第三章双极晶体管

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,则0
3、集电区倍增因子 *
Ic 1
I nc
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3.2.3、晶体管电流放大系数
1.共基极直流电流放大系数
0IIC EIInE eIIn nceIIn C c 0
0
2.共射极直流电流放大系数 IC
0
IC IB
IC IE IC
IE 1 IC
0 10
IE
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nB(x)
0
WB
nb xnb0nb0eqVBEkT1shW sL bh n bx W b Ln nbb0eqVBCkT1shLxnb
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3.3 晶体管的直流电流增益
一、少数载流子分布
(2)发射区少数载 流子分布
pE(x)
x
0
p Ex p E 0 p E 0e q V b ek T 1 e x L p E
第三章双极晶体管
4
第三章双极晶体管
5
第三章双极晶体管
6
பைடு நூலகம்
3.1 晶体管的基本结构及杂质分布
“背靠背”的2个二极管有放大作用吗?





发射区 射 基区 电 集电区





基极
3.1.3、结构特点
(1)基区宽度远小于基区少子扩散长度
(WB << L) (2)发射区杂质浓度远大于基区杂质浓度
( NE >> NB )
2
3.1 晶体管的基本结构及杂质分布
3.1.1晶体管的基本结构 由两个靠得很近的背靠背的PN结构成
c
b e
PNP
第三章双极晶体管
c
b e
NPN
3
3.1 晶体管的基本结构及杂质分布
3.1.2 BJT的杂质分布 1.锗合金管-均匀基区晶体管 特点: 三个区杂质均匀分布 2结为突变结
2.硅平面管-缓变基区晶体管 特点: E、B区杂质非均匀分布 2结为缓变结
微电子器件与IC设计
第 3 章 双极晶体管 Bipolar Junction Transistor----BJT
第三章双极晶体管
1
第 3 章 双极型晶体管
3.1 结构 3.2 放大原理 3.3 电流增益 3.4 特性参数 3.5 直流伏安特性 3.6 开关特性 3.7 小结
第三章双极晶体管
3、集电极的收集
Ir
IE
IC
Ipe
ICBO
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IB
9
各区少子分布
能带图
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NPN晶体管的电流转换
Ine:发射结正向注入电子电流 Irb:基区复合电流
Icbo:集电结反向饱和电流
Ipe:发射结反向注入空穴电流 Inc:集电结电子电流
IE Ipe Ine ICInc Icbo IBIpeIrbIcbo
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3.3.1 均匀基区晶体管的电流增益 均匀基区晶体管直流电流增益推导思路
A、对发射区、基区、集电区分别建立扩散方程 B、利用波尔兹曼分布关系建立边界条件 C、解扩散方程得到各区少子分布函数 D、利用少子分布函数求出各区电流密度分布函数 E、由电流密度分布函数得到jne , jnc , jpe 。 F、求出发射效率和输运系数 G、得到共基极和共射极电流放大系数
第三章双极晶体管
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以共基极连接为例,采用一维理想模型 发射结正向偏置,集电结反向偏置
WB
Ine
Inc
Ir
IE
IC
Ipe
ICB
IB
O
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坐标:




发射区 射 基区 电



We
0 Wb
基极

集电区


Wc
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一、少数载流子分布
(1)基区“少子”电子 密度分布
Ine Inc Irb
IE IBIC
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3.2.2、发射效率及基区输运系数
1、发射效率γ0
0
Ine IE
Ine Ine Ipe
1 1Ipe
Ine
I pe I ne
,则 0
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2、基区输运系数β*
0IIn nce
IneIrb Ine
1Irb Ine
Irb Ine
jn c jn B W B q D L n n B B n B 0 e q V b ek T 1 c s c h W L n B B e q V b ck T 1 c th W L n B B
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3.3 晶体管的直流电流增益
jpEjpE
0qDpEpE0 LpE
eqVbe kT1
jpCjpC
0qD pCpC0 LpC
eqVbc kT1
第三章双极晶体管
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3.3 晶体管的直流电流增益
第三章双极晶体管
25
3.3 晶体管的直流电流增益
三、直流电流增益 1.发射效率γ0
1pB1pB0WB nEnE0WE
11EWB BWE
eqV bekT1ch W L Bn Bx eqV bckT1ch L x nB shW BL nB
jn E jn B0 q D L n n B B n B 0 e q V b ek T 1 c th W L n B B e q V b ck T 1 c s c h W L n B B
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3.2 晶体管的放大原理
NPN晶体管的几种组态
共基极 共射极 共集电极
0 0
IC
I I
E C
IB
共基e 极
N
共b 发射极 P
共收集极 N
c
晶体管的共集电极接法
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3.2.1、晶体管中载流子的传输
以共基极为例:
WB
1、发射结的注入
2、基区的输运与 复合
Ine
Inc
2.基区输运系数β*
*
1
W
2 B
2 L2nB
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3.3 晶体管的直流电流增益
3、共基极电流增益
0
0
(1
1
Dpe
NBWb
)
1
Wb2 2L2nb
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晶体管放大三要素:
① Wb<<Lnb,实现不衰减的电流传输。 ②发射结为单边结,NE>>NB 。 ③发射结正向偏置,集电结反向偏置。
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3.3 晶体管的直流电流增益
任务:导出α0、β0的定量关系式
0 0 0
0
0 10
0
1
1 I pe
I ne
0
1
I rb I ne
第三章双极晶体管
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3.3 晶体管的直流电流增益
一、少数载流子分布
(3)、集电区少数载 流子分布
pC(x)
0
x
p C x p C 0 p C 0e q V b ck T 1 e x L p C
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3.3 晶体管的直流电流增益
二、电流密度分布函数
jnBxqD L n n B B nB 0
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