多晶硅块检验标准

多晶硅锭/块

质量检验规范

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年月日发布年月日正式实施

目录

一. 适用范围

二. 引用标准

三. 检验项目

四. 检验工具

五. 实施细则

1. 硅锭/块电性能检测

2. 多晶硅块阴影检验

3. 硅块电性能阴影判定

4. 多晶硅块外观尺寸检验

附表1：硅锭/块性能检验标准

附表2：硅块外观尺寸检验标准

一.适用范围

本细则规定了多晶硅锭/块的电性能/阴影杂质/外观尺寸的检验项目、测量器具、检测方法、操作步骤、判定依据，适用于正常生产的多晶硅锭/硅块的质量检验。 二. 引用标准 《硅锭内控标准》

《Q/BYL02太阳能级多晶硅片》 《硅片切割工艺文件》

三.检验项目

电阻率、少子寿命、导电类型、氧/碳含量、外观、几何尺寸、硅块杂质/隐形裂纹

四.检验工具

四探针电阻率测试仪、导电类型测试仪、少子寿命测试仪、红外阴影扫描测试仪、

游标卡尺（0.02mm 精度）、万能角度尺、钢板尺

五.实施细则

1. 硅锭/块电性能检测

1.1 硅块测试取样及测试面的选取

16块规格的硅块每锭抽测A 块、B 块和F 块三块，25块规格的硅锭每锭抽测A 块、B 块、G 块、M 块四块，若“测量样块”表面无法测试时可选用对称位置的其他硅块代替。（测量样块表面手感平整无明显“锯痕”、“台阶”等现象，测试时保证测试平面与少子寿命测试仪测试头无摩擦，防止损伤“测试头”，测试过程中“测试头”与测试平面距离(2±1mm)基本保持一致）。

通常选择“测量样块”的第2或3面（硅块上箭头所指方向为第1面，顺时针依次为2、3、4面）。若A 块第2或3面质量不符合测试要求，则选取D 块第3、4面或M 块第1、2面或P 块第1、4面其中一面进行测试；B 、G 、F 、M 样块的测量出现质量不符合测试要求的情况可按以上A 块测量方式测量；并在记录中注明。

16块规格 25块规格

注：

电性能参数不影响209mm 切割高度的生产锭：

16块规格:A 块代表该硅锭四角的硅块（硅块A 、D 、M 、P 块，共4块）；B 块代表四周的硅块（B 、C 、E 、H 、I 、L 、N 、O 块，共8块）F 块代表该硅锭中间的硅块（硅块F 、G 、J 、K 块，共4块)；

25块规格：A 块代表该硅锭四周的硅块（硅块A 、D 、M 、P 块，共4块）；B 块代表四周的硅块（B 、C 、D 、F 、J 、K 、O 、P 、T 、V 、W 、X 块，共12块）；G 、M 块代表中间的硅块（G 、H 、I 、L 、M 、N 、Q 、R 、S 块，共9块）。 电性能参数影响209mm 切割高度的生产锭：

根据实际情况进行测试，保证数据准确，并具有代表性，并在记录中注明。 1.2 电阻率测试

用四探针电阻率测试仪对报检硅块首、中、尾三个部位进行电阻率测试，（测试点要求距底10＋5

0mm 左右、距顶25＋5

0mm 左右、距侧棱大于7mm ，电阻率测试采取5点取平均值法测试并符合附表1要求。（测试时，四个探针所在的平面平行于硅块底面，尽可能在同一晶界内。）

对于表面电阻率分布有一级、二级、不合格区域之分的“测量样块”，要将一级、二级、不合格区域划出分界线（此时样块不具备代表性，应逐块测量），并测量记录各高度。

1.3 导电类型测试

用导电类型测试仪测试样块各表面导电类型为p 型，以样块导电类型判定其硅锭导电类型；如有“反型现象”，在4个面反型最低点作出标记线（如样块反型高度影响有效切割高度时，样块不具备代表性，应逐块测量），并测量记录反型高度。 1.4 少子寿命测试

1.4.1仪器的选定及校对

a.正常生产中的工序少子寿命检验，可使用Semilab 公司生产的“WT-2000”和GT

公司生产的“GT －LSS-100”。

b.设备使用前需进行标准校对，通过标准块少子寿命曲线比对来确定仪器的准确性。

c.当对测试仪测试的结果产生疑问时，应进行复测比对。 1.4.2测量前的准备

使用测试仪时，检验员先测试、查看存放的标准硅块的少子寿命，比较少子寿命图

的一致性，以确定测量仪器的准确性；每班至少一次。 1.4.3具体测试

用少子寿命测试仪测试“样块”少子寿命，将少子寿命曲线存入计算机。使用Semilab “WT-2000”设备时，记录少子寿命的平均值（指去除底部14mm 以上剩余的209mm 高度内硅块少子寿命的平均值）。 1.5 合格判定

根据《硅锭的内控标准》，电阻率、平均少子寿命有一项以上符合二级品等级的硅块或硅块相应区域，判定为二级品或二级区域；有一项以上存在不合格等级的硅块或硅块相应区域，判定为不合格品或不合格区域。 1.6 记录

a.根据硅块的一级品高度、二级品高度、不合格高度，填写《硅锭质量检验记录表》，

计算该锭一、二等级高度、不合格高度及最终结果。

b.对于少子寿命的测量，在指定文件夹内保存测试结果图（文件名命名规则：“锭号

-硅块规格-电阻率值-面号”）。

2. 多晶硅块阴影检验

2.1 阴影的分类

2.1.1形状

①水平带状②珊瑚状③圆斑状

④分散点状⑤单独点状⑥竖直条状

2.1.2位置

①顶部②中部③底部

2.1.3颜色

①深黑②浅黑

2.2 判定方法

2.2.1杂质一般存在顶部、底部、局部团聚（较硬）、分散细点状（较软），中部圆形、

顶底花形、颜色较黑。

（1）硅块杂质的判定

a.自顶部开始向下连续延伸的直接沿下边缘去除，并查看切割断面是否有杂质

未去除完全。