模电考研童诗白《模拟电子技术基础》2021考研真题库

模电考研童诗白《模拟电子技术基础》考研2021考

研真题库

第一部分考研真题一、选择题

1以下说法正确的是（）。[中山大学2018研]

A．在N型半导体中如果掺入足够量的三价元素，可将其改型为P型半导体B．因为N型半导体的多子是自由电子，所以它带负电

C．处于放大状态的晶体管，集电极电流是多子漂移运动形成的

D．若耗尽型N沟道MOS管的u GS大于零，则其输入电阻会明显变小

【答案】A查看答案

【解析】B项，N型半导体虽然多子是自由电子，但不带电；C项，放大状态下集电结反偏，促进非平衡少子漂移运动，而非多子；D项，若耗尽型N沟道MOS管的u GS大于零，其输入电阻并不会有明显变化。

2当场效应管的漏极直流电流I D从2mA变为4mA时，它的低频跨导g m将（）。[中山大学2018研]

A．增大

B．不变

C．变小

【答案】A查看答案

【解析】低频跨导g m为ΔI D与Δu GS之比，当漏极直流电流I D从2mA变为4mA时，显然g m增大。

3PN结加正向电压，空间电荷区将（）。[中山大学2017研]

A．变窄

B．基本不变

C．变宽

【答案】A查看答案

【解析】PN结外加正向电压，P区中的多数载流子空穴和N区中的多数载流子电子都要向PN结移动，中和了其中部分负、正离子，结果使得PN结变窄。4二极管的电流方程为（）。[中山大学2017研]

A．I s e U

B．

C．

【答案】C查看答案

【解析】二极管的I－V特性方程为

其中，n为发射系数，其值在1～2之间，通常取1，则

5U GS＝0时，能够工作在恒流区的场效应管有（）和（）。[中山大学2017研]

A．结型管

B．增强型MOS管

C．耗尽型MOS管

【答案】A；C查看答案

【解析】N型结型管和耗尽型MOS管的开启条件为U GS＞U GSth，U GSth为负。而增强型MOS管的开启条件为U GS＞U GSth，U GSth为正。P型结型管和耗尽型

MOS管的开启条件为U GS＜U GSth，U GSth为正。而增强型MOS管的开启条件为U GS ＜U GSth，U GSth为负。综上，结型管和耗尽型MOS管符合题目要求。

6晶体管的共基截止频率、共射截止频率、特征频率fα、fβ、f T之间的关系是（）。[北京邮电大学2016研]

A．fα＞fβ＞f T

B．fα＜fβ＜f T

C．fβ＜fα＜f T

D．fβ＜f T＜fα

【答案】D查看答案

【解析】fβ表示晶体管（共射）截止频率，特征频率f T＝βfβ，共基截止频率fα＝（β＋1）fβ，β＞1，所以fβ＜f T＜fα。

7以下说法错误的是（）。[北京邮电大学2016研]

A．N型半导体的多子是自由电子，因此该类半导体带负电

B．PN结有内建电场，因此即使没有外加电压，也会形成电流

C．处于放大状态的晶体管，集电极的电流主要来自于发射区的多子

D．二极管一旦发生击穿，就损坏不能使用了

【答案】ABCD查看答案

【解析】A项，N型半导体虽然多子是自由电子，但不带电；B项，PN结本身就是动态平衡的产物，因此无外加电压时，其动态平衡并未打破，所以没有电流；C项，晶体管放大状态下集电结反偏，促进非平衡少子漂移运动，集电极的电流主要来自于少子而非多子；D项，反向击穿不一定损坏，如果在限流情况下，虽然击穿，但电流不大，在降压后是可逆的，二极管仍可以正常使用。

8二极管电路如图1-1-1，设二极管导通压降0.7V，则A点的电位是（）。[山东大学2017研]

图1-1-1

A．4.3V

B．1V

C．2.1V

【答案】B查看答案

【解析】若A点电位为4.3V，则所有二极管均导通，而0.3＋0.7V＝1V≠4.3V，所以A项矛盾，同理C项排除。

9稳压管电路如图1-1-2，设稳压管稳压值为5V，忽略稳压管的正向导通压降，U i ＝25V，则I Z＝（）。[山东大学2017研]

图1-1-2

A．8mA

B．10mA

C．5mA

【答案】C查看答案

【解析】稳压管反向导通，稳压值为5V，I Z＝（25－5）/2000－5/1000＝5mA。

10三极管放大电路如图1-1-3所示，设此电路静态工作点不合适使输出信号出现了饱和失真，应该（）来改善失真。[山东大学2019研]

图1-1-3

A．增大R b

B．减小R b

C．增加R C

【答案】A查看答案

【解析】若静态工作点过高，则输入信号的正半周，晶体管进入饱和区工作，i b、i c、u ce的波形会出现严重失真，输出波形u o底部将被削平，这种失真称为饱和失真；消除饱和失真的方法是降低Q点，如减小电源电压V CC增加R b、减小R C或增大交流负载线斜率等。

11已知多级放大电路由多个基本放大电路级联组成，包括输入级、中间放大级、输出级。那么，互补输出级采用共集形式是为了（）。[中山大学2018研] A．电压放大倍数大

B．不失真输出电压大

C．带负载能力强

【答案】C查看答案

【解析】共集电路的放大倍数约等于1，故没有电压放大作用。但由于它有很高的输入电阻和很小的输出电阻，故常放在电路中间级或最后一级来增强电路的带负载能力。

12当晶体管工作在放大区时，发射结和集电结应为（）。[中山大学2017研] A．前者反偏、后者正偏

B．前者反偏、后者反偏

C．前者正偏、后者正偏

D．前者正偏、后者反偏

【答案】D查看答案

【解析】晶体管工作在饱和区时，发射结正偏，集电结正偏；工作在放大区时，集电结反偏，发射结正偏；工作在截止区时，集电结反偏，发射结反偏。13PNP型晶体管工作在饱和区时（）。[北京邮电大学2015研]

A．发射结正偏，集电结反偏

B．发射结反偏，集电结正偏

C．发射结正偏，集电结正偏

D．发射结反偏，集电结反偏