介质滤波器之一

取代基站系统中使用的空气填充的谐振器和滤波器。 在上世纪90年代初期，用于基站和手机的介质材料开始发生分裂。 基站需要的是高Q 值的介质材料。通常，Q值在40 000<Q×f0<250 000, 材料的相对介电常数50<εr<25。 与基站用介质材料不同的是手机用介质材料被小型化主导。材料 的介电常数达到 70<εr<120。这时，决定谐振器Q值的主要因素 不是介质材料而是金属化。现在，在手机领域射频滤波器主要使 用的是声表面波 (SAW)和体声波 (BAW) 器件。它的体积更小。
通讯领域微波高介电常数介质材料的发展史
表一，列出了几 种基站滤波器使 用的高介电常数 材料。仅有的例 外是 Ba4Nd9.33Ti18O54 (BNT)-基系列材 料早期被用于数字电视接收系统。目前在基站谐振器市场占主导的 是 CaTiO3–NdAlO3 (CTNA)和 ZrTiO4–ZnNb2O6 (ZTZN)-基系列材 料。近年来发展起来的Ba(Co,Zn)1/3Nb2/3O3 (BCZN)-基系列材料以 其低廉的价格正在逐步取代价格昂贵的BaZn1/3Ta2/3O3 (BZT)-基系 列材料。
电子科技大学
εr=24 (BaMg1/3Ta2/303系统）， Qf>120 000 GHz εr=30 (Ba Zn Ta 系统 ) ， εr=80 (Ba Nd Ti 系统)。
德国 EPCOS(S+M) 公司部分产品性能
εr = 21@7 GHz Q>7 200 ， 镁-钙系列陶瓷（MgTiO3 -CaTiO3）， εr =38@7 GHz Q>6 300 ， 锆-锡系列陶瓷（(Zr, Sn)TiO Zr ）， εr =29@10 GHz Q>9 500 ， 钡系陶瓷（Ba (Zr, Zn, Za)O3 ）， εr = 88@2.3 GHz Q>2 300 ， BaO-PbO-Nd2O3-TiO2.
英国 Morgan Electro CerΒιβλιοθήκη Baidumics 公司
覆盖 600 MHz~25GHz εr =20, 12 GHz, Q=6,000， (Mg Ca Ti系列)： εr =30，10GHz，Q=12,600， (Ba Zn Ti 系列)： εr =37，9 GHz，Q=5,800, (Zr Sn Ti 系列)： εr =43，2 GHz，Q=20,000， εr =77，5GHz， Q=10,000， εr =88 5GHz Q=1,100, (Ba Nd Ti 系列)：
国内微波陶瓷材料的主要生产厂商
浙江正原电气股份有限公司、฀ 潮州三环(集团)股份有限公司、฀ 景华电子有限责任公司(999厂)、฀ (999 ) 苏州捷嘉电子有限公司、฀ 浙江嘉康电子有限公司、฀ 福建南安讯通电子公司等， 在技术水平、产品品种和生产规模上与国外相比有较 大差距。
国内微波陶瓷的主要研究单位
微波介质材料最近十多年发展的路标
国外微波陶瓷材料的主要生产厂商
目前，微波陶瓷材料和器件生产水平比较高 的公司有：
日本 Murata 公司 德国 EPCOS(S+M) 公司 美国 Trans Tech 公司 英国 Morgan Electro Ceramics 公司 等。
日本 Murata 公司部分产品性能
基站用介质滤波器系列讲座之一
微波陶瓷材料
电子科技大学 贾宝富 博士
序言
在过去的10多年里用于制作介质谐振器和介质滤波器的高 在过去的10多年里用于制作介质谐振器和介质滤波器的高 10多年里用于制作 介电常数介质材料有了令人瞩目进展。在材料的介电常数、 介电常数介质材料有了令人瞩目进展。在材料的介电常数、损 耗和温度稳定性等方面都有了很大提高。同时， 耗和温度稳定性等方面都有了很大提高。同时，价格也不断降 低。所以，介质谐振器、介质滤波器和介质天线被广泛应用于 所以，介质谐振器、 通讯、雷达和导航等领域。在基站用滤波器领域， 通讯、雷达和导航等领域。在基站用滤波器领域，同轴谐振腔 滤波器的统治地位正受到来于自介质滤波器的挑战。 滤波器的统治地位正受到来于自介质滤波器的挑战。2004年， 年 Raafat R. Mansour在IEEE Microwave Magazine上撰文预测， 上撰文预测， 在 上撰文预测 在未来5年之内， 在未来 年之内，介质滤波器将会占有基站滤波器市场很大的 年之内 份额。因此，重视基站用介质滤波器技术的发展， 份额。因此，重视基站用介质滤波器技术的发展，掌握基站用 滤波器设计与制作技术是非常重要的。 滤波器设计与制作技术是非常重要的。
上海大学
εr =30，10 GHz， Qf >100,000 GHz ； εr =38，10 GHz， Qf >60,000GHz ； εr =80，3GHz， Qf >8,000 GHz； εr =90，1 GHz， Qf >5 000 GHz ； 新开发 εr =25，33和40 等三种微波介质陶 瓷。
什么是高介电常数微波介质材料？
高介电常数微波介质材料实质上是一种陶瓷材料。在国外， 七十年代以前被称为特种陶瓷。早在1939年 R.D.Rechtmeyer就做出了介质谐振器。开始，主要使用金 红石（TiO2）陶瓷制作介质滤波器。但是， TiO2的温漂很大 达到500PPm/Co。用这种材料制作的滤波器在X波段温漂可 达到4MHz/Co。这对微波介质材料的使用有很大的限制。在 80年代，微波介质材料的生产技术有了很大的发展。出现了 多种新型微波陶瓷材料，特别是钡-钽系陶瓷材料的出现， 使微波介质陶瓷进入了实用阶段。这种陶瓷材料的介电常数 可以达到35，温漂小于2PPm/Co。Q值达到15000。用这种 陶瓷材料制成的介质谐振器温度稳定性可以达到殷钢腔体的 水平。此后，微波陶瓷材料才进入实际使用阶段。在卫星通 讯、雷达和蜂窝电话系统中得到广泛使用。
美国 Trans Tech 公司部分产品性能
εr = 29.0～30.7 @ 2 GHz Q>50 000， εr = 34.6～36.7 @ 2 GHz Q>35 000， εr = 44.7～46.2 @ 4.36 GHz Q>9 500 ， εr = 35.0～36.5 @ 4.5 GHz Q>9 500， εr=27.6～30.6 @ 10 GHz a>10 000 . 介质谐振器频率覆盖 800 MHz~40 GHz 系列 o 化，τf=(±1或± 2)PPm/C 。
Q > 30, 000@1GHz 40, 000GHz < Q × f 0 > 250, 000GHz
1 tan δ ≈ Q
基站用介质滤波器对介质材料的要求
高介电常数，介电常数越大，谐振器的体积就可以做 小。通常要求介电常数大于30为佳。 高Q值，一般Q值大于3000以上。 低温漂，温度系数小振荡频率比较稳定。一般要求 ±20 ppm / C o 为宜。
目前一些常用高介电常数微波介质材料的特性
通讯领域微波高介电常数介质材料的发展史
在手机技术发展的初期，殷钢空气填充谐振腔被用于基站和手持系统
的谐振器和滤波器。这些谐振器和滤波器体积大又笨重。在1980前后， 用(Mg,Ca)TiO3, ZrTiO4, 和 BaTi4O9 制作的第一代介质谐振器开始
εr=36~40 =40，7GHz 7GHz，Q>6 000 000； εr =37~40 40，7 GHz 7 GHz，Q>7 000 000； εr =33 33～36 36，10 GHz 10 GHz，Q>10 000 000； εr =29~31 31，l0 GHz GHz，Q>12000 12000； εr =27~29 29，10 GHz 10 GHz，Q>15000 15000； εr =24~25 25，10 GHz 10 GHz，Q>20 000 000； εr =23~24 24，10 GHz 10 GHz，Q>35 000 000； εr =6 6．4±0．6，7 GHz 7 GHz，Q>2 000 000： εr =21.4 21.4±1，7 GHz 7 GHz，Q>2 000 000； εr =92 92±1，1 GHz 1 GHz，Q>550 。
上海大学 天津大学 、上海同济大学、华 中科技大 学、 浙江大学 、厦门大学承担了 国家 863 计划中 相应课题，并取得了一定 成果。 电子科技大学 、清华大学、华南工学院、 哈尔滨 工业大学、兰州大学、西安交通大 学、北京科技大 学、电子 13 所、电子9所和 中科院上海硅酸盐研究 所等也对微波介质 陶瓷材料及元器件进行了研究。
微波介质材料的主要特性
介质材料的三要素： 介质材料的三要素： 1、介电常数 、 2、温度系数 τ f 、
εr
手机用： 手机用：
基站用： 基站用： 20 < ε r < 50
75 < ε r < 90
τ f = −(
τε
2
+ αL )
τε αL
介电常数的温度系数 介质材料的线膨胀系数
3、损耗或品质因数Q 、损耗或品质因数
国产微波陶瓷材料的技术参数
ε=82 =82±1，QF>8000GH Z ，τf=0±5ppm/℃， (用于移 动电话 GPS)； ε=91 =±1，QF>5000GHZ，τf <15ppm/ ℃ ， (用于移动电 话 )； ε=94 =±1， QF>5000GHZ，τf<15ppm/ ℃， （用于移动电 = 1 QF>5000GHZ τf<15ppm/ 话）； ε>100， QF>3600GHZ，τf <15ppm/ ℃， （用于移动电 话）； ε> 35± 1， QF>80000GHZ,τf =0 ± 5ppm/ ℃， （用于卫 星通讯和移动电话基站）； ε=25±1， QF>150000GHZ，τf =0 ± 5ppm/ ℃， （用于 卫星通讯）。
天津大学
εr =24，(BaMg 1/3 Ta 2/3 O3系统 ） Ø12.44mmx5.39mm 7.4652 GHz，Qf =172,000 频率温度系数 τf =+4.80PPm/ ℃ εr = 23，(Mg2TiO4 系统 ) Ø12.74 mmx5.88 mm 7.2297 GHz，Qf =69,000 GHz 频率温度系数 τf=+13,6 PPm/6℃。