静电基本实验实验报告

篇一：实验报告范本研究生实验报告(范本)

实验课程：实验名称：实验地点：

学生姓名：学号：指导教师：（范本）

实验时间：年月日一、实验目的

熟悉电阻型气体传感器结构及工作原理，进行基于聚苯胺敏感薄膜的气体传感器的结构设计、材料制作、材料表征、探测单元制作与测试、实验结果分析，通过该实验获得气体传感器从设计到性能测试完整的实验流程，锻炼同学学习能力、动手能力和分析问题能力。

二、实验内容

1、理解电阻式气体传感器工作原理

2、进行传感器结构设计

3、进行敏感材料的合成与测试

4、开展气体传感器制作

5、器件性能测试与分析讨论

三、实验原理

气体传感器是化学传感器的一大门类，是气体检测系统的核心,通常安装在探测头内。从本质上讲，气体传感器是一种将某种气体体积分数转化成对应电信号的转换器。根据气敏特性来分类，主要分为半导体气体传感器、固体电解质气体传感器、接触燃烧式气体传感器、光学式气体传感器、石英谐振式气体传感器、表面声波气体传感器等。

气体传感器的检测原理一般是利用吸附气体与高分子半导体之间产生电子授受的关系，通过检测相互作用导致的物性变化从而得知检测气体分子存在的信息，大体上可以分为：

(l)气体分子的吸附引起聚合物材料表面电导率变化

(2)p型或n型有机半导体间结特性变化

(3)气体分子反应热引起导电率变化

(4)聚合物表面气体分子吸、脱附引起光学特性变化

(5)伴随气体吸附脱附引起微小量变化

对于电阻型气体传感器，其基本的机理都是气体分子吸附于膜表面并扩散进体内，从而引起膜电导的增加，电导变化量反应了气体的浓度情况。

四、实验器材

电子天平bs2245:北京赛多利斯仪器系统有限公司

ksv5000自组装超薄膜设备:芬兰ksv设备公司

keithley2700数据采集系统:美国keithley公司kw-4a 型匀胶机:chemat technologies inc. 85-2 型恒温磁力热搅拌机:上海司乐仪器公司

优普超纯水制造系统:成都超纯科技有限公司

动态配气装置北京汇博隆仪器

s-450型扫描电镜:日本日立公司

uv1700紫外一可见分光光度计:北京瑞利分析仪器公司

bsf-gx-2型分流式标准湿度发生器:国家标准物质研究中心、北京耐思达新技术发展公司

五、实验步骤

1、电阻型气体探测器工作原理认识（见三、实验原理）

2、器件结构设计

电阻型气体探测器基于敏感薄膜电阻变化来进行气体浓度测定，因此电阻是探测器件的一个重要参数。叉指电极结构测量出的电导可由下式表示：

其中l和w为叉指电极基底的长度和宽度，n为叉指电极的数目对数，d为两相邻电极之间的间距，σ为薄膜的本征电导率。结合基底尺寸、材料电导率和工艺能力可以设计出结构优化

的叉指结构，获得较显著的电学输出信号。

图1、基于敏感膜的气体传感器结构设计意图

图1为设计的电阻型气体传感器结构，在绝缘衬底上制作叉指电极，然后在叉指电极上制作敏感薄膜，通过测试两个叉指电极间的电学信号，可获得敏感薄膜的电阻信息。设计完成的整个气体传感器的制作流程示意图如图2所示。

图2、气体传感器制作工艺流程示意图

详细流程可表述为：硅片清洗—硅片表面氧化—溅射生长nicr合金—溅射生长金—匀胶、显影、曝光、去胶—刻蚀金属层(kl、硫酸)—中测—划片一测试在器件的制作中，所使用的基片是电阻率为0.7-1?cm的n型单晶硅片([100]取向)。其上氧化生长二氧化硅作为绝缘层，然后溅射镍铬合金(200-300 ?)，以提高金电极的附着性。其后再在镍铬合金上溅射导电的金层(400～500?)，采用负胶光刻，电极间距和宽度相等，为50μm，整个器件尺寸大小为8*5mm2，该设计由自己完成，工艺由成都亚光电子股份有限公司加工。

3、聚苯胺复合薄膜制备

(1) 基片预处理

本实验采用表面抛光的石英玻片和平面叉指金电极作为成膜基片。将表面抛光的石英基片先后放在:(l)表面活性剂和水的混合液;(2)去离子水;(3)乙醇;(4)丙酮中分别超声清洗0.5h,以除去表面污垢和油溃。然后将清洗过的石英基片放入7:3浓硫酸/过氧化氢溶液及1:1:5氨水/过氧化氢/水溶液中各超声清洗0.5h使得表面清洁,同时通过这一步使基片表面亲水。处理后的石英基片存放在超纯水中待用。

将清洗好的石英基片及平面叉指电极式器件浸入1%pdda水溶液15min,取出后用去离子水洗涤,再用氮气吹干,此时基片表面呈正电性;再将基片浸入pss溶液(2mg/inl,盐酸调节ph=1~2)中15min,取出后用去离子水洗涤并吹干,此时基片表面呈负电性。

（2）聚苯胺pani/tio2复合薄膜制备方法

对于经过聚电解质(pss)处理后的基片，聚电解质自组装膜在基片表面引入了极性基团，在聚合反应的开始阶段，基片上-so-3基团与酸性条件下苯胺单体和聚苯胺低聚合物上的n+通过静电吸引作用形成离子对，将其吸附在基片表面，形成均匀的聚合中心，进行链生长。同时，混合液中的tio2纳米粒子起着原位吸附聚合载体的作用，苯胺单体吸附在tio2纳米粒子表面，氧化剂(nh4)2s2o8引发单体在tio2纳米粒子表面进行聚合，这导致了聚合物围绕tio2粒子的受限生长，从而获得tio2纳米粒子表面覆盖pani的复合薄膜。

用移液管取0.2 ml tio2溶胶，加去离子水稀释至0.lwt%；超声15min备用。室温下，将超声过的tio2溶胶加入到20ml 2.0mol/l的盐酸溶液中，在适度的搅拌下，将0.1ml苯胺单体加入其中。为了避免苯胺单体快速氧化，边搅拌边将适量的(nh4)2s2o8的盐酸溶液缓慢逐滴滴入到混合液中，体系的颜色由透明逐渐加深,变为浅蓝,最终转变为墨绿色。适度搅拌5min 后，用0.45um的有机过滤器过滤。(nh4)2s2o8和苯胺单体物质的量之比为1:1。运用芬兰ksv公司的自组装系统制备hci掺杂pani/tio2自组装纳米复合薄膜。将预处理后的基片浸入到pani/tio2滤液中，反应20min，取出基片，在空气中自然晾干后放置在纯净的氮气中保存。

（3）hci和ptsa掺杂pani/tio2复合薄膜制备方法

hci和对甲苯磺酸(ptsa)是常见的聚苯胺质子酸掺杂剂。hcl掺杂pani/tio2复合薄膜制备同前所述。ptsa掺杂pani/tio2复合薄膜制备工艺如下：

取1.9g对甲苯磺酸，溶于10ml去离子水中；再配置0.1254g (nh4)2s2o8溶于10ml盐酸溶液中，待用；用移液管取0.2ml tio2溶胶，加去离子水稀释至0.lwt%；将10ml对甲苯磺酸溶液与tio2溶胶溶液混合，超声15min备用。室温下,在超声过的对甲苯磺酸溶液和tio2溶胶混合溶液中，将0.1ml苯胺单体加入其中。为了避免苯胺单体快速氧化,边搅拌边将适量