光刻技术概况

光刻技术是集成电路的关键技术之一

在整个产品制造中是重要的经济影响因子，光刻成本占据了整个制造成本的35％

光刻也是决定了集成电路按照摩尔定律发展的一个重要原因，如果没有光刻技术的进步，集成电路就不可能从微米进入深亚微米再进入纳米时代。

所以说光刻系统的先进程度也就决定了光刻工程的高低,

光刻系统的组成：

光刻机（曝光工具）(光刻工程的核心部分,其造价昂贵.号称世界上最精密的仪器,目前世界是已有7000万美金的光刻机.)

掩膜版

光刻胶(常伴随着光刻机的发展而前进.在一定程度上其也制约着光刻工艺的发展) 主要指标：

分辨率W（resolution）-> 光刻系统所能分辨和加工的最小线条尺寸

焦深(DOF-Depth Of Focus) -> 投影光学系统可清晰成象的尺度范围

关键尺寸（CD-Critical Dimension）控制

对准和套刻精度(Alignment and Overlay)

产率(Throughout)

价格

其中，W是决定光刻系统最重要的指标，也是决定芯片最小特征尺寸的原因。

其由瑞利定律决定：R = k1r/NA ，其中r 是光刻波的波长。

提高光刻分辨率的途径:

减小波长r, 其中，光刻加工极限值：r/2 , 即半波长的分辨率

增加数值孔径

优化系统设计（分辨率增强技术）

减小k1

主流光刻技术:

248nm DUV技术（KrF准分子激光）-> 0.10um 特征尺寸

193nm DUV技术（ArF准分子激光）-> 90nm 特征尺寸

新一代的替代光刻技术:

Immersion 193nm技术

157nm F2

EUV光刻紫外线光刻

电子束投影光刻

X射线光刻

离子束光刻

纳米印制光刻

光学透镜

透射式透镜（248nm、193nm)

反射式透镜（157nm）

掩膜版

由透光的衬底材料（石英玻璃）和不透光金属吸收层材料（主要是金属Cr）组成。

通常要在表面淀积一层抗深紫外光损伤的增光型保护涂层

分辨率增强技术(RET):

Step-Scan 技术

偏轴照明(OAI)

邻近效应校正(OPC)

移相掩膜(PSM)

具有化学增强放大功能的快速感光光刻胶

光刻胶修剪(Resist Trimming)

抗反射功能和表面感光后的多层光刻胶