氮化铝陶瓷基板覆铜实验方案
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【1】ALN陶瓷基板覆铜技术
【2】氮化铝陶瓷直接覆铜技术
【3】铜-氮化铝陶瓷键合机理探究
【4】一种陶瓷覆铜技术（专利局文章）
实验阶段
敷接时将铜箔的氧化表面和陶瓷基板相对于管式炉中自然敷接，敷接气氛为纯氮，流量为50ml/min。，温度控制在1070摄氏度，保温30min。【1】
1.在氮化铝与铜箔结合体上加2kg的铁块【4】。
2.在纯氮气的烧结炉中，加热温度至1065摄氏度中保温45min，氮气流量为40ml/min.【4】
氮化铝陶瓷基板覆铜实验方案
方案
无添加物
有添加物
准备阶段
ALN基板：1.ALN基板在氧化和敷接之前要进行清，酸洗，丙酮和乙醇
2.空气条件下氧化的ALN基板(15*15mm)，温度1100摄氏度，2小时【2】
铜箔：1.酸洗2.去离子水3.乙醇清洗4.烘干铜箔选取13*13*0.3MM。铜箔在敷接前采用高温预氧化的方式引入微量的氧（氧化在50ml/min的流动纯氮气下进行，1000摄氏度下保温30分钟）【1】【2】
ALN基板：粗糙表面15*15mm的基板，粗糙度在0.2-0.7之间.，在ALN表面涂抹三氧化二铝把它置于高温炉中，加热到1300摄氏度，30min。【4】
铜箔：13*13mm粗糙表面，粗糙度在0.2-0.7之间，在铜箔表面均匀涂抹氧化亚铜。1.5-2g/平方厘米。使之置于管式炉中，加温至1000摄氏度，30min。在加热过程中在含有0.3%体积的氧气的氮气下进行，氮气的流量控制在50ml/min【4】
【2】氮化铝陶瓷直接覆铜技术
【3】铜-氮化铝陶瓷键合机理探究
【4】一种陶瓷覆铜技术（专利局文章）
实验阶段
敷接时将铜箔的氧化表面和陶瓷基板相对于管式炉中自然敷接，敷接气氛为纯氮，流量为50ml/min。，温度控制在1070摄氏度，保温30min。【1】
1.在氮化铝与铜箔结合体上加2kg的铁块【4】。
2.在纯氮气的烧结炉中，加热温度至1065摄氏度中保温45min，氮气流量为40ml/min.【4】
氮化铝陶瓷基板覆铜实验方案
方案
无添加物
有添加物
准备阶段
ALN基板：1.ALN基板在氧化和敷接之前要进行清，酸洗，丙酮和乙醇
2.空气条件下氧化的ALN基板(15*15mm)，温度1100摄氏度，2小时【2】
铜箔：1.酸洗2.去离子水3.乙醇清洗4.烘干铜箔选取13*13*0.3MM。铜箔在敷接前采用高温预氧化的方式引入微量的氧（氧化在50ml/min的流动纯氮气下进行，1000摄氏度下保温30分钟）【1】【2】
ALN基板：粗糙表面15*15mm的基板，粗糙度在0.2-0.7之间.，在ALN表面涂抹三氧化二铝把它置于高温炉中，加热到1300摄氏度，30min。【4】
铜箔：13*13mm粗糙表面，粗糙度在0.2-0.7之间，在铜箔表面均匀涂抹氧化亚铜。1.5-2g/平方厘米。使之置于管式炉中，加温至1000摄氏度，30min。在加热过程中在含有0.3%体积的氧气的氮气下进行，氮气的流量控制在50ml/min【4】