红光OLED空穴注入层2-TNATA工艺及其性能研究
F离子掺杂TiO_2的性能研究

F离子掺杂TiO_2的性能研究
江宏富;周作兴;刘杏芹;孟广耀
【期刊名称】《感光科学与光化学》
【年(卷),期】2007(25)3
【摘要】以NH4F为掺杂剂,采用溶胶-凝胶法制备F离子掺杂型TiO2光催化剂,对其进行XRD、XPS和PL表征,结果表明,F离子掺杂TiO2由于Ti-F配位体的形成而能抑制金红石相的生成,同时F离子掺杂能增加TiO2表面缺陷浓度并降低
Ti2P键的结合能,另外,由于F离子能取代Ti-OH配位体而降低了表面羟基氧浓度.光催化研究结果表明,F离子掺杂提高了TiO2光催化活性近1.5倍.
【总页数】7页(P223-229)
【关键词】TiO2;光催化;F离子掺杂;NH4F
【作者】江宏富;周作兴;刘杏芹;孟广耀
【作者单位】中国科学技术大学材料科学与工程系
【正文语种】中文
【中图分类】O64
【相关文献】
1.稀土离子(Sm^(3+),La^(3+))掺杂纳米TiO_2光催化性能研究 [J], 王崇侠;宋庆平;张会;王海浪
2.氮离子和稀土离子共掺杂纳米TiO_2光催化性能的研究 [J], 冯光建;刘素文;修志亮;俞娇仙;罗杰
3.金属离子掺杂对TiO_2光催化性能的影响研究 [J], 赵伟;陈美;沈毅
4.非金属离子掺杂TiO_2的可见光光催化性能研究 [J], 俞娇仙;刘素文;修志亮;于伟娜;冯光健
5.氧空位和B离子共掺杂TiO_2催化性能的研究 [J], 于智清;王逊;杨合;薛向欣因版权原因,仅展示原文概要,查看原文内容请购买。
调整空穴注入层MeO-TAD厚度改善蓝色OLED的性能

4 ・ 6
高, 这是 由于在 电压 较 高时 Me .A OT D降低 了发 光层 内的 电场强度 , 减少 了激 子 的解离 所造成 的 .
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图 2 器 件 结 构 示 意 图
关键 词 : 蓝色有机 电致发光器件 ; e-A ; M OT D 空穴注入层
中图分 类号 :N8 文献标 识码 : 文章编 号 :64 83(000— 4. T 33 A 17. 7.21) 0 6 3 3 20 0
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层 的器件 , 亮度 和 效 率 都不 是 很好 l .0 4年 , i 所 用有机 材料均 从北 京意 莱特光 电材料 技术 有 限公 _ 20 4 Lu
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空穴 注入层 并优 化 其 膜厚 的方 法 , 备 出性 能 较 好 制
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利用MeO—TAD空穴注入特性提高有机白光器件的性能

极 具前 景的平 板显 示 器 件 , 到 广 大研 究 者 的 广 泛 受 关 注 . 高效 的染料 掺 杂 到 其 它有 机 电致 发光 材 料 将
均从 北京 意莱 特光 电材 料 技 术有 限公 司购 买 . 验 实 中的器件 结 构 和 有 机 材 料 的化 学 结 构 式 如 图 1 所
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图1 器件结构和有机材料的化学结构示意圈
加 入空穴 注人层 M OT D, e —A 使其 起 到 空 穴 注入 的作
收稿 日期 :000-5 2 1-70 基金项 目: 国家 自然科学基金项 目(0 006 , 1843 ) 吉林省科技发展计划项 目(08 8 2 0晒2 ) 第一作者简 介: 韩 强 (99) 男 , 17. , 吉林省 四平市人 , 现为吉林 师范大学讲师 , 江苏大学在读博士 . 究方 向 : 研 有机 电致发光器件
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2实 结 与 论 验 果 讨
图 2为 Me .A o T D不 同厚 度器件 在 V=1 时 的 0v
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电致发 光 光 谱 , 光 谱 覆 盖 了从 30n 此 8 m到 70砌 8
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引入 同时导致 了器件色度 的略微变差 , 主要是 由于器件 中空穴 的数量增多所引起 的 . 这
n型topcon晶硅太阳能电池光注入退火增效的研究

n型topcon晶硅太阳能电池光注入退火增效的研究标题:N型Topcon晶硅太阳能电池光注入退火增效的研究介绍:在目前迅速发展的太阳能行业中,N型Topcon晶硅太阳能电池因其较高的转换效率和较低的严重退火特性而备受关注。
光注入退火是一种有效的技术,可以通过在退火过程中注入光能量来增强电池性能。
本文将深入探讨N型Topcon晶硅太阳能电池光注入退火增效的研究,并提供对此关键技术的观点和理解。
正文:一、N型Topcon晶硅太阳能电池的基本原理N型Topcon晶硅太阳能电池是一种结合了N型衬底特性和Topcon结构特点的高效太阳能电池。
其主要优势包括较低的表面寿命损失、较小的退火效应以及较低的电池温度系数。
这些优势使得N型Topcon晶硅太阳能电池在环境和温度变化条件下依然能够保持较高的转换效率。
二、光注入退火技术的原理光注入退火是一种通过注入光能量来修复或减少退火引起的电池表面缺陷的技术。
在光注入退火过程中,光能量被注入电池,激发局部电荷,从而产生额外的光生载流子。
这些光生载流子能够填充原本由于退火而形成的表面力场,并减少或接触电荷缺陷。
通过这种方式,光注入退火可以显著提高N型Topcon晶硅太阳能电池的转换效率和性能。
三、光注入退火对N型Topcon晶硅太阳能电池性能的影响光注入退火对N型Topcon晶硅太阳能电池的性能产生多重影响。
首先,光注入退火可以填充表面力场,从而减少电池缺陷并提高载流子的有效寿命。
其次,光注入退火可以修复电池表面的缺陷,提高电池的开路电压和短路电流。
此外,光注入退火还可以改善电池的反射特性,增加光的吸收和利用率。
综合来看,光注入退火技术可以显著提高N型Topcon晶硅太阳能电池的转换效率和稳定性。
四、研究进展与优化策略目前,光注入退火技术在N型Topcon晶硅太阳能电池领域已取得了一定的研究进展。
不同的退火条件、光参数和材料特性均对光注入退火效果产生影响。
一些优化策略包括选择合适的光源、调节退火温度和退火时间等。
金、银混合纳米颗粒的LSPR效应对白光OLED电致发光性能的影响

金、银混合纳米颗粒的LSPR效应对白光OLED电致发光性能的影响王沪生;谢海芬;牟海川;王瑞斌;盛明远【期刊名称】《华东理工大学学报:自然科学版》【年(卷),期】2022(48)2【摘要】研究了金、银纳米颗粒(Au NPs和Ag NPs)及其混合颗粒位于空穴注入层3,4-乙烯二氧噻吩聚合物聚苯乙烯磺酸盐(PEDOT:PSS)之下时,其产生的局域表面等离子体共振效应(LSPR)对白光有机电致发光器件(WOLED)的电致发光(EL)性能的影响。
WOLED器件的结构是氧化铟锡(ITO)/Ag NPs(AuNPs)/PEDOT:PSS/4,4′-环己基二[N,N-二(4-甲基苯基)苯胺](TAPC)/4,4',4''-三(咔唑-9-基)三苯胺(TCTA)/1,3-二-9-咔唑基苯(mCP):FIrpic(质量分数8%)/Ir(piq)2acac/TPBi/LiF/Al。
结果表明:Au NPs和Ag NPs都能提高WOLED器件的外部量子效率(EQE)和功率效率(PE),引入两者的混合颗粒后,器件的EQE和PE会得到进一步的提高。
在Au NPs与Ag NPs溶液的最优体积比3∶1条件下,WOLED器件的EQE和PE分别为15.19%和15.03 lm/W,相比于原器件,WOLED器件的EQE和PE分别提高了29.06%和23.00%。
通过激子动力学研究,揭示了LSPR效应及Au NPs和Ag NPs的加入比例对EL性能影响的内在机制。
【总页数】11页(P173-183)【关键词】白光有机电致发光器件;纳米金;纳米银;LSPR【作者】王沪生;谢海芬;牟海川;王瑞斌;盛明远【作者单位】华东理工大学物理学院;上海交通大学分析测试中心【正文语种】中文【中图分类】TN27【相关文献】1.一种用于LSPR传感器的准正方型银纳米颗粒阵列制备2.尺寸效应对银纳米粒子LSPR影响分析3.一种纳米图案限定的银纳米颗粒与金膜复合结构制备及其SERS 效应测量4.镱银阴极对顶发射白光OLED器件光电性能的影响研究5.具有LSPR 效应的金、银纳米颗粒及其组装体制备因版权原因,仅展示原文概要,查看原文内容请购买。
N掺杂TiO_2粉体晶体结构与光催化性能的研究

室温条件下 , 1m (C - 取 0 L i  ̄0 于剧烈搅拌下 TO 1 地夹道 3m 无水乙醇中 , 0L 再滴加 2 LH c m A ,脚板 1~0 i, 5 2 mn 制得均匀透明的淡黄色溶液 A 。取 l L m
氧 空穴 对 捕 获光 生 电子 , 进 电子 一空 穴 对 的分 离 促 有 着极 其重 要 的作用 。 N掺 杂 TO 的光 催 化 活性 是 因 为 一种 新 的 光 i:
光催化活性 比单纯的 T : , i 高 而其晶相组成极其相 O 似。 这表明, N元素的掺人对光催化活性的影响比对 晶体 结构 的影 响要 大 。 同时 , NT 为 0 5和 NT 在 /i . 0 /i 为 01 时 ,— oe O 都表现 出较高 的光催化活 . 5 N dpd i: T 性 , 晶相组成完全不 同, 但 晶相组成对光催化活性 也有 一定 的影 响I。 8 1 由图 1 所示 ,/i 01 NT 为 . 时的甲基橙溶液降解 率较低 ; 当 NT 为 0 5和 01 , 而 /i . 0 . 5时 降解率较高 。 这表 明, N元素的掺杂对 TO 的光催化 活性的影响 i 是 比较复杂的。同时 ,在不 同的 NT 比率条件下 , /i TO 的晶体结构发生 了较大的变化 , i 这种变化对光 催化 活 性也 有一 定 的影 响 。所 以 , 由 N元 素掺 杂 在 引起 的晶体结构的变化和光催化 活性 的改变之间 的相互作用是存在的。 随着 NT 由 0 5 /i . 增加到 01 0 .,
素【。李灿等人报道了在金红石粉体表面形成的金 4 1 红石与锐钛 矿的异相结 能够很大幅度 的提高光催 化活性 。 然而, 关于由氮掺杂引起的晶相和光催化
性 的相 互作 用 的研 究 非 常少 , 文对 此 进 行 了较 深 本
《2024年NiO_x空穴传输层的制备及其在钙钛矿太阳电池中的应用》范文

《NiO_x空穴传输层的制备及其在钙钛矿太阳电池中的应用》篇一一、引言随着可再生能源研究的深入,钙钛矿太阳电池因具有高光电转换效率、低成本等优点而备受关注。
其中,空穴传输层作为钙钛矿太阳电池的关键组成部分,对电池性能的提升起着至关重要的作用。
近年来,NiO_x(氧化镍)因其良好的空穴传输能力、高透明度以及与钙钛矿材料的良好兼容性,在太阳电池领域得到了广泛的应用。
本文将详细介绍NiO_x空穴传输层的制备方法及其在钙钛矿太阳电池中的应用。
二、NiO_x空穴传输层的制备1. 原料与设备制备NiO_x空穴传输层所需的原料包括氧化镍、溶剂等。
设备主要包括旋涂仪、烤箱、真空镀膜机等。
2. 制备方法(1)溶胶-凝胶法:将氧化镍溶解在适当的溶剂中,形成均匀的溶液。
然后通过旋涂法将溶液涂覆在基底上,经过烘干、热处理等步骤,形成NiO_x薄膜。
(2)原子层沉积法:通过交替沉积氧化镍和氧源,形成致密的NiO_x薄膜。
此方法可控制薄膜的厚度和结构,提高薄膜的均匀性和致密性。
三、NiO_x空穴传输层在钙钛矿太阳电池中的应用1. 提升电池性能NiO_x空穴传输层具有良好的空穴传输能力,能够有效地收集和传输光生空穴,降低电池内部的电阻,从而提高钙钛矿太阳电池的光电转换效率。
此外,NiO_x薄膜的高透明度有利于提高电池的光照利用率。
2. 改善电池稳定性NiO_x空穴传输层与钙钛矿材料具有较好的兼容性,能够有效抑制界面处的电荷复合,提高电池的稳定性。
此外,NiO_x薄膜的抗氧化性能也有助于提高电池的长期稳定性。
四、实验结果与分析1. 实验结果通过制备不同厚度的NiO_x空穴传输层,我们发现在一定范围内增加薄膜厚度可以提高钙钛矿太阳电池的性能。
然而,过厚的薄膜可能导致电池性能下降,因为过厚的薄膜可能增加光生空穴的传输路径和传输时间,降低电池的填充因子和光电转换效率。
此外,我们还研究了NiO_x空穴传输层对钙钛矿太阳电池稳定性的影响,发现加入NiO_x空穴传输层的电池具有更好的长期稳定性。
《2024年二维有序大孔结构纳米二氧化钛光电子特性研究》范文

《二维有序大孔结构纳米二氧化钛光电子特性研究》篇一一、引言在过去的几十年里,纳米科技的发展为材料科学带来了革命性的变化。
其中,纳米二氧化钛(TiO2)因其独特的物理和化学性质,在光电子领域中得到了广泛的应用。
特别是具有二维有序大孔结构的纳米二氧化钛,其结构特性和光电子性能的研究具有重要的科学意义和应用价值。
本文旨在研究二维有序大孔结构纳米二氧化钛的光电子特性,探讨其潜在的应用前景。
二、二维有序大孔结构纳米二氧化钛的制备与表征1. 制备方法二维有序大孔结构纳米二氧化钛的制备主要采用溶胶-凝胶法和模板法相结合的方法。
首先,通过溶胶-凝胶法合成出二氧化钛的前驱体,然后利用模板法将前驱体组装成具有大孔结构的薄膜。
最后,通过热处理使前驱体转化为二氧化钛,形成二维有序大孔结构。
2. 结构表征通过X射线衍射(XRD)、扫描电子显微镜(SEM)和透射电子显微镜(TEM)等手段对制备的二维有序大孔结构纳米二氧化钛进行结构表征。
结果表明,所制备的样品具有规则的孔道结构,孔径大小均匀,且二氧化钛的晶型良好。
三、光电子特性研究1. 光学性质二维有序大孔结构纳米二氧化钛具有优异的光学性质,包括较高的光吸收系数和较宽的光谱响应范围。
这些性质使得其在光催化、光电器件等领域具有潜在的应用价值。
2. 电子性质通过紫外光电子能谱(UPS)和电导率测试等手段研究二维有序大孔结构纳米二氧化钛的电子性质。
结果表明,该材料具有较高的电子迁移率和较低的电阻率,有利于提高光生载流子的传输效率。
3. 光催化性能利用二维有序大孔结构纳米二氧化钛的光催化性能进行实验研究。
以降解有机污染物为例,发现该材料具有优异的光催化性能,能够有效地降解水中的有机污染物。
此外,该材料还具有较好的稳定性和循环使用性能。
四、潜在应用前景基于二维有序大孔结构纳米二氧化钛的光电子特性,其在光电子领域具有广泛的应用前景。
例如,可以将其应用于光电器件、光催化、太阳能电池等领域。
《2024年NiO_x空穴传输层的制备及其在钙钛矿太阳电池中的应用》范文

《NiO_x空穴传输层的制备及其在钙钛矿太阳电池中的应用》篇一一、引言随着全球对可再生能源的追求,太阳能电池已成为科研和工业领域的研究热点。
钙钛矿太阳电池(PSCs)以其高效率、低成本和可大面积制备等优势,吸引了众多研究者的关注。
在钙钛矿太阳电池中,空穴传输层(HTL)是关键组成部分之一,其性能直接影响着电池的光电转换效率和稳定性。
近年来,NiO_x(氧化镍)因其良好的空穴传输能力、高透明度和化学稳定性等优点,被广泛用于钙钛矿太阳电池的空穴传输层。
本文将重点介绍NiO_x空穴传输层的制备方法及其在钙钛矿太阳电池中的应用。
二、NiO_x空穴传输层的制备NiO_x空穴传输层的制备主要涉及材料选择、溶液配制、基底处理及薄膜沉积等步骤。
首先,选择适当的NiO_x前驱体溶液,其浓度和pH值对最终薄膜的质量有着重要影响。
然后,通过旋涂、浸渍或喷雾等方法将前驱体溶液均匀涂布在基底上,形成薄膜。
接着,通过热处理或紫外光处理等方法对薄膜进行退火处理,以提高其结晶度和空穴传输性能。
最后,对制备好的NiO_x空穴传输层进行性能测试和表征,如透光性、电导率、能级结构等。
三、NiO_x在钙钛矿太阳电池中的应用NiO_x作为空穴传输层在钙钛矿太阳电池中发挥着重要作用。
首先,它能够有效地收集和传输空穴,降低电荷复合,提高电池的光电转换效率。
其次,NiO_x的高透明度使得电池具有较高的透光率,有利于光子的吸收和利用。
此外,NiO_x的化学稳定性能够提高电池的长期稳定性,减少环境因素对电池性能的影响。
因此,NiO_x空穴传输层的引入显著提高了钙钛矿太阳电池的性能和稳定性。
四、实验结果与讨论通过实验,我们发现采用适当的制备方法可以获得高质量的NiO_x空穴传输层。
在不同条件下制备的NiO_x薄膜性能存在差异,优化制备参数可以得到更优的性能。
将NiO_x作为空穴传输层应用于钙钛矿太阳电池后,电池的光电转换效率和稳定性得到了显著提高。
空穴注入材料及其应用[发明专利]
![空穴注入材料及其应用[发明专利]](https://img.taocdn.com/s3/m/552cf7228bd63186bdebbcd4.png)
专利名称:空穴注入材料及其应用专利类型:发明专利
发明人:范洪涛,王湘成,向传义,何为申请号:CN202010630952.7
申请日:20200703
公开号:CN111653680A
公开日:
20200911
专利内容由知识产权出版社提供
摘要:本发明公开了空穴注入材料及其应用,属于有机电致发光技术领域。
作为有机电致发光器件内空穴注入材料的有机化合物具有下式所示的通式结构:每个X是R和R分别独立地选自氢、氘、芳基或杂芳基,芳基和杂芳基至少部分地用电子受体基团取代。
本发明中作为空穴注入材料的化合物为强空穴类材料,注入能垒极低,能够容易地将空穴从阳极注入到空穴传输材料中,有效提升OLED器件的空穴注入能力,从而提高器件的光效率和使用寿命。
申请人:上海钥熠电子科技有限公司
地址:201203 上海市浦东新区芳春路400号1幢3层
国籍:CN
代理机构:上海伯瑞杰知识产权代理有限公司
代理人:周一新
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旋涂-蒸镀工艺制备红光量子点器件

旋涂-蒸镀工艺制备红光量子点器件
叶继兴;陈雯柏;马航;李邓化
【期刊名称】《北京信息科技大学学报(自然科学版)》
【年(卷),期】2016(031)006
【摘要】针对不同制备工艺对薄膜的影响,采用旋涂-蒸镀工艺相结合的方法,制备了以CdSe/ZnS量子点作为发光层、poly-TPD作为空穴传输层,Alq3作为电子传输层的红光量子点发光二极管.研究了量子点材料的发光特性、量子点器件电致发光机理,分析了旋涂、蒸镀工艺的成膜特点.实验结果表明,器件具有色纯度高、开启电压低、漏电流小等特点.
【总页数】5页(P52-56)
【作者】叶继兴;陈雯柏;马航;李邓化
【作者单位】北京信息科技大学自动化学院,北京100101;北京信息科技大学自动化学院,北京100101;北京交通大学电子信息工程学院,北京100044;北京信息科技大学自动化学院,北京100101
【正文语种】中文
【中图分类】O472+.3
【相关文献】
1.喷墨打印和旋涂法制备有机电致发光显示器件中空穴注入及发光层的比较研究[J], 陈文斌;郭文瑞;牟婉莹;杜真真;唐鹏宇;苏文明;张东煜
2.ADN掺杂的高效率红光有机电致发光器件的制备 [J], 于军胜;李璐;季兴桥;黎威
志;王涛;李伟
3.油酸石蜡体系中红光CdSe量子点的合成及其r高显色指数白光LED制备 [J], 屈少华;刘培朝;曹万强
4.无溶剂法大量制备高效红光碳点及其在白光器件中的应用 [J], 丁辉;周旋旋;张子慧;夏坤林;赵云鹏
5.单源热蒸镀法和一步旋涂法制备钙钛矿太阳能电池 [J], 宋鑫茹;闫君;陈云琳;戴春爱
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TiO2插层氧化石墨烯PAN纳米纤维降解活性大红性能研究

TiO2插层氧化石墨烯PAN纳米纤维降解活性大红性能研究杨芳斌;姚理荣;李小娟;徐思峻【摘要】以氧化石墨烯为载体,通过原位生成的方式制备TiO2插层氧化石墨烯,并以PAN为成纤载体、DMF为溶剂,采用静电纺丝法制备TiO2插层氧化石墨烯PAN纳米纤维;通过透射电镜(TEM)、紫外可见光光谱(UV)、X-射线衍射(XRD)、热重分析(TG)等手法对TiO2插层氧化石墨烯及TiO2插层氧化石墨烯PAN纳米纤维的形貌、结构进行表征分析;研究了含不同TiO2插层氧化石墨烯PAN纳米纤维光催化降解活性大红的性能.结果表明:TiO2插层氧化石墨烯PAN纳米纤维对活性大红有优异的光催化降解性能,且随着TiO2插层氧化石墨烯含量的增加,完全降解活性大红所需的时间逐渐变短.【期刊名称】《南通大学学报(自然科学版)》【年(卷),期】2017(016)004【总页数】5页(P70-74)【关键词】TiO2;石墨烯;PAN纳米纤维;活性大红;光催化降解【作者】杨芳斌;姚理荣;李小娟;徐思峻【作者单位】南通大学纺织服装学院,江苏南通226019;南通大学纺织服装学院,江苏南通226019;南通大学纺织服装学院,江苏南通226019;南通大学纺织服装学院,江苏南通226019【正文语种】中文【中图分类】X788静电纺丝技术是制备高分子纳米纤维最常用的方法之一,是在高压静电场的作用下制备直径为纳米或微米级纤维的技术[1].静电纺丝主要适用于溶液纺丝,其装置简单、成本低廉、操作方便、可控性高,能够制备各种类型的纳米纤维,并且制备出的纳米纤维比表面积大、孔隙率高[2],有空间网状结构,适用于多种领域.氧化石墨烯是石墨烯的一种衍生物[3],由于其片层上分布了很多亲水性的官能团(如羟基、羧基、羰基),从而具有良好的亲水性和分散性[4-5];此外,表面官能团易与极性有机物质和聚合物形成相互作用[6-7],减少了其他材料复合的阻碍,在电极材料、工程材料、光学催化电荷存储等领域有广泛的应用[8-10].TiO2是新型的光催化材料,在光催化降解废水、废气领域有广泛的应用,但由于其禁带宽度为3.2 eV,只能吸收波长小于387 nm的太阳光,太阳能的利用率极低[11].本文提出以钛酸丁酯为原料,利用氧化石墨烯片层间的亲水基团,在水溶液条件下水解钛酸丁酯原位生成纳米级TiO2,制备TiO2插层氧化石墨烯;以DMF为溶剂、PAN为成纤载体、TiO2插层氧化石墨烯为光催化降解材料,通过静电纺丝法制备TiO2插层氧化石墨烯PAN纳米纤维;对TiO2插层氧化石墨烯及TiO2插层氧化石墨烯PAN纳米纤维的形貌、结构进行分析表征,探讨了TiO2插层氧化石墨烯PAN纳米纤维的光催化降解活性大红的性能,为拓宽TiO2在印染废水领域的应用提供可靠依据.1 实验部分1.1 材料和仪器材料:钛酸丁酯(江苏强盛功能化学股份有限公司)、氧化石墨烯(自制)、PAN(苏州辉通旺塑化有限公司)、DMF(上海润捷化学试剂有限公司)、活性大红(江苏南通曙光染织有限公司)和蒸馏水(自制).仪器:电热恒温鼓风干燥箱,FA/JA系列电子天平,JEOL2100F型透射电子显微镜,TU-1901型紫外-可见分光光度计,S-3400N型扫描电子显微镜,Pyris I TGA型热失重分析仪,D/MAX3C型X射线衍射仪.1.2 实验方法1.2.1 TiO2插层氧化石墨烯的制备称取5 g氧化石墨烯,置于密闭容器中,缓慢滴加40 mL钛酸丁酯,随后超声5h得到不同TiO2含量的TiO2插层氧化石墨烯溶液.将上述溶液置于水热反应釜中,220℃下水热反应20 h结晶成型.上述产物60℃干燥,避光保存.1.2.2 TiO2插层氧化石墨烯PAN纳米纤维的制备将不同质量的TiO2插层氧化石墨烯加入含质量分数为10%的PAN的DMF溶液中,60℃下磁力搅拌.所配置TiO2插层氧化石墨烯质量分数为1%、2%和3%.将配置好的上述溶液装入20 mL一次性注射器内固定于喷射装置上,在注射器上安装12#15 cm的金属针头,并将金属针头与高压电源正级相连;再将高压电源的负极与覆有锡箔纸的接收板相连.纺丝参数如下:纺丝电压为5 kV,纺丝距离为15 cm,纺丝速度为0.2 mL/h.1.2.3 TiO2插层氧化石墨烯PAN纳米纤维光催化性能测定分别将2 g含TiO2插层氧化石墨烯质量分数为1%、2%、3%的PAN纳米纤维浸渍于100 g活性大红溶液中,吸附平衡后,测试吸光度并计算相应平衡浓度.随后将上述混合溶液放入自制的光催化实验箱中,分别以紫外灯和自然光为光源进行光催化降解实验.降解过程中每隔20 min取样,取上层清液测定其吸光度值并计算其浓度.上述试验中,以未加入TiO2插层氧化石墨烯PAN纳米纤维的活性大红溶液为对照样.另外,活性大红溶液浓度测试方法参照文献[12].2 结果与讨论2.1 TiO2插层氧化石墨烯图1为TiO2插层氧化石墨烯TEM图.图(a)为低倍镜下TiO2插层氧化石墨烯的整体形貌图,图(b)为高倍镜下TiO2插层氧化石墨烯的局部放大图.图(a)显示,氧化石墨烯呈片状分布,片状大小在600 nm左右,TiO2分布在氧化石墨烯上,数量较多,分布均匀,与氧化石墨烯结合紧密.图(b)显示,TiO2分布在氧化石墨烯的层间,可以清晰地看到层上与层下分布的TiO2,分布于不同层间的TiO2颗粒,数量较多,尺寸在10 nm左右,呈圆形和四方形,并且分布在氧化石墨烯层上的TiO2颗粒,可以清楚地看到其晶格形状.同时图(a)显示纳米TiO2在氧化石墨烯整个片层边缘及内部呈均匀分布,说明本文所制备氧化石墨烯氧化均匀,在超声状态下,酞酸丁酯可顺利进入氧化石墨烯片层内部,并在原位生成结晶态纳米TiO2.图1 TiO2插层氧化石墨烯TEM图图2为TiO2插层氧化石墨烯UV-Vis图.从图中可以清楚地看出,TiO2插层氧化石墨烯在300 nm处有明显的吸收特征峰.有关资料[13]显示,板钛矿和金红石型TiO2的吸光性能较差,基本没有吸收特征峰,显然,该处的吸收特征峰为锐钛矿型TiO2特有的吸收特征峰.这说明TiO2插层氧化石墨烯中TiO2的晶型结构是锐钛矿型.图2 TiO2插层氧化石墨烯UV-Vis图2.2 TiO2插层氧化石墨烯PAN纳米纤维图3为TiO2插层氧化石墨烯PAN纳米纤维的SEM 图片.图(a)为低倍镜(× 1 000)下 TiO2插层氧化石墨烯PAN纳米纤维的整体形貌图,图(b)为高倍镜(×20 000)下 TiO2插层氧化石墨烯PAN纳米纤维的局部放大图.从图中可以清楚地看到,TiO2插层氧化石墨烯PAN纳米纤维形貌较好、表面光滑、均匀性较好、直径在几百nm.图3 TiO2插层氧化石墨烯PAN纳米纤维的SEM图图4显示的为PAN纳米纤维、含TiO2插层氧化石墨烯质量分数为1%、3%的PAN纳米纤维热重曲线图.热重分析图线有两个明显的失重过程:第一次明显失重发生在100℃左右,由纤维中部分结合水及含氧基团的分解所致;第二次明显失重发生在350℃左右,氧化石墨烯中大多数含氧官能团被分解而损失,失重率达到50%.然而从图中可以清楚地看到,当TiO2插层氧化石墨烯含量越多时,热失重率越小,这是因为TiO2插层氧化石墨烯含量较多时,氧化石墨烯的含氧官能团均水解生成TiO2,此温度下TiO2结构稳定,因此失重率较小,不到40%,说明此方法制备的纳米纤维耐热性能有所改善.图4 不同TiO2插层氧化石墨烯含量PAN纳米纤维的热重曲线图图5为TiO2插层氧化石墨烯、PAN纳米纤维、TiO2插层氧化石墨烯PAN纳米纤维的XRD图.图中,PAN纳米纤维中TiO2插层氧化石墨烯质量分数为3%,TiO2插层氧化石墨烯中钛酸丁酯用量为40 mL.X射线衍射结果显示,在2θ=25.48°、39.23°、49.43°处特征峰,分别对应锐钛矿型 TiO2(101)、(004)、(005)晶面.这说明含 TiO2插层氧化石墨烯粉末的纤维既具备PAN 纳米纤维原有的性能,同时兼具TiO2插层氧化石墨烯的光催化降解性能.图5 TiO2插层氧化石墨烯、PAN纳米纤维、TiO2插层氧化石墨烯PAN纳米纤维XRD图2.3 TiO2插层氧化石墨烯PAN纳米纤维光催化降解活性大红性能图6为紫外光条件下,不同TiO2插层氧化石墨烯含量PAN纳米纤维光催化降解活性大红的降解率—时间关系曲线图.由图可知,紫外光照射4 h后,纯PAN纳米纤维对活性大红没有降解作用,含TiO2插层氧化石墨烯的PAN纳米纤维都能有效降解活性大红,且随着TiO2插层氧化石墨烯含量增加,降解时间相应缩短,说明相同条件下,TiO2插层氧化石墨烯含量越高,降解效率越好,最多能达到99.99%.图6 紫外光条件下不同TiO2插层氧化石墨烯含量PAN纳米纤维光催化降解活性大红的降解率随时间的变化图图7为可见光条件下TiO2插层氧化石墨烯PAN纳米纤维光催化降解活性大红降解率—时间关系曲线.图中可以看出,TiO2插层氧化石墨烯质量分数为1%的PAN 纳米纤维在可见光下作用4 h,对活性大红基本没有降解作用;质量分数为2%的PAN纳米纤维不能将活性大红完全降解,但有一定降解作用,降解率为79.99%;质量分数为3%时,可见光照4 h活性大红降解率达到99.89%,有良好的光催化降解性能.这说明,TiO2插层氧化石墨烯PAN纳米纤维催化降解作用与TiO2含量呈正相关.另外,随着时间的延长,含不同TiO2插层氧化石墨烯含量的PAN纳米纤维对活性大红的光催化降解效率也不断增加,这说明纳米纤维对活性大红的催化降解具有时间依赖性.图7 可见光条件下不同TiO2插层氧化石墨烯含量PAN纳米纤维光催化降解活性大红的降解率随时间的变化图可见光下复合纳米纤维对活性大红仍具有较好的催化能力源于可见光中含有少量紫外光(7%).TiO2在紫外光作用下能够生成电子空穴,因而具有较高的氧化性.由于可见光中紫外光占比较少,其催化效率要低于单纯紫外光.3 结论1)TiO2均匀分布在氧化石墨烯的层间,数量较多,尺寸在10 nm左右,呈圆形和四方形.2)添加TiO2插层氧化石墨烯后PAN纳米纤维成纤性能优异,纳米颗粒在纤维表面有良好分布,纤维中有突出的TiO2衍射峰及晶型结构,随着TiO2插层氧化石墨烯含量增多,纳米纤维耐热性能增强.3)TiO2插层氧化石墨烯PAN纳米纤维对活性大红染料有优异的光催化降解性能.紫外光条件下,TiO2插层氧化石墨烯PAN纳米纤维能将活性大红完全降解,且随着TiO2插层氧化石墨烯含量的增加,完全降解所需时间逐渐变短;可见光条件下,TiO2插层氧化石墨烯PAN纳米纤维对活性大红有一定的光催化降解活性,随着TiO2插层氧化石墨烯含量的增加,降解效率也逐渐增加.参考文献:[1]巫晓华.静电纺丝制备醋酸纤维素纳米纤维及其抗菌改性[D].杭州:浙江理工学,2015.[2]王瑞玉.基于静电纺丝技术的功能性纤维材料的制备和表征[D].上海:复旦大学,2012.[3]赖奇,罗学萍.氧化石墨烯的制备和定性定量分析[J].材料研究学报,2015,29(2):155-160.[4]JEONG H K,LEE Y P,LAHAYE R J W E,et al.Evidence of graphitic AB stacking order of graphitic oxides[J].Journal of the American Chemical 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T e c h n o l o g y a n d P e r f o r ma n c e R e s e a r c h o f R e d OL E D Ho l e I n j e c t i o n L a y e r 2 - T NA T A
il f m d e po s i t i o n p r o c e s s c o n d i t i o n s a n d t he t h i c kn e s s o n t h e l u mi n o u s pe r f o m a r nc e t o c a r r y o u t t h e e x pe r i — me n t a l r e s e a r c h .Th e r e s u hs o f e x pe ime r nt s s h o w t h a t:t he d i s t a n c e b e t we e n t h e s ub s t r a t e a n d t h e e v a p o ・ r a t i o n s o u r c e i s 2 4 e m ;b e a m s o u r c e f u r n a c e e v a p o r a t i o n d i a me t e r i s 1 . 5 mm ;s u bs t r a t e t e mp e r a t u r e i s
p r o c e s s c o n d i t i o n s ;D e v i c e w i t h h o l e i n j e c t i o n l a y e r t h a n t h o s e w i t h o u t t h i s l a y e r l u m i n e s c e n c e p e f r o m— r a n c e i s s i g n i i f c a n t l y i m p r o v e d ; i t s b e s t h o l e i n j e c t i o n l a y e r t h i c k n e s s i s 2 0 n m. T h i s d e v i c e b r i g h t n e s s u n —
倍, 发 光效 率从 1 . 8 c d / A提 高到 2 . 6 c d / A, 提 高了 1 . 4倍 , 光谱峰 值 为 6 1 8 n m。
关键 词 : 红光 O L E D;空 穴注入 层 ; 2 一 T N A T A;工 艺
中图分 类号 : T N 3 8 3
红光 O L E D空 穴 注入 层 2 - T N A T A工艺 及 其 性 能研 究
袁进 , 安涛 , 夏艳峰
( 西安理工大学 自动化 与信息工程学 院 , 陕西 西 的 方 法 在 高精 度 膜 厚 控 制 仪 的监 控 下 , 对 多层 红 光 O L E D 空 穴 注入 层 2 一
5 0 ℃ :a n d t h e e v a p o r a t i o n t e mp e r a t u r e i s 2 3 0  ̄ C f o r t h e p r e p a r a t i o n o f t h e i d e a l 2 - T NA T A t h i n i f l m
T N A T A有机薄膜蒸镀工艺的条件及厚度 对器件的发光性能进行 实验研 究。 实验表明制备理想的 2 - T N A T A 薄膜 工艺条 件 为 , 基板 与 蒸发 源距 离为 2 4 c m, 束 源 炉 蒸发 孔 径 为 1 . 5 m m, 基 片温 度 为 5 O ℃, 蒸镀温度 为2 3 0 o C, 具有空穴注入层 器件较 无此层器件 的发光性能得到显著提 高, 其 空穴注 入层 最 佳厚度 为 2 0 n m。该 器件 在 1 2 V 电压 下 亮度 从 1 8 0 0 c d / m 提 高 到 7 6 0 0 c d / m , 提 高 了4
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西安理工大学学报 J o u r n a l o f X i ’ a n U n i v e r s i t y o f T e c h n o l o g y ( 2 0 1 3 )V o 1 . 2 9 N o . 4
文章编号 : 1 0 0 6 - 4 7 1 0 ( 2 0 1 3 ) 0 4 - 0 4 4 4 4 3 6
YUAN J i n,AN T a o ,XI A Ya n f e n g
( F a c u l t y o f A u t o m a t i o n a n d I n f o r m a t i o n E n g i n e e r i n g , X i ’ a n U n i v e r s i t y o f T e c h n o l o g y , X i ’ a n 7 1 0 0 4 8 , C h i n a )