半导体探测器分类

锂的电离能很小，而且它的离子半径较硅、锗晶格常数小很多，所以在P型硅的表面涂一层锂时，在一定温度下(350-450 ℃)，锂离子很容易扩散到硅晶体内部去。硅片表面附近，由于Li+浓度高，使P型硅转化为N型硅，而在深处仍为P型硅，从而在界面处形成P－N结。在几百伏反向偏压作用下，并控制温度在100-200 ℃，则Li+继续向P型硅深处漂移。漂移过程中，由于静电作用，Li+可能与受主

离子结合成中性离子对，该过

程叫做“补偿效应”。在锂离子

漂移到的区域，通过补偿效应

就形成了较大的、电阻率很高

的本征区，此本征区即对应探

测器灵敏体积。

（1）扩散结半导体探测器

在电阻率较高的P型硅片上扩散进

一层施主杂质，例如磷，从而在表面

形成很高浓度的N层，在P型硅与

N型硅交界处形成P-N结，然后在

硅片上加上两个适当的连接电极，即

制成扩散结半导体探测器。

比较典型的扩散结半导体探测

器为砷化镓探测器，主要用于低能γ

和X射线测量，可以在室温下保存和使用。

（2）面垒型半导体探测器

应用较多的是金硅面垒型

探测器。在经过适当处理

的N型单晶片表面蒸发上

一层薄金，接近金层的那

一层硅就具有P型硅的特

性，因而在硅片表面附近

形成一个P－N 结，即耗

尽层，又叫势垒区。将金膜接电源负极，N型硅基片的另一面被蒸发上一薄层铝或镍作为电极接触引线与电源正极相连

金硅面垒型半导体探测器广泛用于α、β射线的计数测量和能谱测量，具有较高的能量分辩率，而且结构简单、应用方便，其缺点是它的金层很薄容易损坏，使用时必须特别细心。