DBC陶瓷基板的覆铜技术和应用

合集下载
  1. 1、下载文档前请自行甄别文档内容的完整性,平台不提供额外的编辑、内容补充、找答案等附加服务。
  2. 2、"仅部分预览"的文档,不可在线预览部分如存在完整性等问题,可反馈申请退款(可完整预览的文档不适用该条件!)。
  3. 3、如文档侵犯您的权益,请联系客服反馈,我们会尽快为您处理(人工客服工作时间:9:00-18:30)。

DBC陶瓷基板的覆铜技术和应用

DBC陶瓷基板是陶瓷板制作工艺中按工艺属性分来的陶瓷电路板,DBC 就直接覆铜,是一种陶瓷表面金属化技术,它直接将陶瓷(三氧化二铝、氧化铍、AIN等)和基板铜相接。这种技术主要用于电力电子模块、半导体制冷和LED 器件等的封装应用广泛。

DBC陶瓷基板的优选材料

三氧化二铝绝缘性好、化学稳定性好、强度高、而且价格低,是DBC技术的优选材料,但是三氧化二铝的热导率低,并且与SI的热膨胀系数还有一定的热失配,氧化铍一种常见的DBC技术用陶瓷材料,低温热导率高,制作工艺很完善,可用于中高功率器件,打死你在应用领域和过程中,所产生的毒性应有适当防护;AIN材料无毒,介电常数适中,热导率远高于三氧化二铝,和氧化铍接近,热膨胀系数与SI接近,各类SI芯片和大功率器件可以直接附着在AIN基板生而不用其他材料的过渡层。目前用于DBC技术中前景十分看好。

DBC陶瓷基板技术的特征

1在金属和陶瓷界面间没有明显的中间层存在,没有底热导焊料,因其忍住小,热扩散能力强;接触电阻也较低,有利于高功率高频器件的链接。

2,链接温度低于铜的熔点,DBC基片在连接过程中保持稳定的几何形状,在一些情况下,可以讲铜箔在链接前就制成所需的形状,然后进行DBC的制备过程,免去了连接后的刻蚀工艺。

3,AIN基片的热膨胀系数和SI较接近,各类芯片可以直接焊于DBC基片上,使连接层数减少,减低热阻值。简化各类半导体结构。由于DBC基片中热膨胀系数和SI较为匹配,

4,工序简单,无需MO-MN法复杂的陶瓷金属化工序,无需加焊料,涂钛粉等。

5,金属和陶瓷之间具有具有足够的附着强度,连接较好的DBC基片中陶瓷和金属的附着力强度接近于厚膜金属化的强度。

6,铜导体部分具有极高的载流能力,因此有能力的减小截流介质的尺寸,并提高功率容量。

DBC陶瓷基板广泛被应用在高功率器件上面,当然,DBC技术的应用范围也在不断的延伸发展。更多陶瓷基板的需求可以咨询金瑞欣特种电路,行业经验丰富,值得信赖!

相关文档
最新文档