(整理)传感器试卷和答案.

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浙江工业大学成教学院试卷B(答案)

课程传感器与测试技术姓名

___________________________

___供参考,如有疏忽,请指正______

题序一二三四五六七八九十总评

计分

命题:一、单项选择题(将答案号写在括号内,每题1分,共10分)

1莫尔条纹的宽度是由光栅常数和光栅的夹角决定的( A )

A 光栅常数越大,光栅的夹角越小, 莫尔条纹的宽度越宽

B 光栅常数越大,光栅的夹角越小, 莫尔条纹的宽度越宽

C 光栅常数越小,光栅的夹角越小, 莫尔条纹的宽度越宽

D 光栅常数越小,光栅的夹角越大, 莫尔条纹的宽度越宽

2 一阶传感器的时间常数τ越小,(A )频率响应特性越好。

A频率响应特性越好B频率响应特性越差 C 灵敏度越大 D 灵敏度越小

3二阶传感器中,如输入为一正弦信号,一般来说,输出信号的(B )

A 频率变化,幅值和相位不变化

B 频率不变化, 幅值和相位变化

C 频率不变化,幅值和相位不变化

D 频率相位不变化,幅值变化

4光栅式传感器中,如横向莫尔条文之间的距离为4mm, 则辩向电路的两个光电元件的距离应为( A )

A. 1mm B 2mm C 4mm D 8mm

5单晶硅材料受到应力作用后,其( D )发生明显变化,这种现象称为压阻效应。

A 面积

B 长度

C 体积

D 电阻率

6 热敏电阻的标称电阻是指温度在(A )的电阻值

A 25 ºC

B 0 º

C C 100 ºC

D 273 ºC

7.光电池的工作原理是基于_________: C

A.光电发射效应B.光电导效应C.光伏效应D.热敏效应

8.下列关于光电耦合器的叙述中,不正确的是_________:D

A.光电耦合器实现了信号的光耦合和电隔离。

B.光电耦合器可以实现脉冲转换与直流电平转换,作为不同逻辑电路的接口。

C.光电耦合器的响应快、寿命长。

D.光电耦合器可以实现电→光→电双向信号传输。

9.下列关于磁阻元件的叙述中,不正确的是_________:B

A.在弱磁场中,电阻与磁场呈平方特性;在强磁场中,电阻与磁场呈线性特性。

B.在弱磁场中,电阻与磁场呈线性特性;在强磁场中,电阻与磁场呈平方特性。

C.为了提高灵敏度,磁阻元件通常都做的很薄。

D.磁阻元件的工作基础是磁阻效应。

10.磁敏二极管与在其上施加的偏压和磁场的关系是_________:A

A.在正向偏压、正向磁场作用下,随着磁场的增大,磁敏二极管的电阻增大。

B.在正向偏压、反向磁场作用下,随着磁场的增大,磁敏二极管的电阻增大。

C.在反向偏压、正向磁场作用下,随着磁场的增大,磁敏二极管的电阻增大。

D.在反向偏压、反向磁场作用下,随着磁场的增大,磁敏二极管的电阻增大。

二、填空题(每空1分,共10分):

1、电涡流传感器中线圈的激励频率越高,电涡流的贯穿深度越浅,导体的电阻率越大,电涡流的贯穿深度越____深______。

2、金属电阻应变片温度误差的产生主要是由电阻温度系数的影响和试件、电阻丝材料的线膨胀系数不同引起的。

3.压电式传感器的放大电路主要有电压放大和电荷放大两种。

4.霍尔传感器的厚度越小,灵敏度越大,输入输出电阻越大。

5、电涡流传感器根据激励的频率不同,分为高频反射式和低频透射式。

三、是非题(每题1分,共10分)

1、任何周期信号都是由多个简谐信号合成的()对

2、信号的时域描述和频域描述只是同一个信号在不同域中的两种表示方法。()对

3、差动变压器中提高初级线圈的电压,则灵敏度增加,漂移增大()对

4、信号的时域描述和频域描述只是同一个信号在不同域中的两种表示方法。(对)

5、自相关函数是奇函数,其图形对称于原点。(错)

6、金属导体内产生的涡流由于趋肤效应,随着频率的增大,其贯穿深度也随之增大。

(错)

7、对于金属导体和半导体材料而言,都能产生霍尔效应,只不过,半导体材料的灵

敏度要大一些,适合于作霍尔元件。(对)

8、差动变压器是利用线圈间自感的变化来实现非电量测量的。(错)

9、常系数线性系统稳定输出信号的频率与输入信号的频率相同。(对)

10、绝对式码盘一般采用格雷码,而不是二进制码。(对)

四、简答题(每题5分共20分)

1 漂移

输入量不变的情况下,传感器输出量随着时间变化的现象称为飘移。产生飘移的主要原因有两个方面:一是传感器自身结构参数;二是周围环境的变化。最常见的飘移是温度飘移。

2 应变片绝缘电阻

应变片绝缘电阻是指已粘贴的应变片的引线与被测件之间的电阻值。通常要求

应变片绝缘电阻在50-100M Ω。

3、频谱的收敛性

信号的各谐波振幅总的趋势是随着谐波次数的增高而逐渐减小,当谐波次数无限增高时,谐波分量的振幅也就无限地趋小,这称为频谱的收敛性

4 应变效应

半导体或导体在外界力的作用下产生机械变形时,其电阻值发生变化,这种现象称为

“应变效应”。

五、计算及应用题(共50分):

1、应变片称重传感器,其弹性体为圆柱体,直径D =10cm ,材料的弹性模量E =205×109N/m 2,用它来称50吨的物体,若用电阻丝式应变片,变变片的灵敏度S =2,R =120Ω,问电阻变化是多少? (10)

2、用一缓变信号t B t A t u ππ100cos 10cos )(+=调制一载波t E t u c π2000sin )(=,试画出调幅波的幅频图并计算调幅波的频带宽度。 (10)

3、压电式加速度的电压前置放大器的总电容C=1000pf, 总电阻 R=500M Ω,传感器的机械系统固有频率为 f0 = 30 khz, 相对阻尼系数 ζ = 0.5 。 求幅值误差下于 2 % 时,其使用的频率范围。 (15)

4、画出电容式传感器的差动脉冲调制测量电路,并说明其原理。 (15)

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