微机原理第四章
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例如某存储器有2048个存储单元，每个单元存放8位 二进制数，则其容量为2048×8位。为简化书写，存 储器的存储容量是以字节(Byte)为单位的，一个字 节由8位(Bit)二进制数组成。例如，1KB表示1024字 节的存储空间，1M=1024×1024K字节的存储空间等。
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（按使用的属性划分）
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ROM(Read-Only Memory)
1、掩膜ROM(Mask ROM)。它所存放的信息是由生产过程中的一 种掩膜工艺决定的，一旦生产完毕，信息就不可能更改。这种 ROM适合于程序成熟、批量生产的场合，生产批量一般都在10万 片以上才较为合算。
（2）金属氧化物半导体（Metal-Oxide-
Semiconductor）型----简称MOS型。又可分为NMOS、
HMOS、CMOS、CHMOS等。特点是集成度高、功耗低、价
格便宜，速度比双极型慢。例如DRAM、SRAM、EPROM等
都是MOS型存储器。微机的主存主要由MOS型半导体存储
器件构成。
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RAM(Random Access Memory)
1、双极(Bipolar)型RAM：双极型RAM是采用半导体双极型晶体 管作为它的基本结构单元。其特点是：存取速度快，对于射极藕 合逻辑型的ECL电路，它的RAM存取时间可达10ns以下。
2、SRAM：SRAM(Static RAM)叫做静态存储器。它的存储单元是 由MOS双稳态触发器构成的，只要不切断电源，其中的信息就可 以永远保持。SRAM的集成度、功耗、访问速度都介于双极型RAM 与DRAM之间。它被广泛应用于工作站、高档微机、大型机甚至 巨型机上。
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2、存取速度 该项指标可用以下两个参数中的一个进行描述：
1）存取时间(Access Time),简称TA ,存取时间定义为访问一次存 储器（对指定单元的写入和读出）所需要的时间，这个时间的上 限值被称为最大存取时间。一般以ns为单位，最大存取时间越小， 表示芯片的工作速度越快。
2）存取周期(Access Cycle),简称TAC ,指两次存储器访问所允许 的最小时间间隔。由于要包括数据存取的准备和稳定时间，TAC略 大于TA 。存取周期是读周期和写周期的统称。 在微机系统中，内存的存取速度必须和CPU总线时序相匹配。如果 滞后于CPU时序，必须在CPU总线周期中插入等待时间。
第四章 存储器
➢ 存储器是计算机实现记忆的核心部件，用来存放数 据和程序。
➢ 对于计算机的存储系统：
（1）容量越大越好；
（2）速度越快越好；
（3）价格越低越好。
但是：
❖半导体存储器----成本大，速度较快；
❖磁盘/光盘----速度较慢，存取时间长，价格低。
为解决容量、速度和价格之间的矛盾，将几种存储技 术结合起来，形成层次结构的计算机存储系统。
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3、DRAM：DRAM(Dynamic RAM)叫做动态RAM,是利用MOS电路中的
栅极电容来保存信息的。由于电容存在漏电阻，电容中的电荷
2、PROM(Programmable ROM)。也称可编程只读存储器。这是一 种可以用专用设备一次性写入自己所需内容的只读存储器。制造 商生产的PROM出厂时没有任何信息，使用者只能写入一次，以 后不能修改，它适合小批量生产。
3、EPROM(Erasable Programmable ROM)。也称可擦除可编程只 读存储器。它可以根据需要，多次写入不同的内容。将EPROM置 于紫外线的照射下10分钟，就可以擦除其内容，然后在专用的 编程器上将内容写入。其特点是每次写入新内容之前都必须擦除 整片存储器的所有信息。
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① ②③④
每 容存处
位 量取理
成 增时器
本 加间存
减
增取
少
加频
度
减
少
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➢半导体存储器的主要性能指标
1、存储容量
存储器的容量是指一个存储器可以容纳的二进制信 息量，以存储单元的总位数表示。即：
存储容量＝存储单元个数×每个单元的存储位数
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➢按制造工艺，可将半导体存储器分为双极型和MOS型 两类：
（1）双极（Bipolar）型----由晶体管逻辑电路 （Transistor-Transistor Logic,TTL）构成。工作速 度快，与CPU处于同一数量级，但集成度低、功耗大、 价格偏高。例如Cache。
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4、EEPROM(Erasable and Electrically Programmable ROM)。 也称电可擦除可编程只读存储器。这种ROM的优点是可以在电 路板上用电直接擦除，不必从电路板上取下来，而且速度比 EPROM快。
5、快擦写ROM(Flash ROM)。也称闪速ROM或闪光ROM。它既有 EEPROM的写入方便的优点，又有EPROM的高集成性，是一种发 展前景很好的非易失性存储器。它的改写电压有5V和12V两种。 现在所用的各类常见主板和一部分显示适配器(显卡)都是采用 Flash ROM作为BIOS芯片。现在移动电话、数码相机中也大量 采用了这种Flash ROM作为主要存储器。
3、其它指标
可靠性、集成度、价格等也是用户所关心的指标，这些指标往往
由存储器的制造工艺决定。上述各项指标可能是相互矛盾的，选
用存储器时应根据实际情况权衡考虑。
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CPU的寄存器容量最小，速度 最快，按寄存器名访问；
Cache用来存储CPU最频繁使 用的数据和指令，弥补CPU与 主存速度上的差异，采用地 址映射的方法访问；
CPU依靠主存中的数据来自动 执行，通过地址访问主存；
外存又称辅存、海量存储器。用于存放暂不处理的数据和暂不运 行的程序。（请问：访问的方式？）
对于32位的微机系统，外存（硬盘）可作为扩大程序可访问的
主存空间，将硬盘空间当作内存空间供程序使用，这就建立了虚
拟存储空间。其中，频繁访问的放在内存，不频繁访问的放在硬
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（按使用的属性划分）
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ROM(Read-Only Memory)
1、掩膜ROM(Mask ROM)。它所存放的信息是由生产过程中的一 种掩膜工艺决定的，一旦生产完毕，信息就不可能更改。这种 ROM适合于程序成熟、批量生产的场合，生产批量一般都在10万 片以上才较为合算。
（2）金属氧化物半导体（Metal-Oxide-
Semiconductor）型----简称MOS型。又可分为NMOS、
HMOS、CMOS、CHMOS等。特点是集成度高、功耗低、价
格便宜，速度比双极型慢。例如DRAM、SRAM、EPROM等
都是MOS型存储器。微机的主存主要由MOS型半导体存储
器件构成。
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RAM(Random Access Memory)
1、双极(Bipolar)型RAM：双极型RAM是采用半导体双极型晶体 管作为它的基本结构单元。其特点是：存取速度快，对于射极藕 合逻辑型的ECL电路，它的RAM存取时间可达10ns以下。
2、SRAM：SRAM(Static RAM)叫做静态存储器。它的存储单元是 由MOS双稳态触发器构成的，只要不切断电源，其中的信息就可 以永远保持。SRAM的集成度、功耗、访问速度都介于双极型RAM 与DRAM之间。它被广泛应用于工作站、高档微机、大型机甚至 巨型机上。
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2、存取速度 该项指标可用以下两个参数中的一个进行描述：
1）存取时间(Access Time),简称TA ,存取时间定义为访问一次存 储器（对指定单元的写入和读出）所需要的时间，这个时间的上 限值被称为最大存取时间。一般以ns为单位，最大存取时间越小， 表示芯片的工作速度越快。
2）存取周期(Access Cycle),简称TAC ,指两次存储器访问所允许 的最小时间间隔。由于要包括数据存取的准备和稳定时间，TAC略 大于TA 。存取周期是读周期和写周期的统称。 在微机系统中，内存的存取速度必须和CPU总线时序相匹配。如果 滞后于CPU时序，必须在CPU总线周期中插入等待时间。
第四章 存储器
➢ 存储器是计算机实现记忆的核心部件，用来存放数 据和程序。
➢ 对于计算机的存储系统：
（1）容量越大越好；
（2）速度越快越好；
（3）价格越低越好。
但是：
❖半导体存储器----成本大，速度较快；
❖磁盘/光盘----速度较慢，存取时间长，价格低。
为解决容量、速度和价格之间的矛盾，将几种存储技 术结合起来，形成层次结构的计算机存储系统。
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3、DRAM：DRAM(Dynamic RAM)叫做动态RAM,是利用MOS电路中的
栅极电容来保存信息的。由于电容存在漏电阻，电容中的电荷
2、PROM(Programmable ROM)。也称可编程只读存储器。这是一 种可以用专用设备一次性写入自己所需内容的只读存储器。制造 商生产的PROM出厂时没有任何信息，使用者只能写入一次，以 后不能修改，它适合小批量生产。
3、EPROM(Erasable Programmable ROM)。也称可擦除可编程只 读存储器。它可以根据需要，多次写入不同的内容。将EPROM置 于紫外线的照射下10分钟，就可以擦除其内容，然后在专用的 编程器上将内容写入。其特点是每次写入新内容之前都必须擦除 整片存储器的所有信息。
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每 容存处
位 量取理
成 增时器
本 加间存
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加频
度
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少
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➢半导体存储器的主要性能指标
1、存储容量
存储器的容量是指一个存储器可以容纳的二进制信 息量，以存储单元的总位数表示。即：
存储容量＝存储单元个数×每个单元的存储位数
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➢按制造工艺，可将半导体存储器分为双极型和MOS型 两类：
（1）双极（Bipolar）型----由晶体管逻辑电路 （Transistor-Transistor Logic,TTL）构成。工作速 度快，与CPU处于同一数量级，但集成度低、功耗大、 价格偏高。例如Cache。
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4、EEPROM(Erasable and Electrically Programmable ROM)。 也称电可擦除可编程只读存储器。这种ROM的优点是可以在电 路板上用电直接擦除，不必从电路板上取下来，而且速度比 EPROM快。
5、快擦写ROM(Flash ROM)。也称闪速ROM或闪光ROM。它既有 EEPROM的写入方便的优点，又有EPROM的高集成性，是一种发 展前景很好的非易失性存储器。它的改写电压有5V和12V两种。 现在所用的各类常见主板和一部分显示适配器(显卡)都是采用 Flash ROM作为BIOS芯片。现在移动电话、数码相机中也大量 采用了这种Flash ROM作为主要存储器。
3、其它指标
可靠性、集成度、价格等也是用户所关心的指标，这些指标往往
由存储器的制造工艺决定。上述各项指标可能是相互矛盾的，选
用存储器时应根据实际情况权衡考虑。
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共58张
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CPU的寄存器容量最小，速度 最快，按寄存器名访问；
Cache用来存储CPU最频繁使 用的数据和指令，弥补CPU与 主存速度上的差异，采用地 址映射的方法访问；
CPU依靠主存中的数据来自动 执行，通过地址访问主存；
外存又称辅存、海量存储器。用于存放暂不处理的数据和暂不运 行的程序。（请问：访问的方式？）
对于32位的微机系统，外存（硬盘）可作为扩大程序可访问的
主存空间，将硬盘空间当作内存空间供程序使用，这就建立了虚
拟存储空间。其中，频繁访问的放在内存，不频繁访问的放在硬