什么是结型场效应管
结型场效应管p沟道的工作原理
结型场效应管p沟道的工作原理
摘要:
1.结型场效应管的简介
2.结型场效应管p 沟道的工作原理
3.结型场效应管p 沟道的应用
4.结型场效应管p 沟道的优缺点
正文:
结型场效应管是一种半导体器件,它利用多数载流子导电,故又称单极型半导体器件。
由于它仅有一个电极(基极),所以称为结型场效应管(junction,fet)。
场效应管的结构包括源极、漏极和栅极三部分。
源极是工作电流的来源;漏级为输入端;栅级为输出端,栅压的大小取决于输入电压的大小,通常由外加电压控制其通断状态。
结型场效应管p 沟道的工作原理主要是通过空穴的移动形成电流。
在p 沟道中,空穴是多数载流子,当栅极施加正向电压时,空穴被吸引到栅极附近,形成导电通道。
此时,源极的空穴流向漏极,形成电流。
当栅极电压为负时,空穴被排斥,导电通道消失,电流停止流动。
结型场效应管p 沟道广泛应用于放大电路、开关电路和振荡电路等。
例如,在放大电路中,结型场效应管可以作为放大元件,将输入信号的幅度放大;在开关电路中,结型场效应管可以作为开关元件,实现电路的通断;在振荡电路中,结型场效应管可以作为振荡元件,产生稳定的振荡信号。
结型场效应管(JFET)的结构和工作原理
结型场效应管(JFET)的结构和工作原理1. JFET的结构和符号N沟道JFET P沟道JFET2. 工作原理(以N沟道JFET为例)N沟道JFET工作时,必须在栅极和源极之间加一个负电压——V GS< 0,在D-S间加一个正电压——V DS>0.栅极—沟道间的PN结反偏,栅极电流i G≈0,栅极输入电阻很高(高达107Ω以上)。
N沟道中的多子(电子)由S向D运动,形成漏极电流i D。
i D的大小取决于V DS的大小和沟道电阻。
改变V GS可改变沟道电阻,从而改变i D。
主要讨论V GS对i D的控制作用以及V DS对i D的影响。
①栅源电压V GS对i D的控制作用当V GS<0时,PN结反偏,耗尽层变宽,沟道变窄,沟道电阻变大,I D减小;V GS更负时,沟道更窄,I D更小;直至沟道被耗尽层全部覆盖,沟道被夹断,I D≈0。
这时所对应的栅源电压V GS称为夹断电压V P。
②漏源电压V DS对i D的影响在栅源间加电压V GS< 0 ,漏源间加正电压V DS > 0。
则因漏端耗尽层所受的反偏电压为V GD=V GS-V DS,比源端耗尽层所受的反偏电压V GS大,(如:V GS=-2V, V DS =3V, V P=-9V,则漏端耗尽层受反偏电压为V GD=-5V,源端耗尽层受反偏电压为-2V),使靠近漏端的耗尽层比源端宽,沟道比源端窄,故V DS对沟道的影响是不均匀的,使沟道呈楔形。
当V DS增加到使V GD=V GS-V DS =V P时,耗尽层在漏端靠拢,称为预夹断。
当V DS继续增加时,预夹断点下移,夹断区向源极方向延伸。
由于夹断处电阻很大,使V DS主要降落在该区,产生强电场力把未夹断区的载流子都拉至漏极,形成漏极电流I D。
预夹断后I D基本不随V DS增大而变化。
①V GS对沟道的控制作用当V GS<0时,PN结反偏→耗尽层加厚→沟道变窄。
V GS继续减小,沟道继续变窄。
结型场效应管
P
O
VGS /V
若| VUS | 阻挡层宽度 耗尽层中负离子数
因VGS不变(G极正电荷量不变) 表面层中电子数 ID
根据衬底电压对ID的控制作用,又称U极为背栅极。
P沟道EMOS管
+VDS -
S +VGS- G
D
U
N+
P+
P+
D ID
U G
N
S
N沟道EMOS管与P沟道EMOS管工作原理相似。 不同之处:电路符号中的箭头方向相反。
VDS /V
转移特性曲线中,ID =0 时对应的VGS值,即开启电 压VGS(th) 。
衬底效应
集成电路中,许多MOS管做在同一衬底上,为保证U与S、D
之间PN结反偏,衬底应接电路最低电位(N沟道)或最高电
位(P沟道)。
- VD+S
U -VU+S S -VG+S G
D
P+
N+
N+
ID/mA VUS = 0
3.1 MOS场效应管
MOSFET
增强型(EMOS) N沟道(NMOS) P沟道(PMOS) N沟道(NMOS)
耗尽型(DMOS) P沟道(PMOS)
N沟道MOS管与P沟道MOS管工作原理相似,不 同之处仅在于它们形成电流的载流子性质不同,因 此导致加在各极上的电压极性相反。
3.1.1 增强型MOS场效应管
➢ NEMOS管输出特性曲线
非饱和区
ID/mA
沟道预夹断前对应的工作区。
VDS = VGS –VGS(th)
条件: VGS > VGS(th) V DS < VGS–VGS(th)
结型场效应管及其放大电路
-
UGG +
ID
D
+
G -P
N
P UDS
UGS
+
S
-
+ UDD
-
二、结型场效应管
1)UGS对导电沟道的影响
( 1 ) 当 UGS = 0 时 , 场 效 应 管 两 侧 的 PN 结均处于零偏置, 形成两个耗尽层,如 图(a)所示。此 时耗尽层最薄,导 电沟道最宽,沟道 电阻最小。
二、结型场效应管
二、结型场效应管
3)UDS和UGS 共同作用的情况:
设漏源间加有电压UDS: 当UGS变化时,电流ID将随沟道电阻的变化而变化。
(1)当UGS=0时,沟道电阻最小,电流ID最大。
(2)当|UGS|值增大时,耗尽层变宽,沟道变窄, 沟道电阻变大,电流ID减小, 直至沟道被耗尽层夹断,ID=0。
( 3 ) 当 0<UGS<UGS(off) 时 , 电流ID在 零和最 大值之间 变化。改变栅源电压UGS的 大小,能引起管内耗尽层 宽度的变化,从而控制了 电流ID的 大小 。 场效应管 和三极管一样,可看作是 受控电流源,但它是一种 电压控制的电流源。
(2)恒流区(或线性放大区)。图 3.29中间部分是恒流区,在此区域ID不 随UDS的增加而增加,而是随着UGS的 增大而增大,输出特性曲线近似平行
于UDS轴,ID受UGS的控制,表现出
ID /
可
mA
预夹断轨迹
变
电 5阻
4区
恒流区
3
UGS= 0 -1 V
2
-2 V
1
- 3 .4V
0
10
20
夹断区
UDS / V
一、场效应管概述
2、符号:
结型场效应管
晶体管工作在放大区时,输入回路 PN 结正偏,输入阻抗小, 且是一个电流控制的有源器件。
场效应管也是一种具有 PN 结的正向受控作用的有源器件, 它是利用电场效应来控制输出电流的大小,其输入端 PN 结一 般工作于反偏状态或绝缘状态。输入电阻很高。
场效应管根据结型场效应管 (JFET) 输入阻抗
沟道电阻 ID基本不变
4.1结型 场效应管
综上分析可知
• 沟道中只有一种类型的多数载流子参与导电, 所以场效应管也称为单极型三极管。
• JFET栅极与沟道间的PN结是反向偏置的,因 此iG0,输入电阻很高。 • JFET是电压控制电流器件,iD受vGS控制 • 预夹断前iD与vDS呈近似线性关系;预夹断后, iD趋于饱和。 P沟道JFET工作时,其电源极性与N沟道JFET 的电源极性相反。
4.1结型 场效应管
二、 JFET的特性曲线及参数
iD f ( vGS ) vD Sconst.
1. 转移特性
VP
vGS 2 iD I DSS (1 ) VP
(VP vGS 0)
2. 输出特性
iD f ( vDS ) vGSconst.
4.1结型 场效应管
输出特性
输出特性曲线表达以UGS为参变 量时iD与uDS的关系。根据特性曲线 的各部分特征,分为四个区域: 1)饱和区 饱和区区相当于双极型晶体管
的放大区。其主要特征为: uGS对iD的控制能力很强 ,uDS的变化对iD影响很小。 2)可变电阻区 与双极型晶体管不同,在JFET中,栅源电压uGS对iD上升的斜 率影响较大,随着|UGS|增大,曲线斜率变小,说明JFET的输出电 阻变大。 3) 截止区 当|UGS|>|UP|时,沟道被全部夹断,iD=0,故此区为截止区。
mosfet 与 jfet 的工作原理及应用场合
MOSFET 与 JFET 的工作原理及应用场合一、引言在现代电子领域中,场效应晶体管(F ET)是一种重要的半导体器件,具有优越的性能和广泛的应用。
其中,金属氧化物半导体场效应管(M OS FE T)和结型场效应管(J FE T)是两种常见的FE T。
本文将介绍M O SF ET和J FE T的工作原理及其在不同应用场合的应用。
二、M O S F E T(金属氧化物半导体场效应管)M O SF ET是由一层金属氧化物绝缘层隔离门极和半导体基片的晶体管。
其工作原理如下:1.栅极电压变化:当栅极电压变化时,M O SF ET内部的电场分布发生变化,进而改变了通道中的载流子浓度。
2.载流子控制:当正向偏置栅极,使得栅极与源极之间形成正向偏压时,可以控制通道中的正负载流子的浓度。
M O SF ET在数字电路、模拟电路和功率放大器等方面有着广泛的应用:-逻辑门电路:M OS FE T可用于构建与门、或门、非门等逻辑门电路。
-放大器电路:M OS FE T可以实现低噪声、高增益的放大器电路,常用于音频放大器等领域。
-电源开关:由于MOS F ET具有低导通电阻和高关断电阻的特点,适用于电源开关电路,如开关稳压器。
三、J F E T(结型场效应管)J F ET是由P型或N型半导体材料形成的通道,两侧有控制端和漏源端的晶体管。
其工作原理如下:1.控制电压:当控制端电压变化时,通过改变通道中的空间电荷区宽度,从而改变了导电性能。
2.漏源电压:调整漏源间的电压,使其达到最大或最小值,以控制导电。
J F ET在放大器、开关和稳流源等方面具有广泛的应用:-放大器电路:J FE T具有高输入阻抗和低输出阻抗的特点,适用于低频放大器、微弱信号放大器等。
-开关电路:JF ET由于其控制电压变化范围大,可用于开关电路中的信号开关。
-稳流源:通过合理选择JF ET工作状态和参数,可以将其应用于稳流源电路,如电流源。
四、M O S F E T与J F E T的优缺点对比-M OS FE T的优点:1.噪声低:MO SF ET具有较低的输入噪声。
结型场效应管p沟道的工作原理
结型场效应管p沟道的工作原理结型场效应管(p沟道)是一种常见的电子器件,具有重要的工作原理和应用。
在本文中,我们将详细讨论结型场效应管(p沟道)的工作原理,并探索其在电子领域的广泛应用。
1. 介绍和背景知识结型场效应管(p沟道)是一种半导体器件,由掺杂有正电荷的p型材料和负电荷的n型材料组成。
它属于一类双极性器件,既可以用作放大器,也可以用作开关。
2. 结型场效应管(p沟道)的结构结型场效应管(p沟道)的结构包括栅极、漏极和源极。
栅极与漏极之间通过氧化层隔开,形成一个电容。
当施加在栅极和源极之间的电压改变时,场效应管的导电性也会发生变化。
3. 工作原理在结型场效应管(p沟道)正常工作时,当施加一个正电压到栅极上时,栅极与源极之间的电势差增大。
这将产生一个电场,使得p型材料中的电子被吸引到栅极接近的地方,从而形成一个导电通道。
这个导电通道使得电流能够流经源极和漏极之间。
4. 控制电流结型场效应管(p沟道)的工作原理是通过改变栅极与源极之间的电压来控制漏极和源极之间的电流。
当栅极和源极之间的电压较低时,导电通道的电阻较高,电流几乎不会流过。
然而,当栅极和源极之间的电压增加时,电阻减小,电流开始流过。
5. 优点和应用结型场效应管(p沟道)具有许多优点。
它具有高输入阻抗和低输出阻抗,能够在低功率条件下工作,从而减少能量消耗。
它还具有较小的尺寸和重量,适合集成电路的应用。
结型场效应管(p沟道)在电子领域有广泛的应用。
它可以用作放大器,将小信号放大到较大的信号,用于音频放大器和无线电传输。
它还可以用作数字开关,将输入信号转换为高电平和低电平,用于计算机和通信系统。
总结与回顾:结型场效应管(p沟道)是一种常见的电子器件,其工作原理基于通过改变栅极与源极之间的电压来控制电流。
它具有高输入阻抗、低输出阻抗和能耗低的特点,适用于放大器和开关应用。
这种器件在音频放大器、无线电传输、计算机和通信系统等领域得到广泛应用。
常用场效应管的种类与识别
常用场效应管的种类与识别一、什么是场效应管场效应晶体管(Field Effect Transistor,FET)简称场效应管。
这种晶体管由多数载流子参与导电,也称为单极型晶体管,它属于电压控制型半导体元件。
具有输入阻抗高、噪声小、功耗低、动态范围大、易于集成、没有二次击穿现象、安全工作区域宽等优点。
场效应管分结型、绝缘栅型两大类。
结型场效应管(JFET)因有两个PN结而得名;绝缘栅型场效应管(JGFET)则因栅极(闸极)与其他电极完全绝缘而得名。
按沟道半导体材料的不同,场效应管又分为N沟道和P沟道两种。
P沟道场效应管的工作原理与N沟道场效应管完全相同,只不过导电的载流子不同,供电电压极性不同而已,这如同三极管有NPN型和PNP型一样。
同普通三极管一样,场效应管也有三个引脚,分别是门极(又称栅极)、源极、漏极3个端子。
场效应管可看做一只普通三极管,栅极(闸极)G对应基极B,漏极D对应集电极C,源极S对应发射极E(N沟道对应NPN型晶体管,P沟道对应PNP晶体管)。
二、常用场效应管的种类与识别目前应用最为广泛的是绝缘栅型场效应管,简称MOS管或简称MOSFET(Met al Oxide Semiconductor FET,即金属-氧化物-半导体场效应管),这里就侧重介绍绝缘栅型场效应管的相关知识与测量方法。
1、常用场效应管的种类(1)小功率场效应管常用的小功率场效应管主要有TO-92封装和SOT-23、SOT-223等封装形式。
采用TO-92封装的场效应管型号常用的有2N7002、BSP254、BS170、1N60等。
这种场效应管主要用在放大、电子开关电路中。
TO-92封装场效应管的实物如图1所示。
图1 TO-92封装场效应管采用SOT-23封装的有代码为K1N、K72、K7A、K7B的2N7002(N沟道)、代码为335的FDN335N(N沟道)、NDS356AP(P沟道)等型号。
这种场效应管主要用在放大、电子开关电路中。
什么是结型场效应管
什么是结型场效应管场效应管是通过改变外加电压产生的电场强度来控制其导电能力的半导体器件。
它不仅具有双极型三极管的体积小,重量轻,耗电少,寿命长等优点,而且还具有输入电阻高,热稳定性好,抗辐射能力强,噪声低,制造工艺简单,便于集成等特点•因而,在大规模及超大规模集成电路中得到了广泛的应用•根据结构和工作原理不同,场效应管可分为两大类:结型场效应管(JFET)和绝缘栅型场效应管(IGFET)。
在两个高掺杂的P区中间,夹着一层低掺杂的N区(N区一般做得很薄),形成了两个PN结。
在N 区的两端各做一个欧姆接触电极,在两个P区上也做上欧姆电极,并把这两个P区连起来,就构成了一个场效应管。
从N型区引出的两个电极分别为源极S和漏极D,从两个P区引出的电极叫栅极G,很薄的N区称为导电沟道。
结型场效应管分类:N沟道和P沟道两种。
如下图所示为N沟道管的结构和符号。
结型场效应管的结构和符号如右图所示为N沟道结型场效应管的结构示意图。
N沟道结型场效应管正常工作时,在漏-源之间加正向电压%,形成漏极电流。
卒<0,耗尽层承受反向电压,既保证栅-源之间内阻很高,又实现%对沟道电流的控制。
★=0时,% 对导电沟道的控制作用,如下图所示。
♦"二.1 =0时,“二=0,耗尽层很窄,导电沟道很宽。
他)结初N沟道管FW道管(b)«号♦"U I增大时,耗尽层加宽,沟道变窄,沟道电阻增大。
♦"U I增大到某一数值时,耗尽层闭合,沟道消失,沟道电阻趋于无穷大,称此时"上的值为夹断电压■■1J1。
励尸0时Lte时导电沟道的控制作用★叫芒为%如~0中某一固定值时,仏对漏极电流5的影响▲氏=0,由%所确定的一定宽的导电沟道,但由于d-s间电压为零,多子不会产生定向移动,山=0。
▲^氏>0,有电流从漏极流向源极,从而使沟道各点与栅极间的电压不再相等,沿沟道从源极到漏极逐渐增大,造成靠近漏极一边的耗尽层比靠近源极一边的宽。
三极管_与结型场效应管__概述及解释说明
三极管与结型场效应管概述及解释说明1. 引言1.1 概述三极管和结型场效应管是现代电子技术中最常用的两种电子元件。
它们在电子设备中扮演着重要的角色,起到放大、开关和调节电流等功能。
本文将对三极管和结型场效应管进行概述,并比较它们之间的区别和应用范围。
1.2 文章结构本文共分为五个部分:引言、三极管的概述、结型场效应管的概述、三极管与结型场效应管之间的比较以及结论和总结。
在接下来的内容中,我们将详细介绍这些内容以帮助读者更好地理解三极管和结型场效应管。
1.3 目的本文旨在全面介绍三极管和结型场效应管的原理、特点和应用,并通过比较它们之间的差异来帮助读者了解如何选择合适的元件来满足特定的需求。
此外,本文还会展望未来这两种元件在电子领域中可能存在的发展趋势和研究方向。
通过阅读本文,读者将能够对三极管和结型场效应管有更深入的认识,以在实际应用中做出明智的选择和决策。
2. 三极管的概述:2.1 原理及特点:三极管是一种电子器件,由PNP或NPN型晶体管构成。
它的基本原理是通过不同控制信号的变化来改变电流和电压的放大作用。
三极管具有增益高、工作稳定等特点,被广泛应用于放大、开关以及时钟电路等领域。
2.2 三极管的分类:根据结构和工作原理,三极管可分为常规PNP和NPN型三极管、功率三极管以及场效应晶体管。
常规PNP和NPN型三极管中,PNP型在基区加正电压时控制主流进入集电区,而NPN型则是通过负电压控制主流。
功率三极管通常用于高频放大器、发射机及功率放大器等需要处理较大功率信号的场合。
场效应晶体管是另一类重要的三极管类型, 它根据结构和工作原理分为增强型场效应晶体管(n-channel MOSFET)和耗尽型场效应晶体管(p-channel MOSFET)两种。
2.3 三极管的应用:由于其高度可控性和放大能力,在电子领域中广泛应用。
三极管可作为放大器使用,将弱信号放大到足够的大小以便驱动其他元件。
此外,它们还常用于开关电路中,通过控制输入信号来控制输出电流的通断。
结型场效应管
4.2 MOSFET
பைடு நூலகம்
4.2 金属-氧化物-半导体场效应管
一、增强型MOSFET
二、耗尽型MOSFET 三、各种类型MOS管的符号及特性对比
4.2 MOSFET
一、增强型MOSFET
1. N沟道增强型MOSFET结构与工作原理
(1)结构:
N沟道增强型MOS场效应管的结构示意图及符号
4.2 MOSFET
4.2 MOSFET
1. N沟道增强型MOSFET结构与工作原理
(2)工作原理:
(a)uGS >UT 出现N型沟道
(b)uDS较小时 iD迅速增大
(c )uDS较大出现时
iD趋于饱和
uDS增大时增强型MOS管沟道的变化过程
在正的漏极电源uDS作用下,将有iD产生。把在uDS作用下 开始导电的uGS叫做开启电压UT。
4.2 MOSFET
2.各种类型MOS管特性对比
4.2 MOSFET
2.各种类型MOS管特性对比
4.2 MOSFET
2.各种类型MOS管特性对比
(a)转移特性
(b)输出特性
放大区。其主要特征为: uGS对iD的控制能力很强 ,uDS的变化对iD影响很小。 2)可变电阻区 与双极型晶体管不同,在JFET中,栅源电压uGS对iD上升的斜 率影响较大,随着|UGS|增大,曲线斜率变小,说明JFET的输出电 阻变大。 3) 截止区 当|UGS|>|UP|时,沟道被全部夹断,iD=0,故此区为截止区。
结型场效应管
结型场效应管场效应管场效应管(FjeldEffect Transistor简称FET )是利用电场效应来控制半导体中电流的一种半导体器件,故因此而得名。
场效应管是一种电压控制器件,只依靠一种载流子参与导电,故又称为单极型晶体管。
与双极型晶体三极管相比,它具有输入阻抗高、噪声低、热稳定性好、抗辐射能力强、功耗小、制造工艺简单和便于集成化等优点。
场效应管有两大类,结型场效应管JFET和绝缘栅型场效应管IGFET,后者性能更为优越,发展迅速,应用广泛。
图Z0121 为场效应管的类型及图形、符号。
一、结构与分类图Z0122为N沟道结型场效应管结构示意图和它的图形、符号。
它是在同一块N型硅片的两侧分别制作掺杂浓度较高的P型区(用P+表示),形成两个对称的PN结,将两个P区的引出线连在一起作为一个电极,称为栅极(g),在N型硅片两端各引出一个电极,分别称为源极(s)和漏极(d)。
在形成PN结过程中,由于P+区是重掺杂区,所以N一区侧的空间电荷层宽度远大二、工作原理N沟道和P沟道结型场效应管的工作原理完全相同,只是偏置电压的极性和载流子的类型不同而已。
下面以N沟道结型场效应管为例来分析其工作原理。
电路如图Z0123所示。
由于栅源间加反向电压,所以两侧PN结均处于反向偏置,栅源电流几乎为零。
漏源之间加正向电压使N型半导体中的多数载流子-电子由源极出发,经过沟道到达漏极形成漏极电流I D。
1.栅源电压U GS对导电沟道的影响(设U DS=0)在图Z0123所示电路中,U GS<0,两个PN结处于反向偏置,耗尽层有一定宽度,I D=0。
若|U GS| 增大,耗尽层变宽,沟道被压缩,截面积减小,沟道电阻增大;若|U GS| 减小,耗尽层变窄,沟道变宽,电阻减小。
这表明U GS控制着漏源之间的导电沟道。
当U GS负值增加到某一数值V P时,两边耗尽层合拢,整个沟道被耗尽层完全夹断。
(V P称为夹断电压)此时,漏源之间的电阻趋于无穷大。
mos管基础知识
MOS管的基础知识什么是场效应管呢?场效应管式是利用输入回路的电场效应来控制输出回路电流的一种半导体器件,并以此命名。
由于它是靠半导体中的多数载流子导电,又称单极性晶体管。
它区别晶体管,晶体管是利用基极的小电流可以控制大的集电极电流。
又称双极性晶体管。
一,MOS管的种类,符号。
1JFET结型场效应管----利用PN结反向电压对耗尽层厚度的控制来改变导电沟道的宽度,从而控制漏极电流的大小。
结型场效应管一般是耗尽型的。
耗尽型的特点:a,PN结反向电压,这个怎么理解,就是栅极G,到漏极D和源极s有个PN结,b,未加栅压的时候,器件已经导通。
要施加一定的负压才能使器件关闭。
C,从原理上讲,漏极D和源极S不区分,即漏极也可作源极,源极也可以做漏极。
漏源之间有导通电阻。
2IGFET绝缘栅极场效应管----利用栅源电压的大小来改变半导体表面感生电荷的多少,从而控制漏极电流的大小。
增强型效应管特点:A,栅极和源极电压为0时,漏极电流为0的管子是增强型的。
B,栅源电压,这个之间是个绝缘层,绝缘栅型一般用的是SIO绝缘层。
2耗尽型绝缘栅场效应晶体管的性能特点是:当栅极电压U。
=0时有一定的漏极电流。
对于N沟道耗尽型绝缘栅场效应晶体管,漏极加正电压,栅极电压从0逐渐上升时漏极电流逐渐增大,栅极电压从0逐渐下降时漏极电流逐渐减小直至截止。
对于P沟道耗尽型绝缘栅场效应晶体管,漏极加负电压,栅极电压从0逐渐下降时漏极电流逐渐增大,栅极电压从0逐渐上升时漏极电流逐渐减小直至截止。
1,按功率分类:A,小信号管,一般指的是耗尽型场效应管。
主要用于信号电路的控制。
B,功率管,一般指的是增强型的场效应管,只要在电力开关电路,驱动电路等。
2,按结构分类:增强型,耗尽型结型场效应管:N沟道结型场效应管 P沟道结型场效应管(一般是耗尽型)绝缘栅型场效应管:N沟道增强型,P沟道增强型,N沟道耗尽型,P沟道耗尽型。
二,用数字万用表测量MOS管的方法用数字万用表判断MOS的管脚定义。
mos场效应管和结型场效应管
mos场效应管和结型场效应管说到MOS场效应管和结型场效应管,哎呀,可能大部分人第一反应是:这是什么鬼?看不懂!其实呢,别怕,这东西听起来挺复杂,但真要说起来,就是电子世界里的“开关”,或者你也可以理解为“控制器”。
这俩管子其实做的事差不多,就是调控电流的流动,但是它们的原理、做法可不一样。
今天我们就好好聊聊它们的不同之处,咱们也不说得太死板,大家随便聊聊,轻松点。
先说说MOS场效应管,简称MOSFET。
这玩意儿基本上就是电路里的“流量控制器”。
它怎么工作呢?你可以想象成,MOS管就像一个水龙头,水龙头的开关控制了水流量,MOS管则是控制电流的“开关”。
它的工作方式是靠“电压”来控制的。
什么是电压?简单来说,就是电流的“推动力”,电压高了,电流就“跑”得快;电压低了,电流就“慢吞吞”。
你说它是不是像水龙头?关键是,MOS管不需要和电流直接接触,它靠着控制“电场”来完成任务,没那么直接。
所以你可以把它看成是个“无线操控”的开关。
是不是感觉有点神奇?有点像是“遥控器”,不过它的信号是电场而不是红外线。
讲到这里,你可能会问,MOS管和结型场效应管有啥区别呢?其实也不难理解,结型场效应管,简称JFET,和MOS管比起来,它的工作原理就要“原始”一些。
你可以把它想象成一个“老派开关”,没有那么多花里胡哨的控制方式。
它的“开”关方式是直接靠电流来调节的,感觉就像是你拧开了家里的灯泡开关,电流直接流通,它的控制就是这么直接明了。
你可以理解为“手动开关”嘛,没那么多遥控器的高科技,简单又直接。
反正它是通过控制“结”上的电流来调节的,而这个“结”就是JFET里面的半导体区域。
它的工作原理比MOS管简单,但也有它的好处。
比如说,JFET在高频应用中表现得特别好,像是电路中那些对速度要求比较高的地方,JFET可能更靠谱。
不过别小看这些器件,它们之间的差异其实很大!MOS管的结构要比JFET复杂,通常有源区、漏极区、源极区和栅极区等部件,跟我们平常家里的电器一样,设计要细致、要讲究。
结型场效应管及其放大电路 ppt课件
(5)MOS器件各引脚的焊接顺序是漏极、源极、栅极。拆机时顺序相反。 (6)电路板在装机之前,要用接地的线夹子去碰一下机器的各接线端子, 再把电路板接上去。
1
- 3 .4V
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0
10
20
夹断区
UDS1/8V
( 1 ) 可 变 电 阻 区 。 当 UGS 不 变 , UDS由零逐渐增加且较小时,ID随UDS 的增加而线性上升,场效应管导电沟 道畅通。漏源之间可视为一个线性电 阻RDS,这个电阻在UDS较小时,主要 由UGS决定,所以此时沟道电阻值近似 不变。而对于不同的栅源电压UGS,则 有不同的电阻值RDS,故称为可变电阻 区。
道最宽;靠近漏极端的电位
最高,且与栅极电位差最大,
因而耗尽层最宽,沟道最窄。
由图可知,UDS的主要作用
是形成漏极电流ID。
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二、结型场效应管
3)UDS和UGS 共同作用的情况:
设漏源间加有电压UDS: 当UGS变化时,电流ID将随沟道电阻的变化而变化。 (1)当UGS=0时,沟道电阻最小,电流ID最大。
① 输出特性 iD f (v ) DS vGSconst. ②转移特性 iD f (v ) GS vDS const.
iD
IDSS (1
vGS )2 VP
(VP vGS 0)
夹断区
VP
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二、结型场效应管
5.场效应管的主要参数
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结型场效应管外加的栅源电压应使栅源之间的耗尽层-概述说明以及解释
结型场效应管外加的栅源电压应使栅源之间的耗尽层-概述说明以及解释1.引言1.1 概述概述部分的内容可以简要介绍结型场效应管的基本概念和在电子电路中的重要性。
下面是一种可能的写作方式:结型场效应管(JFET)是一种重要的半导体器件,在现代电子电路中广泛应用。
它由一个pn 结组成,具有三个电极:栅(G),漏(D)和源(S)。
栅电极通过一层绝缘层(一般为二氧化硅)与pn 结隔离。
与其他场效应管相比,结型场效应管具有低噪声、高输入阻抗和低失真等特点,因此被广泛应用于放大器、开关和功率控制等电路中。
在结型场效应管中,栅源电压(VGS)是一个关键参数,它决定了管子的工作状态和特性。
当栅源电压为零或负值时,栅结区处于耗尽层状态,此时管子处于关闭状态;而当栅源电压为正值时,栅结区处于放电层状态,导致电流从漏极流向源极,此时管子处于导通状态。
因此,栅源电压的选择对于结型场效应管的工作性能和特性具有重要影响。
本文将重点探讨栅源电压应使栅源之间的耗尽层的作用。
通过分析栅源电压对结型场效应管的影响,我们可以深入理解耗尽层的形成机制以及其在管子导通和关闭过程中的作用。
进一步研究栅源电压的重要性,有助于优化结型场效应管的设计和性能。
接下来的章节将分别介绍结型场效应管的基本原理、栅源电压对其性能的影响,以及栅源电压应使栅源之间的耗尽层的解释。
最后,我们将总结结型场效应管的栅源电压的重要性,并提供一些建议来优化设计和应用实践。
1.2 文章结构本文将分为引言、正文和结论三个主要部分来探讨结型场效应管外加的栅源电压应使栅源之间的耗尽层的问题。
在引言部分,我们将对结型场效应管的基本原理进行概述,并明确文章的目的。
引言的核心内容将包括对结型场效应管的基本概念进行介绍,以及结型场效应管在电子设备中的应用重要性的阐述。
同时,还将说明本文的结构,以便读者能够清晰地了解整个论文的框架。
正文部分将详细探讨栅源电压对结型场效应管的影响及其应使栅源之间的耗尽层的解释。
结型场效应管(JFET)的结构和工作原理
结型场效应管(JFET)的结构和工作原理1. JFET的结构和符号N沟道JFET P沟道JFET2. 工作原理(以N沟道JFET为例)N沟道JFET工作时,必须在栅极和源极之间加一个负电压——V GS< 0,在D-S间加一个正电压——V DS>0.栅极—沟道间的PN结反偏,栅极电流i G≈0,栅极输入电阻很高(高达107Ω以上)。
N沟道中的多子(电子)由S向D运动,形成漏极电流i D。
i D的大小取决于V DS的大小和沟道电阻。
改变V GS可改变沟道电阻,从而改变i D。
主要讨论V GS对i D的控制作用以及V DS对i D的影响。
①栅源电压V GS对i D的控制作用当V GS<0时,PN结反偏,耗尽层变宽,沟道变窄,沟道电阻变大,I D减小;V GS更负时,沟道更窄,I D更小;直至沟道被耗尽层全部覆盖,沟道被夹断,I D≈0。
这时所对应的栅源电压V GS称为夹断电压V P。
②漏源电压V DS对i D的影响在栅源间加电压V GS< 0 ,漏源间加正电压V DS > 0。
则因漏端耗尽层所受的反偏电压为V GD=V GS-V DS,比源端耗尽层所受的反偏电压V GS大,(如:V GS=-2V, V DS =3V, V P=-9V,则漏端耗尽层受反偏电压为V GD=-5V,源端耗尽层受反偏电压为-2V),使靠近漏端的耗尽层比源端宽,沟道比源端窄,故V DS对沟道的影响是不均匀的,使沟道呈楔形。
当V DS增加到使V GD=V GS-V DS =V P时,耗尽层在漏端靠拢,称为预夹断。
当V DS继续增加时,预夹断点下移,夹断区向源极方向延伸。
由于夹断处电阻很大,使V DS主要降落在该区,产生强电场力把未夹断区的载流子都拉至漏极,形成漏极电流I D。
预夹断后I D基本不随V DS增大而变化。
①V GS对沟道的控制作用当V GS<0时,PN结反偏→耗尽层加厚→沟道变窄。
V GS继续减小,沟道继续变窄。
结型场效应管的工作原理
结型场效应管的工作原理
结型场效应管的工作原理是通过改变栅极电压来控制源极到漏极的电流流动。
该管的结构包括源极、漏极和栅极,其中栅极之间的硅层中夹有p型或n型层。
当栅极电压为零时,源极和漏极之间形成一个p-n结,阻止电
流的流动。
当栅极电压上升时,通过栅极和硅层之间的电场,可形成一个导电通道,允许电流从源极到漏极流动。
具体来说,当栅极电压为零时,栅极下的p-n结处于正向偏置,形成一个正向耗尽层,从而阻碍电荷载流子的流动。
而当栅极电压升高时,负电荷积聚在栅极和硅层之间,并通过电场效应吸引正电荷载流子(如电子)向栅极方向移动,从而导致p-n结处的正向耗尽层变窄。
随着栅极电压的进一步升高,正向耗尽层将会完全消失,形成连续的导电通道,电流从源极到漏极流动,并且电流的大小与栅极电压成正比。
因此,通过控制栅极电压,可以精确地控制结型场效应管的源极到漏极的电流流动,从而实现信号放大、开关和调制等不同的电路应用。
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什么是结型场效应管场效应管是通过改变外加电压产生的电场强度来控制其导电能力的半导体器件。
它不仅具有双极型三极管的体积小,重量轻,耗电少,寿命长等优点,而且还具有输入电阻高,热稳定性好,抗辐射能力强,噪声低,制造工艺简单,便于集成等特点.因而,在大规模及超大规模集成电路中得到了广泛的应用.根据结构和工作原理不同,场效应管可分为两大类: 结型场效应管(JFET)和绝缘栅型场效应管(IGFET)。
在两个高掺杂的P区中间,夹着一层低掺杂的N区(N区一般做得很薄),形成了两个PN结。
在N区的两端各做一个欧姆接触电极,在两个P区上也做上欧姆电极,并把这两个P 区连起来,就构成了一个场效应管。
从N型区引出的两个电极分别为源极S和漏极D,从两个P区引出的电极叫栅极G,很薄的N区称为导电沟道。
结型场效应管分类:N沟道和P沟道两种。
如下图所示为N沟道管的结构和符号。
如右图所示为N沟道结型场效应管的结构示意图。
N沟道结型场效应管正常工作时,在漏-源之间加正向电压,形成漏极电流。
<0,耗尽层承受反向电压,既保证栅-源之间内阻很高,又实现对沟道电流的控制。
★=0时,对导电沟道的控制作用,如下图所示。
◆=0时,=0,耗尽层很窄,导电沟道很宽。
◆│增大时,耗尽层加宽,沟道变窄,沟道电阻增大。
◆│增大到某一数值时,耗尽层闭合,沟道消失,沟道电阻趋于无穷大,称此时的值为夹断电压。
★为~0中某一固定值时,对漏极电流的影响▲=0,由所确定的一定宽的导电沟道,但由于d-s间电压为零,多子不会产生定向移动,=0。
▲>0,有电流从漏极流向源极,从而使沟道各点与栅极间的电压不再相等,沿沟道从源极到漏极逐渐增大,造成靠近漏极一边的耗尽层比靠近源极一边的宽。
如下图(a)所示。
▲从零逐渐增大时,=- 逐渐减小,靠近漏极一边的导电沟道随之变窄。
电流随线性增大。
▲增大,使=,漏极一边耗尽层出现夹断区,称=为预夹断。
▲继续增大,<,夹断区加长。
这时,一方面自由电子从漏极向源极定向移动所受阻力加大,从而导致减小;另一方面,随着的增大,使d-s间的纵向电场增强,导致增大。
两种变化趋势相抵消,表现出恒流特性。
结型场效应管的输出特性表示在栅源电压一定的情况下,漏极电流与漏源电压之间的关系,即输出特性可以分为四个工作区:◆可变电阻区:曲线拐弯点的连线与纵轴所夹区域。
较小,导电沟道畅通,d-s 之间相当于一个欧姆电阻,当不变,从零增大,线性增大。
越大,曲线越陡,沟道电阻随大小而变,故称为可变电阻区,在这个区域场效应管是导通的,类似于晶体三极管的饱和区。
◆夹断区:靠近横轴<区域.此时电流=0,场效应管呈现一个很大的电阻,这个区域类似晶体三极管的截止区。
◆恒流区:恒流区指中间平坦区域,它属于线性放大区,增大到脱离可变电阻区,不随的增大而变化,趋向恒定值。
在这个区域,只随的增大而增大。
在该区域工作的场效应管,的大小只受的控制,表现出场效应管电压控制电流的放大作用。
◆击穿区:增大,突然加大,反向偏置的PN结超过承受极限而发生沟道击穿,和失去对的控制作用,若不加限制,场效应管会损坏。
使用时一定要特别注意,不可过大。
由于结型管外加的是反偏电压,没有栅极电流,所以没有输入特性。
漏极电流与栅源电压的关系曲线称为转移特性。
即=常数N沟道结型管对的控制规律如图所示。
当为确定值由零向负方向变化将减小,=,使=0,此电压便是夹断电压。
当=0时,漏极电流最大,称为饱和漏电流,用I DSS表示。
实验证明,在<≤0 的范围内,漏极电流与栅极电压的关系近似为:说明场效应管为非线性器件。
场效应管在手机射频电路中作为放大元件使用,在逻辑电路一般作开关元件使用。
与三极管一样,场效应管必须加上适当的偏压,才能正常工作,才能起放大、振荡很有成效作用。
其中P沟通型场效应管必须加上负的栅—源电压,而N沟道型场效应管工作必须加上正的栅—源电压。
场效应管具有放大作用,可以组成放大电路,它与双极性三极管相比具有以下特点:(1)场效应管是电压控制器件,它通过UGS来控制ID;(2)场效应管的输入端电流极小,因此它的输入电阻很高;(3)它是利用多数载流子导电,因此它的温度稳定性较好;(4)它组成的放大电路的电压放大系数要小于三极管组成放大电路的电压放大系数;(5)场效应管的抗辐射能力强。
场效应管的检测:由于场效应管的结构、原理和普通三极管不同,在业余条件下用万用表作判别的方法亦不相同,在测试前将双手摸触一下自来水管或地线,以放掉身体的电荷。
1.G极(栅极)的判定:万用表用R×100档,分别测量场效应管每两脚间的阻值(正反向各测一次),应有一对脚阻值为数百欧姆(如均为大阻值,则用两表笔卡住两只脚,黑笔再点另一脚,如仍为高阻值,再将红笔点另一脚,总有一次出现有两脚低阻值的情况,如没有这种情况,管子应属已损坏)这时万用表两表笔所接的引脚是D极(漏极)和S极(源极),对其它脚均为阻值大的是G极(栅极)。
2.D极(漏极)、S极(源极)的判定:万用表置于R×10档,将红、黑表笔卡住要判断的D、S极上,分别测量两极间的正反向电阻值,在测得阻值为较大值时,用黑表笔与G极(栅极)接触一下,然后再恢复原状,在此过程中,红、黑笔应始终与原管脚相触,这时万用表的读数会出现两种情况:若读数由大变小,则万用表黑笔所接的管脚为D极(漏极),红表笔所接的管脚为S极(源极);若万用表读数没有明显变化,仍为较大值,这时就应把黑表笔与引脚保持接触,然后移动红表笔与G极(栅极)触碰一下。
此时若阻值由大变小,则黑表笔所接的管脚为S极(源极),红表笔所接的管脚为D极(漏极)。
3.类型的判定:确定D极(漏极)和S极(源极)后,如果万用表黑表笔所接为D极(漏极),红表笔所接为S极S极(源极),而且用黑表笔触发G(栅极)极,这时表明该场效应管为N沟道;如果黑表笔所接为S极(源极),红表笔所接为D极(漏极),且需用红表笔才能触发G极(栅极),则表明该场效应管为P沟道。
4.跨导大小的判别:对于N沟道的场效应管,用红表笔接S极(源极)黑表笔接D极(漏极),万用表读数应较大,这时若用100K电阻一端先按D极(漏极),再碰G极(栅极),万用表读数就会发生变化,变化越明显,说明该场效应管的跨导越大。
对于D沟道的场效应管,用黑表笔接S极(源极),红表笔接D极(漏极),方法同前。
有的人用手触碰G极(栅极)的方法来试亦可,但易造成击穿故障。
有些大功率管,S极(源极)与D极(漏极)反向并有一只二极管,测试时应考虑这一情况。
场效应管-晶体管的组合管,也可按这一方法测试.场效应管的测量:一、用指针式万用表对场效应管进行判别(1)用测电阻法判别结型场效应管的电极根据场效应管的PN结正、反向电阻值不一样的现象,可以判别出结型场效应管的三个电极。
具体方法:将万用表拨在R×1k档上,任选两个电极,分别测出其正、反向电阻值。
当某两个电极的正、反向电阻值相等,且为几千欧姆时,则该两个电极分别是漏极D和源极S。
因为对结型场效应管而言,漏极和源极可互换,剩下的电极肯定是栅极G。
也可以将万用表的黑表笔(红表笔也行)任意接触一个电极,另一只表笔依次去接触其余的两个电极,测其电阻值。
当出现两次测得的电阻值近似相等时,则黑表笔所接触的电极为栅极,其余两电极分别为漏极和源极。
若两次测出的电阻值均很大,说明是PN结的反向,即都是反向电阻,可以判定是N沟道场效应管,且黑表笔接的是栅极;若两次测出的电阻值均很小,说明是正向PN结,即是正向电阻,判定为P沟道场效应管,黑表笔接的也是栅极。
若不出现上述情况,可以调换黑、红表笔按上述方法进行测试,直到判别出栅极为止。
(2)用测电阻法判别场效应管的好坏测电阻法是用万用表测量场效应管的源极与漏极、栅极与源极、栅极与漏极、栅极G1与栅极G2之间的电阻值同场效应管手册标明的电阻值是否相符去判别管的好坏。
具体方法:首先将万用表置于R×10或R×100档,测量源极S与漏极D之间的电阻,通常在几十欧到几千欧范围(在手册中可知,各种不同型号的管,其电阻值是各不相同的),如果测得阻值大于正常值,可能是由于内部接触不良;如果测得阻值是无穷大,可能是内部断极。
然后把万用表置于R×10k档,再测栅极G1与G2之间、栅极与源极、栅极与漏极之间的电阻值,当测得其各项电阻值均为无穷大,则说明管是正常的;若测得上述各阻值太小或为通路,则说明管是坏的。
要注意,若两个栅极在管内断极,可用元件代换法进行检测。
(3)用感应信号输人法估测场效应管的放大能力具体方法:用万用表电阻的R×100档,红表笔接源极S,黑表笔接漏极D,给场效应管加上1.5V的电源电压,此时表针指示出的漏源极间的电阻值。
然后用手捏住结型场效应管的栅极G,将人体的感应电压信号加到栅极上。
这样,由于管的放大作用,漏源电压VDS 和漏极电流Ib都要发生变化,也就是漏源极间电阻发生了变化,由此可以观察到表针有较大幅度的摆动。
如果手捏栅极表针摆动较小,说明管的放大能力较差;表针摆动较大,表明管的放大能力大;若表针不动,说明管是坏的。
根据上述方法,我们用万用表的R×100档,测结型场效应管3DJ2F。
先将管的G极开路,测得漏源电阻RDS为600Ω,用手捏住G极后,表针向左摆动,指示的电阻RDS为12kΩ,表针摆动的幅度较大,说明该管是好的,并有较大的放大能力。
运用这种方法时要说明几点:首先,在测试场效应管用手捏住栅极时,万用表针可能向右摆动(电阻值减小),也可能向左摆动(电阻值增加)。
这是由于人体感应的交流电压较高,而不同的场效应管用电阻档测量时的工作点可能不同(或者工作在饱和区或者在不饱和区)所致,试验表明,多数管的RDS增大,即表针向左摆动;少数管的RDS减小,使表针向右摆动。
但无论表针摆动方向如何,只要表针摆动幅度较大,就说明管有较大的放大能力。
第二,此方法对MOS场效应管也适用。
但要注意,MOS场效应管的输人电阻高,栅极G允许的感应电压不应过高,所以不要直接用手去捏栅极,必须用于握螺丝刀的绝缘柄,用金属杆去碰触栅极,以防止人体感应电荷直接加到栅极,引起栅极击穿。
第三,每次测量完毕,应当G-S 极间短路一下。
这是因为G-S结电容上会充有少量电荷,建立起VGS电压,造成再进行测量时表针可能不动,只有将G-S极间电荷短路放掉才行。
(4)用测电阻法判别无标志的场效应管首先用测量电阻的方法找出两个有电阻值的管脚,也就是源极S和漏极D,余下两个脚为第一栅极G1和第二栅极G2。
把先用两表笔测的源极S与漏极D之间的电阻值记下来,对调表笔再测量一次,把其测得电阻值记下来,两次测得阻值较大的一次,黑表笔所接的电极为漏极D;红表笔所接的为源极S。