无电阻低压低温漂的CMOS基准电压源
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着 便 携 电 子 产 品的 日益 普 及 ．为 了提 高 它 们 的续 航 能 力 ， 使 其 在 低 压 下 工 作 也 变 得 越 来 越 重 要 。 同时 ， 于 降 低 制 造 成 出
本 和 节 约 芯 片 面 积 的 考 虑 ． 求 电 路尽 量 少 使用 或 者 不 使 用 要 除 Ｍ Ｓ管 以 外 的 其他 器件 。因此 ， 于标 准 的 Ｃ ０ Ｏ 基 Ｍ Ｓ数 字 工
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（ 南 大学 Ａ Ｉ 工程 中心 ，江 苏 南 京 ２ ０ ９ ） 东 ＳＣ ｌ０ ６
摘 要： 结合 工 作在 亚 阈值 区、 和 区和 线性 区的 Ｍ Ｓ管 ， 出一 种 纯 ＭＯ 饱 Ｏ 提 Ｓ结构 的基 准 电 压源 ， 结 构 能有 效补 偿 Ｍ Ｓ管 其 Ｏ 的栽 流子 迁移 率和 亚 闽值 斜率 的 温度 系数 。基 于 Ｓ Ｃ０１ ｘ 的 Ｃ Ｓ工 艺的 仿真 结 果表 明 ， 温度 为－５ ９ 的 范 ＭＩ ． ｍ ３＃ ＭＯ 在 ５ －０ｏ Ｃ
中 图分 类 号 ： Ｎ ０ Ｔ ４２
文献 标 识 码 ： Ａ
文 章 编 号 ：６ ４ ６ ３ （ ０ ０ ０ — ０ ４ ０ １７ — ２ ６ ２ １ ）３ ０ ８ — ３
Ｒｅ ｉｔ ｒｅ ｓ ｏ ｖ ｌａ ｅ ｏ ｔ ｍｐｅ ａ ｕｒ ｉｔ ＣＭ ＯＳ ｖ ｌａ ｅ ｒ ｆ ｒ ｎ ｅ ｓｓ ｏ ｌｓ ｌ ｗ ｏ ｔ ｇ ，ｌ ｗ ｅ ｒ ｔ ｅ ｄｒｆ ｏ ｔ ｇ ｅｅ ｅ ｃ
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围 内 ． 出电压 的 温度 系数 为 ５Ｐ ｒ ℃。在 室温 时 ， 个 电路 能在 低 到 ０ 输 Ｐｎ ／ 整 ． Ｖ的 电 源 电压 下工 作并 消耗 ０ ８Ｉ 的 功耗 。 ９ ． Ｗ ６ ｚ
关键 词 ： 准 电压 源 ；温度 补 偿 ；亚 阁值 区 ；栽 流 子 迁移 率 ；亚 阈值 斜 率 基
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第 １ 卷 第 ３ ８ 期
Ｖｏ ．８ １ １
Ｎｏ３ ．
电子设计 工程
Ｅｌｃ ｒｎ ｃ Ｄｅ ｉｎ Ｅｎ ｉ ｅ ｒｎ ｅ ｔｏ ｉ ｓｇ ｇｎ ｅ ｉ ｇ
２１ ０ ０年 ３月
Ｍａ ． ０１ ｒ２ ０
无 电阻低 压低 温漂的 Ｃ ＭＯＳ基准 电压 源
管佳 伟 ．吴 虹 ， 伟锋 孙
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沟 道 宽 度 和 长度 。
）—ｐ ） （ × （ ２ 【 ｌ ）
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在 许 多 情 况 下 ， 准 电 压 源 都 是 模 拟 和 数 模 混 合 电路 中 基
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不 可 缺 少 的模 块 。部 分 基 准 电路 甚 至 能 用 于 检 测 芯 片 温 度 【 ，
或 者 工 艺 过 程 嘲 因此 ， 的 精 度 是 很 重 要 的 一 个 指 标 。而 随 ， 它
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着 便 携 电 子 产 品的 日益 普 及 ．为 了提 高 它 们 的续 航 能 力 ， 使 其 在 低 压 下 工 作 也 变 得 越 来 越 重 要 。 同时 ， 于 降 低 制 造 成 出
本 和 节 约 芯 片 面 积 的 考 虑 ． 求 电 路尽 量 少 使用 或 者 不 使 用 要 除 Ｍ Ｓ管 以 外 的 其他 器件 。因此 ， 于标 准 的 Ｃ ０ Ｏ 基 Ｍ Ｓ数 字 工
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（ 南 大学 Ａ Ｉ 工程 中心 ，江 苏 南 京 ２ ０ ９ ） 东 ＳＣ ｌ０ ６
摘 要： 结合 工 作在 亚 阈值 区、 和 区和 线性 区的 Ｍ Ｓ管 ， 出一 种 纯 ＭＯ 饱 Ｏ 提 Ｓ结构 的基 准 电 压源 ， 结 构 能有 效补 偿 Ｍ Ｓ管 其 Ｏ 的栽 流子 迁移 率和 亚 闽值 斜率 的 温度 系数 。基 于 Ｓ Ｃ０１ ｘ 的 Ｃ Ｓ工 艺的 仿真 结 果表 明 ， 温度 为－５ ９ 的 范 ＭＩ ． ｍ ３＃ ＭＯ 在 ５ －０ｏ Ｃ
中 图分 类 号 ： Ｎ ０ Ｔ ４２
文献 标 识 码 ： Ａ
文 章 编 号 ：６ ４ ６ ３ （ ０ ０ ０ — ０ ４ ０ １７ — ２ ６ ２ １ ）３ ０ ８ — ３
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关键 词 ： 准 电压 源 ；温度 补 偿 ；亚 阁值 区 ；栽 流 子 迁移 率 ；亚 阈值 斜 率 基
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无 电阻低 压低 温漂的 Ｃ ＭＯＳ基准 电压 源
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