【CN110164958A】一种非对称型的可重构场效应晶体管【专利】

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场效应晶体管的制造方法[发明专利]

专利名称：场效应晶体管的制造方法
专利类型：发明专利
发明人：赤松泰彦,武井应树,清田淳也,石桥晓,汤川富之,小林大士,仓田敬臣,新井真
申请号：CN200980137848.6
申请日：20090817
公开号：CN102165569A
公开日：
20110824
专利内容由知识产权出版社提供
摘要：本发明提供一种场效应晶体管的制造方法，其无需进行高温退火处理也能提高晶体管特性。

采用溅射法用100℃以上的成膜温度形成构成活性层的In-Ga-Zn-O薄膜。

再用300℃的温度在大气中进行退火处理。

实施退火处理的目的是提高刚刚形成的活性层的晶体管特性。

与未经加热而形成的In-Ga-Zn-O薄膜相比，一边加热基材一边采用溅射法而形成的In-Ga-Zn-O薄膜的内应变或缺陷较少。

因此，与未经加热而形成的In-Ga-Zn-O薄膜相比，将经加热而形成的相同材料薄膜作为活性层时可提高退火效果。

因而本发明可通过低温退火处理形成具有优异晶体管特性的活性层。

申请人：株式会社爱发科
地址：日本神奈川县
国籍：JP
代理机构：北京华夏正合知识产权代理事务所(普通合伙)
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场效应晶体管[实用新型专利]

专利名称：场效应晶体管
专利类型：实用新型专利
发明人：马中发,庄弈琪,张策,吴勇,张鹏,凌宇申请号：CN201120485465.2
申请日：20111129
公开号：CN202662609U
公开日：
20130109
专利内容由知识产权出版社提供
摘要：一种场效应晶体管，包括栅区、源区、漏区、沟道区和衬底，源区和漏区位于沟道区的两侧，栅区位于沟道区的上方和下方，源区和漏区以及栅区设置在所述衬底上。

上述场效应晶体管本通过设置在沟道区上方和下方的栅区，采用双栅层，提高了沟道载流子的迁移率，提高了场效应晶体管的性能。

申请人：西安电子科技大学
地址：710071 陕西省西安市太白南路二号西安电子科技大学
国籍：CN
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一种场效应晶体管结构及其制作方法[发明专利]

专利名称：一种场效应晶体管结构及其制作方法专利类型：发明专利
发明人：周宏伟,阮孟波,吴宗宪,孙晓儒
申请号：CN201210333874.X
申请日：20120911
公开号：CN103681779A
公开日：
20140326
专利内容由知识产权出版社提供
摘要：本发明揭示了一种场效应晶体管的外延结构，它包括：N+衬底、形成在衬底上的N外延层、形成在N外延层中并且填充有P外延层的倾斜沟槽、形成在P外延层中的P阱、形成在P阱中的N源区；以及形成在P沟槽以外区域的N外延层上的多晶硅栅极。

其中，N外延层的掺杂浓度从N衬底向着远离衬底的方向是缓变的。

本发明的场效应晶体管的外延结构击穿电压较高而导通电阻同时较小。

申请人：无锡华润上华半导体有限公司
地址：214028 江苏省无锡市国家高新技术产业开发区汉江路5号
国籍：CN
代理机构：中国专利代理(香港)有限公司
代理人：李家麟
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一种有机场效应晶体管及其制备方法[发明专利]

专利名称：一种有机场效应晶体管及其制备方法专利类型：发明专利
发明人：李杰,于军胜,施薇,祁一歌
申请号：CN201310548762.0
申请日：20131107
公开号：CN103594624A
公开日：
20140219
专利内容由知识产权出版社提供
摘要：本发明公开了一种有机场效应晶体管及其制备方法，其结构包括衬底，栅电极，栅极绝缘层，有机半导体层，源电极和漏电极，所述有机半导体层加入有0.1%～1%的紫外敏感胶形成紫外敏感胶-有机半导体材料复合层。

本发明解决了可溶性有机半导体材料成膜过程中晶粒大小难于精确控制的问题，达到了原位控制晶粒或多个晶粒聚集而成的岛状结构大小的目的，同时提高了有机场效应晶体管的空气稳定性，得到了高性能的有机场效应晶体管。

申请人：电子科技大学
地址：611731 四川省成都市高新区(西区)西源大道2006号
国籍：CN
代理机构：成都华典专利事务所(普通合伙)
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(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 (43)申请公布日 (21)申请号 201910337000.3
(22)申请日 2019.04.25
(71)申请人华东师范大学
地址 200241 上海市闵行区东川路500号
申请人上海华力微电子有限公司
(72)发明人李相龙　孙亚宾　李小进　石艳玲　
王昌锋　廖端泉　田明　曹永峰　
(74)专利代理机构上海蓝迪专利商标事务所
(普通合伙) 31215
代理人徐筱梅　张翔
(51)Int.Cl.
H01L 29/08(2006.01)
H01L 29/06(2006.01)
H01L 29/47(2006.01)
H01L 29/739(2006.01)
H01L 51/05(2006.01)H01L 51/10(2006.01)B82Y 40/00(2011.01)
(54)发明名称一种非对称型的可重构场效应晶体管(57)摘要本发明公开了一种非对称型的可重构场效应晶体管，该晶体管包括沟道、设置在沟道一端的漏极和沟道另一端并向沟道内部延伸的源极、设置在沟道外侧的栅极氧化物、分别设置在源极和漏极端且栅极氧化物外侧的控制栅极和极性栅极、分别设置于沟道两端外侧、用于控制栅极、极性栅极和源极、漏极电学隔离的边墙以及设置于栅极氧化物外侧、用于隔离控制栅极与极性栅极的栅极隔离。

本发明向沟道中延伸的源端与纳米线沟道的接触面积更大，提高了载流子的隧穿面积，增大开启电流。

在关断时，漏极结构与一般性RFET漏极结构非交叠区域相同，泄漏电流基本保持不变，因此提升了电流开关比，在保证静态功耗不变的情况下，缩短逻辑门电流的运算延迟
时间。

权利要求书1页说明书4页附图6页CN 110164958 A 2019.08.23
C N 110164958
A
权　利　要　求　书1/1页CN 110164958 A
1.一种非对称型的可重构场效应晶体管，其特征在于，该晶体管包括沟道（1）、设置在沟道（1）一端的漏极（4）和沟道（1）另一端并向沟道（1）内部延伸的源极（3）、设置在沟道（1）外侧的栅极氧化物（2）、分别设置在源极（3）和漏极（4）端且栅极氧化物（2）外侧的控制栅极（5）和极性栅极（6）、分别设置于沟道（1）两端外侧、用于控制栅极（5）、极性栅极（6）和源极（3）、漏极（4）电学隔离的边墙（7）以及设置于栅极氧化物（2）外侧、用于隔离控制栅极（5）与极性栅极（6）的栅极隔离（8），其中：
所述沟道（1）为硅纳米线、锗纳米线、锗硅纳米线、砷化镓纳米线、氮化镓纳米线、磷化铟纳米线或碳纳米管；
所述栅极氧化物（2）为淀积包裹在沟道（1）外侧的二氧化硅、二氧化铪或氮氧化硅；
所述漏极（4）或向沟道（1）内部延伸的源极（3）为淀积在沟道（1）两端或内部的钛硅化物、镍硅化物、钴硅化物、氮化钛、氮化钽或几种组合；
所述控制栅极（5）和极性栅极（6）为淀积在沟道两端且栅极氧化物（2）外侧经光刻、刻蚀后形成的铝、铜、多晶硅或氮化钛；
所述边墙（7）为淀积在沟道（1）两端外侧、控制栅极（5）与极性栅极（6）一端的二氧化硅、氮化硅、氮氧化硅、磷硅玻璃或硼磷硅玻璃；
所述栅极隔离（8）为淀积在栅极氧化物（2）外侧、控制栅极（5）与极性栅极（6）之间的二氧化硅、氮化硅、氮氧化硅、二氧化铪、磷硅玻璃或硼磷硅玻璃。

2.根据权利要求1所述非对称型的可重构场效应晶体管，其特征在于，所述向沟道（1）内部延伸的源极（3）延伸的长度小于沟道（1）的长度，且源极（3）延伸的直径小于或等于沟道（1）的直径；所述栅极隔离（8）的高度小于或等于控制栅极（5）和极性栅极（6）的高度。

2。