模电综合复习(第10章_直流稳压电源)-5页精选文档

模电综合复习(第10章_直流稳压电源)-5页精选文档
模电综合复习(第10章_直流稳压电源)-5页精选文档

第10章 直流稳压电源 测试题 班 学号 姓名: 得分:

第一题 单项选择题(每题2分)

1.若要求输出电压V U o 9=,则应选用的三端稳压器为( )。

(A )W7809 (B )W7909 (C )W7912 (D )W7812

2.若要求输出电压V U o 18-=,则应选用的三端稳压器为( )。

(A )W7812 (B )W7818 (C )W7912 (D )W7918

3.直流稳压电源滤波电路中,滤波电路应选用( )滤波器。

(A )高通 (B )低通 (C )带通 (D )带阻

4.若单相桥式整流电容滤波电路中,变压器副边电压为有效值为10V ,则正常工作时输出电压平均值)(AV O U 可能的数值为( )。

(A )4.5V (B )9V (C )12V (D )14V

5.在单相桥式整流电容滤波电路中,若有一只整流管接反,则( )。

(A )变为半波整流 (B )并接在整流输出两端的电容C 将过压击穿

(C )输出电压约为2U D (D )整流管将因电流过大而烧坏

6.关于串联型直流稳压电路,带放大环节的串联型稳压电路的放大环节放大的是( )。

(A )基准电压 (B )取样电压

(C )取样电压与滤波电路输出电压之差 (D )基准电压与取样电压之差

7.集成三端稳压器CW7815的输出电压为( )。

(A )V 15 (B )V 15- (C )V 5 (D )V 5-

8.变压器副边电压有效值为40V ,整流二极管承受的最高反向电压为( )。

(A )20V (B )40V (C )56.6V (D )80V

9.用一只直流电压表测量一只接在电路中的稳压二极管的电压,读数只有0.7伏,这表明该稳压管( )。

(A )工作正常 (B )接反 (C )已经击穿 (D )无法判断

10.直流稳压电源中滤波电路的目的是( )。

(A )将交流变为直流 (B )将交直流混合量中的交流成分滤掉

(C )将高频变为低频 (D )将高压变为低压

11.若单相桥式整流电容滤波电路中,变压器副边电压为有效值为10V ,则正常工作时输出电压平均值U O (A V)可能的数值为( )。

(A )14V (B )12V (C )9V (D )4.5V

12.两个稳压二极管,稳压值分别为7V 和9V ,将它们组成如图所示电路,设输入电压 U 1值是20V ,则输出电压 U 0=( )。

(A )20V (B )7V (C )9V (D )16V

13稳压电源电路中,整流的目的是( )。

(A )将交流变为直流 (B )将高频变为低频

(C )将正弦波变为方波 (D )将交、直流混合量中的交流成分滤掉

14.具有放大环节的串联型稳压电路在正常工作时,若要求输出电压为18V ,调整管压降为6V ,整流电路采用电容滤波,则电源变压器次级电压有效值应为( )。

(A )12V (B )18V (C )20V (D )24V

15.串联型稳压电源正常工作的条件是:其调整管必须工作于放大状态,即必须满足( )。

(A )CES O I U U U += (B )CES O I U U U +<

(C )CES O I U U U +≠ (D )CES O I U U U +>

16.三端集成稳压器W79L18的输出电压、电流等级为( )。

(A )18V/500mA (B )18V/100mA (C )-18V/500mA (D )-18V/100mA

17.两个稳压二极管,稳压值分别为7V 和9V ,将它们用于图1.1所示电路。设输入电压 U 1值是20V ,则输出电压 U 0为( )。

(A )0.7V (B )7V (C )9V (D )20V

18.若桥式整流电路变压器二次电压为tV sin 210u 2ω=,则每个整流管所承受的最大反向电压为( )。

(A )V 210 (B )V 220 (C )20V (D )V 2

二、填空题(每空1分)

1.串联型直流稳压电路通常包括五个组成部分,即基准电压电路, , 、保护电路和取样电路。

2.设变压器副边电压为2U ,其全波整流电路的输出平均电压为_________;二极管所承受的最大反向电压为_________。

3.直流稳压电源一般由变压器电路、___________、___________及稳压电路四部分组成。

4.稳压电源的稳压电路可分为_________型和__________型两种。

5.7915三端式稳压器输出电压为 V 。

6.若变压器次级电压的有效值V U 102=,经桥式整流,电容C 滤波后,输出电压=o U ______V ;若电容C 虚焊(开路),则=o U ______V 。

7.整流电路中,利用整流二极管的__________________性使交流电变为脉动直流电。

8.直流稳压电路中滤波电路主要由_________、_________等储能元件组成。

9.在桥式整流、电容滤波、稳压管稳压直流电源电路中,变压器副边电压为10V ,则整流后的=)(AV O U ,滤波后的=)(AV O U ,二极管所承受的最大反向电压为 。

10.在串联型稳压电路中,为了正常稳压,调整管必须工作在_________区域。

11.在直流稳压电路中,变压的目的是___________________________,整流的目的是

_________________________。

12.整流电路中,利用整流二极管的____________________________性使交流电变为脉动直流电。

13.直流稳压电路中滤波电路主要由电容、电感等储能元件组成,其中,____________滤波适合于大电流(大功率)电路,而____________滤波适用于小电流电路。

14.串联型直流稳压电路调整管工作在 ___ 状态,调整管应选择 ___ 三极管。

15.现有两个硅稳压管,稳压值为V U Z 3.71=,V U Z 52=,若用于稳定电压为8V 电路,则可把1

Z D 和2Z D 串接,1Z D 应 偏置,2Z D 应 偏置。

16.整流电路中,利用整流二极管的 性使交流电变为脉动直流电。

17.三端稳压器因有 、 、 三个端而得名。

18.三端集成稳压器CXX7906的输出电压是_______。

19.三端集成稳压器CW7912的输出电压为_____V 。

20.已知直流稳压电源电路中,变压器副边电压有效值V U 102=,正常情况输出电压平均值

=)(AV O U _______,若滤波电容虚焊,则=)(AV O U _______。

21.在串联型稳压电路中,引入了 _____ _负反馈;为了正常稳压,调整管必须工作在 ____区域。

22.整流电路的功能是将交流电压转换成 电压,滤波电路主要用来滤除整流电路输出中的 _____。

三.判断题(每题1分)

1.直流电源是一种能量转换电路,它将交流能量转换为直流能量。 ( )

2.直流电源是一种将正弦信号变换为直流信号的波形变换电路。 ( )

3.稳压二极管是利用二极管的反向击穿特性进行稳压的。 ( )

4.在变压器副边电压和负载电阻相同的情况下,桥式整流电路的输出电流是半波整流电路输出电流的2倍。 ( )

5.桥氏整流电路在接入电容滤波后,输出直流电压会升高。 ( )

6.用集成稳压器构成稳压电路,输出电压稳定,在实际应用时,不需考虑输入电压大小。( )

7.直流稳压电源中的滤波电路是低通滤波电路。 ( )

8.在单相桥式整流电容滤波电路中,若有一只整流管断开,输出电压平均值变为原来的一半( )

9.滤波电容的容量越大,滤波电路输出电压的纹波就越大。 ( )

10.在变压器副边电压和负载电阻相同的情况下,桥式整流电路的输出电流是半波整流电路输出电流的2倍。因此,它们的整流管的平均电流比值为2:1。 ( )

四.简答题(每题5分)

1.直流稳压电源通常包括哪四个组成部分?

2.串联直流稳压电路通常包括哪几个组成部分?

3.滤波电路的功能是什么?有几种滤波电路?(5分)

4. 下图所示电路给需要+9V 的负载供电,指出图中错误,直接在图中改正错误之处,并说明缘由。

五.综合题(每题10分)

1.如右下图所示电路,稳压管V U Z 6=,mA I Z 5m in =,mA I Z 25max =,Ω=500L R ,Ω=k R 1,二极管为硅管。

(1)计算i U 为25V 时输出电压O U 的值。(5分)

(2)若V U i 40=时负载开路,则会发生什么现象?(5分)

1*.电路如右下图所示稳压管稳压电路中,已知稳压管的稳定电压V U Z 6=,最小稳定电流mA I Z 5m in =,最大稳定电流mA I Z 25max =;负载Ω=600L R 。求解限流电阻R 的取值范围。(10分)

2.串联型稳压电路如图所示。已知V U Z 6=,

mA I Z 10min =,Ω=k R 101,Ω=6002R ,Ω=4003R 。试说明电路中存在几处错误,分别指出,说明原因并改正之。(10分)

3.用集成运算放大器组成的串联型稳压电路如右下图所示,设A 为理想运算放大器,求:

(1)流过稳压管的电流Z I 。(3分)

(2)输出电压O U 。(3分)

(3)调整管消耗的功率。(4分)

4.直流稳压电源如下图所示。

(1)说明电路的整流电路、滤波电路、调整管、基准电压电路、比较放大电路、采样电路等部分各由哪些元件组成?(3分)

(2)标出集成运放的同相输入端和反相输入端。(2分)

(3)求输出电压的取值范围。(5分)

5.直流稳压电源如下图所示。已知变压器副边电压有效值2U 、稳压管的稳定电压Z U 及电阻1R 、

2R 、3R 。

(1)说明电路的整流电路、滤波电路、调整管、基准电压电路、比较放大电路、采样电路等部分各由哪些元件组成。(3分)

(2)画出图中的单相桥式整流电路。(2分)

(3)写出输出电压O U 的最大值和最小值的表达式。(5分)

6.如图电路是将三端集成稳压电源扩大为输出可调的稳压电源,已知Ω=k R 5.21,Ω=k R F 5.9~0。试求输出电压调压的范围。(5分)

7.电路如图所示,已知稳压管的稳定电压V U Z 6=,晶体管的V U BE 7.0=,Ω===300321R R R ,V U I 24=。判断出现下列现象时,分别因为电路产生什么故障(即哪个元件开路或短路)。(每小题2分,共10分)

(1)V U O 24=。 (2)V U O 3.23=。 (3)V U O 12=且不可调。

(4)V U O 6=且不可调。 (5)O U 可调范围变为V 12~6。

8.在如下图所示电路中,已知202=U V ,3.331==R R k Ω,1.52=R k Ω,1000=C μF 。

(1)画出单相桥式整流电路的全图。(2分)

(2)求整流二极管所承受的最大反向电压值。(2分)

(3)求输出电压U o 的范围。(6分)

9.直流电源电路如下图所示,已知V U i 24=,稳压管的稳压值V U Z 3.5=,三极管的V U BE 7.0=,1T 饱和管压降V U CES 21=。

(1)试估算变压器副边电压的有效值2U 。(2分)

(2)若Ω===30043R R R P ,计算O U 的可调范围。(4分)

(3)若可调电阻P R 调至中点时,三极管1T 、2T 的基极电压1B U 、2B U 分别是多少?

10.串联型稳压电路如右下图所示,已知V U i 30=,V U Z 6=,Ω=k R 21,Ω=k R 12,Ω=k R 23,调整管V 的电流放大系数50=β。试求:

(1)输出电压O U 的范围。(4分)

(2)V U O 15=,Ω=150L R 时调整管V 的管耗以及运算放大器的输出电流。(6分)

11.电路如右下图所示,调整管T 的饱和压降V U CES 1=,Ω===200321R R R ,V U Z 5=。试求:

(1)电路中有1个错误的地方,指出并改正之。(2分)

(2)输出电压O U 的调节范围。(5分)

(3)为了使调整管T 正常工作,I U 的值至少应取多少?(3分)

12.基本串联型稳压电路如右下图所示。已知稳压二极管的V V Z 3.5=,21V V 、均为硅管。

(1)三极管1V 在该稳压电路中又叫什么管?(2分)

(1)若电位器P R 的滑动端位于中间,试求静态时A 、B 、C 、D 各点的电位值。(4分)

(2)求该电路输出电压的最大值m ax o U 和最小值m in o U 。(4分)

13.直流稳压电源如右下图所示,已知变压器副边电压有效值V V 202=,稳压管1Z D 的稳定电压

V V Z 61=,2T 、3T 的V U BE 7.0=。

(1)在1D 、4D 和1Z D 的位置画出相应的器件符号,并标出运算放大器A 的同相和反相输入端。(4分)

(2)当电位器p R 在中间位置时,计算A V 、B V 和O V 。(3分)

(3)计算输出电压的调节范围。(3分)

14.某直流稳压电源电路如下图所示。已知稳压管的稳定电压V U Z 6=,Ω===300321R R R ,2U 的有效值是V 20。

(1)在图中标出运算放大器的同相输入端和反相输入端。(2分)

(2)电路正常工作时,I U 为多少?若V U I 18=,则电路可能发生什么故障?(3分)

(3)求输出电压O U 的取值范围。(5分)

15.直流稳压电路如右下图所示,已知稳压管V U Z 6=,V U I 24=,Ω=2003R ,负载电阻Ω=40L R 。

(1)在图中画出运放的同相输入端和反相输入端。(2分)

(2)要求输出电压·O U 变化范围为V 18~12,则1R 、2R 应选多大?(4分)

(3)当输出电压O U 为15V 时,调整管管耗多大?(4分)

16.试把二极管、电容、电阻正确接在变压器副边和负载之间,使之组成一个单相桥式整流带有滤波器的电路。

17.电路如下图所示。已知2U 有效值足够大,合理连线,构成5V 的直流电源电路。

模电实验直流稳压电源设计

北京工商大学 课程设计 《模拟电子技术》课程实验报告集成直流稳压电源的设计 专业:自动113 学号:1104010318 姓名:孟建瑶

集成直流稳压电源的设计 一、实验目的 1. 掌握集成直流稳压电源的实验方法。 2. 掌握用变压器、整流二极管、滤波电容和集成稳压器来设计直流稳压电源的 方法。 3. 掌握直流稳压电源的主要性能指标及参数的测试方法。 4. 为下一个综合实验——语音放大电路提供电源。 二、设计要求及技术指标 1. 设计一个双路直流稳压电源。 2. 输出电压 Uo = ±12V , 最大输出电流 Iomax = 1A 。 3. 输出纹波电压ΔUop-p ≤ 5mV , 稳压系数 S U ≤ 5×10-3 。 4. 选作:加输出限流保护电路。 三、实验原理与分析 直流稳压电源的基本原理 直流稳压电源一般由电源变压器T、整流滤波电路及稳压电路所组成。 基本框图如下。各部分作用: 1.电源变压器T的作用是将220V的交流电压变换成整流滤波电路所需要的交流 电压U i 。变压器副边与原边的功率比为P 2 /P 1 =n,式中n是变压器的效率。 整流 电路 U i U o 滤波 电路 稳压 电路 电源 变压器 ~ 直流稳压电源的原理框图和波形变换

2. 整流电路:整流电路将交流电压U i 变换成脉动的直流电压。再经滤波电路滤除较大的波纹成分,输出波纹较小的直流电压U 1。常用的整流滤波电路有全波整流滤波、桥式整流滤波等。 3. 滤波电路: 各滤波电路C 满足R L -C=(3~5)T/2,式中T 为输入交流信号周期,R L 为整流滤波电路的等效负载电阻。

模拟电子技术基础试卷及答案

模拟电子技术基础试卷及答案 一、填空(18分) 1.二极管最主要的特性是 单向导电性 。 2.如果变压器二次(即副边)电压的有效值为10V ,桥式整流后(不滤波)的输出电压为 9 V ,经过电容滤波后为 12 V ,二极管所承受的最大反向电压为 14 V 。 3.差分放大电路,若两个输入信号u I1u I2,则输出电压,u O 0 ;若u I1=100V ,u I 2 =80V 则差模输入电压u Id = 20 V ;共模输入电压u Ic = 90 V 。 4.在信号处理电路中,当有用信号频率低于10 Hz 时,可选用 低通 滤波器;有用信号频率高于10 kHz 时,可选用 高通 滤波器;希望抑制50 Hz 的交流电源干扰时,可选用 带阻 滤波器;有用信号频率为某一固定频率,可选用 带通 滤波器。 5.若三级放大电路中A u 1A u 230dB ,A u 320dB ,则其总电压增益为 80 dB ,折合为 104 倍。 6.乙类功率放大电路中,功放晶体管静态电流I CQ 0 、静态时的电源功耗P DC = 0 。这类功放的能量转换效率在理想情况下,可达到 78.5% ,但这种功放有 交越 失真。 7.集成三端稳压器CW7915的输出电压为 15 V 。 二、选择正确答案填空(20分) 1.在某放大电路中,测的三极管三个电极的静态电位分别为0 V ,-10 V ,-9.3 V ,则这只三极管是( A )。 A .NPN 型硅管 B.NPN 型锗管 C.PNP 型硅管 D.PNP 型锗管 2.某场效应管的转移特性如图所示,该管为( D )。 A .P 沟道增强型MOS 管 B 、P 沟道结型场效应管 C 、N 沟道增强型MOS 管 D 、N 沟道耗尽型MOS 管 3.通用型集成运放的输入级采用差动放大电路,这是因为它的( C )。 A .输入电阻高 B.输出电阻低 C.共模抑制比大 D.电压放大倍数大 4.在图示电路中,R i 为其输入电阻,R S 为常数,为使下限频率f L 降低,应( D )。 A . 减小C ,减小R i B. 减小C ,增大R i C. 增大C ,减小 R i D. 增大C ,增大 R i 5.如图所示复合管,已知V 1的1 = 30,V 2的2 = 50,则复合后的约为( A )。 A .1500 B.80 C.50 D.30 6.RC 桥式正弦波振荡电路由两部分电路组成,即RC 串并联选频网络和( D )。 A. 基本共射放大电路 B.基本共集放大电路 C.反相比例运算电路 D.同相比例运算电路 7.已知某电路输入电压和输出电压的波形如图所示,该电路可能是( A )。 A.积分运算电路 B.微分运算电路 C.过零比较器 D.滞回比较器 0 i D /mA -4 u GS /V 5 + u O _ u s R B R s +V CC V C + R C R i O t u I t u o 4题图 7题图 V 2 V 1

数电和模电知识点

模电复习资料 第一章半导体二极管 一.半导体的基础知识 1.半导体---导电能力介于导体和绝缘体之间的物质(如硅Si、锗Ge)。 2.特性---光敏、热敏和掺杂特性。 3.本征半导体----纯净的具有单晶体结构的半导体。 4. 两种载流子----带有正、负电荷的可移动的空穴和电子统称为载流子。 5.杂质半导体--在本征半导体中掺入微量杂质形成的半导体。体现的是半导体的掺杂特性。 *P型半导体:在本征半导体中掺入微量的三价元素(多子是空穴,少子是电子)。 *N型半导体: 在本征半导体中掺入微量的五价元素(多子是电子,少子是空穴)。6. 杂质半导体的特性 *载流子的浓度---多子浓度决定于杂质浓度,少子浓度与温度有关。 *体电阻---通常把杂质半导体自身的电阻称为体电阻。 *转型---通过改变掺杂浓度,一种杂质半导体可以改型为另外一种杂质半导体。 7. PN结 * PN结的接触电位差---硅材料约为0.6~0.8V,锗材料约为0.2~0.3V。 * PN结的单向导电性---正偏导通,反偏截止。 8. PN结的伏安特性 二. 半导体二极管 *单向导电性------正向导通,反向截止。 *二极管伏安特性----同PN结。 *正向导通压降------硅管0.6~0.7V,锗管0.2~0.3V。 *死区电压------硅管0.5V,锗管0.1V。 3.分析方法------将二极管断开,分析二极管两端电位的高低: 若 V阳 >V阴( 正偏 ),二极管导通(短路); 若 V阳

2) 等效电路法 直流等效电路法 *总的解题手段----将二极管断开,分析二极管两端电位的高低: 若 V阳 >V阴( 正偏 ),二极管导通(短路); 若 V阳

(完整版)模拟电子基础的复习题及答案

模拟电子技术基础复习题 图 1 图 2 一、填空题 1、现有基本放大电路:①共射放大电路 ④共源放大电路 ②共基放大电路 ③共集放大电路 一般情况下,上述电路中输入电阻最大 的电路是 ③ ,输入电阻最 ,频带最宽 的电路是 ;只能放大电流, 小 的电路是 ②,输出电阻最小 的电路是 ③ ② ;既能放大电流,又能放大电压 的电路是 ① 不能放大电压 的电路是 ③ ;只能放大电压,不能放大电流 的电路是 ② 。 2、如图 1所示电路中,已知晶体管静态时 B- E 间电压为 U ,电流放大系 BEQ 数为β,B- E 间动态电阻为 r 。填空: be V CC U BEQ ( 1)静态时, I 的表达式为 BQ , I 的表达式为 CQ I BQ R B I CQ I BQ ; ,U 的表达式为 CEQ U CEQ V CC I R C CQ R L (2)电压放大倍数 的表达式为 A u ,输入电阻 的表达式为 r be ,输出电阻 的表达式为 R R // r be R R ; 0 C i B (3)若减小 R ,则 I 将 A ,r 将 C ,将 C ,R 将 i C , A B CQ bc u R 将 B 。 o

A.增大 B.不变 C.减小 当输入电压不变时, R 减小到一定程度,输出将产生 B A 失真。 A.饱和 B.截止 3、如图 1所示电路中, (1)若测得输入电压有效值为 10mV ,输出电压有效值为 1.5V ,则其电压放 大倍数 = 150 ;若已知此时信号源电压有效值为 20mV ,信号源内阻 A u 为 1k Ω,则放大电路 的输入电阻 R = 1 。 i (2)若已知电路空载时输出电压有效值为 1V ,带 5 k Ω负载时变为 0.75V , 则放大电路 的输出电阻 Ro (3)若输入信号增大引起电路产生饱和失真,则可采用将 R B Rc 减小 的方法消除失真;若输入信号增大使电路既产生饱和失真又产生 1.67 。 增大或将 截止失真,则只有通过设置合适 的静态工作点 的方法才能消除失真。 4、文氏桥正弦波振荡电路 的“桥”是以 RC 串联支路 、 RC 并联支路 、 电阻 R1 和 R2 各为一臂而组成 的。 5、正弦波振荡电路按选频网络所用元件可分为 变压器反馈式 、电感 三点式 和 电容三点式 三种电路,其中 电容三点式 振荡电路 的振荡频 率最为稳定。 6、为了得到音频信号发生器,应采用 正弦波振荡电路。 7、稳压电源一般由 整流电路 、滤波电路和 稳压电路 三部分电 路组成。 8、在负载电流比较小且其变化也比较小 的时候,应采用 电容 滤波电

模电实验报告之直流稳压电源

《模拟电子技术实验》集成直流稳压电源设计报告 姓名: 指导教师:陆鹏飞 时间:2012-6-27 自然班级:电子1003 (周三晚上7:00-9:00)

集成直流稳压电源设计 一、实验目的 1. 掌握集成直流稳压电源的实验方法。 2. 掌握用变压器、整流二极管、滤波电容和集成稳压器来设计直流 稳压电源的方法。 3. 掌握直流稳压电源的主要性能指标及参数的测试方法。 4. 为下一个综合实验——语音放大电路提供电源。 二、设计要求及技术指标 1. 设计一个双路直流稳压电源。 2. 输出电压Uo = ±12V,最大输出电流Iomax = 1A 。 3. 输出纹波电压ΔUop-p ≤5mV,稳压系数SU ≤5×10-3 。 三、电路框图及原理图 1、原理框图: 2电路框图: 图1

四、设计思想及基本原理分析。 1、设计思想: (1)根据要求选择三端稳压器。 (2)根据三端稳压器对输入电压的要求和桥式整流滤波电路的电压关系,计算出电源变压器副边电压U2的值,再根据输出电流的要求选择电源变压器。 (3)根据桥式整流电路和电网变化情况,计算出二极管的最大反向电压URM 和最大平均整流电流IDmax ,查手册确定整流二极管或整流桥的型号。 (4)根据电路要求和电网变化情况,计算出电容量和耐压值,查手册选定滤波电容的标称值和耐压值。 2、直流稳压电源的基本原理 在电子电路中,通常都需要电压稳定的直流电源供电,小功率稳压电源一般是由电源变压器、整流、滤波和稳压等四部分电路组成。其基本电路框图及经各电路变换后,输出的波形如原理图所示。 (1)电源变压器 电源变压器是将交流电网220V 的电压变成所需要的电压值,并送给整流电路,变压器的变比由变压器的副边电压确定。 (2)整流电路 整流电路常采用二极管单相全波整流电路,电路如图②所示。在U2的正半周内,二极管D1、D2导通,D3、D4截止;U2的负半周内,D3、D4导通,D1、D2截止。正负半周内部都有电流流过的负载电阻RL ,且方向是一致的。电路的输出波形如图③所示 在桥式整流电路中,每个二极管都只在半个周期内导电,所以流过每个二极管的平均电流等于输出电流的平均值的一半。电路中的每只二极管承受的最大反向电压约为反向击穿电压的一半或三分之二(U2是变压器副边电压有效值)。 (3)滤波电路 滤波电路选用一个2200μF 的大容量电解电容C1和一个0.1μF t ?0 ππ2π3π42 2U t ?0 ππ2π3π4o u 22U 图②电路 图③输出波形图

模电知识要点总结_期末复习用_较全面[适合考前时间充分的全面复习]

模电知识要点总结_期末复习用_较全面【适合考前时间充分的全面复习】 第一章半导体二极管 一.半导体的基础知识 1.半导体---导电能力介于导体和绝缘体之间的物质(如硅Si、锗Ge)。 2.特性---光敏、热敏和掺杂特性。 3.本征半导体----纯净的具有单晶体结构的半导体。 4. 两种载流子----带有正、负电荷的可移动的空穴和电子统称为载流子。 5.杂质半导体----在本征半导体中掺入微量杂质形成的半导体。体现的是半导体的掺杂特性。 *P型半导体:在本征半导体中掺入微量的三价元素(多子是空穴,少子是电子)。 *N型半导体: 在本征半导体中掺入微量的五价元素(多子是电子,少子是空穴)。 6. 杂质半导体的特性 *载流子的浓度---多子浓度决定于杂质浓度,少子浓度与温度有关。 *体电阻---通常把杂质半导体自身的电阻称为体电阻。 *转型---通过改变掺杂浓度,一种杂质半导体可以改型为另外一种杂质半导体。 7. PN结 * PN结的接触电位差---硅材料约为0.6~0.8V,锗材料约为0.2~0.3V。 * PN结的单向导电性---正偏导通,反偏截止。 8. PN结的伏安特性 二. 半导体二极管 *单向导电性------正向导通,反向截止。 *二极管伏安特性----同PN结。 *正向导通压降------硅管0.6~0.7V,锗管0.2~0.3V。 *死区电压------硅管0.5V,锗管0.1V。 3.分析方法------将二极管断开,分析二极管两端电位的高低: 若 V阳 >V阴( 正偏 ),二极管导通(短路); 若 V阳

模拟电子基础复习题与答案

模拟电子技术基础复习题 图1 图2 一、填空题 1、现有基本放大电路:①共射放大电路②共基放大电路③共集放大电路 ④共源放大电路 一般情况下,上述电路中输入电阻最大的电路是③,输入电阻最小的电路是②,输出电阻最小的电路是③,频带最宽的电路是②;既能放大电流,又能放大电压的电路是①;只能放大电流,不能放大电压的电路是③;只能放大电压,不能放大电流的电路是②。 2、如图1所示电路中,已知晶体管静态时B-E间电压为U BEQ,电流放大系数为β,B-E间动态电阻为r be。填空: (1)静态时,I BQ的表达式为,I CQ的表达式为;,U CEQ的表达式为 (2)电压放大倍数的表达式为,输入电阻的表达式为,输出电阻的表达式为; (3)若减小R B,则I CQ将 A ,r bc将 C ,将 C ,R i将 C ,R o将 B 。

A.增大 B.不变 C.减小 当输入电压不变时,R B减小到一定程度,输出将产生 A 失真。 A.饱和 B.截止 3、如图1所示电路中, (1)若测得输入电压有效值为10mV,输出电压有效值为1.5V,则其电压放大倍数= 150;若已知此时信号源电压有效值为20mV,信号源内阻为1kΩ,则放大电路的输入电阻R i= 1 。 (2)若已知电路空载时输出电压有效值为1V,带5 kΩ负载时变为0.75V,则放大电路的输出电阻Ro 1.67 。 (3)若输入信号增大引起电路产生饱和失真,则可采用将R B增大或将Rc 减小的方法消除失真;若输入信号增大使电路既产生饱和失真又产生截止失真,则只有通过设置合适的静态工作点的方法才能消除失真。 4、文氏桥正弦波振荡电路的“桥”是以RC串联支路、RC并联支路、 电阻R1 和R2 各为一臂而组成的。 5、正弦波振荡电路按选频网络所用元件可分为变压器反馈式、电感三点式和 电容三点式三种电路,其中电容三点式振荡电路的振荡频率最为稳定。 6、为了得到音频信号发生器,应采用正弦波振荡电路。 7、稳压电源一般由整流电路、滤波电路和稳压电路三部分电路组成。 8、在负载电流比较小且其变化也比较小的时候,应采用电容滤波电

直流稳压电源设计实验报告(模电)

直流稳压电源的设计实验报告 一、实验目的 1.学会选择变压器、整流二极管、滤波电容及集成稳压器来设计直流稳压电源 2.掌握直流稳压电源的调试及主要技术指标的测量方法 二、实验任务 利用7812、7912设计一个输出±12V 、1A 的直流稳压电源; 三、实验要求 1)画出系统电路图,并画出变压器输出、滤波电路输出及稳压输出的电压波形; 2)输入工频220V 交流电的情况下,确定变压器变比; 3)在满载情况下选择滤波电容的大小(取5倍工频半周期); 4)求滤波电路的输出电压; 5)说明三端稳压器输入、输出端电容的作用及选取的容值。 四、实验原理 1.直流电源的基本组成 变压器:将220V 的电网电压转化成所需要的交流电压。 整流电路:利用二极管的单向导电性,将正负交替的交流电压变换成单一方向的直流脉动电压。 滤波电路:将脉动电压中的文波成分滤掉,使输出为比较平滑的直流电压。 稳压电路:使输出的电压保持稳定。 4.2 变压模块 变压器:将220V 的电网电压转化成所需要的交流电压。 4.2 整流桥模块 整流电路的任务是将交流电变换为直流电。完成这一任务主要是靠二极管的单向导电作用,因此二极管是构成整流电路的关键元件。管D 1~D 4接成电桥的形式,故有桥式整流电路之称。 由上面的电路图,可以得出输出电压平均值:2)(9.0U U AV o ≈ ,由此可以得V U 152=即可 即变压器副边电压的有效值为15V 计算匝数比为 220/15=15 2.器件选择的一般原则 选择整流器 流过二极管的的平均电流: I D =1/2 I L 在此实验设计中I L 的大小大约为1A 反向电压的最大值:Urm=2U 2 选择二极管时为了安全起见,选择二极管的最大整流电路I DF 应大于流过二极

模电模拟试卷及答案

模拟电子技术基础试卷及答案 一、填空(18分) 1.二极管最主要的特性是 单向导电性 。 3.差分放大电路中,若u I1=100μV ,u I 2=80μV 则差模输入电压u Id = 20μV ;共模输入电压u Ic = 90 μV 。 4.在信号处理电路中,当有用信号频率低于10 Hz 时,可选用 低通 滤波器;有用信号频率高于10 kHz 时,可选用 高通 滤波器;希望抑制50 Hz 的交流电源干扰时,可选用 带阻 滤波器;有用信号频率为某一固定频率,可选用 带通 滤波器。 6.乙类功率放大电路中,功放晶体管静态电流I CQ 0 、静态时的电源功耗P DC = 0 。这类功放的能量转换效率在理想情况下,可达到 78.5% ,但这种功放有 交越 失真。 二、选择正确答案填空(20分) 1.在某放大电路中,测的三极管三个电极的静态电位分别为0 V ,-10 V ,-9.3 V ,则这只三极管是( A )。 A .NPN 型硅管 B.NPN 型锗管 C.PNP 型硅管 D.PNP 型锗管 2.某场效应管的转移特性如图所示,该管为( D )。 A .P 沟道增强型MOS 管 B 、P 沟道结型场效应管 C 、N 沟道增强型MOS 管 D 、N 沟道耗尽型MOS 管 3.通用型集成运放的输入级采用差动放大电路,这是因为它的( C )。 A .输入电阻高 B.输出电阻低 C.共模抑制比大 D.电压放大倍数大 6.RC 桥式正弦波振荡电路由两部分电路组成,即RC 串并联选频网络和( D )。 A. 基本共射放大电路 B.基本共集放大电路 C.反相比例运算电路 D.同相比例运算电路 7.已知某电路输入电压和输出电压的波形如图所示,该电路可能是( A )。 A.积分运算电路 B.微分运算电路 C.过零比较器 D.滞回比较器 8.与甲类功率放大方式相比,乙类互补对称功放的主要优点是( C )。 a .不用输出变压器 b .不用输出端大电容 c .效率高 d .无交越失真 9.稳压二极管稳压时,其工作在( C ),发光二极管发光时,其工作在( A )。 a .正向导通区 b .反向截止区 c .反向击穿区 三、放大电路如下图所示,已知:V CC 12V ,R S 10k Ω,R B1 120k Ω, R B2 39k Ω,R C 3.9k Ω,R E 2.1k Ω,R L 3.9k Ω,r bb’ Ω,电流放大系数β 50,电路 中电容容量足够大,要求: 0 i D /mA -4 u GS /V 5 + u O _ u s R B R s +V CC V C + R C R i O t u I t u o 4题图 7题图

(完整版)模拟电子技术基础-知识点总结

模拟电子技术复习资料总结 第一章半导体二极管 一.半导体的基础知识 1.半导体---导电能力介于导体和绝缘体之间的物质(如硅Si、锗Ge)。 2.特性---光敏、热敏和掺杂特性。 3.本征半导体----纯净的具有单晶体结构的半导体。 4. 两种载流子 ----带有正、负电荷的可移动的空穴和电子统称为载流子。 5.杂质半导体----在本征半导体中掺入微量杂质形成的半导体。体现的是半导体的掺杂特性。 *P型半导体: 在本征半导体中掺入微量的三价元素(多子是空穴,少子是电子)。 *N型半导体: 在本征半导体中掺入微量的五价元素(多子是电子,少子是空穴)。 6. 杂质半导体的特性 *载流子的浓度---多子浓度决定于杂质浓度,少子浓度与温度有关。 *体电阻---通常把杂质半导体自身的电阻称为体电阻。 *转型---通过改变掺杂浓度,一种杂质半导体可以改型为另外一种杂质半导体。 7. PN结 * PN结的接触电位差---硅材料约为0.6~0.8V,锗材料约为0.2~0.3V。 * PN结的单向导电性---正偏导通,反偏截止。 8. PN结的伏安特性 二. 半导体二极管 *单向导电性------正向导通,反向截止。 *二极管伏安特性----同PN结。 *正向导通压降------硅管0.6~0.7V,锗管0.2~0.3V。 *死区电压------硅管0.5V,锗管0.1V。 3.分析方法------将二极管断开,分析二极管两端电位的高低: 若 V 阳 >V 阴 ( 正偏 ),二极管导通(短路); 若 V 阳

模电复习资料(判断和填空有答案)

判断题 第一章 半导体1、少数载流子是电子的半导体称为P型半导体。(对) 二极管 1、由PN结构成的半导体二极管具有的主要特性是单向导电性。(对) 2、普通二极管反向击穿后立即损坏,因为击穿是不可逆的。(错) 3、晶体二极管击穿后立即烧毁。(错) 三极管 1、双极型晶体三极管工作于放大模式的外部条件是发射结正偏,集电结也正偏。(错) 2、三极管输出特性曲线可以分为三个区,即恒流区,放大区,截止区. (错) … 3、三极管处于截止状态时,发射结正偏。(错) 4、晶体三极管的发射区和集电区是由同一类半导体(P型或N型)构成的,所以极e和c极可以互换使用。(错) 5、当集电极电流值大于集电极最大允许电流时,晶体三极管一定损坏。(错) 6、晶体三极管的电流放大系数β随温度的变化而变化,温度升高,β减少。(错) 场效应管 1、场效应管的漏极特性曲线可分成三个区域:可变电阻区、截止区和饱和区。(错) 第二章 1、技术指标放大电路的输出信号产生非线性失真是由于电路中晶体管的非线性引起的,对 2、基本放大电路在基本放大电路中,若静态工作点选择过高,容易出现饱和失真。(对) 3、放大电路的三种组态 / 射极跟随器电压放大倍数恒大于1,而接近于1。(错) 三种基本放大电路中输入电阻最大的是射极输出器。(对) 射极跟随器电压放大倍数恒大于1,而接近于1。(错) 射极输出器不具有电压放大作用。(对) 4、多级放大电路 直流放大器是放大直流信号的,它不能放大交流信号。(错) 直流放大器只能放大直流信号。(错) 现测得两个共射放大电路空载时的放大倍数都是-100,将它们连成两级放大电路,其电压放大倍数为10000。(错)多级放大器的通频带比组成它的各级放大器的通频带窄,级数愈少,通频带愈窄。(错)。 多级放大器总的电压放大倍数是各级放大倍数的和。(错) ~ 多级阻容耦合放大器的通频带比组成它的单级放大器的通频带宽。(错) 第四章 在三种功率放大电路中,效率最高是的甲类功放。(对) 第五章 从信号的传输途径看,集成运放由输入级,输出级,偏置电路这几个部分组成。(错) 差分放大器的基本特点是放大共模信号、抑制差模信号。(错) 放大器级间耦合方式有三种:阻容耦合;变压器耦合;直接耦合;在集成电路中通常采用阻容耦合。(错)

第十章 直流电源答案

科目:模拟电子技术 题型:填空题 章节:第十章 直流电源 难度:全部 ----------------------------------------------------------------------- 1. 稳压电路的主要作用是 稳定输出电压 。 2. 在直流电源中,在变压器副边电压相同的条件下,若希望二极管承受的反向电压较小,而输出直流电压较高,则应采用 倍压 整流电路。 3. 在直流电源中,负载电流若为200mA ,则宜采用 电容 滤波电路。 4. 在负载电流较小的电子设备中,为了得到稳定的但不需要调节的直流输出电压,则可采用 硅稳压或硅二极管 稳压电路或集成稳压电路。 5. 为了适应电网电压和负载电流变化较大的情况,且要求输出电压可以调节,则可采用 串联 晶体管稳压电路或可调的集成稳压器电路。 6. 在电容滤波和电感滤波二者之中, 电感 滤波选用大电流负载。 7. 在电容滤波和电感滤波二者之中, 电容 滤波的直流输出电压高。 8. 具有放大环节的串联型稳压电路在正常工作时,调整管处于 放大 工作状态。 9. 具有放大环节的串联型稳压电路在正常工作时,若要求输出电压为18V ,调整管压降为6V ,整流电路采用电容滤波,则电源变压器次级电压有效值应为 20 V 。 10. 单相桥式整流电路,变压器的副边电压是U 2,则输出电压的平均值 U 0 = 0.9 U 2 。 11. 单相桥式整流电路,变压器的副边电压是U 2,加入电容滤波器后,则输出电压的平均值 U 0 = 1.2U 2 。 12. 小功率直流电源一般由电源变压器、 整流 、滤波、稳压四部分组成。 13. 直流电源能将电量变为直流电量,实质上是一种 能量 转换电路。 14. 单相半波整流电路和桥式整流电路相比,在变压器次级电压相同条件下, 桥式整流 电路的输出电压平均值高了一倍。 15. 若变压器次级电压有效值为U 2,每个整流管的反向峰值电压记作U RM ,则半波整流电路的U RM = 22U 。 16. 若变压器次级电压有效值为U 2,每个整流管的反向峰值电压记作U RM ,则桥式整流电路的U RM = 22U 。 17. 串联反馈式稳定压电路主要包括 调整电路 、取样电路、比较放大和基准电路四个部分。 18. 串联反馈式稳定压电路主要包括调整电路、 取样电路 、比较放大和基准电路四个部分。 19. 串联反馈式稳定压电路主要包括调整电路、取样电路、 比较放大 和基准电路四个部分。 20. 串联反馈式稳定压电路中,取样电路一般由电阻接成 串联 形式来实现。 题型:选择题 章节:第十章 直流电源 难度:全部 ----------------------------------------------------------------------- 1. 在单相桥式整流电路中,若有一只整流管接反,则 B 。

模电直流稳压电源课程设计(模电课设

一、设计题目: 直流稳压电源 二、设计要求: 输出电压可以在3—10V连续调节,稳压电源可采用串联型稳压电路或三端稳压电路设计。

目录 一、设计题目-----------------------------1 二、设计要求-----------------------------1 三、原理与分析 --------------------------3 四、具体实现---------------------------8 五、各部分定性说明以及定量分析--------10 六、设计心得体会----------------------13 七、参考文献---------------------------15

三、原理与分析 1.直流稳压电源的基本原理 直流稳压电源一般由直流电源变压器T、整流滤波电路及稳压电路所组成,基本框图如下。各部分的作用: 图1 示意图 (1)电源变压器T的作用是将电网220V的交流电压变换成整流滤波电路所需要的交流电压Ui。变压器副边与原边的功率比为 P2/ P1=η,式中η是变压器的效率。 (2)整流滤波电路:整流电路将交流电压Ui变换成脉动的直流电压。再经滤波电路滤除较大的纹波成分,输出纹波较小的直流电压U1。常用的整流滤波电路有全波整流滤波、桥式整流滤波等。图2:

各滤波电容C满足RL-C=(3~5)T/2,或中T为输入交流信号周期,RL为整流滤波电路的等效负载电阻。 图3

(3)三端集成稳压器:常用的集成稳压器有固定式三端稳压器与可调式三端稳压器。常用可调式正压集成稳压器有CW317(LM317)系列,它们的输出电压从1.25V-37伏可调,最简的电路外接元件只需一个固定电阻和一只电位器。其芯片内有过渡、过热和安全工作区保护,最大输出电流为1.5A。其典型电路如图2,其中电阻R1与电位器R2组成输出电压调节器,输出电压Uo的表达式为: Uo=1.25(1+R2/R1) 式中R1一般取120-240欧姆,输出端与调整端的压差为稳压器的基准电压(典型值为1.25V)。图4 2.稳压电流的性能指标及测试方法 稳压电源的技术指标分为两种:一种是特性指标,包括允许输入电压、输出电压、输出电流及输出电压调节范围等;另一种是质

模拟电路期末试卷及答案

《模拟电子技术基础(1)》期末试题 (A 卷)参考答案及评分标准 一、填空(每空1分,共20分) 1. 双极型晶体管工作在放大区的偏置条件是发射结 正偏 、集电结 反偏 。 2. 放大器级间耦合方式有三种: 直接 耦合; 阻容 耦合; 变压器 耦合;在集成电路中通常采用 直接 耦合。 3. 差分放大器的基本特点是放大 差模信号 、抑制 共模信号 。 4. 乙类推挽放大器的主要失真是 交越失真 ,要消除此失真,应改用 甲乙 类推挽放大器。 5. 图1所示两级放大电路,图中级间采用 阻容 耦合方式,1T 接成 共基 组态,2T 接成 共集 组态,1R 和2R 的作用是 为T1管提供基极偏置 。 6. 在阻容耦合放大器中,若要降低下限频率,应将耦合电容的值 增大 。 7. 共射-共基组合电路中,由于共射电路的上限频率 小于 共基电路的上限频率,故此组合电路的上限频率主要取决于 共射 电路。 8. 负反馈系统产生自激的条件是1)(-=ωj T ,相应的振幅条件是1)(=ωj T ,相位条件是()πω?±=T 。

二、简答(共3小题,每小题5分,共15分) 1. 测得工作在放大电路中两个晶体管的三个电极电流如图2所示 (1)判断它们各是NPN 管还是PNP 管,在图中标出e ,b ,c 极; 答:见图中标识(判断NPN 管还是PNP 管各1分,标出e ,b ,c 极1分, 共3分) (2)估算(b)图晶体管的β和α值。 601 .06 === B C I I β, 985.01≈+= ββα (各1分,共2分)

2.电路如图3所示,试回答下列问题 (1)要使电路具有稳定的输出电压和高的输入电阻,应接入何种负反馈? R f 应如何接入?(在图中连接) 答:应接入电压串联负反馈(1分) R接法如图(1分) f (2)根据前一问的反馈组态确定运放输入端的极性(在图中“□”处标出),并根据已给定的电路输入端极性在图中各“○”处标注极性。 答:见图中标识(3分)(共6空,两个1分) 3.简述直流电源的主要组成部分及各部分功能。 答:直流电源主要由整流电路、滤波滤波、稳压电路组成,其中整流电路的作用是将交流电压转换为直流电压,滤波电路的作用是减小电压的脉动,稳压电路的作用是使输出直流电压基本不受电网电压波动和负载电阻变化的影响,从而获得足够高的稳定性。(组成部分3分,功能2分)

模电知识点归纳2(完全版).

第一章常用半导体器件 1. 什么是杂质半导体?有哪 2种杂质半导体? 2. 什么是 N 型杂质半导体?在 N 型半导体中, 掺入高浓度的三价硼元素是否可以改型为 P 型半导体? 3. 什么是 P 型杂质半导体?在 P 型半导体中, 掺入高浓度的五价磷元素是否可以改型为 N 型半导体? 4. 什么是 PN 结? PN 结具有什么样的导电性能? 5. 二极管的结构?画出二极管的电路符号,二极管具有什么样的导电性能? 6. 理想二极管的特点? 7. 什么是稳压管?电路符号?正向导通, 反向截止, 反向击穿分别具有什么样的特点?稳定电压 Uz 指的是什么?稳定电流 Iz 和最大稳定电流分别指的什么? 8. 二极管的主要应用电路有那些?掌握二极管的开关电路,限幅电路和整流电路的分析。 (1二极管的开关电路, D 为理想二极管,求 U AO

(2二极管的限幅电路

D 为理想二极管时的输出波形 D 为恒压降模型时的输出波形 (3二极管的单相半波整流电路,求负载上输出电压的平均值(即所含的直流电压 (4二极管单相桥式全波整流电路,求负载上输出电压的平均值(即所含的直流电压

如果图中四个二极管全 部反过来接, 求负载上 输出电压的平均值? (5二极管的单相全波整流电容滤波电路,定性画出负载上的输出电压的波形

求负载上输出电压的平均值(即所含的直流电压 (6二极管的单相全波整流电容滤波电路,定性画出负载上的输出电压的波形

求负载上输出电压的平均值(即所含的直流电压 9. 什么是晶体管?它的结构和电路符号? (见教材 P29页 , 晶体管是一种电流控制器件, 用来表示晶体管的电流控制能力的一个参数是什么?工作在电流放大状态下的电流控制方程是什么? 10.晶体管有哪三种工作状态?如果已知β=50, I CS =3mA, U CES =0.3V 则以下晶体管分别工作在什么状态? I C 为多大? 第二章基本放大电路 1. 利用晶体管的电流放大作用, 可以组成哪三种基本放大电路?如何判断放大电路的接法

(完整版)模电复习答案

基本概念复习 第一章 电路基本元件 一、判断下列说法是否正确,用“√”和“×”表示判断结果填入空内。 (1)在N 型半导体中如果掺入足够量的三价元素,可将其改型为P 型半导体。( ) (2)因为N 型半导体的多子是自由电子,所以它带负电。( ) (3)PN 结在无光照、无外加电压时,结电流为零。( ) (4)处于放大状态的晶体管,集电极电流是多子漂移运动形成的。 ( ) (5)结型场效应管外加的栅-源电压应使栅-源间的耗尽层承受反向电压,才能保证其R GS 大的特点。( ) (6)若耗尽型N 沟道MOS 管的U GS 大于零,则其输入电阻会明显变小。( ) 解:(1)√ (2)× (3)√ (4)× (5)√ (6)× 二、选择正确答案填入空内。 (1)PN 结加正向电压时,空间电荷区将 。 A. 变窄 B. 基本不变 C. 变宽 (2)设二极管的端电压为U ,则二极管的电流方程是 。 A. I S e U B. T U U I e S C. )1e (S -T U U I (3)稳压管的稳压区是其工作在 。 A. 正向导通 B.反向截止 C.反向击穿 (4)当晶体管工作在放大区时,发射结电压和集电结电压应为 。 A. 前者反偏、后者也反偏 B. 前者正偏、后者反偏 C. 前者正偏、后者也正偏 (5)U GS =0V 时,能够工作在恒流区的场效应管有 。 A. 结型管 B. 增强型MOS 管 C. 耗尽型MOS 管 (6)在某放大电路中,测的三极管三个电极的静态电位分别为0 V ,-10 V ,-9.3 V , 则这只三极管是 。 A .NPN 型硅管 B .NPN 型锗管 C .PNP 型硅管 D .PNP 型锗管 解:(1)A (2)C (3)C (4)B (5)A C (6)A 第二章 基本放大电路 一、在括号内用“ ”或“×”表明下列说法是否正确。 (1)只有电路既放大电流又放大电压,才称其有放大作用;( ) (2)可以说任何放大电路都有功率放大作用;( )

直流稳压电源模电设计报告

电子设计实验报告 系别:直流稳压电源 班级:13电气2 学号: : 指导老师:

2013.05 目录 一指标要求………………………………………………………………….P3 二电路方案………………………………………………………………….P3 三设计方法…………………………………………………………………P5 四制作与调试过程…………………………………………………………P6 五数据分析………………………………………………………………….P8 六总结…………………………………………………………………….…P9 一、指标要求基本容:设计一款直流电源。 基本要求:短路保护,电压可调。若用集成电路制作,要求具有扩流电路。 基本指标:输出电压调节围:-1----+6V(或-1----+9V)必须保护负压 最大输出电流:在0.3A-1.5A区间选一个值来设计; 输出电阻Ro:小于1欧姆。 其他:纹波系数越小越好(3%Vo),电网电压允许波动围+/ -10%。

二、电路方案(给出方案图,最好是基于设计方法或者原理的设计框图) 1.直流稳压电源设计思路 图5.2所示为LM317的典型应用电路。 图中R1、R2构成取样电阻;C2用于滤除 R2两端的纹波,使之不能经放大后从输出 端输出。VD2是保护二极管,一旦输入或 输出发生短路故障,由VD2给C2提供泄放 回路,避免C2经过LM317部放电而损坏芯片。C1的作用是防止输出端产生自激振荡,VD1起输入端短路保护作用。 2 器件选取 5.2

1 输入: 不接变压器,选择+15V和-5V的电源输入,负压部分由接入的-5V电压代替作用,效果类似。 2整流滤波: 整流二极管1N4007从D1至D4组成桥式整流电路,再经2200uF电容滤波,输出电压。 3可调稳压电路: 选可调式三端稳压器LM317,输入电压最大值,40V; 输出电压,1.2~37V;输出电流最大值(m A):根据型号后缀不同,有100、500、1500;输入偏置电流典型值,3.5 m A;选4.7k电位器与LM317实现电压可调; 4选PNP型TIP127三极管进行扩流。 5 电位器RP1的选择: 由Uo=1.25(1+RP1/R1),取R1=240,则RP1min=336,RP1max=1.49k。所以选RP1为4.7k可调电位器。 6、负载: 外接电阻负载,进行调试和测得各参数值。

模拟电路考试题及答案【精】

自测题一 一、判断题 1.因为P型半导体的多数载流子是空穴,所以它带正电。(F) 2.在N型半导体中如果掺入足够量的三价元素,可将其改型为P型半导体。(T) 3.处于放大状态的三极管,集电极电流是多数载流子漂移所形成的。(F) 二、单选题 1.半导体中的少数载流子产生的原因是(D)。 A.外电场B.内电场C.掺杂D.热激发2.用万用表测二极管的正、反向电阻来判断二极管的好坏,好的管子应为(C)。 A.正、反向电阻相等B.正向电阻大,反向电阻小 C.反向电阻比正向电阻大很多倍D.正、反向电阻都等于无穷大 3.二极管的伏安特性曲线的正向部分在环境温度升高时将(B)。(X 轴为电压) A.右移B.左移C.上移D.下移 4.当外加偏置电压不变时,若工作温度升高,二极管的正向导通电流将(A)。 A.增大B.减小C.不变D.不确定 5.三极管β值是反映(B )能力的参数。(三极管可改为电流控制电流源) A.电压控制电压B.电流控制电流C.电压控制电流D.电流控制电压 6.温度升高时,三极管的β值将(A )。 A.增大B.减少C.不变D.不能确定 7.下列选项中,不属三极管的参数是(B )。 A.电流放大系数B.最大整流电流 C.集电极最大允许电流D.集电极最大允许耗散功率 8.某放大电路中三极管的三个管脚的电位分别为V U6 1 =,V U4.5 2 =,V U12 3 =,则对应该管的管脚排列依次是(B)。 A.e, b, c B.b, e, c C.b, c, e D.c, b, e 9.晶体三极管的反向电流是由(B)运动形成的。 A.多数载流子B.少数载流子 C.扩散D.少数载流子和多数载流子共同 10.三极管工作在放大区,三个电极的电位分别是6V、12V和6.7V,则此三极管是(D)。(发正偏集反偏) A.PNP型硅管B.PNP型锗管C.NPN型锗管D.NPN型硅管 11.场效应管起放大作用时应工作在漏极特性的(B)。 A.非饱和区B.饱和区C.截止区D.击穿区12.增强型绝缘栅场效应管,当栅极g与源极s之间电压为零时(B)。 A.能够形成导电沟道B.不能形成导电沟道 C.漏极电流不为零D.漏极电压为零 三、填空题 1.在杂质半导体中,多数载流子的浓度主要取决于掺杂浓度。 2.少数载流子在内电场力作用下有规则的运动称为漂移。 3.PN结正偏导通,反偏截止,称为PN结的单向导电性性能。 4.PN结加正向电压时,空间电荷区将变窄。 5.PN结正向偏置时,PN结的内电场被削弱。 6.三极管最重要的特性是电流放大作用。 7.温度升高时,晶体管的反向饱和电流将增大。 8.场效应晶体管属于电压控制器件。 精选文档

模电知识点归纳2(完全版).docx

第一章常用半导体器件 1 .什么是杂质半导体?有哪 2 种杂质半导体? 2 .什么是 N 型杂质半导体?在N 型半导体中,掺入高浓度的三价硼元素是否可以改型为 P型半导体? 3 .什么是 P 型杂质半导体?在P 型半导体中,掺入高浓度的五价磷元素是否可以改型为N 型半导体? 4 .什么是 PN 结? PN 结具有什么样的导电性能? 5 .二极管的结构?画出二极管的电路符号,二极管具有什么样的导电性能? 6 .理想二极管的特点? 7 .什么是稳压管?电路符号?正向导通,反向截止,反向击穿分别具有什么样的特点?稳 定电压 Uz 指的是什么?稳定电流Iz 和最大稳定电流分别指的什么? 8 .二极管的主要应用电路有那些?掌握二极管的开关电路,限幅电路和整流电路的分析。 (1 )二极管的开关电路, D 为理想二极管,求U AO (2 )二极管的限幅电路

D 为理想二极管时的输出波形 D 为恒压降模型时的输出波形(3 )二极管的单相半波整流电路,求负载上输出电压的平均值(即所含的直流电压)

(4 )二极管单相桥式全波整流电路,求负载上输出电压的平均值(即所含的直流电压) 如果图中四个二极管全 部反过来接,求负载上输 出电压的平均值? (5)二极管的单相全波整流电容滤波电路,定性画出负载上的输出电压的波 形求负载上输出电压的平均值(即所含的直流电压)

(6)二极管的单相全波整流电容滤波电路,定性画出负载上的输出电压的波 形求负载上输出电压的平均值(即所含的直流电压) 9 .什么是晶体管?它的结构和电路符号?(见教材P29 页),晶体管是一种电流控制器件, 用来表示晶体管的电流控制能力的一个参数是什么?工作在电流放大状态下的电流控 制方程是什么?

相关文档
最新文档