PECVD等离子的基本原理

Si3N4的优点： 优良的表面钝化效果高效的光学减反射性能 （厚度折射率匹配）低温工艺（有效降低成本） 反应生成的H离子对硅片表面进行钝化.
物理性质和化学性质：
结构致密，硬度大 能抵御碱、金属离子的侵蚀 介电强度高 耐湿性好
Si3N4膜的作用:
减少光的反射:良好的折射率和厚度可 以促进太阳光的吸收。
防氧化:结构致密保证硅片不被氧化。
晶片装载区 炉体 特气柜 真空系统 控制系统
PECVD设备结构示意图
PECVD设备结构
炉体：石英管、加热系统、冷却系统
石英管：炉体内有四根石英管，是镀膜的 作业区域，耐高温、防反应。
加热系统：位于石英管外，有五个温区。
冷却系统示意图
PECVD设备结构
PECVD的原理
PECVD： Plasma Enhance Chemical Vapour Deposition
等离子增强化学气相沉积
等离子体：由于物质分子热运动加剧，相互间的 碰撞就会使气体分子产生电离，这样的物质就会 变成自由运动并由相互作用的电子、正离子和中 性粒子组成混合物的一种形态，这种形态就称为 等离子态即第四态.
PECVD的原理
工作原理：Centrotherm PECVD 系统是一组 利用平行板镀膜舟和高频等离子激发器的系列 发生器。在低压和升温的情况下，等离子发生 器直接装在镀膜板中间发生反应。所用的活性 气体为硅烷SiH4和氨NH3。这些气体作用于存 储在硅片上的氮化硅。可以根据改变硅烷对氨 气的比率，来得到不同的折射指数。在沉积工 艺中，伴有大量的氢原子和氢离子的产生，使 得晶片的氢钝化性十分良好。
及CESAR 控制软件，此控制电脑独立于主电脑系统中。
控制界面
运行顺序控制
数据资料记录
温度
特气
真空
晶片装载
CESAR控制电脑示意图
亮点 色斑
镀膜时 间太短
色斑
色差
水纹 印
控制系统
CMI:是 Centrotherm 研发的一个控制系统，其中界面
包括 Jobs（界面） 、System（系统）、Catalog（目
录）、Setup（软件）、Alarms（报警）、Help（帮 助）. Jobs:机器的工作状态。 System:四根管子的工作状态，舟的状态以及手动操作 机器臂的内容。 Datalog:机器运行的每一步。
Setup: 舟的资料的更改，工艺内容的更改，使用权限 的更改，LIFT位置的更改，CMS安区系统 （安装的感应器 将监控重要系统的运行情况，而一旦不受管的计算机的控 制，CMS将会发生作用，所有的错误信息也都会在CIM上 得以简洁的文本方式显示出来）的更改等。
Alarms：警报内容 Help:简要的说了一下解除警报以及其他方面的方法 CESAR:控制电脑，每一个系统都安装了CESAR控制电脑
3SiH4+4NH3 → Si3N4+12H2↑
技术原理：是利用低温wk.baidu.com离子体作能量源，样品置于低
气压下辉光放电的阴极上，利用辉光放电（或另加发热体） 使样品升温到预定的温度，然后通入适量的反应气体，气体 经一系列化学反应和等离子体反应，在样品表面形成固态薄 膜。
Si3N4的认识: S理i3想N4的膜厚的度颜是色7随5—着8它0n的m厚之度间的，变表化面而呈变现化的，颜其 色为是 最深 佳蓝 ，色 与， 酒精Si3的N折4膜射的率折相射乎率，在通2.常0—用2酒.5精之来间 测其折射率。