Hi3510 PCB设计指南
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2.3 板级 SI 仿真分析指南...............................................................................................................................2-5 2.4 控制信号串扰 ............................................................................................................................................2-5
文档版本 03 (2008-03-05)
深圳市海思半导体有限公司1-1源自1 Fanout 封装设计建议
Hi3510 PCB 设计指南
注意事项：
z 最外侧的两圈 PAD 不需要打过孔，直接从顶层封装出去； z 内层的两圈 PAD 基本都是电源或地，直接打过孔连接到电源或地； z 中间两圈和内两圈的部分 PAD 通过过孔从中间布线层封装出去； z 推荐过孔大小为 8mil，相邻过孔中间不布线，线宽和线间距采用 5mil；板厚不超
z 2.2.2 中的第 4 和 5 个 item list 中的 1.75ns 改为 1.6ns。
2006-12-20 02
z 修改了文档的各级标题。 z 修正了表 2-1 中的数值。
2006-05-16 01 第一次发布。
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深圳市海思半导体有限公司
3
Hi3510 PCB 设计指南
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i
Hi3510 PCB 设计指南
插图目录
插图目录
图 1-1 Hi3510 PCB Fanout 参考设计 ..............................................................................................................1-1 图 2-1 EBI 接口时钟信号拓扑建议 ................................................................................................................2-1 图 2-2 EBI 接口数据信号带两个负载匹配建议.............................................................................................2-2 图 2-3 EBI 接口低位地址信号 EBIADR[0:14]带 5 个负载匹配建议 ...........................................................2-2 图 2-4 EBI 接口低位地址信号 EBIADR[0:14]带 3 个负载匹配建议 ...........................................................2-3 图 2-5 DDR 接口匹配方式 1 ...........................................................................................................................2-4 图 2-6 DDR 接口匹配方式 2 ...........................................................................................................................2-4
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深圳市海思半导体有限公司
iii
Hi3510 PCB 设计指南
前言
前言
概述
本节介绍本文档的内容、对应的产品版本、适用的读者对象、行文表达约定、历史修订 记录等。
产品版本
与本文档相对应的产品版本如下所示。
产品名称 Hi3510 芯片
产品版本 Hi3510 V100
过 2mm； z 如果采用的是负片工艺，孔径要比表层大，电源和地的相邻两个孔之间覆铜宽度
会非常小（ñ3.5mil），这么细的覆铜，加工时容易断掉。所以需要通过优化和减少 过孔数量，有效规避工艺问题。
1-2
深圳市海思半导体有限公司
文档版本 03 (2008-03-05)
Hi3510 PCB 设计指南
商标声明
、Hisilicon、海思，均为深圳市海思半导体有限公司的商标。 本文档提及的其他所有商标或注册商标，由各自的所有人拥有。
注意 由于产品版本升级或其他原因，本文档内容会不定期进行更新。除非另有约定，本文档仅作为使用指导， 本文档中的所有陈述、信息和建议不构成任何明示或暗示的担保。
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2 关键接口 PCB 设计指 描述了 Hi3510 的 EBI、ETM、DDR、VO 关键接口在 PCB
导
设计的建议。
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1
前言
约定
符号约定
Hi3510 PCB 设计指南
在本文中可能出现下列标志，它们所代表的含义如下。
符号
说明
以本标志开始的文本表示有高度潜在危险，如果不能避 免，会导致人员死亡或严重伤害。
1 Fanout 封装设计建议
1 Fanout 封装设计建议
Hi3510 采用 0.8mm 间距的 BGA 封装，BGA BALL 共 6 圈，其中内侧 2 圈大部分是电 源和地，外侧 4 圈大部分的 PAD 需要 Fanout 封装。建议如图 1-1 进行 Fanout 封装。 图1-1 Hi3510 PCB Fanout 参考设计
Hi3510 PCB 设计指南
目录
目录
前 言..................................................................................................................................................1 1 Fanout 封装设计建议..................................................................................................................1-1 2 关键接口 PCB 设计指导 ............................................................................................................2-1
以本标志开始的文本表示有中度或低度潜在危险，如果不 能避免，可能导致人员轻微或中等伤害。
以本标志开始的文本表示有潜在风险，如果忽视这些文 本，可能导致设备或器件损坏、数据丢失、设备性能降低 或不可预知的结果。
以本标志开始的文本能帮助您解决某个问题或节省您的 时间。
以本标志开始的文本是正文的附加信息，是对正文的强调 和补充。
读者对象
本文档（本指南）主要适用于以下工程师：电子产品设计维护人员 z 电子产品元器件市场销售人员
内容简介
本指南介绍了通信媒体处理器芯片 Hi3510（以下简称 Hi3510）的 PCB 设计。全书共分 为 2 章。
章节
内容
1 Fanout 封装设计建议 描述了 Hi3510 PCB Fanout 的参考设计和建议
2.2 DDR 接口信号 SI 设计实例 ......................................................................................................................2-3 2.2.1 信号匹配设计建议..........................................................................................................................2-3 2.2.2 DDR 接口板级布线时序要求..........................................................................................................2-5
通用格式约定
格式
说明
宋体
正文采用宋体表示。
黑体
一级、二级、三级标题采用黑体。
楷体
警告、提示等内容一律用楷体，并且在内容前后增加线条 与正文隔离。
“Terminal Display”格式 “Terminal Display”格式表示屏幕输出信息。此外，屏幕 输出信息中夹杂的用户从终端输入的信息采用加粗字体 表示。
2 关键接口 PCB 设计指导
2 关键接口 PCB 设计指导
2.1 EBI 接口信号 SI 设计实例
Hi3510 EBI 接口典型应用为外接 SDRAM（2 片：16bit%2）和 Flash Memory（1 片： 16bit%1），扩展应用可能还需要连接 FPGA、USB 2.0 控制器等。Hi3510 EBIDQ 驱动电 流 8mA，典型应用支持 2 个负载。当超过 2 个负载时，推荐使用 74LVC245 等逻辑驱 动芯片。异步时序的负载都通过 74LVC245 驱动。
2.1 EBI 接口信号 SI 设计实例 ........................................................................................................................2-1 2.1.1 信号反射、振铃与过冲 ..................................................................................................................2-1 2.1.2 EBI 接口板级布线时序要求............................................................................................................2-3
修改记录
修订记录累积了每次文档更新的说明。最新版本的文档包含以前所有文档版本的更新内 容。
2
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前言
修改日期 版本 修改说明
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z 2.1.2 的正文处增加“这里按照 180ps/1000mil 的单板走线延迟 进行计算”。
客户服务电话： 0755-28788858
客户服务传真： 0755-28788838
客户服务邮箱： support@.
邮编：518129
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Hi3510 PCB
设计指南
文档版本 发布日期 BOM编码
03 2008-03-05 N/A
深圳市海思半导体有限公司
深圳市海思半导体有限公司为客户提供全方位的技术支持，用户可与就近的海思办事处联系，也可直接与公 司总部联系。
深圳市海思半导体有限公司
地址：
深圳市龙岗区坂田华为基地华为电气生产中心
网址：
z 2.1.2 的正文中第 2 个 item list 中 PCB 布线要求改为 “Lengthsdrck2<4500mil”。
z 2.1.2 的正文中第 3 个 item list 中 PCB 布线要求改为 “Lengthsdrck1=(Lengthsdrck2)/2 ±500mil”。
z 2.1.2 的正文中第 3 个 item list 中 Skew 改为 600mil。
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注意事项：
z 最外侧的两圈 PAD 不需要打过孔，直接从顶层封装出去； z 内层的两圈 PAD 基本都是电源或地，直接打过孔连接到电源或地； z 中间两圈和内两圈的部分 PAD 通过过孔从中间布线层封装出去； z 推荐过孔大小为 8mil，相邻过孔中间不布线，线宽和线间距采用 5mil；板厚不超
z 2.2.2 中的第 4 和 5 个 item list 中的 1.75ns 改为 1.6ns。
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z 修改了文档的各级标题。 z 修正了表 2-1 中的数值。
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图 1-1 Hi3510 PCB Fanout 参考设计 ..............................................................................................................1-1 图 2-1 EBI 接口时钟信号拓扑建议 ................................................................................................................2-1 图 2-2 EBI 接口数据信号带两个负载匹配建议.............................................................................................2-2 图 2-3 EBI 接口低位地址信号 EBIADR[0:14]带 5 个负载匹配建议 ...........................................................2-2 图 2-4 EBI 接口低位地址信号 EBIADR[0:14]带 3 个负载匹配建议 ...........................................................2-3 图 2-5 DDR 接口匹配方式 1 ...........................................................................................................................2-4 图 2-6 DDR 接口匹配方式 2 ...........................................................................................................................2-4
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概述
本节介绍本文档的内容、对应的产品版本、适用的读者对象、行文表达约定、历史修订 记录等。
产品版本
与本文档相对应的产品版本如下所示。
产品名称 Hi3510 芯片
产品版本 Hi3510 V100
过 2mm； z 如果采用的是负片工艺，孔径要比表层大，电源和地的相邻两个孔之间覆铜宽度
会非常小（ñ3.5mil），这么细的覆铜，加工时容易断掉。所以需要通过优化和减少 过孔数量，有效规避工艺问题。
1-2
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Hi3510 PCB 设计指南
商标声明
、Hisilicon、海思，均为深圳市海思半导体有限公司的商标。 本文档提及的其他所有商标或注册商标，由各自的所有人拥有。
注意 由于产品版本升级或其他原因，本文档内容会不定期进行更新。除非另有约定，本文档仅作为使用指导， 本文档中的所有陈述、信息和建议不构成任何明示或暗示的担保。
深圳市海思半导体有限公司
2 关键接口 PCB 设计指 描述了 Hi3510 的 EBI、ETM、DDR、VO 关键接口在 PCB
导
设计的建议。
文档版本 03 (2008-03-05)
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1
前言
约定
符号约定
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在本文中可能出现下列标志，它们所代表的含义如下。
符号
说明
以本标志开始的文本表示有高度潜在危险，如果不能避 免，会导致人员死亡或严重伤害。
1 Fanout 封装设计建议
1 Fanout 封装设计建议
Hi3510 采用 0.8mm 间距的 BGA 封装，BGA BALL 共 6 圈，其中内侧 2 圈大部分是电 源和地，外侧 4 圈大部分的 PAD 需要 Fanout 封装。建议如图 1-1 进行 Fanout 封装。 图1-1 Hi3510 PCB Fanout 参考设计
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目录
前 言..................................................................................................................................................1 1 Fanout 封装设计建议..................................................................................................................1-1 2 关键接口 PCB 设计指导 ............................................................................................................2-1
以本标志开始的文本表示有中度或低度潜在危险，如果不 能避免，可能导致人员轻微或中等伤害。
以本标志开始的文本表示有潜在风险，如果忽视这些文 本，可能导致设备或器件损坏、数据丢失、设备性能降低 或不可预知的结果。
以本标志开始的文本能帮助您解决某个问题或节省您的 时间。
以本标志开始的文本是正文的附加信息，是对正文的强调 和补充。
读者对象
本文档（本指南）主要适用于以下工程师：电子产品设计维护人员 z 电子产品元器件市场销售人员
内容简介
本指南介绍了通信媒体处理器芯片 Hi3510（以下简称 Hi3510）的 PCB 设计。全书共分 为 2 章。
章节
内容
1 Fanout 封装设计建议 描述了 Hi3510 PCB Fanout 的参考设计和建议
2.2 DDR 接口信号 SI 设计实例 ......................................................................................................................2-3 2.2.1 信号匹配设计建议..........................................................................................................................2-3 2.2.2 DDR 接口板级布线时序要求..........................................................................................................2-5
通用格式约定
格式
说明
宋体
正文采用宋体表示。
黑体
一级、二级、三级标题采用黑体。
楷体
警告、提示等内容一律用楷体，并且在内容前后增加线条 与正文隔离。
“Terminal Display”格式 “Terminal Display”格式表示屏幕输出信息。此外，屏幕 输出信息中夹杂的用户从终端输入的信息采用加粗字体 表示。
2 关键接口 PCB 设计指导
2 关键接口 PCB 设计指导
2.1 EBI 接口信号 SI 设计实例
Hi3510 EBI 接口典型应用为外接 SDRAM（2 片：16bit%2）和 Flash Memory（1 片： 16bit%1），扩展应用可能还需要连接 FPGA、USB 2.0 控制器等。Hi3510 EBIDQ 驱动电 流 8mA，典型应用支持 2 个负载。当超过 2 个负载时，推荐使用 74LVC245 等逻辑驱 动芯片。异步时序的负载都通过 74LVC245 驱动。
2.1 EBI 接口信号 SI 设计实例 ........................................................................................................................2-1 2.1.1 信号反射、振铃与过冲 ..................................................................................................................2-1 2.1.2 EBI 接口板级布线时序要求............................................................................................................2-3
修改记录
修订记录累积了每次文档更新的说明。最新版本的文档包含以前所有文档版本的更新内 容。
2
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z 2.1.2 的正文处增加“这里按照 180ps/1000mil 的单板走线延迟 进行计算”。
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z 2.1.2 的正文中第 2 个 item list 中 PCB 布线要求改为 “Lengthsdrck2<4500mil”。
z 2.1.2 的正文中第 3 个 item list 中 PCB 布线要求改为 “Lengthsdrck1=(Lengthsdrck2)/2 ±500mil”。
z 2.1.2 的正文中第 3 个 item list 中 Skew 改为 600mil。