石墨烯不适合当半导体硅材料接班人
未来之光硅的应用与前景展望
未来之光硅的应用与前景展望未来之光：硅的应用与前景展望在当今科技发展的浪潮下，硅作为一种重要的半导体材料，正逐渐展现出其在未来的广阔应用前景。
本文将从硅的基本性质、当前应用领域以及未来的发展趋势三个方面来探讨硅的应用与前景展望。
一、硅的基本性质硅是周期表中的一种非金属元素，拥有与钻石相似的晶体结构，可在自然界中以二氧化硅形式存在。
硅具有许多独特的物理和化学性质，使得它成为了制造半导体器件的理想材料。
硅在室温下是一种固体，具有良好的导电性并能够在高温情况下保持稳定。
此外，硅还具有较高的熔点、良好的机械强度和化学稳定性，使得其在制造电子器件时具有很高的可靠性。
二、当前应用领域1. 半导体产业：由于硅具有优良的半导体特性，它被广泛应用于半导体产业中。
目前，硅是制造集成电路的主要材料，包括微处理器、存储器、光电器件等。
硅芯片的制造技术已经十分成熟，并且在现代电子产品中发挥着至关重要的作用。
2. 光伏产业：光伏产业是利用太阳辐射能直接转化为电能的产业。
硅是制造太阳能电池的主要材料之一，其优异的光电转换效率使得光伏发电系统越来越受到重视。
随着对可再生能源需求的增加，光伏产业有望在未来得到进一步发展。
3. 人工智能：硅在人工智能领域的作用也日益凸显。
硅芯片的高速计算能力和低功耗特性，使其成为人工智能算法的重要支持。
当前，硅芯片已广泛应用于深度学习芯片、云计算和大数据存储设备等关键领域。
三、未来发展趋势1. 新型半导体材料：除了传统的硅材料，新型半导体材料的研发也备受关注。
例如，石墨烯、硼化硅等新材料具有出色的特性，有望在未来的半导体产业中取代传统硅材料。
2. 光电子技术的进步：随着光电子技术的不断进步，硅在光学传感器、光通信和光计算领域的应用将成为未来的发展重点。
硅基光子学将能够解决传统电子器件在通信速率和能效方面面临的挑战，为信息传输提供更高速、更稳定的解决方案。
3. 硅基能源技术：在能源领域，硅也将发挥重要作用。
半导体材料的发展现状及趋势
半导体材料的发展现状及趋势一、发展现状随着信息技术的飞速发展，对半导体材料的需求不断增加，并且对其性能也提出了更高的要求。
目前半导体材料的主要应用领域是集成电路和光电器件。
在集成电路方面，硅材料是目前主要的基础材料，其优点是成本低廉、生产工艺成熟。
但是随着集成度的提高，硅材料的性能已经无法满足需求，因此研究人员开始寻找更好的材料替代硅。
例如，砷化镓（GaAs）材料具有较高的电子迁移率，可以用于制造高速电子器件；碳化硅（SiC）材料则具有较高的耐高温和耐辐照性能，适用于高功率器件。
此外，研究人员还在探索新型半导体材料，如石墨烯、量子点等，以进一步拓展半导体材料的应用领域。
在光电器件方面，半导体材料在激光器、LED等领域有着广泛应用。
例如，氮化镓（GaN）材料可以制造高亮度、高效率的LED，被广泛应用于照明和显示领域；砷化镓（GaAs）材料则可制造高效率的激光器，广泛应用于通信和雷达领域。
此外，随着可再生能源的发展，太阳能电池也成为半导体材料的重要应用领域之一、砷化镓太阳能电池具有高效率、较低的制造成本等优点，被认为是未来太阳能电池的发展方向。
二、发展趋势1.多功能材料：随着电子器件的不断发展，对材料的要求越来越多样化。
未来的半导体材料将发展为多功能材料，既能满足传统的电子器件需求，又能应用于新兴领域如能源存储、量子计算等。
2.新型材料的探索：目前已经发现的半导体材料种类有限，而且大部分材料的性能有限。
因此，未来的研究重点将放在新型材料的探索上，例如石墨烯、钙钛矿等。
这些新型材料具有独特的结构和性能，可以应用于更多领域。
3.制备工艺的改进：半导体材料的制备工艺对于材料性能的影响至关重要。
未来的发展将着重改进和发展现有的制备工艺，以提高材料的质量和性能。
4.芯片尺寸的进一步缩小：随着电子器件的不断进化，芯片的尺寸也在不断缩小。
未来的趋势是进一步缩小芯片尺寸，提高器件性能和集成度。
5.环保可持续发展：随着人们对环保意识的提高，对于材料的环境友好性和可持续性也提出了更高的要求。
石墨烯专题知识
石墨烯被以为是替代硅旳理想材料，石墨 烯无禁带，不能直接用于晶体管等逻辑元 件，但能够采用石墨烯纳米带、石墨烯量 子点及双层石墨烯加偏压成为半导体，作 为晶体管源电极和漏电极之间旳通道。
IBM展示全球最快石墨烯晶体管，处理速度 可达100GHz
贝尔试验室旳Fulton等人制成旳128Mbit石墨 烯单电子存储器芯片照片
层左右旳石墨烯。
❖石墨烯旳发觉
碳是构成自然界有机生命体旳主要元素， 碳材料涉及活性碳、碳黑、碳纤维、金 刚石、石墨。伴随纳米技术旳发展， 1985年，由60个碳原子构成旳“足球” 分子C60被发觉。1991年，由具有一维管 状构造旳碳纳米管被发觉。Laudau 和 Wagner理论科学家以为二维旳晶体材料 因为其本身旳热力学不稳定性，在常温 下会迅速分解。
⑥兼容性好: 与多种金属和半导体材料 兼容,可用于制备复合材料.
………
三、石墨烯旳制备措施
目前石墨烯主要旳制造措施涉及四种，分 别是：微机械剥离法、外延生长法、氧化 石墨还原法和气相沉积法。
①微机械分离法
微机械剥离法即是用透明胶带将高定向 热解石墨片按压到其他表面上进行屡次 剥离，最终得到单层或数层旳石墨烯。
目前使用旳碳材料主要涉及活性炭、活 性碳纤维、炭气凝胶等，这些碳材料旳 基元都是石墨烯。因为超级电容器是经 过导体表白来存储电荷，所以适合电子 汇集旳有效表面积越大其容量就越大；
试验表白使用石墨烯作为电极旳超级电 容器能够产生相同体积电容器6 倍以上 旳容量。同步具有优良旳化学稳定性、 导电性、导热性和低成本等优点。
❖ 2023年，Geim，Novoselov等就是经过此 措施在世界上首次得到了单层石墨烯，证明 了二维晶体构造在常温下是能够存在旳 ，
半导体技术的关键问题与解决方案探讨
半导体技术的关键问题与解决方案探讨在当今高科技时代，半导体技术在电子设备和通信领域的应用越来越重要。
然而，随着技术的不断发展，半导体技术也面临着一系列的关键问题。
本文将探讨这些问题，并提出一些解决方案。
1. 半导体制造工艺的瓶颈半导体芯片的制造过程非常复杂，涉及到多个工艺步骤，例如光刻、薄膜沉积、离子注入等。
目前，半导体制造工艺已经接近物理极限，在微纳米尺度下的制造变得更加困难。
如何克服制造工艺的瓶颈成为了一个重要问题。
解决方案：一种可能的解决方案是发展新的制造工艺。
例如，使用替代材料来取代传统的硅材料，或者采用新的制造方法，如自组装技术。
此外，更高效的工艺控制和先进的设备也是改进半导体制造工艺的关键。
2. 功耗与热管理问题随着半导体芯片的不断发展，芯片的功耗也在不断增加。
这给电子设备的使用时间和性能带来了挑战。
而且，功耗的增加还带来了热管理问题，因为过高的温度会影响芯片的性能和寿命。
解决方案：为了减少功耗，研究人员可以探索低功耗的设计方法，如低功耗电路架构和电源管理技术。
此外，采用先进的散热技术和材料，如热管和石墨烯散热膜，也可以有效解决热管理问题。
3. 尺寸缩小对性能的影响半导体技术的发展主要以尺寸的缩小为特征。
然而，当尺寸缩小到纳米级别时，一些新的问题出现了。
例如，量子效应和电子迁移率下降会对芯片的性能产生负面影响。
解决方案：一种解决办法是寻找新的材料，如石墨烯和碳纳米管，来替代传统的硅材料。
这些材料具有更好的导电性能和机械性能，可以提高芯片的性能。
此外，也可以通过优化器件结构和布局来减小量子效应的影响。
4. 安全和隐私问题随着物联网和云计算的快速发展，对于芯片和半导体技术的安全和隐私保护需求越来越高。
例如，如何防止芯片被黑客攻击或者窃取数据，成为了一个重要问题。
解决方案：为了保证芯片和半导体技术的安全，可以采取一系列的技术手段，如物理攻击防护、加密和认证技术等。
此外，加强安全意识和制定相关政策也是解决安全问题的关键。
石墨烯半导体比硅快10倍
石墨烯半导体比硅快10倍
作者：
来源：《科学大观园》2024年第03期
科学家最新研制出全球首个以石墨烯为基础的半导体，这可能为未来开发运算速度更快的电脑和量子计算机奠定技术条件。
研究人员在日前发表于《自然》杂志上的文章中称，这种石墨烯半导体晶体管能在太赫兹频率下工作，比当前芯片中使用的硅基晶体管运算速度还要快10倍。
半导体具有导体和绝缘体的特性，在适当的温度范围内，电子可以在半导体材料中移动，但前提是施加一定的能量。
美国佐治亚理工学院首席研究员沃尔特·德·希尔表示，当前几乎所有芯片都是由硅制成的半导体，但该材料应用已达到上限。
这种新型半导体材料是由外延石墨烯制成，其迁移率是硅的10倍，意味着该半导体的电子移动阻力更小。
尽管相比硅而言，石墨烯是更優质的导体，但一直以来，由于缺乏“带隙”（当电场作用于其上时移动电子所需的最小能量），石墨烯很难在电子产品中获得应用。
“带隙”是晶体管开关的关键，要使石墨烯成为一个晶体管，必须对其进行特殊处理。
此次，研究人员通过使用特殊的熔炉和加热冷却过程将石墨烯融合在碳硅化合物中，从而制造出具有“带隙”的功能性石墨烯半导体。
希尔指出，这不仅是第一个基于石墨烯的半导体，它还可以集成到现有制造工艺中，从制造硅晶片过渡到碳硅晶片是完全可行的，同时，石墨烯半导体在量子计算领域也有潜在用途。
◎来源|北京日报。
中考物理二轮复习热点问题专题复习——半导体、超导体的特点与作用 选择题专练(38题,含答案)
中考物理二轮复习热点问题专题复习——半导体、超导体的特点与作用选择题专练（38题，含答案）1．集成电路是二十世纪最重要的发明之一，现代的收音机、电视机、手机、计算机等设备中都有集成电路，如图所示，是某数码相机的图象传感器。
关于集成电路主要是由下列哪一种材料制成（）A．超导体B．金属导体C．半导体D．绝缘体2．某些金属在温度降到一定值时，其电阻会突然消失，这种现象称为超导现象。
假设白炽灯的灯丝、电风扇的线圈、电水壶和电熨斗的电热丝都用超导材料制作，通电时能正常工作的是（）3．2019年2月，华为发布了折叠屏幕5G手机，如图折叠屏幕使用柔性OLED﹣﹣有机发光二极管LED材料，柔性OLED是（）A．导体B．绝缘体C．半导体D．超导体4．青少年科技创新材料中有一种变光二极管，电流从其P端流入时发红光，从其Q端流入时发绿光，奥秘在于其内部封装有一红一绿两个发光二极管，发光二极管具有单向导电性，其符号为，当电流从“+”极流入时二极管能通电且发光，当电流从“﹣”极流入时二极管不能发光，则该变光二极管的内部结构可能是下图中的（）5．如图所示为一款发电陀螺，抽打使其高速旋转，可以自动发电，并点亮LED装饰灯。
关于这个情景说法正确的是（）A．发电陀螺利用了磁场对电流的作用B．LED 灯由半导体材料制成C．LED 灯利用电流热效应来发光的D．抽打陀螺，其运动状态不变6．下列关于物态变化的判断，正确的是（）A．樟脑丸逐渐消失﹣﹣升华B．铁水浇铸铁铸件﹣﹣凝华C．擦酒精解暑降温﹣﹣液化D．秋末屋顶上结霜﹣﹣升华7．石墨烯又称单层墨，它仅由一层碳原子组成，具有许多奇特的属性，包括极强的拉力，优良的导电性和导热性，硬度最大，熔点超过3000℃等，这种高新材料有可能代替硅成为新的半导体材料。
根据石墨烯的特性，你认为石墨烯不能用来制成（）A．高压输电线B．坚韧的防弹衣C．发光二极管D．保温隔热材料8．“新材料”是相对于传统材料而言的，新材料的使用对推动社会进步正在发挥着越来越大的作用，下列关于“新材料”描述不正确的是（）A．“超导材料”属于新材料B．“超导材料”可以应用于电饭锅并使其效率提高C．“半导体材料”的导电性会受温度、光照、杂质等外界因素的影响D．“半导体材料”广泛应用于手机、电视机、电脑的元件及芯片9．LED灯带在装饰材料中被广泛应用。
新型半导体材料的破局与博弈——记西安电子科技大学副教授宁静
创新之路Way of Innovation新型半导体材料的破局与博弈——记西安电子科技大学副教授宁静 干思思落后就要挨打，这句话在任何年代，都是不争的事实。
2020年，除了新冠肺炎的强势入侵，华为还不得不承受美国的围追堵截。
这一年，华为的麒麟系列芯片因为无法制造，华为Mate40因此成为最后一代采用麒麟高端芯片的手机。
除了断供芯片，美国制裁的影响，还在不断地扩大。
“我们课题组打算在德国进口一台很普通的测试设备，本来是一件很普通的事，但由于我们是做集成电路相关研究的，于是德国方面负责人就很敏感，不断让我们出具各项证明，保证研究内容不会用于军方，而这么大题小做的理由，他们坦承是——怕美国打压。
”美国制裁中国的风，到底是吹遍了集成电路和半导体领域的每一个角落。
西安电子科技大学宁静副教授平静地说。
宁静主要从事新型半导体材料、器件及电路的研制工作。
2009年，她加入中国科学院院士、陕西省最高科学技术奖获得者郝跃教授课题组，在宽带隙半导体国家工程中心及陕西省石墨烯联合实验室支持下，与团队共同推动新型半导体材料在国民经济和国防建设中的应用。
虽然美国制裁阻碍了中国信息科技发展的进程，但在科学家们的努力下，即使科研过程中会遇到怪石嶙峋，但这股士气终究不可抵挡。
“战争”起，唯有杀出重围2020年，随着华为事件的不断发酵，人们通过新闻大致了解了这项“卡脖子”技术，但说起这项技术，宁静记得她高考填志愿的时候，家乡的邻居们并不知道什么是半导体研究。
相对普通人的“后知后觉”，宁静的选择显得前瞻性十足。
从进入微电子学和固体电子学专业开始，宁静就踏入了半导体材料研究领域，随着领域研究的不断发展，她的研究方向和工作重点也在不断进行着调整。
因此，从宁静的科研生涯中，可以窥得半导体材料的简略发展史。
宁静读研时期，国家已经意识到集成电路和半导体研究与国外存在一定的差距，但当时因为种种原因并没有重视。
也因此，宁静毅然投身于新型半导体材料研究领域，她认为，越是落后的领域越需要人来建设灌溉。
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本文主要介绍聚合物复合材料的界面结构，石墨烯结构和界面，石墨烯/聚合物复合材料的实现和应用以及对未来发展前景的展望。
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Present situation and prospect in Graphene/polymercomposites.Zhang ShuaiShi Han 、Lu Ruirui、Cai Hong 、Xie Pian Feng Fan Abstract:Graphene discovered in 2004 is a atomic two-dimensional(2D)nanomaterials. Due to its unusual molecular structure ,graphene shows many novels ,unique physical and chemical properties ,such as excellent electric conductivity ,thermalconductivity ,thermal stability.Graphene as nano enhanced components, a small amount of added can make polymer thermal, mechanical, electrical and other physical properties are improved significantly.So its application field widely, have drawn the attention of the many scholars scientists.This paper mainly introduces the interface structure of polymer composite materials, graphene structure and interface, implementation and application of graphene/polymer composites as well as on the outlook for the future development prospect.Key words: Graphene,Polymer composite materials Material modification、Mechanical properties、Electrical performance、Thermal properties、application.一：石墨烯/聚合物的研究现状自年石墨烯发现以来，石墨烯的研究成果层出不穷，其中包括，生活领域，医用领域，电化学领域等。
未来半导体材料的新宠石墨烯有毒？
未来半导体材料的新宠石墨烯有毒？
根据美国布朗大学（Brown University）研究人员的研究发现，石墨烯（grapheme）──这种被誉为未来半导体材料的新宠──可能会破坏活细胞
功能。
如果布朗大学的毒性研究结果进一步经过多方研究证实的话，石墨烯
最终可能会像碳纳米管一样被归类在有害物质范围。
石墨烯比碳纳米管更容易产生，而且在许多应用中都能取代碳纳米管，布朗大学病理学和实验室医学系教授Agnes Kane表示。
石墨烯具有许多独特的功能，但最重要的是它经常是由天然矿物──
石墨制造而来，其方式是经由化学或机械剥离方式分离碳薄层，形成可能产
生吸入暴露的乾燥粉末。
病理学家已经针对碳纳米管和其他有关的碳材料展
开研究了，但是这是第一次针对2D纳米材料进行毒性测试。
Agnes Kane所主导的布朗大学研究团队在展开石墨烯的毒性研究后发现，就像碳纳米管一样，石墨烯的确会破坏活性细胞功能。
为了找出其中
的原因，Kane还邀请工程系教授高华健（Huajian Gao）加入这一研究团队，以期为石墨烯材料与活性细胞的互动关系建立详细的电脑模拟图。
石墨烯的带隙
石墨烯的带隙石墨烯是一种由碳原子组成的二维晶体结构，具有许多独特的物理和化学特性。
它被广泛研究，并被认为是下一代材料科学的前沿领域之一。
然而，石墨烯中的一个重要问题是其零能隙，这在一些应用中限制了其使用。
本文将对石墨烯的带隙进行深入探讨，同时分享我对这个主题的观点和理解。
1. 什么是带隙？带隙是指固体材料中能级间的能量间隔。
在导体中，能带之间的能级是连续的，而在绝缘体和半导体中，能带之间存在一个带隙，这导致了电荷载流子的出现和禁止电荷传导。
石墨烯由单层碳原子构成，因此在理论上应该是零能隙材料。
2. 石墨烯的零能隙由于石墨烯的结构，其能带结构非常特殊。
碳原子的sp2杂化导致了π和π*能带的形成，它们相互重叠而形成了零能隙。
这意味着石墨烯在常温下不能禁止电荷传导，因此无法被用作传统的半导体材料。
这限制了石墨烯在电子学和光电子学等领域的应用。
3. 带隙调控与石墨烯应用尽管石墨烯本身具有零能隙，但科学家们已经提出了一些方法来调控其带隙，并使其在半导体设备中具有应用潜力。
这些方法包括掺杂、应变和纳米尺度的结构工程。
通过引入外部杂原子或分子，可以改变石墨烯的电子结构，从而引入带隙。
应变也被发现可以改变石墨烯的带隙，通过在表面施加机械应变或在其基底上引入应变。
通过制备石墨烯的纳米结构，也可以实现带隙的调控。
4. 石墨烯带隙的应用前景在石墨烯带隙调控的基础上，石墨烯在电子学和光电子学领域的应用前景变得更加广阔。
具有可调控带隙的石墨烯可以被用于制备高性能的半导体器件，如晶体管和光电探测器。
石墨烯光伏器件、光电转换器以及传感器等领域也可以受益于石墨烯带隙的调控。
带隙的引入使得石墨烯能够在不同能级和电子结构的材料之间实现能级匹配，从而提高了其在电子器件中的应用潜力。
总结：石墨烯作为一种具有独特物性的二维材料，具有零能隙的特点。
然而，科学家们通过掺杂、应变和结构工程等方法，成功地调控了石墨烯的带隙，使其具备了更广阔的应用前景。
集成电路摩尔定律
集成电路摩尔定律在当今科技飞速发展的时代，集成电路成为了推动信息技术进步的核心力量。
而在集成电路的发展历程中，摩尔定律无疑是一个具有标志性和深远影响的重要概念。
要理解集成电路摩尔定律，首先得知道什么是集成电路。
简单来说，集成电路就是把大量的电子元件，比如晶体管、电阻、电容等，集成在一个小小的硅片上。
这样做的好处是大大提高了电路的性能和可靠性，同时减小了体积和成本。
那么摩尔定律到底是什么呢？它是由英特尔公司的创始人之一戈登·摩尔在 1965 年提出的一个经验性的观察。
摩尔定律指出，集成电路上可容纳的晶体管数目，约每隔 18-24 个月便会增加一倍。
这意味着集成电路的性能也会相应地提升，同时成本会降低。
比如说，在早期的集成电路中，可能只有几千个晶体管。
而随着时间的推移，按照摩尔定律的发展，现在的集成电路上已经能够容纳数十亿甚至上百亿个晶体管。
这带来的直接效果就是我们的电子设备变得越来越强大，越来越小巧，价格也越来越亲民。
想想看，几十年前的电脑体积巨大，运算速度缓慢，价格昂贵。
而如今，我们手中的智能手机比那些早期的电脑强大得多，却可以轻松携带，价格也能被大多数人接受。
这背后的关键原因之一，就是集成电路遵循了摩尔定律的发展。
摩尔定律不仅仅影响了计算机领域，它的影响几乎渗透到了现代生活的方方面面。
从智能手机到智能家居，从医疗设备到交通工具，集成电路的进步都让这些领域发生了翻天覆地的变化。
在通信领域，更快、更高效的集成电路使得数据传输速度大幅提升，让我们能够实现高清视频通话、快速下载文件等。
在医疗领域，先进的集成电路帮助医生更准确地诊断疾病，研发出更智能的医疗设备。
然而，摩尔定律也并非一帆风顺，它面临着诸多挑战。
随着集成电路上晶体管的尺寸越来越小，接近物理极限，制造工艺变得越来越复杂，成本也越来越高。
例如，当晶体管的尺寸小到一定程度时，量子效应开始变得显著，这会影响晶体管的性能和稳定性。
此外，制造过程中的光刻技术也面临着精度和成本的限制。
(物理)中考物理电压 电阻解题技巧及经典题型及练习题(含答案)
（物理）中考物理电压电阻解题技巧及经典题型及练习题(含答案)一、电压电阻选择题1．在如图所示的电路中，当开关S闭合后（）A. 若a表是电压表，b是电流表，则电阻R1、R2并联B. 若a表是电压表，b是电流表，则电阻R1、R2串联C. 若a表是电流表，b是电压表，则电阻R1、R2并联D. 若a表是电流表，b是电压表，则电阻R1、R2串联【答案】C【解析】【解答】AB、若a表是电压表，乙表是电流表，此时，R1中没有电流通过，R2有电流通过，AB不符合题意；CD、若a表是电流表，b是电压表，两个电阻并联在电路中，电流表测量的是R2中的电流，则电阻R1、R2并联．C符合题意，D不符合题意．故答案为：C．【分析】电流表应串联在电路中使用，电压表应并联在电路中使用．填上电表后的电路不能发生断路或短路即可．2．如图所示是一种自动测定油箱内油面高度的装置，电阻R与金属滑片P构成一个滑动变阻器，金属滑片P是杠杆的一端．下列说法正确的是：（）A. 该电路中油量表既可以用电流表也可以用电压表改装B. 油面升高，滑动变阻器接入电路中的电阻减小C. R0和R在电路中是并联的D. 电路中的电流越小，油量表指示油面的高度值越大【答案】D【解析】【解答】A. 油量表和滑动变阻器是并联的，油量表是电压表。
A不符合题意。
B. 油面越高，浮子上升，滑片上移，滑动变阻器连入电路的电阻越大，电流越小。
B不符合题意。
C. R0和R在电路中是串联的。
C不符合题意。
D. 串联电路中电阻起分担电压的作用，电阻越大，分担的电压越大，油量表的示数越大，但是电流越小。
所以电路中的电流越小，油量表指示油面的高度值越大。
D符合题意。
故答案为：D.【分析】根据油面的升降分析滑动变阻器电阻的变化，从而推出电表的变化.3．如图所示的电路，开关S闭合，正常工作一段时间后，电流表示数突然减小但不为零。
用电压表检测，当电压表接a、b两点时，电压表有示数；接b、c两点时，电压表无示数，则故障是（）A. 开关S接触不良B. ac导线断路C. R1断路D. R2断路【答案】 B【解析】【解答】解：由电路图可知，开关S闭合，R1与R2并联，电流表测干路电流。
碳化硅上的超高迁移率半导体外延石墨烯
碳化硅上的超高迁移率半导体外延石墨烯碳化硅（SiC）是一种广泛用于半导体器件制造的材料，而外延石墨烯（epitaxial graphene）是在晶体基底上生长的石墨烯薄膜。
将石墨烯生长在碳化硅上可以产生具有超高电子迁移率的半导体材料，这对于高性能电子器件至关重要。
以下是关于碳化硅上的超高迁移率半导体外延石墨烯的一些重要点：
1. 碳化硅基底：碳化硅具有很好的热稳定性和机械性能，适合作为半导体器件的基底。
它还具有较高的热导率，有助于散热。
2. 外延生长：石墨烯的外延生长是通过在碳化硅基底上沉积碳源原料，使其在表面形成单层石墨烯薄膜。
外延生长可实现对石墨烯的控制生长，形成均匀、有序的结构。
3. 高电子迁移率：碳化硅上的外延石墨烯通常表现出非常高的电子迁移率，这意味着电子在石墨烯中的移动速度很快。
这对于高频率、高性能的半导体器件至关重要。
4. 半导体器件应用：这种具有超高电子迁移率的碳化硅上的外延石墨烯可用于制造高性能的场效应晶体管（FET）等半导体器件。
这对于高频、低功耗、高温工作等应用具有重要意义。
5. 工业制造：这种外延石墨烯的制备和应用已经引起了工业界的广泛关注，因为它提供了一种在半导体工艺中实现石墨烯功能的方法。
总体而言，碳化硅上的超高迁移率半导体外延石墨烯是在半导体领域具有潜在应用价值的新材料，可以为电子器件的性能提供重要的提升。
石墨烯简介
石墨烯的特性
石墨烯是目前已知的世界上最薄的材料,也是有史以来被证实的最结实的材料,其强度可达130 GPa，是钢的100多倍，，其断裂强度达到了惊人的42NM-1；最新的研究表明，石墨烯具有 10 倍于商用硅片的高载流子迁移率（15000 cm2V-1s-1） ，石墨烯的热导率可达5000W/ m·K， 是室温下纯金刚石的 3倍。目前试验还证实了石墨烯中的电子和空穴成对现象(ElectronHole Symmetry)，半整数量子霍尔效应(Half-integer Quantum Hall Effect)，室温量子霍尔 效应(Room-Temperature Quantum Hall Effect)等多种独特的电子结构和性质。
化学稳定性:石墨在常温下具有良好的化学稳定性，能耐酸碱、耐有机溶剂的腐蚀。
润滑性:石墨的润滑性能取决于石墨鳞片的大小，鳞片越大，摩擦系数越小，润滑性能越好。石 墨为层状耐磨矿物，其Bond粉碎功指数高达45.03kw/t，相较于粘土的7.1kw/t、黄铁矿的 8.9kw/t，以及石英的12.77kw/t高出许多.
目前有三种方法制备石墨烯,一种是SiC的高温热解外延法或过渡族金属催化外延法，另一 种是轻微摩擦法或撕胶带法.第三种是化学修饰分散/还原法.
石墨烯是之中。用来开发制造出纸片般薄的超轻型飞机材料、超坚韧的防弹衣和“太空电梯” 用的超韧缆线，研究表明石墨烯增强聚乙烯醇（PVA）复合材料，只需要添加0.7%（重量 比）的石墨烯，就可以使复合材料的拉伸强度提高76 ％，同时其杨氏模量增加62％；另 外，在功能化石墨烯增强的聚氨酯复合材料中，石墨烯含量为1％时，其复合材料的强度 提高75％，模量提高120 ％。
石墨烯材料在电子器件中的应用
石墨烯材料在电子器件中的应用石墨烯是一种由碳原子组成的二维晶格材料，具有优异的导电性、热导性和机械性能。
自2004年被发现以来，石墨烯就成为了科学界和工业界广泛关注的热点领域之一。
石墨烯材料在电子器件中的应用也备受瞩目，其独特的特性使其成为了未来电子器件发展的重要材料之一。
一、石墨烯的基本性质石墨烯是一种由单层碳原子构成的二维晶格材料，具有非常强的导电性和热导性。
石墨烯的电子在空间中的行为呈现出准粒子的运动特性，因此具有“类金属”特性，使得其成为一种非常理想的导电材料。
石墨烯还具有非常高的机械性能，相较于传统的硅材料，石墨烯更加柔韧和坚韧，因此在电子器件的制备中有着独特的优势。
二、石墨烯在传统半导体器件中的应用石墨烯材料在传统半导体器件中的应用是一种非常重要的研究方向。
对于硅基电子器件而言，石墨烯的高导电性和热导性能使得其可以用于增强传统半导体器件的性能。
石墨烯可以用作硅基MOS场效应晶体管中的载流子注入层，通过优异的导电性和机械性能来提高器件的性能和稳定性。
石墨烯还可以用作器件的隔离层或导体屏蔽层，通过其优异的导电性和机械性能提高器件的工作性能和可靠性。
随着智能手机、可穿戴设备、柔性显示屏等产品的普及，对于柔性电子器件的需求也越来越大。
由于石墨烯材料具有非常高的柔性和机械性能，因此在柔性电子器件中有着广泛的应用前景。
石墨烯可以用作柔性电子器件中的导电层、透明导电膜、薄膜电子器件等，通过其高导电性和柔性来实现对电子器件的柔性化设计和制备。
石墨烯还可以用作柔性显示屏中的导光层或透明导电层，具有很好的透明性和导电性，为柔性显示屏的制备提供了新的可能。
石墨烯材料在光电子器件中也具有广泛的应用前景。
由于石墨烯具有优异的光电性能和超快的载流子运动速度，因此可以用作光电子器件中的光电传感器、光电调制器、光电探测器等。
石墨烯可以用作光电调制器中的光调制层，通过其优异的光电响应性能和超快的载流子运动速度来实现对光信号的快速调制和控制。
新材料及其应用习题 2021-2022学年北师大版物理八年级上册
北师大版第二章四新材料及其应用习题精练一、单选题一般分子的直径约为0.4nm。
碳纳米管内部是空的，外部直径只有几纳米到几十纳米，密度远小于钢，而强度远大于钢，下列说法正确的是()A. 纳米是体积单位B. 碳纳米管是一种万能的材料C. 碳纳米管可以作为制造防弹背心的材料D. 碳纳米管可以制造尺寸小于一般分子的器件1.纳米技术是现代科学技术的前沿，下面有关其应用的说法错误的是()A. 在电子和通信方面，用纳米薄层和纳米点制造纳米电子元件B. 在医疗方面，制造纳米结构药物以及生物传感器，研究生物膜和DNA的精细结构C. 在制造业方面，可以利用纳米机械制造蜜蜂大小的直升机D. 纳米技术只能用来测量微小颗粒的直径2.如图所示是记忆合金制成的“花朵”，根据记忆合金的性质，下列选项中说法正确的是()A. 甲图是灯照射时的情况，乙图是灯不照射时的情况B. 甲图是灯不照射时的情况，乙图是灯照射时的情况C. 甲、乙两图都是灯照射时的情况D. 甲、乙两图都是灯不照射时的情况3.如图是一颗铆钉自动铆接的过程。
在常温下把铆钉做成铆接后的形状[如图(a)]；然后降温并将其两脚拉直，使之能顺利插入铆钉孔[如图(b)、(c)]；插入后让温度回升，铆钉恢复原状，自动完成铆接[如图(d)]。
则制成这种铆钉的主要成分是()A. 多晶硅和单晶硅B. 纳米材料C. “绿色”能源D. 镍和钛4.关于新材料及其应用，下列说法不正确的是()A. 某些物质的尺度加工到1～100nm时，其物理或化学性质与较大尺度时相比，发生异常的变化，这就称为纳米材料B. 锂离子电池具有体积小、重量轻、能多次充电、对环境污染小的特点C. 记忆合金的主要成分是镍和钛，当温度达到某一数值时，材料的内部的非晶体结构发生变化D. 与医用不锈钢、普通合金相比，形状记忆合金具有稳定性高、可实现智能安装等特点5.中国科学技术大学俞书宏教授团队开发了一系列仿生人工木材，该木材具有轻质、高强、耐腐蚀和隔热防火等优点.关于该木材的属性，下列说法错误的是()A. 导热性差B. 硬度大C. 耐腐蚀性好D. 密度大6.如图所示是2022年北京冬奥会火炬—“飞扬”，它的外壳由碳纤维复合材料制造而成，不仅具有“轻、固、美”的特点，而且在1000℃的温度不会起泡、开裂．火炬使用碳纤维复合材料制造与该材料以下特性无关的是()A. 密度小B. 硬度大C. 耐高温D. 导电性好7.石墨烯又称单层墨，它仅由一层碳原子组成，具有许多奇特的属性，包括极强的拉力，优良的导电性和导热性，硬度很大，熔点超过3000℃等，这种高新材料有可能代替硅成为新的半导体材料。
16-3 电阻 尖子生同步培优小练 2021-2022学年人教版物理九年级全一册【含答案】
2021-2022年九年级（上）物理尖子生同步培优小练（人教版）15.5 串、并联电路中电流的规律一、单选题（本大题共14小题，每小题只有一个选项符合题意）1．关于电流、电压、电阻，下列说法中不正确的是（ ）A．电源是提供电压的装置B．导体对电流的阻碍作用越大，电阻就越小C．电压的作用是使自由电荷定向移动形成电流D．导体的电阻大小与电流、电压无关2．在“探究影响导体电阻大小的因素”实验中，要研究导体电阻大小与其长度的关系，可以选用表格中的导体代号是（ ）导体代号长度/m横截面积/mm2材料a 1.00.3锰铜b 1.00.6锰铜c0.50.6锰铜d 1.00.6镍铬合金A．a、b B．b、c C．b、d D．a、d3．关于导体和绝缘体，下列说法正确的是（ ）A．绝缘体对电流的阻碍作用大，但能够带电B．导体能够导电是因为内部有正电荷能够自由移动C．能够导电的物体叫导体，不能导电的物体叫绝缘体D．绝缘体不能导电的原因是因为绝缘体内没有电子4．用一个导体制成长度相等但横截面积不同的两个圆柱体A和B，A比B的横截面积大，如图所示连接，将它们接入某电路中，通过A、B导体的电流分别为I A、I B，AB导体两端的电压分别为U A、U B，则下列说法正确的是A．I A＞I B U A＞U B B．I A=I B U A=U BC．I A=I B U A＜U B D．I A=I B U A＞U B5．决定导体电阻大小的因素是（ ）A．加在导体两端的电压B．通过导体的电流强度C．电流大小D．导体的材料、长度、横截面积6．小明测量不同型号铅笔在纸上涂划所得线条的电阻，实验步骤如下：(1)用铅笔在纸上画出两段长为15cm的线条，在其中一段线条上重复涂划3次，另一段6次；(2)换用不同型号铅笔重复(1)的操作，得到多组等长等宽的线条如图；(3)测出每段线条两端的电阻记录在表中。
2B4B6B8B9B 铅笔型号线条两端电阻（MΩ）碳含量%由低到高重复涂划次数（次）3①0.790.670.49③6②0.650.430.28④根据实验数据，可推测电阻最小的是（ ）A．①B．②C．③D．④7．石墨烯又称单层墨，仅由一层碳原子组成，石墨烯是目前世界上最薄、最坚硬的纳米材料，它的熔点超过3000℃，它具有优良的导热性，而且由于它特殊的电子结构，电阻会随着光照程度改变，在功能上比硅覆盖面更广、更优秀，有可能代替硅成为新的半导体材料。
纳米材料论文—石墨烯
纳米科技前沿Page1of 18题目：纳米材料——石墨烯摘要随着纳米材料的快速发展，纳米材料有着众多优秀的理化性质，同时，还包括在应用领域优秀的应用性能，本文从纳米材料的基本性质出发，叙述纳米材料的特有性质，继而本文叙述了对于标志这纳米材料发展的有着重要意义的三种材料——富勒烯，碳纳米管，石墨烯。
而本文的核心是关于目前最具前景的纳米材料——石墨烯。
石墨烯是一种碳纳米二维材料，原子以sp2杂化轨道方式构成，平面像六角的蜂巢结构，质料非常牢固坚硬，在室温状况，传递电子的速度比已知导体都快，而全材料仅一个碳原子厚度，是全世界已知材料最薄的材料。
本文从石墨烯的发展历史出发，叙述石墨烯的优异理化性质，最后叙述石墨烯的不同制备方法以及该方法的优劣之处。
关键词：石墨烯理化性质制备方法AbstractWith the rapid development of nanomaterials, nanomaterials have many excellent physical and chemical properties, as well as excellent application properties in the field of application. Starting from the basic properties of nanomaterials, this paper describes the unique properties of nanomaterials, and then describes three kinds of materials which are of great significance to mark the development of nanomaterials: fullerenes, carbon nanotubes, carbon nanotubes, Graphene. The core of this paper is about the most promising nano material graphene.Graphene is a kind of carbon nano two-dimensional material. The atoms are composed of SP2 hybrid orbitals. The plane is like a hexagonal honeycomb structure. The material is very firm and hard. At room temperature, the speed of electron transfer is faster than that of known conductors. The whole material is only one carbon atom thick, which is the thinnest known material in the world. Starting from the development history of graphene, this paper describes the excellent physical and chemical properties of graphene, and finally describes the different preparation methods of graphene and the advantages and disadvantages of this method.Key words: physical and chemical properties of graphene, preparation methods.目录1纳米材料概述 (4)1.1纳米材料 (4)1.2纳米材料的基本特性 (4)1.2.1 表面效应 (4)1.2.2 小尺寸效应 (4)1.2.3 磁学性质 (6)1.2.4 量子尺寸效应 (6)1.2.5 宏观量子隧道效应 (6)1.2.6 纳米材料奇特的物理性能 (7)1.3纳米材料的发展 (7)1.3.1 富勒烯 (7)1.3.2 碳纳米管 (9)1.3.3 石墨烯 (10)2石墨烯 (13)2.1石墨烯概述 (13)2.2石墨烯的性质 (13)2.2.1 结构性质 (13)2.2.2 电子性质 (14)2.2.3 其他性值 (16)2.3石墨烯的制备 (16)2.3.1 机械剥离法 (17)2.3.2 碳化硅表面外延生长法 (17)2.3.3 化学气相沉积法 (18)2.3.4 氧化石墨还原法 (18)3参考论文............................................................................................ 错误!未定义书签。
石墨烯和硅的势垒
石墨烯和硅的势垒
石墨烯与硅之间的势垒主要指的是在石墨烯-硅异质结中形成的能带结构差异所导致的电子传输障碍。
当石墨烯这种单层碳原子二维材料与硅基半导体结合时，由于两者电子亲和力、能带结构及晶格常数等物理性质的不同，会在接触界面形成肖特基势垒或欧姆接触。
这个势垒影响着电子在石墨烯和硅之间转移的难易程度，对器件性能如开关速度、导电性等具有重要影响。
科研人员通过调控界面工程以及掺杂等方式来降低或优化这一势垒，以实现高性能的石墨烯-硅基电子器件。
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石墨烯不适合当半导体硅材料接班人？
2014-05-09 11:04:10 OFweek电子工程网（作者：R.Colin Johnson）
让石墨烯（graphene）成为半导体硅材料的接班人，已经成为美国、日本、欧洲甚至是中国等地政府大力支持的优先研究项目；但因为石墨烯缺乏能隙（bandgap）的自然特性，美国麻省理工学院（MIT）与哈佛大学（Harvard University）的研究人员认为大家可能都搞错了方向，应该是找寻性能媲美石墨烯、但具备能隙的化合物材料。
研究人员指出，有一类以NiHITP （nickel hexa-imino-triphenylene）为代表的材料，就拥有上述特性。
MIT 化学教授Mircea Dinca表示：“就像石墨可剥离为石墨烯（也不过就是片状的石墨），我们所开发的材料也能剥离成片状；相较于石墨烯层，我们的材料层是能透过受控制的化学改质（chemical modification）来调节，因此能有系统地改变其电子特性。
”
该种新开发材料的正式名称是“Ni3（HITP）2”，因为它键合了镍（Ni）的3个原子以及2个HITP有机分子；不过NiHITP只是一个具备天然能隙之材料类别中的第一种，能针对特定应用在原子等级调节其电子功能。
类石墨烯材料的分子架构会自然形成六角形晶格，而每个六角形的开口都能完全对齐
Dinca指出：“我们还没量测出这种材料的能隙，但确定它大于0；石墨烯的能隙是0，并不适合做为半导体。
我们现在正试图将该种材料制作成大尺寸的片状，首先要量测它的能隙并能更清楚描述其电子特性，其次则是用该种材料来制作组件；而这也是我们所面临的挑战。
”
此外Dinca也表示，由于还有许多可调节的空间，真的看不到在生产更多材料方面的限制；而他们已经有数种其他相关的二维材料，应该都拥有些微不同的电子特性，这也正是他们正在寻找的，可调节的金属-有机类石墨烯。
Dinca的研究团队并非以传统方式透过掺杂（doping）将杂质或缺陷导入NiHITP这种新材料，其方法是谨慎在原子层级打造该类材料──也就是在制程中由下至上（bottom-up）调谐其功能，以支持特定的电子、甚至可能是光学特性。
根据Dinca的说法：“我们的材料是从原子层级就被明确定义；这就是关键所在，我们不是依靠缺陷，那无法被妥善理解而且无法良好控制；我们所创造的材料特性，能透过分子结构从本质上进行修改。
我们能用由下至上、一个分子一个分子的方式来进行。
”
NIHITP就像石墨烯一样，会自组装成完美的六角形蜂窝状晶格，并堆栈成多层、每一层的六角形开口都能完全对齐，孔洞的厚度仅有2奈米。
扫描式电子显微镜下显示二维架构集合所形成的纳米粒子（来源：MIT）
接下来研究人员打算制作单层状（monolayer）新材料，以精确量测其能隙，并用以生产电子组件；研究小组也将利用不同化学配方打造出一系列相关材料，针对不同应用从基础元素调节其特性。
例如能撷取不同波长光线的太阳能电池、或是具备超高储存密度的超级电容，甚至是拓朴绝缘体（topological insulator）、量子霍尔效应组件（quantum Hall Effect device）。