选择题
1.在三极管放大器中,三极管各极电位最高的是( )。
(2 分)
A.NPN管的集电极
B.PNP管的集电极
C.NPN管的发射极
D.PNP管的基极
2.在一块正常放大的电路板上,测得三极管1、2、3脚对地电压分别为-10V、-10.3V、
-14V,下列符合该三极管的有( )。
(2 分)
A.PNP型三极管
B.硅三极管
C.1脚是发射极
D.2脚是基极
3.一般要求放大电路的( )。
(2 分)
A.输入电阻大,输出电阻大
B.输入电阻小,输出电阻大
C.输入电阻大,输出电阻小
D.输入电阻小,输出电阻小
4.用万用表判别三极管的管脚时,应该( )。
(2 分)
A.用R×1挡或R×10挡
B.先判别出基极B
C.先判别出发射极E
D.不需判别是NPN还是PNP
5.三极管按内部结构不同,可分为( )。
(2 分)
A.NPN型
B.PNP型
C.硅管
D.锗管
6.一个三级放大器,工作时测得A u1=100,A u2= -50,A u3=1,则总的电压放大倍数是( )。
(2 分)
A.51
B.100
C.-5000
D.1
7.在单管共发射极放大电路中,其输出电压u o与输入电压u i( )。
(2 分)
A.频率相同
B.波形相似
C.幅度相同
D.相位相反
8.有三只晶体三极管,除β和I CEO不同外,其他参数一样,用作放大器件时,应选用( )。
(2 分)
A.β=50,I CEO=0.5 mA
B.β=140,I CEO=2.5 mA
C.β=10,I CEO=0.5 mA
9.晶体三极管中电流固定不变的分配原则是:( )。
(2 分)
A.
B.
C.
10.在分压式偏置电路中,已知R B1=20kΩ,R B2=10 kΩ,R C=2 kΩ,R E=2kΩ,U CC=12V,β
=50,R L=2kΩ。
设U BEQ=0,I CQ为( )。
(2 分)
A.1mA
B.2mA
C.3mA
D.4mA
二、判断题
11.( )功率放大电路的主要作用是向负载提供足够大的功率信号。
(2 分)
12.( )放大电路静态工作点过高时,在V CC和R C不变情况下,可增加基极电阻R B。
(2 分)
13.( )放大电路的静态,是指未加交流信号以前的起始状态。
(2 分)
14.( )在放大电路中,静态工作点选得偏高,会出现截止失真。
(2 分)
15.( )半导体三极管是电压放大器件。
(2 分)
16.( )互补对称式功率放大电路输入交流信号时,总有一只功放管处于截止状态,所以输出信号波形必然失真。
(2 分)
17.( )选择半导体三极管时,只要考虑其P CM<I C U CE即可。
(2 分)
18.( )直流放大器级间耦合常采用阻容耦合方式或变压器耦合方式。
(2 分)
19.( )组成互补对称功放电路的两只晶体管采用同型号的管子。
(2 分)
20.( )三极管由两个PN结组成,所以可以用两只二极管组合构成三极管。
(2 分)
三、填空题
21.放大电路设置静态工作点的目的是。
(1 分)
22.射极输出器也称为，它的电压放大倍数，输出电压与输入电压相位。
(3 分)
23.已知某三极管U BE＝0.3V，U CE＝4V，则该管工作在区，是由
材料制造的。
(2 分)
24.晶体三极管放大的实质是，即。
(2 分)
25.所谓电压反馈是指;所谓电流反馈是
指。
(2 分)
四、综合题
26.某三级放大器中,测得A u1=100,A u2=100,A u3=10,试求总电压放大倍数是多少?(10 分)
27.单管放大电路与三极管特性曲线如下图所示。
已知V CC=12V,R B=200kΩ,R C=4kΩ。
(1) 在输出特性曲线上作出直流负载线,并确定静态工作点;
(2) 当R C由4 kΩ增大到6 kΩ时,工作点将移至何处?
(3) 当R B由200 kΩ变为100 kΩ时,工作点将移至何处?
(4) 当电源电压V CC由12V变为6V时,工作点移至何处? (10 分)
28.判断下图所示电路有无正常的电压放大作用。
(10 分)
29.根据静态工作点的设置不同,功率放大器可分为哪几种主要类型?各具有什么特点?(10 分)
30.在下图所示的电路中,R B1=60kΩ,R B2=20kΩ,R C=3kΩ,R E=2kΩ,R L=6kΩ,U CC=16V,β=50。
求:
⑴静态工作点;
⑵输入电阻和输出电阻;
⑶空载和负载两种情况下的电压放大倍数;
⑷若该三极管换成一只β=30的同类型晶体三极管,问该放大电路能否正常工作;
(5)分析电路在环境温度升高时稳定静态工作点的过程。
(10 分)。