硅 bosch 刻蚀
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当C4F8<5sccm时，保护层<物理轰击
当C4F8=10SCCM时，保护层>物理轰击，所以在形成保护层时，C4F8量要超过5sccm
根据recipe3，4可以大概的算出X=30A/min，Y=110A/min。X表示C4F8刻蚀Si的速率（物理-保护层），Y表示SF6的刻蚀Si的纵向速率。Recipe1可说明保护层的生成量大于刻蚀速率，且刻蚀速率达到饱和，C4F8为过量。假设C4F8的饱和量为7sccm（要大于5），说明3sccm的生成保护层速率大于刻蚀速率（30A/min），若去掉SF6，则保护层速率大概为250A/min（）
只是大概猜测，具体多少还得根据实验。
新方案：
）,2min
2 采用recipe4工艺，去掉C4F8并加大RF至20W, 6min。
3采用recipe1工艺，去掉SF6，形成保护层，t=2min。
4 2,3两步如此循环几次，看电镜。
根据结果做调试。