华桥大学微电子器件与电路实验实验报告(IC2019)实验2

微电子器件与电路实验(集成)实验报告
姓名学号实验时间2019.04 实验操作实验成绩教师签字
实验名称实验二集成二极管电学特性分析
实验设备(1)计算机 (2)操作系统：Centos
(3)软件平台：Cadence Virtuoso (4)工艺模型TSMC RF0.18um
实验目的1.掌握变量扫描分析、OP分析、DC Sweep下分析器件电学模型参数
2.掌握二极管电流和结面积和结周长关系，加深对集成二极管电学特性的理解
3.掌握二极管CV特性的测试方法
4.掌握单边突变结二极管掺杂浓度测量方法
实验要求
1. 实验前按要求阅读器件说明文档，阅读实验操作文档，熟悉实验过程及操作步骤
2. 实验过程中按实验报告要求操作、仿真、记录数据(波形)
3. 实验结果经指导老师检查、验收，经允许后方可关机，离开实验室
3、实验后按要求处理数据和波形，回答问题。

实验报告打印后，于下次实验时间缴交。

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实验内容：
实验2.1 集成二极管电流随结面积变化特性(变量分析)【20%】
对给定的二极管固定二极管的L，然后对二极管结W进行变量分析，测得二极管电流和结面积之间的关系曲线，通过曲线斜率估计二极管电流和结面积是否满足线性关系，回答思考题1 实验2.2 集成二极管电流随结周长变化特性(OP分析)【20%】
使用不同结周长的二极管单元并联成结面积相同的二极管器件，测得相同偏置条件下的二极管电流，通过对比不同二极管电流之间的差异，确定二极管电流和结周长的关系，回答思考题2 实验2.3 集成二极管CV特性测试(DC分析下器件电学模型参数分析)【30%】
对给定结面积的二极管进行DC分析，分析二极管结电容和反偏电压之间的关系，测得CV特性曲线。

并根据《微电子器件与电路》所学知识，回答思考题3、4、5。

实验2.4 集成二极管内建电势差及掺杂浓度测量【30%】
测试不同结电压下单边突变结二极管的单位结面积电容，根据单边突变结1/C2关系曲线特点计算得到二极管的掺杂浓度和内建电势差。

华侨大学信息科学与工程学院电子工程系。