可控硅温度控制器的组成和原理

可控硅温度控制器的组成和原理
在化验分析中，试样的温度要控制在适当的温度范围，有时还要按规定的温度曲线进行升温和降温如果采用传统的接触器通断控制
方式不但温度控制精度低，而且能耗高，甚至很多控制温度无法满足规定要求。

随着新产品开发的进一步加快，试样的分析对温度的要求越来越高。

寻找节能环保的加热控温设备，可控硅温度控制器是目前行之有效的方法。

1 可控硅温度控制器的组成与原理
温度测量与控制是热电偶采集信号通过pid温度调节器测量和输出0～10ma或4～20ma控制触发板控制可控硅导通角的大小，从而控制主回路加热元件电流大小，使电阻炉保持在设定的温度工作状态。

可控硅温度控制器由主回路和控制回路组成。

主回路是由可控硅，过电流保护快速熔断器、过电压保护rc和电阻炉的加热元件等部分组成。

控制回路是由直流信号电源、直流工作电源、电流反馈环节、同步信号环节、触发脉冲产生器、温度检测器和pid温度调节器等部分组成。

2 可控硅温度控制器的实现方法
2．1温度检测和pid调节器构成
工业电阻炉是一类具有非线性、大滞后、大惯性的常见工业被控
对象。

电阻炉广泛应用于化验室样品熔样，热处理中工件的分段加热和冷却等。

根据工艺对温度精度的不同要求可以选用不同类型的pid 调节器控制温度在适当的范围。

对于要求保持恒温控制而不要温度记录的电阻炉采用带pid调节的数字式温度显示调节仪显示和调节温度，输出0～10ma作为直流信号输入控制可控硅电压调整器或触发板改变可控硅管导通角的大小来调节输出功率，完全可以满足要求，投入成本低，操作方便直观并且容易维护。

2．2触发电路
可控硅触发电路应满足下列要求：触发脉冲的宽度应保证可控硅可靠导通；触发脉冲应有足够的幅度；不超过门极电压、电流和功率定额，且在可靠触发区域之内；应有良好的抗干扰性能、温度稳定性及与主电路的电气隔离。

2．3可控硅的选择
可控硅主要参数：
（1）额定电压
断态重复峰值电压u。

：在门极断路而结温为额定值时，允许重复加在器件上的正向峰值电压。

反向重复峰值电压：在门极断路而结温为额定值时，允许重复加在器件上的反向峰值电压。

通常取可控硅的和中较小的标值作为该器件的额定电压。

选用时，额定电压要留有一定裕量，一般取额定电压为正常工作时晶闸管所承受峰值电压2～
3倍。

（2）额定电流
可控硅在环境温度为40～c和规定的冷却状态下，稳定结温不超过额定结温时所允许流过的最大工频正弦半波电流的平均值。

使用时应按实际电流与通态平均电流有效值相等的原则来选取可控硅并非应留一定的裕量，一般取1．5～2倍。

2．4安装和操作
由于可控硅温度控制器的主回路电流都比较大，因此选择合适的线路电缆直径线路是十分重要的，并且要确保线路的可靠连接，防止负载短路击穿可控硅；考虑到可控硅电流突变时较易损坏，开炉时要手动调节使电流缓慢上升，关炉时要关小电流。

设备列表:
设备项目数量单价(元) 合计(元) 备注
1 900 2000 含税含运费
KH103A-I2-C4-N-AC(160X80面板)
智能型PID调节仪输入4-20mA
可控硅移相触发板c4三相四线制
6 1100
可控硅及散热器装置
可控硅KP200A(国产)单相。