无电阻低压低温漂的CMOS基准电压源

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沟道宽度和长度。
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在许多情况下，准电压源都是模拟和数模混合电路中基
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不可缺少的模块。部分基准电路甚至能用于检测嘲因此，的精度是很重要的一个指标。而随，它
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Ｋｅｒｓｖｌｇｅｅｅｃ；ｔｍｐｒｔｒｏｅｓｔｎ；ｓｂｈｅｈｌｅｉｎ；ｃｒｅｂｌｙｕ — ｒｓｏｄｓｏｅｙｗｏｄ：ｏｔｅｒｆｒｎｅｅｅａｕｅｃｍｐｎａｉａｏｕｔｒｓｏｄｒｇｏａｒｒｍｏｉｔ；ｓｂｔｅｈｌｌｐｉｉｈ
第１卷第３８期
Ｖｏ．８１１
Ｎｏ３．
电子设计工程
ＥｌｃｒｎｃＤｅｉｎＥｎｉｅｒｎｅｔｏｉｓｇｇｎｅｉｇ
２１００年３月
Ｍａ．０１ｒ２０
无电阻低压低温漂的ＣＭＯＳ基准电压源
管佳伟．吴虹，伟锋孙
围内．出电压的温度系数为５Ｐｒ ℃。在室温时，个电路能在低到０输Ｐｎ／整．Ｖ的电源电压下工作并消耗０８Ｉ的功耗。９．Ｗ６ｚ
关键词：准电压源；温度补偿；亚阁值区；栽流子迁移率；亚阈值斜率基
ＧＵＡＮｉ— ｉＵＨｏｇＳＮｅ— ｎＪａｗｅ，Ｗｎ，ＵＷｉｅｇｆ
（ａｏａＡＩｙｔｍＥｇｅｒｇＲｓａｃｅｔｒＳｕｈａｔｎｅｉ，ａｊｇ２０９，ｈｎ）Ｎｔｎ／ＳＣＳｓｎｉｅｉｅｅｒｈＣｎ，ｏｔｅｓＵｉｒｔＮｎｉ１０６Ｃｉａ／ｅｎｎｅｖｓｙｎ
ｓｍｕａｉｎｒｓｌｈｗａｅｔｍｐｒｔｒｏｆｃｅｔ（Ｃ）ｏｕｐｔｏｔｇｓ５ｐｒ／ｎｔｅｒｎｅｆｏ－５Ｃｔ０ｃｉｌｔｅｕｔｓｏｔｔｈｅｅａｕｅｃｅｆｉｎＴｏｓｈｔｉｆｔｕｌｅｉｐｎ￣ｉｈａｇｒｍ５￣ｏ９ｏ．ｏｖａＣ
着便携电子产品的日益普及．为了提高它们的续航能力，使其在低压下工作也变得越来越重要。同时，于降低制造成出
本和节约芯片面积的考虑．求电路尽量少使用或者不使用要除ＭＳ管以外的其他器件。因此，于标准的Ｃ０Ｏ基ＭＳ数字工
ＡｂｔａｔｈｓｐｐｒｄｓｒｅａＭＯＳＥ — ｎｙｏｔｇｅｅｅｃｔａｃｍｂｎｓｉｅｅｔｏｅａｉｇｅｉｎｏｉｅｒｓｒｃ：ｉａｅｅｃｉｓＴｂＦＴｏｌｖｌｅｒｆｒｎｅｈｔｏｉｅｄｆｒｎｐｒｔｒｇｏｓｆｌａ，ａｎｎ
（南大学ＡＩ工程中心，江苏南京２０９）东ＳＣｌ０６
摘要：结合工作在亚阈值区、和区和线性区的ＭＳ管，出一种纯ＭＯ饱Ｏ提Ｓ结构的基准电压源，结构能有效补偿ＭＳ管其Ｏ的栽流子迁移率和亚闽值斜率的温度系数。基于ＳＣ０１ｘ的ＣＳ工艺的仿真结果表明，温度为－５９的范ＭＩ．ｍ３＃ＭＯ在５－０ｏＣ
ａｄｓｂｈｅｈｌｌｐｆＭＯＦ．ｈｏｔｇｅｅｅｃｉｄｓｇｅａｅｏＭＩ０１＃ｍｎｕｔｒｓｏｄｓｏｅｏＳＥＴＴｅｖｌｅｒｆｒｎｅｓｅｉｎｄｂｓｄｎＳＣ．３ｘＣＭＯｐｏｅｓａＳｒｃｓ．Ｉ１１ｅ
ｓｔｒｔｎａｄｓｂｈｅｈｌｎＭＯＦＴ．ｈｉｕｔｆｃｉｅｙｃｍｐｎａｅｈｅｅａｕｅｄｐｎｅｃｆａｔｒｍｏｉｔａｕａｉｎｕｔｒｓｏｄｉＳＥｓｅｃｒｉｅｆｔｌｏｅｓｔｓｔｅｔｍｐｒｔｒｅｅｄｎｅｏｒｅｂｌｙｏＴｃｅｖｃｉｉ
中图分类号：Ｎ０Ｔ４２
文献标识码：Ａ
文章编号：６４６３（０００ — ０４０１７ — ２６２１）３０８ — ３
ＲｅｉｔｒｅｓｏｖｌａｅｏｔｍｐｅａｕｒｉｔＣＭＯＳｖｌａｅｒｆｒｎｅｓｓｏｌｓｌｗｏｔｇ，ｌｗｅｒｔｅｄｒｆｏｔｇｅｅｅｃ