材料科学基础晶体缺陷

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《材料科学基础》课件之第四章----04晶体缺陷

《材料科学基础》课件之第四章----04晶体缺陷

41
刃位错:插入半原子面,位错上方,原子间距变小, 产生压应变,下方原子间距变大,拉应变。过渡处 切应变,滑移面处有最大切应力,正应力为0。x NhomakorabeaGb
2 (1 )
y(3x2 (x2
y2) y2 )2
y
Gb
2 (1
)
y(x2 y2) (x2 y2)2
z ( x y )
x
xy
Gb
2 (1 )
21
刃位错b与位错线 垂直
螺位错b与位错线 平行
bb
l
l


b
b
右旋
左旋
任意一根位错线上各点b相同,同一位错只有一个b。
有大小的晶向指数表示
b a [uvw] 模 n
b a u2 v2 w2 n
22
Burgers矢量合成与分解:如果几条位错线在晶体内
部相交(交点称为节点),则指向节点的各位错的伯氏矢量 之和,必然等于离开节点的各位错的伯氏矢量之和 。
不可能中断于晶体内部(表面露头,终止与 晶界和相界,与其他位错相交,位错环)
半原子面及周围区域统称为位错
18
2. 螺位错
晶体在大于屈服值的切应力作用下,以某晶面为滑移面发生滑移。由于位错线周围 的一组原子面形成了一个连续的螺旋形坡面,故称为螺位错。
几何特征:位错线与原子滑移方向相平行;位错线周围原子的配置是螺旋状的。
d
34
六、位错应变能
位错原子偏移正常位置,产生畸变应力, 处于高能量状态,但偏移量很小,晶格为弹 性应变。
位错心部应变较大,超出弹性范围, 但这部分能量所占比例较小, <10%,可以近似忽略。
35
1. 理论基础:连续弹性介质模型

《材料科学基础》教学中的晶体缺陷

《材料科学基础》教学中的晶体缺陷

《材料科学基础》教学中的晶体缺陷
晶体缺陷是晶体中的异常结构,它可以影响晶体的物理性质和力学性质。

在《材料科学基础》教学中,学生需要了解以下关于晶体缺陷的内容:
1. 晶体缺陷的分类:晶体缺陷可以分为内部缺陷和表面缺陷,内部缺陷包括缺位缺陷、离子缺陷、晶界缺陷、层缺陷等,而表面缺陷则包括裂纹、气孔、氧化物等。

2. 晶体缺陷的形成机制:晶体缺陷的形成可以由晶体原子或离子的迁移、晶体原子或离子的排斥、晶体原子或离子的结晶不足、晶体原子或离子的结晶过度等机制来解释。

3. 晶体缺陷的影响:晶体缺陷可以影响材料的物理性质和力学性质,例如热导率、电导率、磁导率等,以及材料的强度、韧性、硬度等。

4. 晶体缺陷的检测方法:常用的晶体缺陷检测方法包括X射线衍射、扫描电子显微镜、拉曼光谱、热扩散系数测定等。

材料科学基础第三章晶体缺陷

材料科学基础第三章晶体缺陷

够的能量而跳入空位,并占据这个平衡位置,这时在这个原 子的原来位置上,就形成一个空位。这一过程可以看作是空 位向邻近结点的迁移。
在运动过程中,当间隙原子与一个空位相遇时,它将落入
这个空位,而使两者都消失,这一过程称为复合,或湮没。
(a)原来位置;
(b)中间位置;
(c)迁移后位置
图 空位从位置A迁移到B
2 Ar a 3 N A 8.57 (3.294108 )3 6.0231023 x 1 2 Ar 2 92.91 7.1766103 106 7.1766103 7176 .6(个) 所以, 106 个Nb中有7176 .6个空位。
a NA
作业:
二.本章重点及难点 1、点缺陷的形成与平衡浓度 2、位错类型的判断及其特征、伯氏矢量的特征和物理意义 3、位错源、位错的增殖(F-R源、双交滑移机制等)和运动、 交割
4、关于位错的应力场可作为一般了解
5、晶界的特性(大、小角度晶界)、孪晶界、相界的类型
维纳斯“无臂” 之美更深入人心
处处留心皆学问
2.点缺陷的形成(本征缺陷的形成)
点缺陷形成最重要的环节是原子的振动 原子的热振动
(以一定的频率和振幅作振动)
原子被束缚在它的平衡位置上,但原子却在做着挣脱
束缚的努力
点缺陷形成的驱动力:温度、离子轰击、冷加工
在外界驱动力作用下,哪个原子能够挣脱束缚,脱离
平衡位置是不确定的,宏观上说这是一种几率分布
刃型位错的特点:
1).刃型位错有一个额外的半原子面。其实正、负之分只具 相对意义而无本质的区别。 2).刃型位错线可理解为晶体中已滑移区与未滑移区的边界 线。它不一定是直线,也可以是折线或曲线,但它必与滑移 方向相垂直,也垂直于滑移矢量。

材料科学基础--第2章晶体缺陷PPT课件

材料科学基础--第2章晶体缺陷PPT课件
辐照:在高能粒子的辐射下,金属晶体点阵上的原子 可能被击出,发生原子离位。由于离位原子的能量高, 在进入稳定间隙之前还会击出其他原子,从而形成大量 的间隙原子和空位(即弗兰克尔缺陷)。在高能粒子辐 照的情况下,由于形成大量的点缺陷,而会引起金属显 著硬化和脆化,该现象称为辐照硬化。
12
2.1.5点缺陷与材料行为
Or, there should be 2.00 – 1.9971 = 0.0029 vacancies per unit cell. The number of vacancies per cm3 is:
17
Other Point Defects
Interstitialcy - A point defect caused when a ‘‘normal’’ atom occupies an interstitial site in the crystal.
11
2.1.4 过饱和点缺陷
晶体中的点缺陷浓度可能高于平衡浓度,称为过饱和点 缺陷,或非平衡点缺陷。获得的方法:
高温淬火:将晶体加热到高温,然后迅速冷却(淬火 ),则高温时形成的空位来不及扩散消失,使晶体在低 温状态仍然保留高温状态的空位浓度,即过饱和空位。
冷加工:金属在室温下进行冷加工塑性变形也会产生 大量的过饱和空位,其原因是由于位错交割所形成的割 阶发生攀移。
6
2.1.1 分类
3.置换原子(Substitutional atom) 异类原子代换了原有晶体中的原子,而处于晶体点阵的结 点位置,称为置换原子,亦称代位原子。 各种点缺陷,都破坏了原有晶体的完整性。它们从电学
和力学这两个方面,使近邻原子失去了平衡。空位和直 径较小的置换原子,使周围原子向点缺陷的方向松弛, 间隙原子及直径较大的置换原子,把周围原子挤开一定 位置。因而在点缺陷的周围,就出现了一定范围的点阵 畸变区,或称弹性应变区。距点缺陷越远,其影响越小 。因而在每个点缺陷的周围,都会产生一个弹性应力场 。

《材料科学基础》 第03章 晶体缺陷

《材料科学基础》 第03章 晶体缺陷

第三节 位错的基本概念
三、位错的运动
刃位错的攀移运动:刃型位错在垂直于滑移面方向上的运动。 刃位错发生攀移运动时相当于半原子面的伸长或缩短,通常把 半原子面缩短称为正攀移,反之为负攀移。 滑移时不涉及单个原子迁移,即扩散。刃型位错发生正攀 移将有原子多余,大部分是由于晶体中空位运动到位错线上的 结果,从而会造成空位的消失;而负攀移则需要外来原子,无 外来原子将在晶体中产生新的空位。空位的迁移速度随温度的 升高而加快,因此刃型位错的攀移一般发生在温度较高时;另 外,温度的变化将引起晶体的平衡空位浓度的变化,这种空位 的变化往往和刃位错的攀移相关。切应力对刃位错的攀移是无 效的,正应力的存在有助于攀移(压应力有助正攀移,拉应力 有助负攀移),但对攀移的总体作用甚小。
第一节 材料的实际晶体结构
二、晶体中的缺陷概论
晶体缺陷按范围分类:
1. 点缺陷 在三维空间各方向上尺寸都很小,在原 子尺寸大小的晶体缺陷。
2. 线缺陷 在三维空间的一个方向上的尺寸很大(晶 粒数量级),另外两个方向上的尺寸很小(原子尺 寸大小)的晶体缺陷。其具体形式就是晶体中的 位错Dislocation 。
说明:这是一个并不十分准确的定义方法。柏氏矢量的方向与位错线方向的定义有关,应该首 先定义位错线的方向,再依据位错线的方向来定柏氏回路的方向,再确定柏氏矢量的方 向。在专门的位错理论中还会纠正。
第三节 位错的基本概念
二、柏氏矢量
柏氏矢量与位错类型的关系:
刃型位错 柏氏矢量与位错线相互垂直。(依方向关系可 分正刃和负刃型位错) 螺型位错 柏氏矢量与位错线相互平行。(依方向关系可 分左螺和右螺型位错) 混合位错 柏氏矢量与位错线的夹角非0或90度。
过饱和空位 晶体中含点缺陷的数目明显超过平衡 值。如高温下停留平衡时晶体中存在一平衡空位, 快速冷却到一较低的温度,晶体中的空位来不及移 出晶体,就会造成晶体中的空位浓度超过这时的平 衡值。过饱和空位的存在是一非平衡状态,有恢复 到平衡态的热力学趋势,在动力学上要到达平衡态 还要一时间过程。

材料科学基础第三章 晶体缺陷

材料科学基础第三章 晶体缺陷

贵州师范大学
化学与材料科学学院
SCHOOL OF CHEMISTRY AND MATERIAL SCIENCE OF GUIZHOU NORMAL UNIVERSITY
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二、点缺陷的产生 1. 平衡点缺陷及其浓度 虽然点缺陷的存在使晶体的内能增高,但 同时也使熵增加,从而使晶体的能量下降。因 此,点缺陷是晶体中热力学平衡的缺陷。 等温等容条件下,点缺陷使晶体的亥姆霍 A U T S 兹自由能变化为:
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三、点缺陷与材料行为 1. 点缺陷的运动 1)空位的运动
2)间隙原子的运动 3)空位片的形成
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第三章 晶体缺陷
CRYSTAL DEFECTS
点缺陷 位错的基本概念 位错的弹性性质 作用在位错线上的力 实际晶体结构中的位错 晶体中的界面
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一、点缺陷的类型
点缺陷的类型: (a) Schottky 空位; (b) Frenkel 缺陷; (c) 异类间隙原子; (d) 小置换原子; (e) 大置换原子
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晶体缺陷【材料科学基础】

晶体缺陷【材料科学基础】

14
大角度晶界
¾ ¾ 9 9
大角度晶界的结构较复杂,其中原子排列较不规则。 有关大角度晶界的结构,人们曾提出许多模型: 早期:认为晶界是由一层很薄(几个原子间距)的非晶 质组成。 后来: 过渡结构模型:晶界原子分布同时受两相邻晶粒位向的 影响,处于折中位置。 小岛结构模型:晶界中的一部分原子与其相邻两边界的 点阵匹配排列,成为好区;有的部分(岛屿)原子排列 较混乱,成为坏区。好区与坏区交替相间组成晶界。

相界能低(畸变非常小)。
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半共格相界
定义:两相结构相近而原子 间距相差较大,在相界面上 出现了一些刃位错。(界面 上两相原子部分匹配) 相界能较高(有畸变)。相 界面上的原子共格关系主要 通过一组刃位错调整和维持。

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半共格相界上位错间距D取决于相界处两相匹配晶 面的错配度(δ) 。 相界两侧原子的不匹配程度
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晶界的性质
晶界能:形成单位面积晶界时所增加的能量。 ¾ 小角度晶界的晶界能: 小角度晶界的能量主要来自位错能量(形成位错的 能量和将位错排成有关组态所作的功),而位错密 度又决定于晶粒间的位向差,所以,小角度晶界能 也和位向差有关:

20
可见,小角度晶界的界面能随位向差增加而增大。
21
大角度晶界的晶界能: 9 基本恒定,约在0.25~1.0J/m2范围内,与晶粒 之间的位向差无关。 9 晶界能可以界面张力的形式来表现,且可以通过界 面交角的测定求出它的相对值。三个晶粒相交于一 点,界面张力达到平衡时:
9
界面结构:溶质原子在大角度晶界中偏聚严重。
27
¾ ¾ ¾ ¾ ¾
晶界的其它特性: 晶界的扩散激活能约为晶内的一半,晶界处原子的 扩散速度比在晶内快得多。 随温度升高,保温时间延长,晶界发生迁移,晶粒 要长大,晶界平直化;晶界可能熔化(过烧)。 新相易在晶界处优先形核(晶界能量高,原子活动 能力大)。 晶界具有较低的抗腐蚀能力。 晶界阻碍位错运动,使金属具有较高的塑变抗力。

材料科学基础 晶体缺陷

材料科学基础 晶体缺陷

二元离子晶体——不等径刚球密堆理论
.
12
2. 共价晶体结构(原子晶体)
典型共价晶体结构
金刚石型(单质型) ZnS型(AB型) SiO2型(AB2型)
.
13
第三节 原子的不规则排列
晶体中的缺陷——原子排列偏离完整性的区域
点缺陷——在三个方向上尺寸都很小 线缺陷——在二个方向上尺寸很小 面缺陷——在一个方向上尺寸很小
24
(1) 包含位错线做一封闭回路——柏氏回路 (2) 将同样的回路置于完整晶体中——不能闭合 (3) 补一矢量(终点指向起点)使回路闭合——柏氏矢量
43 21
1
2
2
1
1
3
1
1 23 4
b
43
2
1 2
1
1 23 4
.
25
2)柏氏矢量特性
(1) 满足右螺旋规则时,柏氏矢量与柏氏回路路径无关
二、金属晶体结构及几何特征
1. 常见的三种晶体结构
面心立方 体心立方
既是晶体结构,又是点阵
密排六方 —— 仅是晶体结构,不是点阵 — 简单六方
.
1
1) 面心立方(fcc 或 A1)
点 阵 常 数: R 2 a
4
最近原子间距:d 2 a 2
<110> 方向 晶胞原子数: 1/8×8 +1/2 ×6 = 4
1a 1b 0c a[11 ] 0
22
2
例:b 5a 2[11 0]、 b 6a 2[01] 1
b 5b 6a 2[11 0]a 2[01 ]1 a 2[11 ] 0
1) 刃位错


多出(或少了) 称为
半排原子面

大学材料科学基础第四章晶体缺陷

大学材料科学基础第四章晶体缺陷

Point defects: (a) vacancy, (b) interstitial atom, © small substitutional atom, (d) large substitutional atom, (e) Frenkel defect-ionic cystals (f) Schottky defect- ionic crystals. All of these defects disrupt the perfect arrangement of the surrounding atoms.
第一节 点缺陷
一、点缺陷的类型 1.点缺陷的概念 指在三维方向上尺寸都很小的原子错排区 域,不能理解为一个几何点。
(1) vacancy; (2) selfinterstitial; (3) interstitial impurity; (4), (5) substitutional impurities. The arrows show the local stresses introduced by the point defects.
3830 6480 10960 2630
0.786 0.49 2.75 0.393
2.位错学说的提出
图5 位错滑动模型
位错理论发展进程 1934年,Talay和Orowa 度低于理论强度的现象。 1939 1939年,Burgers提出用柏氏矢量来表征位错 Burgers 类型,为用数学方法处理位错奠定了基础。 1947年,Cottrell提出柯氏气团钉扎模型,成 功地解释了低碳钢的屈服现象。 1950年,Frank和Read提出金属塑性变形中位 错增殖机制,即Frank-Read位错源学说。
刃型位错柏氏矢量确定

晶体缺陷【材料科学基础】

晶体缺陷【材料科学基础】

5
6
3.点缺陷的形成
晶体点阵中的原子以其平衡结点为中心不停地进 行热振动。随温度升高,振幅增大,振动频率也 增大。 晶体内原子的热振动能量不相同,存在能量起伏。 某些原子振动的能量高到足以克服周围原子的束 缚时,它们将有可能脱离原来的平衡位置,迁移 到一个新的位置,在原来的平衡位置上留下空位。 温度越高,原子脱位的几率越大。

7
离位原子的去处: ¾ 离位原子迁移至表面或晶界时形成的空位— —肖脱基空位; ¾ 离位原子迁移至点阵间隙处所形成的空位— —弗兰克空位; ¾ 离位原子迁移其它空位中,使空位发生移 位,不增加空位数目。

8
4.点缺陷导致一定范围内弹性畸变和能量增加
9
5.空位和间隙原子的形成与温度密切相关: 随温度升高,点缺陷数目增加,称为热缺陷。 6.高温淬火、冷变形加工、高能粒子轰击也可 产生点缺陷 (点缺陷并非都通过原子的热 振动产生)。
第二章 晶体缺陷
1
引言: 完整晶体:原子规则地存在于应在的位置上。 晶体缺陷:实际晶体中偏离理想结构的区域。
2
晶体缺陷分类(按几何特征分):
点缺陷(零维缺陷),在三维空间的各个方向上尺 寸都很小的缺陷。如:空位、间隙原子、杂质、溶 质原子等。 线缺陷(一维缺陷),在一个方向上尺寸较大,另 两个方向上尺寸较小。如:位错。 面缺陷(二维缺陷),在两个方向上尺寸较大,在 另一个方向上尺寸较小。如:晶体表面、晶界、相 界、孪晶界、堆垛层错等。

位错的观察
18
早期对位错观察的例子:
位错的电子显微镜观察 的例子:
氟化锂表面浸蚀出的位错露头 的浸蚀坑
锗晶体中位错的电子显微镜图象
19
GaN晶体中刃位错的高分辨电子显微像

无机材料科学基础第三章晶体结构缺陷

无机材料科学基础第三章晶体结构缺陷
• 点缺陷的存在会引起性能的变化: (1)物理性质、如V、ρ 等; (2)力学性能:采用高温急冷(如淬火 quenching),大 量 的 冷 变 形 (cold working), 高 能 粒 子 辐 照 (radiation)等方法可获得过饱和点缺陷,如使屈服强 度σS提高; ( 3 ) 影 响 固 态 相 变 , 化 学 热 处 理 (chemical heat treatment)等。
(4)溶质原子(杂质原子):
LM 表示溶质L占据了M的位置。如:CaNa SX 表示S溶质占据了X位置。 (5)自由电子及电子空穴:
有些情况下,价电子并不一定属于某个特定位置的原子,在光、电、热 的作用下可以在晶体中运动,原固定位置称次自由电子(符号e/ )。同 样可以出现缺少电子,而出现电子空穴(符号h. ),它也不属于某个特定 的原子位置。
(5)热缺陷与晶体的离子导电性
纯净MX晶体:只有本征缺陷(即热缺陷) 能斯特-爱因斯坦(Nernst-Einstein)方程:
n k 2 e 2 z T [a 2cex k E c p ) T a ( 2a ex k E a p )T ]( n k 2 e 2 z T D
式中 D —— 带电粒子在晶体中的扩散系数; n —— 单位体积的电荷载流子数,即单位体 积的缺陷数。 下标c、a —— 阳离子、阴离子
离子晶体中:CaF2型结构。
从形成缺陷的能量来分析——
Schttky缺陷的形成能量小,Frankel 缺陷的 形成能量大,因此对于大多数晶体来说, Schttky 缺陷是主要的。
(4) 点缺陷对结构和性能的影响
• 点缺陷引起晶格畸变(distortion of lattice),能量升 高,结构不稳定,易发生转变。

材料科学基础第二章晶体缺陷

材料科学基础第二章晶体缺陷

金属 Al Ag Cu
α-Fe
Mg
理论切应力
3830 3980 6480 11000 2630
实验值
0.786 0.372 0.490 2.75 0.393
切变模量 24400 25000 40700 68950 16400
21
dislocation
一 般 金 属 的 G=104~105MPa, 理论剪切强 度应为103~104MPa,实际只有1~10MPa 理论强度比实测值大1000倍以上!! 1934年Taylor, Polanyi和Orowan几乎同 时提出晶体中存在易动的缺陷-位错, 借助于位错运动实现塑性变形。
12
设在温度T时,含有N个结点的晶体中形成n个空位, 与无空位晶体相比:
ΔF=n·ΔEV-T·ΔS
ΔS=ΔSC+n·ΔSV
n个空位引入,可能的原子排列方式:Wc

(N
N! n)!n!
利用玻尔兹曼关系SC=k·lnWC,并利用Stiring公式
令: (F ) 0
n T
13.00
12.75
12.50
12.25
Fe的 电 阻 率 随 淬 火 温 度 的 变 化
12.00
200
400
600
800 1000 1200 1400 1600
Tem perature / oC
17
2.2位错的基本概念 (1)位错理论产生强化材料的重要手段,但是对于变形的微观过 程、加工硬化等尚不能解释。 滑移带现象。当时,普遍认为金属塑性变形是 晶体刚性滑移的结果,滑移面两侧的晶体借助 于刚性滑动实现变形。 1926年弗兰克尔从刚性模型出发,估计了晶 体的理论强度。

材料科学基础第3-4章小结及习题课讲解

材料科学基础第3-4章小结及习题课讲解
表示 ,模的大小表示该晶向上原子间的距离。
b a u2 v2 w2 n
六方晶系中: b=(a/n)[uvtw]
同一晶体中,柏氏矢量愈大,表明该位错导致点阵畸变愈 严重,它所在处的能量也愈高。
3.2.3 位错的运动
基本形式:滑移和攀移
滑移(slip):三种位错的滑移过程 攀移(climb):在垂直于滑移面方向上运动,
第三章 晶体缺陷
晶体缺陷分类及特征(几何形态、相对于晶体的尺寸、影响范围) :
1. 点缺陷:特征是三维空间的各个方面上尺寸都很小,尺寸
范围约为一个或几个原子尺度,包括空位、间隙原子、杂质 和溶质原子。
2. 线缺陷:特征是在两个方向上尺寸很小,另外一个方面上
很大,如各类位错。
3. 面缺陷:特征是在一个方向上尺寸很小,另外两个方向上
晶界:属于同一固相但位向不同的晶粒之间的界面 称为晶界。
亚晶界:每个晶粒有时又由若干个位向稍有差异的 亚晶粒所组成,相邻亚晶粒间的界面称为亚晶界。
确定晶界位置方法: (1)两晶粒的位向差θ (2)晶界相对于一个点阵某一平面的夹角φ。
晶界分类(按θ的大小): 小角度晶界θ<10º 大角度晶界θ>10º
(3)刃型位错标记 正刃型位错用“⊥”表示,负刃型位错用“┬”表示;其
正负只是相对而言。
(4)刃型位错特征: ① 有一额外的半原子面,分正和负刃型位错;
② 可理解为是已滑移区与未滑移区的边界线,可是直线也 可是折线和曲线,但它们必与滑移方向和滑移矢量垂直;
③ 只能在同时包含有位错线和滑移矢量的滑移平面上滑移; ④ 位错周围点阵发生弹性畸变,有切应变,也有正应变;
表面能(γ):产生单位面积新表面所做的功。 表示法:①γ= dw/ds ②γ= T/L (N/m) ③γ= [被割断的结合键数/形成单位新表面]×[能量/每个键] 影响γ的因素: (1)晶体表面原子排列的致密程度。 (2)晶体表面曲率。 (3)外部介质的性质。 (4)晶体性质。

材料科学基础第二章晶体结构缺陷(五)

材料科学基础第二章晶体结构缺陷(五)

5.565 ga2yZr1-yO2 Ca0.15Zr0.85O1.85→ Ca Zr O 0.15/1.852 0.85/1.852 2
建 立 一 一 对 应 关 系 : 2y=0.15/1.85×2, 1y=0.85/1.85×2,
★ 得d实测y=5=.04.7175g/1cm.835 间隙式固∴溶可体判化断学生式成为的C是a置0.3换/1.8型5Z固r1溶.7/1体.85。O2
(发2)生Zr相O2变是时一种高温耐火材料,熔点2680℃,但
单斜 1200C四方
伴随很大的体积收缩,这对高温结构材料是致 命的。若加入CaO,则和ZrO2形成固溶体,无 晶型转变,体积效应减少,使ZrO2成为一种很 好的高温结构材料。
2、活化晶格
形成固溶体后,晶格结构有一定畸变,处 于高能量的活化状态,有利于进行化学反应。 如,Al2O3熔点高(2050℃),不利于烧结, 若加入TiO2,T可i A•使l 烧结温度下降到1600℃,这 是因为Al2O3 与TiO2形成固溶体,Ti4+置换Al3+ 后, 带正电,为平衡电价,产生了正离子空 位,加快扩散,有利于烧结进行。
晶胞质量W
Wi

4

0.15 1

M
Ca
2

4

0.85 1

M
Zr
4

8
1.85 2

M
O2
6.0221022
75.18 102(3 g) x射线衍射分析晶胞常数 a=5.131埃,
晶胞体积V=a3=135.1×10-24cm3
d理置
W V
75.18 10 23 135 .110 24

材料科学基础 第三章 晶体缺陷 (七)

材料科学基础 第三章 晶体缺陷 (七)

晶体 结构
旋转轴 [100] [110] [110] [110] [111] [111] [100] [110] [111] [111]
体心 立方
转动角度 (度) 36.9 70.5 38.9 50.5 60.0合位 置密度 1/5 1/3 1/9 1/11 1/3 1/7
(7)晶界具有不同与晶内的物理性质。
亚晶界属与小角度晶界,为各种亚结构的交界,大小 和尺寸与热加工条件有关。
亚晶界
5、界面对材料性能的影响
界面是晶体中的面缺陷,对晶体材料的性质和转变过程有重要影响;
界面阻碍位错运动,引起界面强化,提高材料的强度。界面阻碍变
形,使变形分布均匀、提高材料的塑性,强度、塑性的提高相应使 材料韧性也得到改善。因此,界面的增加,得到细晶组织,可大大 改善材料的力学性能; 界面具有高的能量,化学介质不稳定,产生晶界腐蚀,故影响材料
4、晶界特征
(1)晶界处点畸变大,存在晶界能。 (2)常温下晶界的存在会对位错的运动起阻碍运动,使塑型 变形抗力提高,使晶体(材料)的硬度和强度提高。 (3)晶界处原子具有较高的动能,且晶界处存在大量缺陷。 原子在晶界处扩散比晶内快得多。
(4)固态相变时易在晶界处形成新核。
(5)晶界上富集杂质原子多,熔点低,加热时容易过烧。 (6)晶界腐蚀速度比晶内快。
3、非共格界面(noncoherent phase boundary) 特征:原子不规则排列的薄层为两相的过渡层。
具有完善共格关系的界面
具有弹性畸变的共格界面
半共格界面
非共格界面
依照形成原因不同分为:变形孪晶、生长孪晶、退火孪晶
孪晶的形成与堆垛层错有密切关系
面心立方晶体是以{111}面按ABCABC…的 顺序堆垛而成的,可用△△△△…表示。 如果从某一层开始,其堆垛顺序发生颠 倒,就成为ABCACBACBA…,即 △△△▽▽▽▽…,则上下两部分晶体就 构成了镜面对称的孪晶关系。可以看 出…CAC…处相当于堆垛层错,接着就

814材料科学基础-第三章 晶体缺陷知识点讲解

814材料科学基础-第三章 晶体缺陷知识点讲解

北京科技大学材料科学与工程专业814 材料科学基础主讲人:薛老师第三章晶体缺陷本章主要内容与要求:内容:(1)点缺陷;(2)线缺陷;(3)面缺陷要求:(1)熟悉三种缺陷的概念、特点;(2)掌握点缺陷中空位浓度的计算;(3)掌握线缺陷中位错的运动,增殖;(4)熟悉各种面缺陷。

知识点1 缺陷定义:实际晶体中原子的排列不可能那样规则、完整,常常存在各种偏离理想结构的情况,这种情况我们就称为晶体缺陷。

作用:晶体缺陷对晶体的性能,特别是对那些结构敏感的性能,如屈服强度、断裂强度、塑性等有很大的影响。

根据几何特征,可以分为:点缺陷、线缺陷、面缺陷三类。

知识点2 点缺陷定义:点缺陷是最简单的一种晶体缺陷,主要是结点上或者邻近的微观区域内偏离晶体的正常结构排列的一种缺陷。

主要包括:空位、间隙原子、杂质或溶质原子。

空位:当某一原子具有足够大的振动能而使振幅增大到一定限度时,就可能克服周围原子对它的制约作用,跳离原来的位置,使阵点中形成空结点,这种空的结点就是空位。

间隙原子:在晶格非结点的位置,往往是间隙,此时在间隙的位置出现了多余的原子,这种多余的原子就是间隙原子。

离开平衡位置的原子有三个去处:(1)肖脱基缺陷:迁移到表面—在内部形成空位(2)弗兰克尔缺陷:原子迁移到间隙中,在晶体中形成数目相等的空位-间隙原子;(3)跑到其他空位,使空位消失。

知识点3 空位平衡浓度空位形成能Ev:在晶体内取出一个原子放在晶体表面上所需要的能量。

通常材料的熔点越高,结合能越大,空位的形成能也越大。

间隙原子会使周围点阵产生弹性畸变,而且畸变程度要比空位引起的畸变大得多,也会改变其周围电子能量,因此,它的形成能大,在晶体中浓度一般很低。

空位的形成过程原子的热振动克服约束,迁移到新的位置成为空位、间隙原子引起局部点阵畸变少部分原子获得足够高的能量结果晶体中点缺陷的存在:(1)一方面造成点阵畸变,使晶体内能升高,降低了晶体热力学的稳定性;(2)另一方面,由于原子排列顺序的混乱程度,并改变了其周围原子的振动频率,引起熵值的增大,这又增加了热力学的稳定性。

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1a 1b 0c a[11 ] 0
22
2
例:b 5a 2[11 0]、 b 6a 2[01] 1
b 5b 6a 2[11 0]a 2[01 ]1 a 2[11 ] 0
28
4)三种位错柏氏矢量的特点
位错类型
柏氏矢量与位 错线关系
刃位错 螺位错 混合位错
垂直 平行 一定角度
畸变应力场
主要是正应力 纯剪应力 复杂
1. 形成
原子热振动
部分原子获得足够高的能量
克服约束,迁移到新的位置
形成
空位、间隙原子
引起
局部点阵畸变
15
2. 分类
➢肖脱基缺陷——原子迁移到表面——仅形成空位 ➢弗兰克缺陷——原子迁移到间隙中——形成空位-间隙对 ➢杂质或溶质原子——间隙式(小原子)或置换式(大原子)
16
3. 点缺陷的平衡浓度
6
0.15
6 0.414
四面体间隙
数量
尺寸
8 0.225
12 0.29
12 0.225
1. fcc与hcp相比,间隙尺寸相同,分布位置不同。 2. fcc与bcc相比,间隙数量少,致密度大。
注:bcc晶体的八面体间隙是扁八面体,故虽然其间隙数量
多,但溶解异类小原子的能力远远不及fcc晶体。
10
1. 离子晶体结构
d1 w (ld)sb
假想有一力F作用于位错上,则F 作功dw2
dw2 Fds
有 dw1 dw2
l ds b F ds
F bl
单位长度位错线上的力:
Fd
F l
b
55
(b)说明 ➢ Fd∝τ,Fd∝b ➢ Fd⊥位错线,指向未滑移区 ➢ Fd为假象力,其方向与τ不一定一致。(如螺位错Fd⊥τ)
56
(2)位错线张力 (a)线张力的概念
位错受力 弯曲
伸长 线张力
位错变直
能量↑ 能量↓
(b)作用
使位错变直——降低位错能量 • 相当于物质弹性——称之为位错弹性性质 • 类似于液体的表面张力。
57
(c)公式
TGb2 (lnRc)kG2b
4k r0
C ——曲线形状因子
1螺位错
k 1 刃位错
离子晶体结构规则
负离子配位多面体规则 ——鲍林第一规则
电价规则 ——鲍林第二规则
关于负离子多面体共用点、棱的规则 ——鲍林第三规则
11
典型离子晶体结构
NaCl型 CsCl型 立方ZnS型(闪锌矿) 六方ZnS型(纤锌矿) CaF2型(萤石) TiO2型(金红石)
二元离子晶体——不等径刚球密堆理论
12
4
最近原子间距:d 3 a 2
<111> 方向 晶胞原子数: 1/8×8 + 1 = 2
配位数: 8
致密度:
2 1d3
k
6 a3
68%
3
3) 密排六方(hcp 或 A3)
点 阵 常 数: R 1 a
配位数: 6+6
2
致密度:
最近原子间距: d a
61d3
1120方向
晶胞原子数: 1/6×12+1/2×2 + 3 = 6
的切应力。
47
(b)刃位错应力场
模型建立:厚壁圆桶——沿径向切开——沿x轴错动|b|——胶合 结果:
xx
A
y (3 x 2 y 2 ) (x2 y 2)2
yy
A
y(x2 y2) (x2 y 2)2
A Gb
2 (1 )
zz ( xx yy )
xy
yx
A
x(x2 y2) (x2 y 2)2
➢ 点阵畸变 空位——体积膨胀0.5个原子体积
➢ 屈服强度↑ ➢ 对扩散、内耗、高温形变和热处理等过程有重要影响。
18
二、线缺陷 原子面整体滑移——塑变 发现问题 理论强度远大于实测值 促使 探求新理论——位错理论 核心 位错逐排依次运动——塑变 结果 计算强度值 实测值
19
1. 位错基本类型
xz zx yz zy 0
说明:
➢既有正应力,也有切应力。 ➢与z轴有关的切应力均为零。
48
(3)位错应变能
单位长度螺位错应变能:
wS
(W L)S
Gb2 lnR
4 r0
单位长度刃位错应变能:
wE(W L)E4G (12b)lnrR0
单位长度混合位错应变能:
w mw Sco 2 sw Esi2nG 4k 2b ln r R 0
σxz = σzx, σyz = σzy
σxy——作用面垂直于x, 方向为y
44
(b)单元体应变分量
正应变:εxx,εyy,εzz 切应变:εxy = εyx,εxz = εzx
45
(c)柱坐标下分量
与直角坐标的关系:
rx2y2, ary c, tzg z
x
正应力:σzz,σrr,σθθ 切应力:σzθ=σθz,σzr=σrz,σrθ=σθr
2. 共价晶体结构(原子晶体)
典型共价晶体结构
金刚石型(单质型) ZnS型(AB型) SiO2型(AB2型)
13
第三节 原子的不规则排列
晶体中的缺陷——原子排列偏离完整性的区域
点缺陷——在三个方向上尺寸都很小 线缺陷——在二个方向上尺寸很小 面缺陷——在一个方向上尺寸很小
14
一、点缺陷
—— 包括空位、间隙原子、杂质或溶质原子
材料科学基础晶体缺陷
1) 面心立方(fcc 或 A1)
点 阵 常 数: R 2 a
4
最近原子间距:d 2 a 2
<110> 方向 晶胞原子数: 1/8×8 +1/2 ×6 = 4
配位数: 12
致密度:
4 1d3
k
6 a3
74%
2
2)体心立方(bcc 或 A2)
点 阵 常 数: R 3 a
八面体间隙尺寸:
rB 0.15 rA
7
四面体间隙数目: 1/2 4 6 = 12
四面体间隙尺寸:
rB 0.29 rA
8
3)密排六方
八面体间隙数目: 1 6 = 6
四面体间隙数目: 1/3 12 + 1 6 = 10
9
4)综合比较
fcc bcc hcp
八面体间隙
数量
尺寸
4 0.414
29
5)位错正、负(左、右)的确定 人为规定位错线方向
刃位错:
有晶体图时用右手法则 ——中指b方向,食指位错线方向,拇指:上正下负
无晶体图时用旋转法 ——b顺时针方向转90°,与位错线方向:顺正逆负
b
L
b
L
30
螺位错:
有晶体图时与螺纹判断方法一致 ——左手左螺,右手右螺
无晶体图时用旋转法 ——b与位错线方向:顺右逆左
c ne
Ev
Ae kT
N
Ne — 平衡空位数 N — 原子总数
Ev — 每增加一个空位的能
量变化
k — 玻尔兹曼常数 T — 绝对温度
其中:A由振动熵决定的系数,取1~10,通常取1。 T↑ -- C↑
17
4. 点缺陷对晶体性能的影响
➢ 附加电子散射——电阻↑ 间隙原子——体积膨胀1~2个原子体积
避开障碍物的方式
42
5. 位错的力学性质
1)位错应力场与应变能 (1)应力分量与应变分量
基本假设 (连续介质模型)
➢完全弹性体,服从虎克定律 ➢各向同性 ➢连续介质,可以用连续函数表示
对位错线周围r0以内部分不适用 ——畸变严重,不符合上述基本假设
43
(a)单元体应力分量
正应力:σxx,σyy,σzz 切应力:σxy = σyx,
24
(1) 包含位错线做一封闭回路——柏氏回路 (2) 将同样的回路置于完整晶体中——不能闭合 (3) 补一矢量(终点指向起点)使回路闭合——柏氏矢量
43 21
1
2
2
1
1
3
1
1 23 4
b
43
2
1 2
1
1
2
1
3
1
1 23 4
25
2)柏氏矢量特性
(1) 满足右螺旋规则时,柏氏矢量与柏氏回路路径无关
—— 唯一性
(2) 用柏氏回路求得的柏氏矢量为回路中包围的所有位 错柏氏矢量的总和(矢量和)
—— 可加性
(3) 同一位错,柏氏矢量处处相同
—— 同一性
2004-7-18
西北工业大学 材料科学基础CAI课件 王永欣主编
26
3)柏氏矢量表示法
b a[uv] w ua vb w c n
对于立方晶系 a = b = c
正负(左右)均为相对而言,位错线 方向改变,正负、左右随之改变。
L
b
L
b
31
3. 位错密度
单位体积晶体中所有位错线的总长度
S V
cm/cm3
穿过单位截面积的位错线数目(穿过单位面积的位错 线根数,将位错简化为直线)
n
1/cm2
A
32
33


34
a) 位错逐排依次前进,实现两原子面的相对滑移; b) 滑移量=柏氏矢量的模; c) 外力τ // b,位错线⊥τ ,位错线运动方向//τ d) τ一定时,正、负位错运动方向相反,但最终滑
1) 柏氏矢量的求法 (1) 包含位错线做一封闭回路 —— 柏氏回路 (2) 将同样的回路置于完整晶体中 —— 不能闭合 (3) 补一矢量(终点指向起点)使回路闭合 —— 柏氏矢量
654 3
7
2
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1
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