【CN209727774U】一种等离子体诱导透明超材料传感器【专利】
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(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)实用新型专利
(10)授权公告号 (45)授权公告日 (21)申请号 201920538188.3
(22)申请日 2019.04.19
(73)专利权人 中国计量大学
地址 310018 浙江省杭州市江干区学源街
258号中国计量大学
(72)发明人 蔡万钧 肖丙刚 宫绍康
(51)Int.Cl.
G01N 21/71(2006.01)
H01L 31/028(2006.01)
H01L 31/101(2006.01)
H01L 31/0352(2006.01)
(ESM)同样的发明创造已同日申请发明专利
(54)实用新型名称一种等离子体诱导透明超材料传感器(57)摘要本实用新型公开了一种等离子体诱导透明超材料传感器，属于石墨烯材料在中红外波段传感器件，利用了石墨烯表面等离子体特性及等离子体诱导透明理论。该传感器件为三维周期性结构，其结构组成为：顶层为石墨烯开口谐振环和石墨烯双纳米带结构，中间层为二氧化硅介质，底层为掺杂硅基底层，由上往下堆叠而成的三层结构。本实用新型主要通过有限元方法计算模拟出等离子体诱导透明超材料传感器的谐振光谱，对传感器结构进行优化，具有在中红外频段激发出等离子体诱导透明共振的能力，并可以有效调谐等离子体诱导透明共振的线形和谐振频率。本实用新型结构简单、紧凑合理，
便于加工。权利要求书1页 说明书3页 附图2页CN 209727774 U 2019.12.03
C N 209727774
U
权 利 要 求 书1/1页CN 209727774 U
1.一种等离子体诱导透明超材料传感器，其特征在于：结构组成自下而上分别为一层掺杂硅基底层，一层二氧化硅介质层，顶层为石墨烯开口谐振环和石墨烯双纳米带结构。
2.根据权利要求1所述的一种等离子体诱导透明超材料传感器，其特征在于：掺杂硅基底厚度h为30nm，二氧化硅介质层厚度d为30nm。
3.根据权利要求1所述的一种等离子体诱导透明超材料传感器，其特征在于：石墨烯开口谐振环半径长度为R＝80nm，开口谐振环的缺口宽度G＝20nm，开口谐振环的宽度W＝20nm，双纳米带的长度L＝80nm，双纳米带的宽度S＝20nm，双纳米带之间的间距P＝30nm。
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