清华大学《模拟电子技术基础》习题解答与答案
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2.4空载时:IBQ=20μA,ICQ=2mA,UCEQ=6V;最大不失真输出电压峰值约为5.3V。
带载时:IBQ=20μA,ICQ=2mA,UCEQ=3V;最大不失真输出电压峰值约为2.3V。
2.5(1)×(2)×(3)×(4)√(5)×(6)×(7)×(8)√
(9)√(10)×(11)×(12)√
(d)不能。晶体管将因发射结电压过大而损坏。
(e)不能。因为输入信号被C2短路。
(f)不能。因为输出信号被VCC短路,恒为零。
(g)可能。(h)不合ቤተ መጻሕፍቲ ባይዱ。因为G-S间电压将大于零。
(i)不能。因为T截止。
三、(1)
(2)
四、(1)A(2)C(3)B(4)B
五、(1)C,D E(2)B(3)A C D(4)A B D E(5)C(6)B C E,A D
1.5uo的波形如图所示。
1.6ID=(V-UD)/R=2.6mA,rD≈UT/ID=10Ω,Id=Ui/rD≈1mA。
1.7(1)两只稳压管串联时可得1.4V、6.7V、8.7V和14V等四种稳压值。
(2)两只稳压管并联时可得0.7V和6V等两种稳压值。
1.8IZM=PZM/UZ=25mA,R=UZ/IDZ=0.24~1.2kΩ。
六、
习题
2.1e b c大大中大
c b c小大大小
b e c大小小大
2.2(a)将-VCC改为+VCC。(b)在+VCC与基极之间加Rb。
(c)将VBB反接,且加输入耦合电容。
(d)在VBB支路加Rb,在-VCC与集电极之间加Rc。
2.3图P2.3所示各电路的交流通路;将电容开路即为直流通路,图略。
1.9(1)当UI=10V时,若UO=UZ=6V,则稳压管的电流为4mA,小于其最小稳定电流,所以稳压管未击穿。故
当UI=15V时,由于上述同样的原因,UO=5V。
当UI=35V时,UO=UZ=5V。
(2) 29mA>IZM=25mA,稳压管将因功耗过大而损坏。
1.10(1)S闭合。
(2)
1.11波形如图所示。
当VBB=1V时,T处于放大状态。因为
当VBB=3V时,T处于饱和状态。因为
1.17取UCES=UBE,若管子饱和,则
1.18当uI=0时,晶体管截止,稳压管击穿,uO=-UZ=-5V。
当uI=-5V时,晶体管饱和,uO=0.1V。因为
1.19(a)可能(b)可能(c)不能(d)不能,T会损坏。(e)可能
2.6(1)6.4V(2)12V(3)0.5V(4)12V(5)12V
2.7
2.8(a)饱和失真,增大Rb,减小Rc。(b)截止失真,减小Rb。
(c)同时出现饱和失真和截止失真,增大VCC。
2.9(a)截止失真(b)饱和失真(c)同时出现饱和失真和截止失真
2.10(1)
(2)
2.11空载时,
2.12②①②①③
1.23uI=4V时T夹断,uI=8V时T工作在恒流区,uI=12V时T工作在可变电阻区。
1.24(a)可能(b)不能(c)不能(d)可能
2章
第二章
自测题
一、(1)×(2)√(3)×(4)×(5)√(6)×(7)×
二、(a)不能。因为输入信号被VBB短路。(b)可能
(c)不能。因为输入信号作用于基极与地之间,不能驮载在静态电压之上,必然失真。
第一章
自测题
一、(1)√(2)×(3)√(4)×(5)√(6)×
二、(1)A(2)C(3)C(4)B(5)A C
三、UO1≈1.3VUO2=0UO3≈-1.3VUO4≈2VUO5≈2.3VUO6≈-2V
四、UO1=6VUO2=5V
五、根据PCM=200mW可得:UCE=40V时IC=5mA,UCE=30V时IC≈6.67mA,UCE=20V时IC=10mA,UCE=10V时IC=20mA,将改点连接成曲线,即为临界过损耗线。图略。
1.1260℃时ICBO≈32μA。
1.13选用β=100、ICBO=10μA的管子,其温度稳定性好。
1.14
1.15晶体管三个极分别为上、中、下管脚,答案如表
管号
T1
T2
T3
T4
T5
T6
上
e
c
e
b
c
b
中
b
b
b
e
e
e
下
c
e
c
c
b
c
管型
PNP
NPN
NPN
PNP
PNP
NPN
材料
Si
Si
Si
Ge
Ge
Ge
1.16当VBB=0时,T截止,uO=12V。
六、1、
UO=UCE=2V。
2、临界饱和时UCES=UBE=0.7V,所以
七、T1:恒流区;T2:夹断区;T3:可变电阻区。
1.1(1)A C(2)A(3)C(4)A
1.2不能。因为二极管的正向电流与其端电压成指数关系,当端电压为1.3V时管子会因电流过大而烧坏。
1.3ui和uo的波形如图所示。
1.4ui和uo的波形如图所示。
1.20根据方程
逐点求出确定的uGS下的iD,可近似画出转移特性和输出特性。在输出特性中,将各条曲线上uGD=UGS(off)的点连接起来,便为予夹断线。
1.21
1.22过uDS为某一确定值(如15V)作垂线,读出它与各条输出特性的交点的iD值;建立iD=f(uGS)坐标系,根据前面所得坐标值描点连线,便可得转移特性。
(c)输入端加耦合电容(d)在Rg支路加-VGG,+VDD改为-VDD
2.21(1)在转移特性中作直线uGS=-iDRS,与转移特性的交点即为Q点;读出坐标值,得出IDQ=1mA,UGSQ=-2V。
在输出特性中作直流负载线uDS=VDD-iD(RD+RS),与UGSQ=-2V的那条输出特性曲线的交点为Q点,UDSQ≈3V。
(g)NPN型管,上-集电极,中-基极,下-发射极。
③②①③①
③③①③③
2.13(1)静态及动态分析:
(2)Ri增大,Ri≈4.1kΩ; 减小, ≈-1.92。
2.14
2.15Q点:
动态:
2.16
2.17 图略。
2.18(1)求解Q点:
(2)求解电压放大倍数和输入电阻:
(3)求解输出电阻:
2.19(1)
(2)
2.20(a)源极加电阻RS。(b)输入端加耦合电容,漏极加电阻RD。
(2)
2.22(1)求Q点:UGSQ=VGG=3V
从转移特性查得,当UGSQ=3V时,IDQ=1mA,UDSQ=VDD-IDQRD=5V
(2)求电压放大倍数:
2.23
2.24(a)×(b)×(c)NPN型管,上-集电极,中-基极,下-发射极。
(d)×(e)×(f)PNP型管,上-发射极,中-基极,下-集电极。
带载时:IBQ=20μA,ICQ=2mA,UCEQ=3V;最大不失真输出电压峰值约为2.3V。
2.5(1)×(2)×(3)×(4)√(5)×(6)×(7)×(8)√
(9)√(10)×(11)×(12)√
(d)不能。晶体管将因发射结电压过大而损坏。
(e)不能。因为输入信号被C2短路。
(f)不能。因为输出信号被VCC短路,恒为零。
(g)可能。(h)不合ቤተ መጻሕፍቲ ባይዱ。因为G-S间电压将大于零。
(i)不能。因为T截止。
三、(1)
(2)
四、(1)A(2)C(3)B(4)B
五、(1)C,D E(2)B(3)A C D(4)A B D E(5)C(6)B C E,A D
1.5uo的波形如图所示。
1.6ID=(V-UD)/R=2.6mA,rD≈UT/ID=10Ω,Id=Ui/rD≈1mA。
1.7(1)两只稳压管串联时可得1.4V、6.7V、8.7V和14V等四种稳压值。
(2)两只稳压管并联时可得0.7V和6V等两种稳压值。
1.8IZM=PZM/UZ=25mA,R=UZ/IDZ=0.24~1.2kΩ。
六、
习题
2.1e b c大大中大
c b c小大大小
b e c大小小大
2.2(a)将-VCC改为+VCC。(b)在+VCC与基极之间加Rb。
(c)将VBB反接,且加输入耦合电容。
(d)在VBB支路加Rb,在-VCC与集电极之间加Rc。
2.3图P2.3所示各电路的交流通路;将电容开路即为直流通路,图略。
1.9(1)当UI=10V时,若UO=UZ=6V,则稳压管的电流为4mA,小于其最小稳定电流,所以稳压管未击穿。故
当UI=15V时,由于上述同样的原因,UO=5V。
当UI=35V时,UO=UZ=5V。
(2) 29mA>IZM=25mA,稳压管将因功耗过大而损坏。
1.10(1)S闭合。
(2)
1.11波形如图所示。
当VBB=1V时,T处于放大状态。因为
当VBB=3V时,T处于饱和状态。因为
1.17取UCES=UBE,若管子饱和,则
1.18当uI=0时,晶体管截止,稳压管击穿,uO=-UZ=-5V。
当uI=-5V时,晶体管饱和,uO=0.1V。因为
1.19(a)可能(b)可能(c)不能(d)不能,T会损坏。(e)可能
2.6(1)6.4V(2)12V(3)0.5V(4)12V(5)12V
2.7
2.8(a)饱和失真,增大Rb,减小Rc。(b)截止失真,减小Rb。
(c)同时出现饱和失真和截止失真,增大VCC。
2.9(a)截止失真(b)饱和失真(c)同时出现饱和失真和截止失真
2.10(1)
(2)
2.11空载时,
2.12②①②①③
1.23uI=4V时T夹断,uI=8V时T工作在恒流区,uI=12V时T工作在可变电阻区。
1.24(a)可能(b)不能(c)不能(d)可能
2章
第二章
自测题
一、(1)×(2)√(3)×(4)×(5)√(6)×(7)×
二、(a)不能。因为输入信号被VBB短路。(b)可能
(c)不能。因为输入信号作用于基极与地之间,不能驮载在静态电压之上,必然失真。
第一章
自测题
一、(1)√(2)×(3)√(4)×(5)√(6)×
二、(1)A(2)C(3)C(4)B(5)A C
三、UO1≈1.3VUO2=0UO3≈-1.3VUO4≈2VUO5≈2.3VUO6≈-2V
四、UO1=6VUO2=5V
五、根据PCM=200mW可得:UCE=40V时IC=5mA,UCE=30V时IC≈6.67mA,UCE=20V时IC=10mA,UCE=10V时IC=20mA,将改点连接成曲线,即为临界过损耗线。图略。
1.1260℃时ICBO≈32μA。
1.13选用β=100、ICBO=10μA的管子,其温度稳定性好。
1.14
1.15晶体管三个极分别为上、中、下管脚,答案如表
管号
T1
T2
T3
T4
T5
T6
上
e
c
e
b
c
b
中
b
b
b
e
e
e
下
c
e
c
c
b
c
管型
PNP
NPN
NPN
PNP
PNP
NPN
材料
Si
Si
Si
Ge
Ge
Ge
1.16当VBB=0时,T截止,uO=12V。
六、1、
UO=UCE=2V。
2、临界饱和时UCES=UBE=0.7V,所以
七、T1:恒流区;T2:夹断区;T3:可变电阻区。
1.1(1)A C(2)A(3)C(4)A
1.2不能。因为二极管的正向电流与其端电压成指数关系,当端电压为1.3V时管子会因电流过大而烧坏。
1.3ui和uo的波形如图所示。
1.4ui和uo的波形如图所示。
1.20根据方程
逐点求出确定的uGS下的iD,可近似画出转移特性和输出特性。在输出特性中,将各条曲线上uGD=UGS(off)的点连接起来,便为予夹断线。
1.21
1.22过uDS为某一确定值(如15V)作垂线,读出它与各条输出特性的交点的iD值;建立iD=f(uGS)坐标系,根据前面所得坐标值描点连线,便可得转移特性。
(c)输入端加耦合电容(d)在Rg支路加-VGG,+VDD改为-VDD
2.21(1)在转移特性中作直线uGS=-iDRS,与转移特性的交点即为Q点;读出坐标值,得出IDQ=1mA,UGSQ=-2V。
在输出特性中作直流负载线uDS=VDD-iD(RD+RS),与UGSQ=-2V的那条输出特性曲线的交点为Q点,UDSQ≈3V。
(g)NPN型管,上-集电极,中-基极,下-发射极。
③②①③①
③③①③③
2.13(1)静态及动态分析:
(2)Ri增大,Ri≈4.1kΩ; 减小, ≈-1.92。
2.14
2.15Q点:
动态:
2.16
2.17 图略。
2.18(1)求解Q点:
(2)求解电压放大倍数和输入电阻:
(3)求解输出电阻:
2.19(1)
(2)
2.20(a)源极加电阻RS。(b)输入端加耦合电容,漏极加电阻RD。
(2)
2.22(1)求Q点:UGSQ=VGG=3V
从转移特性查得,当UGSQ=3V时,IDQ=1mA,UDSQ=VDD-IDQRD=5V
(2)求电压放大倍数:
2.23
2.24(a)×(b)×(c)NPN型管,上-集电极,中-基极,下-发射极。
(d)×(e)×(f)PNP型管,上-发射极,中-基极,下-集电极。