三极管PPT课件
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所发出的功率 为：
IC ICM
PC =ICUCE
• 必定导致结温 上升，所以PC 有限制。
PCPCM
安全工作区
ICUCE=PCM
U(BR)CEO
UCE
(1-18)
1.3.5三极管的识别和简单测试
用万用表 R ×100或R×1K电阻档测试。 (1) 找基极。 (2) 判管型。 (3) 找集电极、发射极。
___
IC IB
1.5 0.04
37.5
IC 2.3 1.5 40
IB 0.06 0.04
在以后的计算中，一般作近似处理： =
(1-14)
2.集-基极反向截止电流ICBO
ICBO A
ICBO是集 电结反偏 由少子的 漂移形成 的反向电 流，受温 度的变化 影响。
(1-15)
3. 集-射极反向截止电流ICEO
UCE =0.5V
UCE=0V IB(A) 80
UCE 1V
60
死区电 压，硅管
40
0.5V，锗 20
管0.1V。
工作压降： 硅管 UBE0.6~0.7V,锗管 UBE0.2~0.3V。
0.4 0.8 UBE(V)
(1-8)
二、输出特性
此区域满4 足IC=IB 称为线性3 区（放大 区）。 2
IC(mA )
第1－3节 三极管
(1-1)
1.3 半导体三极管
1.3.1 基本结构
C NPN型
集电极
集电极 C PNP型
N
B
P
基极
N
P
B
N
基极
P
E
发射极
E
发射极
(1-2)
集电区： 面积较大
B
基极
C 集电极
N P N
E
发射极
基区：较薄， 掺杂浓度低
发射区：掺 杂浓度较高
(1-3)
C 集电极
集电结
N
B
P
基极
N
发射结
集电极电流IC上升会导致三极管的值的下降， 当值下降到正常值的三分之二时的集电极电
流即为ICM。
5.集-射极反向击穿电压
当集---射极之间的电压UCE超过一定的数值 时，三极管就会被击穿。手册上给出的数值是 25C、基极开路时的击穿电压U(BR)CEO。
(1-17)
6. 集电极最大允许功耗PCM
• 集电极电流IC 流过三极管，
(1-19)
1.3.5.1 基极和管型的判断
三极管内部有两个PN结，即集电结和发射结，实图1.2 （a）所示为NPN型三极管。与二极管相似，三极管内的PN结 同样具有单向导电性。
(1-20)
(1-21)
因此可用万用表电阻挡判别出基极b和管型。例如,NPN型三 极管，当用黑表棒接基极b，用红表棒分别搭试集电极c和发射 极e，测的阻值均较小；反之，表棒位置交换后，测的阻值均较 大。但在测试时未知电极和管型，因此对三个电极脚要调换测 试，直到符合上述测量结果为止。然后，再根据在公共端电极 上表棒所代表的电源极性， 可判别出基极b和管型。如实图1.2 （b）所示。
1
36
当UCE大于一 定 IC只的1与0数0I值BA有时关，， IC=8I0B。A
60A 40A
20A IB=0 9 12 UCE(V)
(1-9)
4
IC(mA
) 此区域中UC1E00UBAE,
集电结正偏，
3
IB>IC，UCE800.3VA 称为饱和区。
60A
2
40A
1
20A
IB=0
3 6 9 12 UCE(V)
集电结反 偏有ICBO
B
ICEO= IBE+ICBO
C
ICBO IBE N
P
ICEO受温度影响 很大，当温度上
升时，ICEO增加 很快，所以IC也 相应增加。三极
管的温度特性较
差。
IBE
N
根据放大关系，
ICBO进入N E
区，形成
由于IBE的存 在，必有电流
IBE。
IBE。
(1-16)
4.集电极最大电流ICM
(1-2Байду номын сангаас)
(1-24)
(2) 饱和区：发射结正偏，集电结正偏。
即：UCEUBE ， IB>IC，UCE0.3V (3) 截止区： UBE< 死区电压， IB=0 ， IC=ICEO 0
(1-12)
1.3.4、三极管主要参数 ___
1. 电流放大倍数
前面的电路中，三极管的发射极是输入输出的
公共点，称为共射接法，相应地还有共基、共
集接法。共射直流电流放大倍数：
___
IC
IB
工作于动态的三极管，真正的信号是叠加在
直流上的交流信号。基极电流的变化量为IB，
相应的集电极电流变化为IC，则交流电流放
大倍数为：
IC IB
(1-13)
例：UCE=6V时：IB = 40 A, IC =1.5 mA； IB = 60 A, IC =2.3 mA。
E
发射极
(1-4)
符号
C IC B
IB E
IE
NPN型三极管
C IC B
IB E
IE
PNP型三极管
(1-5)
1.3.2 电流分配和放大作用
一. 一个实验 IB
IC mA
A
IE
EC
RB
V UBE
V UCE
mA
EB
(1-6)
结论:
1. IE=IC+IB ， IB与IC相比小的多，有时
可忽略，则有IE≈IC 2. 改变RB使IB发生一微小变化△IB, 同时可测
得 IC有相应的变化△ IC，则三极管的交流 电流放大倍数β为：
β ＝ △ IC /△IB ≈ IC /IB 电流放大作用是三极管的主要特征， β的大
小表示三极管的电流放大能力的强弱。 3.要使晶体管放大,发射结必须正偏,集电结必须 反偏。
(1-7)
1.3.3 特性曲线（用前面的实验电路可测得）
一.输入特性
(1-10)
IC(mA ) 4 3
2
此1区00域A中 :
I,UB=B80E0<,ICA死=I区CEO 电压60，A称为 截止40区A。
1
20A
IB=0
3 6 9 12 UCE(V)
(1-11)
输出特性三个区域的特点:
(1)放大区：发射结正偏，集电结反偏。
即： IC=IB , 且 IC = IB
1.3.5.2 集电极和发射极的判别
这可根据三极管的电流放大作用进行判别。实图1.3所示的 电路，当未接上Rb时,无IB，则IC=ICEO很小，测得c、e间电阻大；
(1-22)
当接上Rb，则有IB，而IC=βIB+ICEO，因此，IC显然要增大， 测得c、e间电阻比未接上Rb时为小。如果c、e调头， 三极管成 反向运用，则β小，无论Rb接与不接，c、e间电阻均较大， 因 此可判断出c和e极。例如，测量的管型是NPN型， 若符合β大 的情况， 则与黑表棒相接的是集电极c。
IC ICM
PC =ICUCE
• 必定导致结温 上升，所以PC 有限制。
PCPCM
安全工作区
ICUCE=PCM
U(BR)CEO
UCE
(1-18)
1.3.5三极管的识别和简单测试
用万用表 R ×100或R×1K电阻档测试。 (1) 找基极。 (2) 判管型。 (3) 找集电极、发射极。
___
IC IB
1.5 0.04
37.5
IC 2.3 1.5 40
IB 0.06 0.04
在以后的计算中，一般作近似处理： =
(1-14)
2.集-基极反向截止电流ICBO
ICBO A
ICBO是集 电结反偏 由少子的 漂移形成 的反向电 流，受温 度的变化 影响。
(1-15)
3. 集-射极反向截止电流ICEO
UCE =0.5V
UCE=0V IB(A) 80
UCE 1V
60
死区电 压，硅管
40
0.5V，锗 20
管0.1V。
工作压降： 硅管 UBE0.6~0.7V,锗管 UBE0.2~0.3V。
0.4 0.8 UBE(V)
(1-8)
二、输出特性
此区域满4 足IC=IB 称为线性3 区（放大 区）。 2
IC(mA )
第1－3节 三极管
(1-1)
1.3 半导体三极管
1.3.1 基本结构
C NPN型
集电极
集电极 C PNP型
N
B
P
基极
N
P
B
N
基极
P
E
发射极
E
发射极
(1-2)
集电区： 面积较大
B
基极
C 集电极
N P N
E
发射极
基区：较薄， 掺杂浓度低
发射区：掺 杂浓度较高
(1-3)
C 集电极
集电结
N
B
P
基极
N
发射结
集电极电流IC上升会导致三极管的值的下降， 当值下降到正常值的三分之二时的集电极电
流即为ICM。
5.集-射极反向击穿电压
当集---射极之间的电压UCE超过一定的数值 时，三极管就会被击穿。手册上给出的数值是 25C、基极开路时的击穿电压U(BR)CEO。
(1-17)
6. 集电极最大允许功耗PCM
• 集电极电流IC 流过三极管，
(1-19)
1.3.5.1 基极和管型的判断
三极管内部有两个PN结，即集电结和发射结，实图1.2 （a）所示为NPN型三极管。与二极管相似，三极管内的PN结 同样具有单向导电性。
(1-20)
(1-21)
因此可用万用表电阻挡判别出基极b和管型。例如,NPN型三 极管，当用黑表棒接基极b，用红表棒分别搭试集电极c和发射 极e，测的阻值均较小；反之，表棒位置交换后，测的阻值均较 大。但在测试时未知电极和管型，因此对三个电极脚要调换测 试，直到符合上述测量结果为止。然后，再根据在公共端电极 上表棒所代表的电源极性， 可判别出基极b和管型。如实图1.2 （b）所示。
1
36
当UCE大于一 定 IC只的1与0数0I值BA有时关，， IC=8I0B。A
60A 40A
20A IB=0 9 12 UCE(V)
(1-9)
4
IC(mA
) 此区域中UC1E00UBAE,
集电结正偏，
3
IB>IC，UCE800.3VA 称为饱和区。
60A
2
40A
1
20A
IB=0
3 6 9 12 UCE(V)
集电结反 偏有ICBO
B
ICEO= IBE+ICBO
C
ICBO IBE N
P
ICEO受温度影响 很大，当温度上
升时，ICEO增加 很快，所以IC也 相应增加。三极
管的温度特性较
差。
IBE
N
根据放大关系，
ICBO进入N E
区，形成
由于IBE的存 在，必有电流
IBE。
IBE。
(1-16)
4.集电极最大电流ICM
(1-2Байду номын сангаас)
(1-24)
(2) 饱和区：发射结正偏，集电结正偏。
即：UCEUBE ， IB>IC，UCE0.3V (3) 截止区： UBE< 死区电压， IB=0 ， IC=ICEO 0
(1-12)
1.3.4、三极管主要参数 ___
1. 电流放大倍数
前面的电路中，三极管的发射极是输入输出的
公共点，称为共射接法，相应地还有共基、共
集接法。共射直流电流放大倍数：
___
IC
IB
工作于动态的三极管，真正的信号是叠加在
直流上的交流信号。基极电流的变化量为IB，
相应的集电极电流变化为IC，则交流电流放
大倍数为：
IC IB
(1-13)
例：UCE=6V时：IB = 40 A, IC =1.5 mA； IB = 60 A, IC =2.3 mA。
E
发射极
(1-4)
符号
C IC B
IB E
IE
NPN型三极管
C IC B
IB E
IE
PNP型三极管
(1-5)
1.3.2 电流分配和放大作用
一. 一个实验 IB
IC mA
A
IE
EC
RB
V UBE
V UCE
mA
EB
(1-6)
结论:
1. IE=IC+IB ， IB与IC相比小的多，有时
可忽略，则有IE≈IC 2. 改变RB使IB发生一微小变化△IB, 同时可测
得 IC有相应的变化△ IC，则三极管的交流 电流放大倍数β为：
β ＝ △ IC /△IB ≈ IC /IB 电流放大作用是三极管的主要特征， β的大
小表示三极管的电流放大能力的强弱。 3.要使晶体管放大,发射结必须正偏,集电结必须 反偏。
(1-7)
1.3.3 特性曲线（用前面的实验电路可测得）
一.输入特性
(1-10)
IC(mA ) 4 3
2
此1区00域A中 :
I,UB=B80E0<,ICA死=I区CEO 电压60，A称为 截止40区A。
1
20A
IB=0
3 6 9 12 UCE(V)
(1-11)
输出特性三个区域的特点:
(1)放大区：发射结正偏，集电结反偏。
即： IC=IB , 且 IC = IB
1.3.5.2 集电极和发射极的判别
这可根据三极管的电流放大作用进行判别。实图1.3所示的 电路，当未接上Rb时,无IB，则IC=ICEO很小，测得c、e间电阻大；
(1-22)
当接上Rb，则有IB，而IC=βIB+ICEO，因此，IC显然要增大， 测得c、e间电阻比未接上Rb时为小。如果c、e调头， 三极管成 反向运用，则β小，无论Rb接与不接，c、e间电阻均较大， 因 此可判断出c和e极。例如，测量的管型是NPN型， 若符合β大 的情况， 则与黑表棒相接的是集电极c。