如何测量半导体器件的伏安特性曲线

i
正向特性:
U (t )
i(t ) I S
o
i (t ) ISe
UT
u
反向击穿特性
二、实验原理
3、三极管的伏安特性曲线 共射输入特性曲线： iB
iB f (uBE ) |uCE C
UCE=1V
UCE=10V
以输出口电压uCE为参变量， 反映iB和uBE的函数关系。 o
uBE
二、实验原理
三、图示仪基本原理
如何得到半导体器件的伏安特性曲线？ 图示法（又称动态法）：
用集电极扫描电压代替 可调直流电源Ec，再配 合显示处理系统。
三、图示仪基本原理
如何得到半导体器件的伏安特性曲线？
图示法（又称动态法）： 三极管输出特性的动态测量
阶梯信号部分
原理框图
三、图示仪基本原理
原理框图
测试台部分
2、三极管的伏安特性曲线 共射输出特性曲线: iC
放
iC f (uCE ) |iB C
以输入口电压iB 为 参变量，反映iC和uCE 的函数关系。
大
区
I B5 I B4 I B3 I B2
I B1 IB 0
o
uCE
三、图示仪基本原理
如何得到半导体器件的伏安特性曲线？
点测法： i
o
u
点测法又称静态测试法
PowerPoint
电子科技大学
半导体器件的图测方法
半导体器件的图测方法
内
容
1
2 3 4
目的 实验原理 实验内容 下次课预习要求
半导体器件的图测方法
一、实验目的
1. 了解晶体管图示仪的原理框图。 2. 熟悉晶体管图示仪的面板旋钮。 3. 掌握二端元器件电压电流关系的图测方法。 4. 掌握晶体管输入输出特性的图测方法。 5. 掌握用晶体管特性曲线求参数的方法。
2、输入电阻： Ri > 1.5kΩ
3、输出电阻： Ro < 2.5kΩ 4、增益：
Au > 50
现有电阻参考值——100Ω、200Ω、1kΩ、2kΩ、 5kΩ、10kΩ、18kΩ、30kΩ、100kΩ等 ，尽量以现有 电阻完成电路的设计。
UESTC
四、实验内容
3．测量三极管的输出特性
（1）调节图示仪有关控制旋钮，观察并定量画出 给定三极管的输出特性曲线。
（2）测量该三极管的反向击穿电压 UBR(CEO)。 （3）测量该三极管的交、直流β。
IC IB ;
U CE 5V
iC iB
U CE 5V
四、实验内容
4．测量三极管的输入特性 （1）调节图示仪有关控制旋钮，观察并定量画出 给定三极管的输入特性曲线。 （2）测量IB在线性变化区时的输入电阻。
半导体器件的图测方法
预习检查：
1、二极管、三极管的伏安特性曲线有什么特点？
2、二极管、三极管的主要性能参数有哪些？
3、如何测量半导体器件的伏安特性曲线？
二、实验原理
1、线性电阻元件的VCR特性 i
过原点的一条直线:
i (t ) u (t ) R
o
u
二、实验原理
2、二极管的伏安特性曲线
反向特性:
Y轴作用部分 X轴作用部分
阶梯信号部分
集电极电源部分
三、图示仪基本原理
图示仪面板
X轴作用部分 Y轴作用部分 阶梯信号部分
测试台部分
集电极电源部分
四、实验内容
1. 测量线性电阻的伏安特性 任选一线性电阻，调节图示仪有关控制旋钮， 观察并定量画出其伏安特性曲线，并测试其电阻 值。
2. 测量给定稳压二极管的正向特性和反向特性。 （1）正向导通电压、反向稳定电压UZ、反向 电流IR。 （2）根据测试数据，在同一座标上绘出二极 管正反向特性曲线。
uBE rbe iB
U CE C
五、思考题
1．分析测试中造成损坏二极管和三极管的主 要原因是什么？
2．测量三极管UBR（CEO）电压时的注意事项？ 3．测量场效应管特性与晶体三极管有何异同？
六、下次课预习要求
按照下列指标要求设计单级共射放大器并完成电路 的搭建