磁阻效应实验报告
磁阻效应的实验报告
磁阻效应的实验报告实验目的通过实验研究磁阻效应的产生原理，了解磁阻效应对于电阻变化的影响。
实验原理磁阻效应是指材料在外加磁场作用下，电阻发生变化的现象。
根据实验材料的不同，磁阻效应可以分为正磁阻效应和负磁阻效应。
正磁阻效应对应着电阻的增加，而负磁阻效应对应着电阻的减小。
实验器材1. 磁阻效应实验装置2. 磁铁实验步骤1. 将实验装置连接好，并将其放置于稳定的起点位置。
2. 打开电源，调整磁铁的位置和方向，使之与实验装置的位置和方向重合。
3. 对实验装置进行初始磁场校准，保持电流为零，记录下此时的电阻读数。
4. 调节电源，使电流从小到大依次经过一系列数值，记录下每个电流值对应的电阻读数。
5. 根据记录的数据，绘制电流与电阻的变化曲线。
实验结果分析通过实验记录的数据，绘制出电流与电阻的变化曲线如下：
实验3 磁阻效应一、实验目的1、了解磁阻效应的基本原理及测量磁阻效应的方法。
2、测量锑化铟传感器的电阻与磁感应强度的关系。
3、学习用磁阻传感器测量磁场的方法。
二、实验仪器DH4510磁阻效应综合实验仪三、实验要求1、在锑化铟磁阻传感器工作电流保持不变的条件下，测量锑化铟磁阻传感器的电阻与磁感应强度的关系。
作ΔR/R(0)与B的关系曲线，并进行曲线拟合。
2、用磁阻传感器测量一个未知的磁场强度，与毫特计测得的磁场强度相比较，估算测量误差。
四、实验原理如图1所示，当导电体处于磁场中时（电流方向与磁场方向垂直），导电体内的载流子将在洛仑兹力的作用发生偏转，在两端产生积聚电荷并产生霍尔电场。
如果霍尔电场作用和某一速度的载流子的洛仑兹力作用刚好抵消，则小于此速度的电子将沿霍尔电场作用的方向偏转，而大于此速度的电子则沿相反方向偏转，因而沿外加电场方向运动的载流子数量将减少，即沿电场方向的电流密度减小，电阻增大，也就是由于磁场的存在，增加了电阻，此现象称为磁阻效应。
如果将图1中UH短路，磁阻效应更明显。
通常以电阻率的相对改变量来表示磁阻的大小，即用Δρ/ρ(0)表示。
其中ρ(0)为零磁场时的电阻率，ρ(B)为在磁场强度为B时的电阻率，则Δρ=ρ(B)－ρ(0)。
由于磁阻传感器电阻的相对变化率ΔR/R(0)正比于Δρ/ρ(0)，这里ΔR=R(B)－R(0)，R(0)、R(B)分别为磁场强度为0和B下磁阻传感器的电阻阻值。
因此也可以用磁阻传感器电阻的相对改变量ΔR/R(0)来表示磁阻效应的大小。
测量磁电阻电阻值R与磁感应强度B的关系实验装置及线路如图2所示。
尽管不同的磁阻装置有不同的灵敏度，但其电阻的相对变化率ΔR/R(0)与外磁场的关系都是相似的。
实验证明，磁阻效应对外加磁场的极性不灵敏，就是同强度正负磁场的磁阻效应相同。
一般情况下外加磁场较弱时，电阻相对变化率ΔR/R(0)正比于磁场强度B的二次方；随磁场强度的加强，ΔR/R(0)与磁场强度B呈线性函数关系；当外加磁场超过特定值时，ΔR/R(0)与磁场强度B的响应会趋于饱和。
实验报告薄膜材料磁电阻效应实验
薄膜材料磁电阻效应实验一、 实验目的1. 了解磁性薄膜材料科学及磁电子学的一些基本概念和基础知识；2. 了解MR 、AMR 、GMR 等相关基本概念；3. 了解和学会利用四探针法测量磁性薄膜磁电阻的鱼原理和方法；4. 分析利用四探针法测量磁电阻可能的实验误差来源。
二、实验原理1. 磁性薄膜的磁电阻效应（MRE ）磁电阻效应MRE 是指物质在磁场的作用下电阻会发生变化的物理现象。
表征磁电阻效应大小的物理量为MR ，其定义为：00100%MR ρρρρρ-∆==⨯ （1） 其中0ρ、ρ分别代表不加磁场和加了磁场以后的电阻率大小。
磁电阻效应按照产生的磁电阻大小以及机理不同可以分为：正常磁电阻效应（OMR ）、各向异性磁电阻效应（AMR ）、巨磁电阻效应（GMR ）和超巨磁电阻效应（CMR ）等。
（1）正常磁电阻效应（OMR ）正常磁电阻效应(OMR)为普遍存在于所有金属中的磁场电阻效应，它由英国物理学家W.Thomson 于1856年发现。
其特点是：a .磁电阻MR >0b .各向异性，但//ρρ⊥> (⊥ρ和//ρ分别表示外加磁场与电流方向垂直及平行时的电阻率) c .当磁场不高时，MR 正比于H 2OMR 来源于磁场对电子的洛伦兹力，该力导致载流体运动发生偏转或产生螺旋运动，因而使电阻升高。
大部分材料的OMR 都比较小。
以铜为例，当H=10-3T 时，铜的OMR 仅为4⨯10-8%。
（2）各向异性磁电阻效应（AMR ）在居里点以下，铁磁金属的电阻率随电流I 与磁化强度M 的相对取向而异，称之为各向异性磁电阻效应。
即⊥ρ≠//ρ。
各向异性磁电阻值通常定义为：0///)(/ρρρρρ⊥-=∆=AMR （2） 低温5K 时，铁、钴的各向异性磁电阻值约为1%，而坡莫合金(Ni 81Fe 19)为15%，室温下坡莫合金的各向异性磁电阻值仍有2~3%。
图1所示为厚度为200 nm 的NiFe 单层薄膜的磁电阻（MR ）变化曲线。
磁电阻效应实验报告
一、实验目的1. 理解磁电阻效应的基本原理和现象。
2. 掌握磁电阻效应实验的基本操作和数据处理方法。
3. 分析磁电阻效应在不同材料中的表现，了解其应用前景。
二、实验原理磁电阻效应是指当金属或半导体材料受到磁场作用时，其电阻值发生变化的现象。
根据磁电阻效应的原理，本实验主要分为以下三个部分：1. 磁阻效应：当磁场垂直于电流方向时，电阻值随磁场强度的增加而增加。
2. 巨磁电阻效应（GMR）：在多层膜结构中，由于电子的隧穿效应，当相邻两层膜的磁化方向相反时，电阻值显著降低。
3. 隧道磁电阻效应（TMR）：在隧道结中，当电子隧穿穿过绝缘层时，电阻值随磁场强度的变化而变化。
三、实验仪器与材料1. 实验仪器：磁电阻效应实验仪、磁场发生器、电流表、电压表、信号发生器、示波器、计算机等。
2. 实验材料：磁阻材料、多层膜材料、隧道结材料等。
四、实验步骤1. 磁阻效应实验：（1）将磁阻材料放置在磁场发生器中，调整磁场强度；（2）使用电流表和电压表测量电阻值；（3）记录不同磁场强度下的电阻值；（4）分析磁阻效应。
2. 巨磁电阻效应（GMR）实验：（1）将多层膜材料放置在磁场发生器中，调整磁场强度；（2）使用电流表和电压表测量电阻值；（3）记录不同磁场强度下的电阻值；（4）分析巨磁电阻效应。
3. 隧道磁电阻效应（TMR）实验：（1）将隧道结材料放置在磁场发生器中，调整磁场强度；（2）使用电流表和电压表测量电阻值；（3）记录不同磁场强度下的电阻值；（4）分析隧道磁电阻效应。
五、实验数据与结果1. 磁阻效应实验数据：磁场强度（T）电阻值（Ω）0.1 1000.2 1500.3 2000.4 2500.5 3002. 巨磁电阻效应（GMR）实验数据：磁场强度（T）电阻值（Ω）0.1 1000.2 500.3 200.4 100.5 53. 隧道磁电阻效应（TMR）实验数据：磁场强度（T）电阻值（Ω）0.1 1000.2 500.3 200.4 100.5 5六、实验分析与讨论1. 磁阻效应实验结果表明，随着磁场强度的增加，磁阻材料的电阻值逐渐增加。
磁阻效应实验报告
磁阻效应实验报告磁阻效应实验报告引言：磁阻效应是指当磁场作用于导体时，导体内的电阻会发生变化的现象。
这一现象在工业和科学领域中具有重要的应用价值。
本实验旨在通过测量磁场强度和电阻的变化关系，探究磁阻效应的原理和应用。
实验装置：本实验所用装置包括磁场发生器、导线、电流表、电压表和电源等。
磁场发生器用于产生磁场，导线则用于连接电源、电流表和电压表。
实验过程：1. 首先，将磁场发生器放置在实验台上，并连接电源。
2. 将导线绕在磁场发生器的铁芯上，确保导线与磁场发生器之间的接触良好。
3. 将电流表和电压表分别连接到导线的两端，以测量电流和电压的变化。
4. 通过调节电源的电压，使得电流表读数在合适的范围内。
5. 用磁铁靠近磁场发生器，观察电流表和电压表的读数变化。
实验结果：实验中我们记录了不同磁场强度下的电流和电压变化。
结果显示，在磁场强度增加的情况下，电流表的读数逐渐减小，而电压表的读数则逐渐增加。
这一结果表明了磁阻效应的存在。
讨论和分析：根据实验结果，我们可以得出以下结论：1. 磁阻效应是由磁场对导体内电子运动的影响所引起的。
当磁场增强时，磁场对电子的作用力也增强，从而导致电子在导体内运动的受阻，导致电流减小。
2. 磁阻效应的大小与导体的材料和几何形状有关。
不同材料和形状的导体对磁阻效应的响应程度不同。
3. 磁阻效应在实际应用中具有广泛的用途。
例如，磁阻效应可用于制造磁阻传感器，用于测量磁场强度和位置。
此外，磁阻效应还可应用于磁存储器、磁记录和磁传感等领域。
结论：通过本实验，我们深入了解了磁阻效应的原理和应用。
磁阻效应是磁场对导体内电子运动的影响，导致电流减小的现象。
磁阻效应在工业和科学领域中具有重要的应用价值，例如磁阻传感器、磁存储器等。
通过进一步研究和应用，我们可以不断发掘磁阻效应的潜力，为技术创新和进步做出贡献。
总结：本实验通过测量磁场强度和电阻的变化关系，探究了磁阻效应的原理和应用。
实验结果表明，在磁场强度增加的情况下，电流减小，电压增加，验证了磁阻效应的存在。
磁阻效应综合实验实验报告
磁阻效应综合实验实验报告1. 通过实验了解磁阻效应的基本原理及它在实际中的应用；2. 通过实验测量出磁阻效应的大小，并和理论值进行对比；3. 通过实验研究磁场对材料电阻的影响，进一步理解材料的磁阻特性。
实验原理：磁阻效应是指材料导电性随着外加磁场的增大而发生变化的现象。
根据磁阻效应的不同特点，可以将其分为纵向磁阻效应和横向磁阻效应两种。
纵向磁阻效应是指材料电阻沿着磁场方向的变化，横向磁阻效应是指材料电阻垂直于磁场方向的变化。
实验器材：1. 一块磁阻材料样品；2. 磁场强度可调的恒磁场设备；3. 数字万用表；4. 直流电源。
实验步骤：1. 打开恒磁场设备并调整磁场强度为一定值；2. 通过导线连接磁阻材料样品和数字万用表，测量样品的电阻值；3. 调节磁阻材料样品的位置，使其与磁场垂直或平行；4. 分别记录样品在不同位置下的电阻值，并计算出磁阻效应的大小；5. 将实验数据整理成表格和图形，并与理论值进行对比分析。
实验结果：通过实验测得的数据，我们可以计算出磁阻效应的大小，并与理论值进行对比。
实验结果显示，随着磁场的增大，磁阻效应也随之增大。
并且在不同位置下，磁阻效应的大小有所差异。
在垂直于磁场方向时，磁阻效应较大；而在平行于磁场方向时，磁阻效应较小。
实验讨论：实验结果与理论值的差异可以通过以下原因进行解释：1. 实验中可能存在测量误差，例如导线接触不良、仪器误差等；2. 磁阻材料的实际性能与理论值有所差异；3. 实验条件可能与理论模型假设不完全一致，例如理论模型假设材料处于完全均匀磁场中，而实验中存在局部磁场分布。
实验总结：通过本次实验，我们对磁阻效应有了更深入的了解。
实验结果表明，磁阻效应的大小与磁场强度、材料的位置有关。
实验结果与理论值的较小差异可能是由于测量误差、材料性能差异和实验条件等原因所致。
为了准确测量磁阻效应，我们还可以在实验中考虑进一步优化测量方法，减小系统误差。
此外，我们还可以通过更多的实验研究，深入探究磁场对材料电阻的影响，拓宽对磁阻效应的理解。
磁阻效应实验报告小结
一、实验背景磁阻效应是指在外加磁场的作用下，材料的电阻发生变化的现象。
该效应在物理学、材料科学以及电子技术等领域有着广泛的应用。
本实验旨在通过实验验证磁阻效应，并了解其基本原理和测量方法。
二、实验目的1. 理解磁阻效应的基本原理；2. 掌握磁阻效应的测量方法；3. 分析实验数据，得出磁阻效应与磁场、材料等因素之间的关系。
三、实验原理磁阻效应的产生主要与材料的电子输运性质有关。
在外加磁场的作用下，电子的运动轨迹发生改变，导致电阻发生变化。
根据电子输运理论，磁阻效应可以表示为：ΔR/R = (1 - cos2θ)μ/(μ + μ)其中，ΔR/R为电阻的变化率，θ为外加磁场与电流方向的夹角，μ为电子迁移率，μ为磁阻系数。
四、实验仪器与材料1. 磁阻效应实验装置；2. 恒温磁源；3. 电流表；4. 电压表；5. 磁阻材料样品。
五、实验步骤1. 将磁阻材料样品放置在实验装置中；2. 调节恒温磁源，使外加磁场强度分别为0、0.5T、1T、1.5T、2T；3. 测量不同磁场强度下磁阻材料样品的电阻值；4. 记录实验数据，绘制电阻随磁场强度的变化曲线。
六、实验结果与分析1. 实验结果根据实验数据，绘制出磁阻材料样品的电阻随磁场强度的变化曲线，如下：图1 磁阻材料样品电阻随磁场强度的变化曲线从图中可以看出，随着外加磁场强度的增加，磁阻材料样品的电阻也随之增加。
当外加磁场强度为2T时，电阻增加幅度最大。
2. 结果分析根据实验结果，可以得出以下结论：（1）磁阻效应确实存在，且随着外加磁场强度的增加，磁阻效应越明显；（2）在实验条件下，磁阻材料样品的电阻随磁场强度的变化符合磁阻效应的基本原理；（3）实验过程中，样品的温度保持恒定，说明温度对磁阻效应的影响较小。
七、实验误差分析1. 实验过程中，由于仪器精度和人为操作等因素，实验数据存在一定的误差；2. 实验装置的磁场强度可能存在一定的偏差；3. 实验过程中，样品的电阻测量可能受到接触不良等因素的影响。
磁阻效应实验报告数据
磁阻效应实验报告数据一、实验目的本实验旨在探究磁阻效应，了解磁阻效应的基本原理和表现，并通过实验数据分析磁阻效应在实践中的应用。
二、实验原理磁阻效应是指当电流通过磁性材料制成的导体时，磁场会对电流产生阻碍作用，导致电阻值发生变化的现象。
这种现象可以通过磁阻定律进行描述。
磁阻定律指出，磁阻与电流和磁场方向之间的关系可以用以下公式表示：Rm = μ0 × H / I其中，Rm为磁阻，μ0为真空中的磁导率，H为磁场强度，I为电流。
当磁场与电流垂直时，磁阻最大；当磁场与电流平行时，磁阻最小。
三、实验步骤1.准备实验器材：磁性材料制成的导体、电源、电阻器、电流表、磁场发生器、数据采集器等。
2.将电源、电阻器、电流表、磁场发生器与磁性材料制成的导体连接起来，构成一个闭合回路。
3.将数据采集器与磁性材料制成的导体连接起来，以便记录实验数据。
4.开启电源，使电流通过磁性材料制成的导体，并调节磁场发生器的强度，观察磁阻效应的变化。
5.记录实验数据，包括电流值、磁场强度和磁阻值。
6.分析实验数据，得出结论。
四、实验数据分析实验数据如下表所示：根据实验数据，我们可以看出：1.当磁场强度一定时，随着电流的增大，磁阻也相应增大。
这是因为磁场对电流的阻碍作用随着电流的增大而增大。
2.当电流一定时，随着磁场强度的增大，磁阻也相应增大。
这是因为磁场强度增大时，磁场对电流的阻碍作用也相应增大。
通过分析实验数据，我们可以得出以下结论：磁阻效应与电流和磁场方向密切相关，当电流和磁场方向垂直时，磁阻最大；当电流和磁场方向平行时，磁阻最小。
此外，随着电流和磁场强度的增大，磁阻也相应增大。
这些结论与磁阻定律相符，证明了磁阻效应的存在和表现。
五、实验结论与应用通过本实验，我们验证了磁阻效应的存在和表现，并得出了磁阻与电流和磁场方向之间的关系。
这种效应在实践中有着广泛的应用，如用于制造磁性传感器、磁性存储器和磁性电机等。
此外，磁阻效应还可以用于测量磁场强度和电流强度等方面，具有较高的实用价值。
磁阻效应实验报告
近代物理实验报告专业2011级应用物理学班级（2）组别指导教师彭云雄姓名同组人实验时间 2013年12月23日实验地点K7-108 实验名称磁阻效应实验一、实验目的1、测量电磁铁的磁感应强度与励磁电流的关系和电磁铁磁场分布。
2、测量锑化铟传感器的电阻与磁感应强度的关系。
3、作出锑化铟传感器的电阻变化与磁感应强度的关系曲线。
4、对此关系曲线的非线性区域和线性区域分别进行拟合。
二、实验原理图1 磁阻效应原理一定条件下，导电材料的电阻值R随磁感应强度B的变化规律称为磁阻效应。
如图1所示，当半导体处于磁场中时，导体或半导体的载流子将受洛仑兹力的作用，发生偏转，在两端产生积聚电荷并产生霍耳电场。
如果霍耳电场作用和某一速度载流子的洛仑兹力作用刚好抵消，那么小于或大于该速度的载流子将发生偏转，因而沿外加电场方向运动的载流子数量将减少，电阻增大，表现出横向磁阻效应。
若将图1中a端和b端短路，则磁阻效应更明显。
通常以电阻率的相对改变量来表示磁阻的大小，即用Δρ/ρ（0）表示。
其中ρ（0）为零磁场时的电阻率，设磁电阻在磁感应强度为B的磁场中电阻率为ρ（B），则Δρ=ρ（B）-ρ（0）。
由于磁阻传感器电阻的相对变化率ΔR/R（0）正比于Δρ/ρ（0），这里ΔR=R（B）-R（0），因此也可以用磁阻传感器电阻的相对改变量ΔR/R（0）来表示磁阻效应的大小。
图2图2所示实验装置，用于测量磁电阻的电阻值R 与磁感应强度B 之间的关系。
实验证明，当金属或半导体处于较弱磁场中时，一般磁阻传感器电阻相对变化率ΔR/R （0）正比于磁感应强度B 的平方，而在强磁场中ΔR/R （0）与磁感应强度B 呈线性关系。
磁阻传感器的上述特性在物理学和电子学方面有着重要应用。
如果半导体材料磁阻传感器处于角频率为ω的弱正弦波交流磁场中，由于磁电阻相对变化量ΔR/R （0）正比于B 2，则磁阻传感器的电阻值R 将随角频率2ω作周期性变化。
即在弱正弦波交流磁场中，磁阻传感器具有交流电倍频性能。
南京理工大学磁阻效应实验报告
南京理工大学磁阻效应实验报告摘要：本实验旨在研究磁阻效应，并通过实验观察、测量和分析磁阻效应的基本特性。
实验采用了南京理工大学提供的设备和实验材料，严格遵守实验操作规程。
通过对磁阻效应的实验研究，我们进一步了解了该效应的原理和应用。
引言：磁阻效应是指材料在外磁场作用下，其电阻值发生变化的现象。
该效应被广泛应用于磁传感器、磁存储器和磁阻读写头等领域。
本实验通过测量和分析磁阻效应的特性，旨在加深对该效应的理解，并为相关研究提供实验数据支持。
实验步骤：1.准备实验所需材料和设备，包括磁阻效应样品、电源、电流表、万用表等。
2.按照实验要求搭建实验电路，确保连接正确可靠。
3.调节电源输出电压，使电流通过样品，记录电流值。
4.使用万用表测量样品的电阻值，并记录下来。
5.在不同外磁场强度下，重复步骤3和步骤4，记录相应的电流和电阻值。
6.对实验数据进行整理和分析，绘制磁阻效应的曲线图。
7.根据实验结果，讨论磁阻效应的特点和应用，并提出相关结论。
结果与讨论：通过实验测量和分析，得到了磁阻效应的相关数据，并绘制了磁阻效应的曲线图。
实验结果表明，在外磁场作用下，样品的电阻值随磁场强度的变化呈现明显的变化趋势。
该实验结果与磁阻效应的理论预期相符合，验证了磁阻效应的存在和特性。
根据实验结果和讨论，我们可以得出以下结论：1.磁阻效应是指材料在外磁场作用下，其电阻值发生变化的现象。
2.外磁场的强度对磁阻效应的大小和方向有影响。
3.磁阻效应可应用于磁传感器、磁存储器和磁阻读写头等领域，具有重要的应用价值。
结论：通过本实验，我们成功地研究了磁阻效应，并获得了相关的实验数据。
实验结果验证了磁阻效应的存在和特性，并为相关研究提供了实验数据支持。
磁阻效应作为一种重要的物理现象，在磁传感器和磁存储器等领域具有广泛的应用前景。
本实验对于学生深入理解磁阻效应的原理和应用具有一定的指导意义。
巨磁阻实验报告范文
巨磁阻实验报告范文巨磁阻效应实验报告一、实验目的1.了解巨磁阻效应的基本原理；2.学会巨磁阻样品的制备和测量方法；3.掌握巨磁阻效应的相关参数的计算与分析方法。
二、实验原理巨磁阻效应是指在外加磁场作用下，磁性材料的电阻发生变化。
它是由于外加磁场引起材料内部电阻的改变而产生的。
巨磁阻效应的原理可用表达式表示为：巨磁阻率=（R-H）/R0×100其中R是材料在外加磁场H下的电阻，R0是材料在无外加磁场下的电阻。
三、实验步骤1.制备巨磁阻样品，将样品切割成适当尺寸；2.使用万用表测量样品的电阻，记录下无外加磁场时的电阻值R0；3.将样品放入电磁铁中，接通电源，采用不同的外加磁场强度H测量样品的电阻值R；4.计算巨磁阻率，根据实验数据计算不同外加磁场强度下的巨磁阻率。
四、实验数据磁场强度H（A/m），电阻R（Ω）:-:，:-:0，1050，15100，22150，30200，38五、数据处理与分析根据上表的实验数据，我们可以计算出不同外加磁场强度下的巨磁阻率：磁场强度H（A/m），巨磁阻率:-:，:-:0，050，50%100，120%150，200%200，280%从上表可以看出，随着外加磁场强度的增加，巨磁阻率也随之增大。
这是因为在外加磁场的作用下，样品内部的磁矩会发生定向排列，从而产生较大的磁阻效应。
六、实验结论在本次巨磁阻实验中，我们制备了巨磁阻样品，并通过测量不同磁场强度下的电阻值，计算出了相应的巨磁阻率。
实验结果表明，巨磁阻率随着外加磁场的增加而增大，验证了巨磁阻效应的存在。
七、实验心得通过本次巨磁阻实验，我对巨磁阻效应的原理和实验方法有了更深入的了解。
实验过程中，我学会了巨磁阻样品的制备方法，并通过实际操作掌握了测量巨磁阻率的步骤和计算方法。
在实验过程中，我发现实验数据的准确性对结果的影响很大，因此在取样本数据时要尽量减小误差。
此外，还需要注意实验仪器的使用和安全操作，确保实验的顺利进行。
磁阻效应综合实验报告
磁阻效应综合实验报告实验目的本实验旨在探究磁阻效应的基本原理和应用，通过实际操作和数据采集，加深对磁阻效应的理解。
实验原理磁阻效应是指当磁体在磁场中发生形变时，其电阻产生变化的现象。
这种现象是由材料磁导率的变化所引起的。
理论上，当磁场强度改变时，磁体的电阻值也会发生变化，即磁阻效应。
实验中使用了一种称为磁阻材料的变阻器元件，它由一种特殊的磁性材料制成，可以在外磁场的作用下，产生磁阻效应。
具体来说，磁阻材料在磁化作用下，会发生形变，从而改变其电阻数值。
实验工具和材料- 电源- 万用表- 磁阻材料变阻器实验步骤1. 将实验仪器接线连接好，保证电路连接正确。
2. 打开电源，调节电压，保证电流适中。
3. 使用万用表测量变阻器的电阻值，并记录下来。
4. 在变阻器的周围放置一个磁铁，使磁场作用于变阻器。
5. 再次测量变阻器的电阻值，并记录下来。
6. 移开磁铁，并记录下此时变阻器的电阻值。
实验结果与分析在实验过程中，我们分别测量了变阻器在有磁场和无磁场时的电阻值，并记录下来。
经过计算得到结果如下：实验次数无磁场电阻（Ω）有磁场电阻（Ω）1 100 952 105 1023 98 92通过计算可以看出，磁场的存在对变阻器的电阻值产生了明显的影响。
在有磁场的情况下，变阻器的电阻值普遍较小，说明磁场的作用导致了电阻的减小。
磁阻效应的实际应用非常广泛。
在实验中，我们可以通过测量变阻器的电阻变化，来判断磁场的存在，或者测量磁场的强度。
在实际生活中，磁阻效应也被广泛应用于传感器技术中，例如使用磁阻变阻器制作的压力传感器、位移传感器等。
实验结论通过本次实验，我们进一步了解了磁阻效应的原理和应用。
实验结果表明，磁场的存在会导致变阻器的电阻值发生变化，从而体现出磁阻效应。
磁阻效应在传感器技术中有广泛应用，具有较高的实用价值。
参考文献- 张三. 磁阻效应及其应用. 《物理实验教程》, 2010.- 李四. 磁阻效应的研究进展. 《物理学报》, 2015.。
大学物理磁阻效应实验报告
大学物理磁阻效应实验报告一、实验目的1、了解磁阻效应的基本原理。
2、测量不同磁场强度下磁阻传感器的电阻变化。
3、研究磁阻传感器的电阻与磁场的关系，求出磁阻特性曲线。
二、实验原理1、磁阻效应磁阻效应是指某些金属或半导体在磁场中电阻值发生变化的现象。
通常，材料的电阻会随着外加磁场的增强而增加，这种现象称为正磁阻效应；而在某些情况下，电阻会随着磁场的增强而减小，称为负磁阻效应。
2、磁阻传感器的工作原理本实验中使用的磁阻传感器通常由半导体材料制成，如锑化铟（InSb）。
当没有外加磁场时，电流在半导体内部均匀流动；当外加磁场时，载流子受到洛伦兹力的作用而发生偏转，导致电流路径变长，电阻增大。
3、磁场的产生与测量实验中通过亥姆霍兹线圈产生均匀磁场，磁场强度可以通过线圈的匝数、电流以及线圈的半径等参数计算得出。
同时，使用特斯拉计测量磁场的实际强度，以进行校准和验证。
三、实验仪器1、磁阻效应实验仪包括亥姆霍兹线圈、磁阻传感器、电源、数字电压表等。
2、特斯拉计四、实验步骤1、仪器连接与调试（1）将磁阻传感器插入实验仪的插座中，确保连接牢固。
（2）将亥姆霍兹线圈与电源连接，调节电源输出电流，使线圈产生磁场。
（3）使用特斯拉计测量亥姆霍兹线圈中心的磁场强度，并与理论计算值进行比较，如有偏差，进行相应的调整。
2、测量零磁场下磁阻传感器的电阻（1）关闭电源，使亥姆霍兹线圈中无电流通过，处于零磁场状态。
（2）使用数字电压表测量磁阻传感器的电阻值，记录下来。
3、测量不同磁场强度下磁阻传感器的电阻（1）逐步增加电源输出电流，使亥姆霍兹线圈中的磁场强度逐渐增大。
（2）在每个磁场强度下，使用数字电压表测量磁阻传感器的电阻值，并记录对应的磁场强度和电阻值。
（3）同样的方法，逐渐减小电源输出电流，测量磁场强度减小时磁阻传感器的电阻值。
4、数据记录与处理（1）将测量得到的数据整理在表格中，包括磁场强度、电阻值等。
（2）以磁场强度为横坐标，电阻值为纵坐标，绘制磁阻特性曲线。
磁阻效应实验报告结论
一、实验目的本次实验旨在通过实验验证磁阻效应的基本原理，测量不同磁感应强度下导电材料的电阻变化，并分析磁阻效应在实际应用中的重要性。
二、实验原理磁阻效应是指导电材料的电阻值随磁感应强度变化的现象。
当导电材料受到磁场作用时，其电阻值会发生变化。
这种现象可以通过以下原理进行解释：1. 电流在导电材料中传输时，电子会受到洛伦兹力的作用，使得电子的运动轨迹发生偏转。
2. 当磁场方向与电流方向垂直时，电子的偏转轨迹会使得电阻增加；当磁场方向与电流方向平行时，电子的偏转轨迹会使得电阻减小。
3. 磁阻效应的大小与磁感应强度、导电材料的性质等因素有关。
三、实验方法1. 准备实验仪器：THPCZ-1型磁阻效应实验仪、THQCZ-1型磁阻效应测试仪等。
2. 将待测材料放置在实验仪中，调整磁感应强度，测量不同磁场下的电阻值。
3. 记录实验数据，绘制电阻随磁感应强度变化的曲线。
4. 分析实验结果，探讨磁阻效应在实际应用中的重要性。
四、实验结果与分析1. 实验数据表明，随着磁感应强度的增加，待测材料的电阻值呈现出先减小后增大的趋势。
在磁感应强度较小时，电阻值随磁感应强度的增加而减小；在磁感应强度较大时，电阻值随磁感应强度的增加而增大。
2. 实验结果与磁阻效应的基本原理相符。
当磁感应强度较小时，电子的偏转轨迹较短，电阻减小；当磁感应强度较大时，电子的偏转轨迹较长，电阻增大。
3. 通过实验数据分析，可以得出以下结论：（1）磁阻效应在磁感应强度较小时表现出显著的电阻减小现象，有利于提高导电材料的导电性能。
（2）磁阻效应在磁感应强度较大时表现出显著的电阻增大现象，有利于提高导电材料的磁性能。
（3）磁阻效应在实际应用中具有广泛的应用前景，如磁阻传感器、磁阻开关等。
五、实验结论1. 本实验成功验证了磁阻效应的基本原理，并测量了不同磁感应强度下导电材料的电阻变化。
2. 实验结果表明，磁阻效应在磁感应强度较小时表现出显著的电阻减小现象，在磁感应强度较大时表现出显著的电阻增大现象。
磁阻效应演示实验报告
磁阻效应演示实验报告引言磁阻效应是指当电流通过一根导线时，由于导线中的电子受到外加磁场的作用，导致电子运动受到阻碍，从而使得电阻值发生变化的现象。
本实验旨在通过实际操作演示磁阻效应的存在和影响。
实验目的1. 了解磁阻效应的原理和特点；2. 掌握使用实验设备进行磁阻效应实验的方法；3. 通过实际测量数据，验证磁阻效应的存在。
实验器材1. 直流稳压电源；2. 实验电路板；3. 指南针；4. 铁石磁铁；5. 不同材质的导线。
实验原理磁阻效应的原理是当导线中电流通过时，导线中的电子受到外加磁场的影响，其运动轨迹受到磁场的阻碍，导致电阻值发生变化。
当导线放置在磁场中时，电子流受到了力的作用，发生了偏转。
这种偏转会导致导线的内阻增大，磁场越强，阻力越大。
实验步骤1. 准备实验电路板，将直流稳压电源接入电路板；2. 将指南针放置在实验电路板旁边，确认指南针的指向；3. 选择一根材质相同的导线，将其接入电路板；4. 调节电压大小，使电流稳定在一定数值，并记录电流大小；5. 观察指南针的指向，记录磁场对指南针的影响；6. 重复步骤3-5，使用不同材质的导线，对比不同材质的导线在磁场中的表现。
实验结果和数据分析实验结果通过实验观察，我们发现随着磁场的增强，指南针的偏转角度逐渐增大。
使用不同材质的导线，观察到指南针的偏转角度也不相同。
数据分析我们测量得到了不同材质导线的电流和指南针偏转角度的数据，并整理成下表：导线材质电流（A）指南针偏转角度（度）-铜导线0.5 10铁导线0.5 20镍导线0.5 30通过观察上表，我们可以得出以下结论：1. 随着电流的增加，指南针的偏转角度增大；2. 铁导线的指南针偏转角度大于铜导线，镍导线的指南针偏转角度又大于铁导线；结论通过实验我们验证了磁阻效应的存在。
当电流通过导线时，导线中的电子受到外加磁场的作用，导致电子运动受到阻碍，从而使得电阻值发生变化。
实验数据表明，不同材质的导线在磁场中受到的阻力大小不同。
磁电阻效应实验报告
磁电阻效应实验报告磁电阻效应实验报告引言：磁电阻效应是指材料在外加磁场下，电阻发生变化的现象。
这种效应被广泛应用于磁存储器、磁传感器等领域。
本实验旨在通过测量磁电阻效应来探究材料的磁性质及其在应用中的潜力。
实验目的：1. 了解磁电阻效应的基本原理；2. 掌握磁电阻效应实验的操作方法；3. 分析不同材料的磁电阻特性。
实验器材：1. 磁电阻测量仪；2. 不同材料的磁电阻样品。
实验步骤：1. 将磁电阻测量仪连接到计算机，并进行校准；2. 准备不同材料的磁电阻样品，确保其表面清洁；3. 将样品放置在测量仪的夹持装置中；4. 通过软件控制，逐渐增加外加磁场的强度，记录相应的电阻值；5. 根据实验结果，分析材料的磁电阻特性。
实验结果与分析：在实验中，我们选择了三种不同材料的磁电阻样品进行测量。
分别是铁、镍和铜。
通过实验测量，我们得到了它们在不同磁场强度下的电阻变化曲线。
在外加磁场逐渐增加的过程中，铁样品的电阻值呈现出明显的变化。
当磁场强度达到一定值后，电阻值开始急剧下降。
这是由于铁材料具有较强的磁性，外加磁场使得材料内部的磁矩重新排列，导致电子在材料中的运动受到阻碍，从而使电阻值减小。
镍样品：与铁样品相比，镍样品在外加磁场下的电阻变化相对较小。
在磁场强度逐渐增加的过程中，电阻值有轻微的波动，但整体趋势并没有明显的变化。
这是因为镍材料的磁性较弱，外加磁场对材料内部的磁矩排列影响较小，电子运动的阻碍程度也较小，因此电阻值的变化不明显。
铜样品：与铁、镍样品不同，铜样品在外加磁场下的电阻几乎没有变化。
这是因为铜是一种非磁性材料，外加磁场对其内部磁矩排列没有明显影响，电子的运动也没有受到阻碍，因此电阻值保持不变。
结论：通过本次实验，我们对磁电阻效应有了更深入的了解。
不同材料的磁电阻特性差异明显，这为磁存储器、磁传感器等领域的应用提供了理论依据。
铁材料的磁电阻效应最为显著，可以作为磁存储器中的重要元件。
而非磁性材料如铜则可以用于磁隔离层等应用。
大学物理实验报告——巨磁电阻效应(nh1
大学物理实验报告
电
阻
/
欧
姆
磁场强度/ 高斯
自由层
中间导电层被钉扎层钉扎层
7. 思考题及实验小结
思考题(1):什么是巨磁电阻效应?巨磁电阻结构组成有何特点?
答: ①巨磁电阻效应来自于载流电子的不同自旋状态与磁场的作用不同,因而导致电阻值的变化. ②如图所示,多层GMR结构中,无外磁场时,上下两层铁磁膜的磁矩是反平行耦合的.在足够强的外磁场作用下,铁磁膜的磁矩方向都与外磁场方向一致,外磁场使两层铁磁膜从反平行耦合变成了平行耦合.
思考题(2):试分析不同磁偏置影响电流测量灵敏度的原因是什么?
答:通过对比25mv U-I图与120mv U-I图的电流测量灵敏度(120mv灵敏度高于25mv),结合做实验时的实际操作(120mv 时永磁体小于25mv时永磁体与线圈间距),于是大胆猜测不
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磁阻效应 物理实验报告
磁阻效应磁阻器件由于其灵敏度高、抗干扰能力强等优点在工业、交通、仪器仪表、医疗器械、探矿等领域应用十分广泛，如：数字式罗盘、交通车辆检测、导航系统等。
磁阻器件品种较多，可分为正常磁电阻，各向异性磁电阻，特大磁电阻，巨磁电阻和隧道电阻等。
其中正常磁电阻的应用十分普遍。
锑化铟（InSb）传感器是一种价格低廉、灵敏度高的正常磁电阻，有着十分重要的应用价值。
它可用于制造在磁场微小变化时测量多种物理量的传感器。
本实验使用两种材料的传感器，砷化镓（GaAs）测量磁感应强度和研究锑化铟（InSb）在磁感应强度变化时的电阻，融合霍尔效应和磁阻效应两种物料现象。
实验目的（1）了解磁阻现象与霍尔效应的关系与区别；（2）测量锑化铟传感器的电阻与磁感应强度的关系；（3）作出锑化铟传感器的电阻变化与磁感应强度的关系曲线。
实验仪器磁阻效应实验仪。
实验原理在一定条件下，导电材料的电阻R随磁感应强度B的变化规律称为磁阻效应。
当材料处于磁场中时，导体或半导体内的载流子将受洛伦兹力的作用发生偏转，在两端产生积聚电荷并产生霍尔电场。
如霍尔电场作用和某一速度的载流子的洛伦兹力作用刚好抵消，那么大于或小于该速度的载流子将发生偏转，因而沿外加电场方向运动的载流子数目将减少，电阻增大，表现横向电阻效应。
通常以电阻率的相对该变量来表示磁阻的大小，即用)0(/ρρ∆表示，其中)0(ρ表示零磁场是的电阻率，设磁电阻阻值在磁感应强度为B 中的电阻率为)(B ρ，则)0()(ρρρ-=∆B ，由于磁阻传感器电阻的相对变化率)0(/R R ∆正比于)0(/ρρ∆，这里)0()(R B R R -=∆，因此也可以用磁阻传感器电阻的相对变化量)0(/R R ∆来表示磁阻效应的大小。
实验证明，当金属或半导体处于较弱磁场中时，一般磁阻传感器电阻相对变化率)0(/R R ∆正比于磁感应强度B 的平方，而在强磁场中)0(/R R ∆与磁感应强度B 呈线性函数关系。
巨磁阻效应实验报告
竭诚为您提供优质文档/双击可除巨磁阻效应实验报告篇一：巨磁电阻实验报告实验报告班姓名张涛学号1003120505指导老师徐富新实验时间20XX年5月25日，第十三周，星期日篇二：巨磁阻效应实验报告数据数据处理实验一线圈电流由零开始变化测得输出电压V和磁场b 的关系如下图示由上图可以看出2mT以下部分传感器的输出电压和磁场变化情况接近线性变化，其灵敏度K=0.1325相关系数为0.997由Rb/R0=(V+-V输出)/(V++V输出)计算出不同磁感应强度下的Rb/R0值，绘制Rb/R0-b关系图如下可以看出Rb/R0的值随磁场b增大而逐渐减小，在2mT 以后趋于饱和，Rb/R0的饱和值约为0.9。
则该传感器的电阻相对变化率(Rb-R0)/R0的最大值约为0.9-1=-0.1=-10% 实验二测量时，巨磁阻传感器工作电压V+为5.00v,线圈电流为0.06A。
利用实验所得数据作V输出—cosθ关系图如下示：从图中可以看出在cosθ=0.6附近有一个瑕点外，具有较良好的线性关系V=0.1441cosθ，相关系数为0.9986，即传感器的输出电压与传感器敏感轴—磁场间夹角θ成余弦关系。
问题思考1.如何避免地磁场影响，并解释原因。
本次实验中亥姆霍兹线圈产生磁场来验证材料在有无磁场的情况下电阻的变化，必然会受到地磁场的影响，故我们在实验过程中每次旋转角度后，应重新调零，减小每次旋转角度地磁场对实验误差的积累。
篇三：巨磁电阻效应及其应用实验报告巨磁电阻效应及其应用【实验目的】1、了解gmR效应的原理2、测量gmR模拟传感器的磁电转换特性曲线3、测量gmR的磁阻特性曲线4、用gmR传感器测量电流5、用gmR梯度传感器测量齿轮的角位移，了解gmR转速（速度）传感器的原理【实验原理】根据导电的微观机理，电子在导电时并不是沿电场直线前进，而是不断和晶格中的原子产生碰撞（又称散射），每次散射后电子都会改变运动方向，总的运动是电场对电子的定向加速与这种无规散射运动的叠加。
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近代物理实验报告
专业2011级应用物理学班级（2）组别指导教师彭云雄
姓名同组人
实验时间 2013年12月23日实验地点K7-108 实验名称磁阻效应实验
一、实验目的
1、测量电磁铁的磁感应强度与励磁电流的关系和电磁铁磁场分布。
2、测量锑化铟传感器的电阻与磁感应强度的关系。
3、作出锑化铟传感器的电阻变化与磁感应强度的关系曲线。
4、对此关系曲线的非线性区域和线性区域分别进行拟合。
二、实验原理
图1 磁阻效应原理
一定条件下，导电材料的电阻值R随磁感应强度B的变化规律称为磁阻效应。
如图1所示，当半导体处于磁场中时，导体或半导体的载流子将受洛仑兹力的作用，发生偏转，在两端产生积聚电荷并产生霍耳电场。
如果霍耳电场作用和某一速度载流子的洛仑兹力作用刚好抵消，那么小于或大于该速度的载流子将发生偏转，因而沿外加电场方向运动的载流子数量将减少，电阻增大，表现出横向磁阻效应。
若将图1中a端和b端短路，则磁阻效应更明显。
通常以电阻率的相对改变量来表示磁阻的大小，即用Δρ/ρ（0）表示。
其中ρ（0）为零磁场时的电阻率，设磁电阻在磁感应强度为B的磁场中电阻率为ρ（B），则Δρ=ρ（B）-ρ（0）。
由于磁阻传感器电阻的相对变化率ΔR/R（0）正比于Δρ/ρ（0），这里ΔR=R（B）-R（0），因此也可以用磁阻传感器电阻的相对改变量ΔR/R（0）来表示磁阻效应的大小。
图2
图2所示实验装置，用于测量磁电阻的电阻值R 与磁感应强度B 之间的关系。
实验证明，当金属或半导体处于较弱磁场中时，一般磁阻传感器电阻相对变化率ΔR/R （0）正比于磁感应强度B 的平方，而在强磁场中ΔR/R （0）与磁感应强度B 呈线性关系。
磁阻传感器的上述特性在物理学和电子学方面有着重要应用。
如果半导体材料磁阻传感器处于角频率为ω的弱正弦波交流磁场中，由于磁电阻相对变化量ΔR/R （0）正比于B 2
，则磁阻传感器的电阻值R 将随角频率2ω作周期性变化。
即在弱正弦波交流磁场中，磁阻传感器具有交流电倍频性能。
若外界交流磁场的磁感应强度B 为
B=B 0COS ωt （1）
（1）式中，B 0为磁感应强度的振幅，ω为角频率，t 为时间。
设在弱磁场中 ΔR/R(0)=KB 2 （2）
（2）式中，K 为常量。
由（1）式和（2）式可得
R(B)=R(0)+ΔR=R(0)+R(0)×[ΔR/R(0)]
=R(0)+R(0)KB 02COS 2ωt =R(0)+
21R(0)KB 02+2
1R(0)KB 02COS2ωt （3） （3）式中，R(0)+21R(0)KB 02为不随时间变化的电阻值，而21R(0)KB 02cos2ωt 为以角频率2ω作余弦变化的电阻值。
因此，磁阻传感器的电阻值在弱正弦波交流磁场中，将产生倍频交流电阻阻值变化。
三、实验仪器
HLD-MRE-II 型磁阻效应实验仪：包括直流双路恒流电源、0-2V 直流数字电压表、电磁铁、数字式毫特仪（GaAs 作探测器）、锑化铟（InSb ）磁阻传感器等组成。
四、实验内容和步骤
１．测量电磁铁励磁电流I M与电磁铁气隙中磁感应强度B的关系（测量电磁铁磁化曲线）
1)对准航空插头座缺口方向,用双头航空插头线连接实验装置和实验仪传感器接
口，传感器固定印板转出电磁铁气隙, (以减小电磁铁矽钢片残磁影响)，预热10
分钟后调零毫特仪，使其显示0.0mT。
2)连接电磁铁电流输入线，置传感器印板于电磁铁气隙中,将电磁铁通入电流，调
励磁电流变化依次为：0,100,200…800mA。
记录励磁电流和电磁感应强度在表1
中，并绘制电磁铁磁化曲线，
其中励磁电流I M=0时，B≠0，表明电磁铁有剩磁存在。
请在这插入折线图
2.测量磁感应强度和磁电阻大小的关系
1）按图2所示将锑化铟（InSb）磁阻传感器与外接电阻（接线柱上已装电阻，也可外接电阻箱）串联，并与可调直流电源相接，数字电压表的一端连接磁阻传感器和电阻(或电阻箱)公共接点，作为测量参考点，单刀双向开关可分别与串接电阻、磁电阻InSb切换，用于测量它们的端电压。
2）由测量磁阻传感器的电流及其两端的电压，求磁阻传感器的电阻R；调节通过电磁铁的电流，改变电磁铁气隙中磁场，由毫特仪读出相应的B，求出ΔR/R(0)与B的关系。
作ΔR/R（0）与B的关系曲线，并进行曲线拟合。
一般地，可保持锑化铟磁阻传感器电流或电压不变的条件下，测量锑化铟磁阻传感器的电阻与磁感应强度的关系。
（实验时注意GaAs和InSb传感器工作电流应<3m A）。
本实验采用保持实验样品电流恒定的条件下，通过测量其端电压来计算其电阻值。
I的确定可按如下方法：例如取样电阻标称值为300Ω，而经测量接线取样电流
取
柱上外接取样电阻实际值为R=298.9Ω，可调节电流，使电阻两端电压U=298.9mV；
则电流 取I =R U =9
.2989.298=1.00mA ； 3）实验步骤
（a ）如图2所示连接好导线。
单刀开关向上接通测量外接电阻电压，根据取样电阻的阻值确定取样电流，调节InSb 电流调节旋钮，使电压测量值为U=300.0mV ，则InSb 磁电阻和外接电阻通入的电流为1.00mA, 单刀开关向下接通测量InSb 磁电阻两端的电压时，因电流方向显示的电压为负值，记录数值时无须记录。
(b)实验样品固定印板置于电磁铁气隙中，电磁铁励磁电流调为0开始实验测量，此时的磁场很小，忽略不计，此时测得的电阻值为实验样品的R(0)，实验中可经常观测外接电阻两端电压是否变化来表明InSb 电流的稳定情况。
实验记录表格如下：
请在这插入折线图
对ΔR/R 与B 关系曲线图的分析：
1、在B<60mT 时：
令ΔR/R(0)＝kB n ，则ln(ΔR/R(0))=n lnB+lnk
用双对数坐标纸经直线拟合后得：n＝1.97，可知在B<0.06T时磁阻变化率ΔR/R(0)与磁感应强度B近似成二次函数关系。
在B<60mT时，拟合得到ΔR/R(0)=29.2B2
2、B>120mT时：
令ΔR/R(0)＝k1B n1 ，则ln(ΔR/R(0))=n1 lnB+lnk1
用双对数坐标纸经直线拟合后得：n1=0.8，可知在B>0.12时磁阻变化率ΔR/R(0)与磁感应强度B近似成一次函数关系。
在B>0.12T时，拟合得到ΔR/R(0)=1.72B+0.14相关系数 r=0.9996
五、注意事项
锑化铟磁阻传感器作为半导体材料温度系数较大，即对温度变化很敏感，所以实验时下列因素会影响实验数据：
1、实验室环境温度
2、电磁铁的温升
3、锑化锢的工作电流
故经测量在不同的室温条件下其常态电阻差异性很大；为了减少电磁铁的温升实验数据测量应快一些，不宜长时间通电实验，更不应使电磁铁长时间处在大电流工作状态；通过实验样品的电流要取小一些，可有效减小其温升，从而使电阻值相对稳定。
实验时可改变励磁电流的方向说明磁阻传感器的电阻变化与磁场强度的大小有关,而与磁场方向无关.可解释倍频效应的原因.
六.实验小结：
教师评语：
1.实验预习：（认真、较认真、一般、较差、很差）；
占30%
2.原始数据及实验结果：（准确合理、较准确、不合理）；占
30%
3.误差分析或作图：（规范、中等、不规范）；占20%
4.卷面整洁度：（很好、较好、中等、较差、很差）；
占20%
评定等级：（）教师签名：日期：。