可控硅关断过电压保护方式

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* 贴子主题:交流一下可控硅关断过电压保护方式

baoxiaozi

等级:业余侠客文章:33

积分:703

注册:2006-7-9

楼顶

交流一下可控硅关断过电压保护方式

关于可控硅关断过电压保护

常见的有以下二种:

1、每只可控硅分别并联RC方式;

2、反向阻断式阻容保护,即整流桥+RC.(同时还可以对交流侧和直流侧保护)。

和大家交流一下,一般以上二种方式哪种更好些呢?

大家所接触的励磁功率柜都用哪种方式?

2007-1-10 13:55:47

chenxm

等级:超级版主

文章:1095

积分:14607

注册:2006-6 -14

2

在可控硅分别并联合适RC方式效果最好,但参数计算复杂,且器件的保护不好搞,万一器件损坏(短路),会影响整个整流柜;

反向阻断式阻容保护,即整流桥+RC.(同时还可以对交流侧和直流侧保护),效果差一些,电阻功耗大,但可以设立保险,安全性能好。

2007-1-10 17:0

1:30

baoxiaozi

等级:业余侠客

文章:33

积分:703

注册:2006-7 -9

3

不知道各厂家都侧向于哪种方式?

感觉第一种方式,如果再配上交流侧和直流侧的阻容和压敏电阻保护,各保护元件比较分散;而反向阻断式则比较集中,从机柜走线来看,后者是不是更方便一些。

2007-1-10 17:3

6:50

孤独的

等级:版主

文章:351

积分:12011

注册:2006-5-9

4

我们的是第一种保护方式,我们每年的大修都量这两个元件的参数,

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我会更努力

2007-1-23 23:16:50

baoxiaozi

等级:业余侠客

文章:33

积分:703

注册:2006-7 -9

6

楼此主题相关图片如下:

2007-1-24 17:2

2:43

xiaoyao1116第

8

等级:新手上路

文章:5

积分:240

注册:2006-12 -24 我们厂采用的是UNITROL F系列调节器是第二种阻容回路

另:论坛里讨论UNITROL 5000的贴子非常多至今未见过F系列的相关内容,是不是采用F系列的电厂本身就不多?

2007-1-24 21:4

7:23

HDK

等级:贵宾

文章:123

积分:1607

注册:2006-7-2

9

这个问题好,可控硅关断过电压也就是换相过电压,其根源是相控整流器由某一相关闭向另一相导通的过程中,形成的电压突变或电压差,欲使励磁电流也突增,在发电机磁极这类大电感负载产生的 -Ldi/dt感应电势,则努力维持了励磁电流的平稳,这中间阳极电压越高,可控硅触发角越大则换相过电压就越高,所以必须采取措施进行保护。

既然要保护我们先弄清楚保护对象的状态,1.已经触发导通的可控硅元件两端电压仅为管压降,没有过电压,无需保护;2.刚刚关闭的可控硅元件,正承受反向阻断电压不会导通,也无需保护;3.那么只有那个开始承受正向电压,尚未触发的可控硅元件,(苏:哪个呀,刚关闭的那个吧??)有可能受到较高过电压或者dv/dt超过允许值而误导通,这才是过压保护应该起作用的地方。

那么如何选择保护?一方面选择保护的方式,另一方面选择保护的参数。基本原则是保护电路不应该离被保护元件过远,所以第一种基本的RC阻容保护仍是最有效的保护方式之一,只是参数选择要有针对性;再辅以反相阻断式保护进一步吸收阳极和转子侧的谐波能量,效果更好。二者可以设计成相互补充、相互配合的组合型过电压保护,不必要非此即彼的互相排斥,互相取代,尺有所短、寸有所长,当然这方面我们也正在偿试,可望不久会有所突破。

2007-2-2 20:49:52

HDK

等级:贵宾第1 0楼

文章:123

积分:1607

注册:2006-7-2 其实现代电机励磁的过电压保护问题,已经不仅仅是对可控硅元件的保护问题,它还牵扯到整个励磁回路,乃至转子磁极、电机的轴电压轴电

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2007-2-2 21:14:12

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