MEMS设计、仿真软件的综合比较

《MEMS 器件、仿真与系统集成》期中测验（三）（占考试成绩的20%，中英文答题均可，5月30日交电子版。任课教师：陈剑鸣）

研究生：（签字）

学号：

MEMS设计、仿真软件的综合比较。（占本课程的20%）。

具体要求：

1）用表格形式对MEMS常用的软件进行比较。比较的软件四大类：TannerPro（主要是L-edit），HFSS, CoventorWare，IntelliSense，ANSYS

2）比较的内容：

✓公司、厂家；

✓软件的总体描述；

✓软件的模块关系（模块组成）；

✓按模块来阐述的主要用途；

✓按模块来阐述的性能参数；

✓软件所做的实例图（分模块）。

✓你对此软件（或者是具体模块）的看法和评价，不少于5个模块。

作业作答如下：

一. TannerPro（主要是L-edit）

1.1 公司、厂家：

Tanner Research公司

1.2 软件的总体描述

Tanner集成电路设计软件是由Tanner Research 公司开发的基于Windows平台的用于集成电路设计的工具软件。该软件功能十分强大，易学易用，包括S-Edit，T-Spice，W-Edit，L-Edit与LVS，从电路设计、分析模拟到电路布局一应俱全。其中的L-Edit版图编辑器在国内应用广泛，具有很高知名度。

L-Edit Pro是Tanner EDA软件公司所出品的一个IC设计和验证的高性能软件系统模块，具有高效率，交互式等特点，强大而且完善的功能包括从IC设计到输出，以及最后的加工服务，完全可以媲美百万美元级的IC设计软件。L-Edit Pro包含IC设计编辑器(Layout Editor)、自动布线系统(Standard Cell Place & Route)、线上设计规则检查器（DRC）、组件特性提取器（Device Extractor）、设计布局与电路netlist的比较器(LVS)、CMOS Library、Marco Library，这些模块组成了一个完整的IC设计与验证解决方案。L-Edit Pro丰富完善的功能为每个IC设计者和生产商提供了快速、易用、精确的设计系统。

Tanner Tools Pro是一套集成电路设计软件，包含以下几种工具：S-Edit (编辑电路图)

T-Spice（电路分析与模拟）

W-Edit （显示T-Spice模拟结果）

L-Edit （编辑布局图，自动布局布线，DRC，电路转化）LVS （版图和电路图对比）

1.3 软件的模块关系

Tanner数字ASIC设计流程图：

1.4各模块的的描述以及实例图

1.4.1 S-Edit以及范例

S-Edit 13.0界面

S-Edit范例

1.4.2 T-Spice

T-Spice是电路仿真与分析的工具，文件内容除了有元件与节点描述外，还必须加上其他的设定。有包含文件、端点电压源设置、分析设定、输出设置。

1.4.3 LVS

LVS是用来用来比较布局图与电路图所描述的电路是否相同的工具。也就是说比较S-Edit绘制的电路图与L-Edit绘制的布局图是否一致。需要spc文件和sp文件。

1.5 L-Edit的使用

1.5.1 L-Edit画图布局详细步骤

打开L-Edit程序，保存新文件。

取代设定（File-Rep lace Setup）。

环境设定（Setup-Design）。

选取图层。

选择绘图形状绘制布局图。

设计规则设定（MOSIS/OPBIT 2.OU）和设计规则检查（DRC）。

检查错误，修改（移动）对象。

再次进行设计规则检查。

1.5.2 使用L-Edit画PMOS布局图

1).用到和图层包括N Well,Active, N Select, P Select, Poly, Metal1,Metal2,Active Contact,Via.

2).绘制N Well图层：L-Edit编辑环境是预设在P型基板上，不需定义P 型基板范围，要制作PMOS，首先要作出N Well区域。根据设计规则Well区电最小宽度的要求（10λ），可画出N Well区。

3）.绘制Active图层：定义MOS管的范围。PMOS的Active图层要绘制在N Well图层之内。根据设计规则要求，Active的最小宽度为3λ。可在N Well中画出Active图层。

4）.绘制P Select图层：定义要布置P型杂质的范围。绘制前进行DRC可发现相应错误。绘制时注意遵守4.2b规则：Not Selected Active)。绘制时注意遵守4.2b规则：Active to P-Select Edge最小2λ。同时还要注意pdiff层与N Well层要遵守2.3a(5λ)。

5）.绘制Poly图层：定义成长多晶硅，最小宽度2λ。

6）.绘制Active Contact图层：源极、漏极接电极需要。标准宽度2λ。

7）绘制Metal1图层：最底层的金属线。

使用L-Edit画PMOS布局图

1.5.3 使用L-Edit编辑标准逻辑元件

1）.标准元件库中的标准元件的建立符合某些限制，包括高度、形状与连接端口的位置。标准元件分为逻辑元件与焊垫元件。

2）.操作流程：进入L-Edit-建立新文件-环境设定-绘制接合端口-绘制多种图层形状-设计规则检查-修改对象-设计规则检查3）.绘制接合端口：每一个标准元件一个特殊的端口叫做接合端口，它的范围定交出元件的尺寸及位置即元件的边界。

4）绘制电源与电源接口:典型标准元件的电源线分布在元件的上端和下端。注意标准单元库中的每一个标准元件其电源端口必须有相同的真对高度，且电源端口的宽度必须设定为0，位置必须贴齐Abut 范围的两边。

5）.绘制N Well 层：在P型基板上制作PMOS的第一步流程。横向24格，纵向38格。

6）.编辑N Well节点：因为PMOS基板也需要电源，故需要在N Well上建立一个欧姆节点。在Abut端口的上方，绘制出Active, N Select、 Active Contact这3种图层。

7）.编辑P型基板节点：NMOS基板也需要接地，故此需要在P base 上建立一个欧姆节点。在Abut端口的下方，绘制出Active、P Select、Active Contact这3种图层。

8）.绘制P Select图层。植入P型杂质需要。两部分：一是在N Select右边加上一块横向11格、纵向10格；一是在下方再加上横向18格，纵向22格。