三极管的命名、参数及测试PPT课件

能不稳定。一般取30~80为宜。
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②极间反向电流 1.集电极基极间反向饱和电流ICBO ICBO的下标CB代表集电极和基极，O是
Open的字头，代表第三个电极E开路。它相当于 集电结的反向饱和电流。 • 指发射极开路时，集电极与基极之间的反向 电流。一定温度下ICBO是一个常数，所以又称 为反向饱和电流。
IC ICM
热为：
PC =ICUCE
• 必定导致结温 上升，所以PC 有限制。
PCPCM .
安全工作区
ICUCE=PCM
U U (BR)CEO
首
13 CE
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IC IB
当晶体管工作在动态(有输入信号)时，基极电流的变化
量为 IB ，它引起集电极电流的变化量为 IC 。 IC 与 IB 的比值称为动态电流(交流)放大系数
IC IB
在输出特性曲线近于平行等距并且 ICEO 较小的情况下,
可近似认为 ，但二者含义不同。
电流放大系数一般在10~100之间。太小，放大能力弱，太大易使管子性
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2. 集电极— —发射极间反向击穿电压V(BR)CEO
2.V(BR)CEO——发射极开路时的集电结击穿电压。 下标BR代表击穿之意，是Breakdown的字头，CB
代表集电极和基极，O代表第三个电极B开路。
基极开路时，加在集电极和发射极之间的最大允许电压，
称为集—射反相击穿电压 U(BR)CEO 。
，三极管达到一定温度后，性能变差或者损坏。使用时应
该使集电极消耗的功率PC<PCM
IC ICM
ICEO O
安
全 PCM 工 作
由 ICM 、 U(BR)CEO 、 PCM 三者共同确定晶体管 的安全工作区。
区 U(BR)CEO . UCE
返回12
3. 集电极最大允许功耗PCM
• 集电极电流IC 流过三极管， 所发出的焦耳
40 µA
1.5 1
区 20 µA
EC
ICEO
IB = 0 UCE /V
O
3
6
9 12
截止区
.
6
二、极间反向饱和电流
1.集电极— —基极反向饱和电流ICBO。 2.集电极— —发射极反向饱和电流ICEO。
ICEO (1)ICBO (2.1.7)
反向饱和电流随温度增加而增加，是管子工作状态 不稳定的主要因素。因此，常把它作为判断管子性能的 重要依据。硅管反向饱和电流远小于锗管，在温度变化 范围大的工作环境应选用硅管。
3AX31
例PN：P低频小功率锗三极管
3CG PNP高频小功率硅三极管
3DG12B NPN高频小功率硅三极管
3AD PNP低频大功率锗三极管
3DD6 NPN低频大功率硅三极管
3DK NPN硅开关三极管
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2.1.6 半导体三极管的型号
• 国家标准对半导体三极管的命名如下:
• 3 D G 110 B 用字母表示同一型号中的不同规格
IC IB
在输出特性曲线近于平行等距并且 ICEO 较小的情况下,
可近似认为 ，但二者含义不同。
电流放大系数一般在10~100之间。太小，放大能力弱，太大易使管子性
能不稳定。一般取30~80为宜。
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(2)交流参数
12345 7
②特征频率fT
三极管的值不仅与工作电流有关，而且与
工作频率有关。由于结电容的影响，当信号频率
•
用数字表示同种器件型号的序号
•
用字母表示器件的种类
•
用字母表示材料
三极管
第二位：A锗PNP管、B锗NPN管、 C硅PNP管、D硅NPN管
第三位：X低频小功率管、D低频大功率管、 G高频小功率管、A高频大功率管、K开关管
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3
(1)直流参数
1. 电流放大系数 ，
当晶体管接成共发射极电路时，在静态(无输入信号)时集 电极电流与基极电流的比值称为静态电流(直流)放大系数
增加时，三极管的将会下降。当下降到1时所对
应的频率称为特征频率，用fT表示。
特征频率 fT
β
β下 降 到1时 所 对 应 的 频 率fT
与 结 电 容CD、CT有 关 1
ห้องสมุดไป่ตู้fT
f
.
返9回
(3)极限参数
1. 集电极最大允许电流ICM
当 值下降到正常数值的三分之二时的集电极电流，称为
集电极最大允许电流 ICM 。
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(2)交流参数
1. 电流放大系数 ，
当晶体管接成共发射极电路时，在静态(无输入信号)时集 电极电流与基极电流的比值称为静态电流(直流)放大系数
IC IB
当晶体管工作在动态(有输入信号)时，基极电流的变化
量为 IB ，它引起集电极电流的变化量为 IC 。 IC 与 IB 的比值称为动态电流(交流)放大系数
三极管的命名和参数
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第一部分
数字 电极数
半导体器件的命名方式
第二部分
字母 材料和极性
第三部分
字母(汉拼) 器件类型
第四部分 第五部分
数字 字母(汉拼)
序号
规格号
3— 三极管
A — 锗材料 PNP B — 锗材料 NPN C — 硅材料 PNP D — 硅材料 NPN
X — 低频小功率管
G — 高频小功率管 D — 低频大功率管 A — 高频大功率管
管子基极开路时，集电极和发射极之间的最大允许电
压。当电压越过此值时，管子将发生电压击穿，若电击穿
导致热击穿会损坏管子。 .
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3. 集电极最大允许耗散功率PCM
当晶体管因受热而引起的参数变化不超过允许值时，集电
极所消耗的最大功率，称为集电极最大允许耗散功率 PCM。
正常工作时，IC流过集电结要消耗功率，而使三极管发热
EC
ICBO
.
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2.集电极发射极间的反向饱和电流ICEO ICEO和ICBO有如下关系
ICEO=（1+ ）ICBO
相当基极开路时，集电极和发射极间的反向饱和电流，即输出
特性曲线IB=0那条曲线所对应的Y坐标的数值。如下图所示。
IC / mA
4 饱和区
100 µA
3
80 µA
放 2.3
60 µA
2
大