存储器分类及功能大全

RAM/ROM存储器
ROM和RAM指的都是半导体存储器，RAM是Random Access Memory的缩写，ROM是Read Only Memory的缩写。

ROM在系统停止供电的时候仍然可以保持数据，而RAM通常都是在掉电之后就丢失数据，典型的RAM就是计算机的内存。

一、 RAM有两大类：
1、静态RAM（Static RAM，SRAM），静态的随机存取存储器，加电情况下，不需要刷新，数据不会丢失；而且，一般不是行列地
址复用的。

SRAM速度非常快，是目前读写最快的存储设备了，但是它也非常昂贵，所以只在要求很苛刻的地方使用，譬如CPU的一级缓冲，二级缓冲。

但是SRAM也有它的缺点，即它的集成度较低，相同容量的DRAM内存可以设计为较小的体积，而SRAM却需要很大的体积，所以在主板上SRAM存储器要占用一部分面积。

优点：速度快，不必配合内存刷新电路，可提高整体的工作效率。

缺点：集成度低，功耗较大，相同的容量体积较大，而且价格较高，少量用于关键性系统以提高效率。

2、动态RAM（Dynamic RAM，DRAM），动态随机存取存储器，需要不断的刷新，才能保存数据。

而且是行列地址复用的，许多
都有页模式。

DRAM利用MOS管的栅电容上的电荷来存储信息，一旦掉电信息会全部的丢失，由于栅极会漏电，所以每隔一定的时间就需要一个刷新机构给这些栅电容补充电荷，并且每读出一次数据之后也需要补充电荷，这个就叫动态刷新，所以称其为动态随机存储器。

由于它只使用一个MOS管来存信息，所以集成度可以很高，容量能够做的很大。

DRAM保留数据的时间很短，速度也比SRAM慢，不过它还是比任何的ROM都要快；DRAM存储单元的结构非常简单，所以从价格上来说它比SRAM要便宜很多，计算机内存就是DRAM的。

DRAM分为很多种，常见的主要有FPRAM/ FastPage、EDORAM、SDRAM、DDRRAM、RDRAM、SGRAM以及WRAM等 I.
SDRAM，即Synchronous DRAM（同步动态随机存储器），曾经是PC电脑上最为广泛应用的一种内存类型，即便在今天SDRAM仍旧还在市场占有一席之地。

既然是“同步动态随机存储器”，那就代表着它的工作速度是与系统总线速度同步的。

SDRAM内存又分为PC66、PC100、PC133等不同规格，而规格后面的数字就代表着该内存最大所能正常工作系统总线速度，比如PC100，那就说明此内存可以在系统总线为100MHz的电脑中同步工作。

与系统总线速度同步，也就是与系统时钟同步，这样就避免了不必要的等待周期，减少数据存储时间。

同步还使存储控制器知道在哪一个时钟脉冲期由数据请求使用，因此数据可在脉冲上升期便开始传输。

SDRAM采用3.3伏工作电压，168Pin的DIMM接口，带宽为64位。

SDRAM不仅应用在内存上，在显存上也较为常见。

DRAM和SDRAM由于实现工艺问题，容量较SRAM大。

但是读写速度不如SRAM，但是现在，SDRAM的速度也已经很快了，时钟好像已经有150兆的了。

那么就是读写周期小于10ns了。

II. SSRAM，Synchronous Static RAM（同步静态随机存储器），同步是指Memory工作需要时钟，内部的命令的发送与
数据的传输都以它为基准，随机是指数据不是线性依次存储，而是由指定地址进行数据读写。

对于SSRAM的所有访问都在时钟的上升/下降沿启动。

地址、数据输入和其它控制信号均于时钟信号相关。

这一点与异步SRAM不同，异步SRAM的访问独立于时钟，数据输入和输出都由地址的变化控制。

III. DDR RAM，Double-Date-Rate RAM，也称作DDRSD RAM，这种改进型的RAM和SDRAM是基本一样的，不同之
处在于它可以在一个时钟读写两次数据，这样就使得数据传输速度加倍了。

这是目前电脑中用得最多的内存，而且它有着成本优势，事实上击败了Intel的另外一种内存标准
RambusDRAM。

在很多高端的显卡上，也配备了高速DDR RAM来提高带宽，这可以大幅度提高3D加速卡的像素渲染能力。

IV. PSRAM，Fake Static RAM（假静态随机存储器）。

PSRAM具有一个单晶体管的DRAM储存格，与传统具有六个晶体管
的SRAM储存格或是四个晶体管与Two-Loadresistor SRAM储存格大不相同，但它具有类似SRAM的稳定接口，内部的DRAM架构给予PSRAM一些比Low-Power 6TSRAM优异的长处，例如体积更为轻巧，售价更具竞争力。

目前在整体SRAM市场中，有90%的制造商都在生产PSRAM组件
基本原理：PSRAM就是伪SRAM，内部的内存颗粒跟SDRAM的颗粒相似，但外部的接口跟SRAM相似，不需要SDRAM那样复杂的控制器和刷新机制，PSRAM的接口跟SRAM的接口是一样的
PSRAM容量有8Mbit,16Mbit,32Mbit等等，容量没有SDRAM那样密度高，但肯定是比SRAM 的容量要高很多的，速度支持突发模式，并不是很慢，Hynix，Coremagic,WINBOND.MICRON.CY 等厂家都有供应，价格只比相同容量的SDRAM稍贵一点点，比SRAM便宜很多
PSRAM主要应用于手机，电子词典，掌上电脑，PDA，PMP，MP3/4，GPS接收器等消费电子产品。

与SRAM（采用6T的技术）相比，PSRAM采用的是1T+1C的技术。

所以在体积上更小。

同时,PSRAM的I/O接口与SRAM相同。

在容量上，目前有4MB,8MB,16MB,32MB,64MB 和128MB。

比较于SDRAM,PSRAM的功耗要低很多。

所以对于要求有一定缓存容量的很多便携式产品是一个理想的选择
二、 ROM也有很多种：
1、 MASK ROM（掩模只读存储器），是制造商为了要大量生产，事先制作一颗有原始数据的ROM当作样本，然后再大量生产与样本
一样的 ROM，这种大量生产的ROM样本就是MASK ROM，而烧录在MASK ROM中的资料永远无法做修改
2、 PROM（可编程只读存储器），是一次性的，可编程只读存储器，内容一经写入以后，就不可能修改了，所以只可以写入一次。

这
种是早期的产品，现在已经不可能使用了
3、 EPROM（可擦除可编程只读存储器），是通过紫外光的照射擦出原先的程序，是一种通用的存储器。

，用紫外线照射进行擦除，高
压编程写入（+21V或+12V）
4、 EEPROM（电信号可擦除可编程只读存储器），是通过电子擦除，价格很高，写入时间很长，写入很慢
5、 Flash ROM，是利用浮置栅上的电容存储电荷来保存信息，因为浮置栅不会漏电，所以断电后信息仍然可以保存。

也由于其机构
简单所以集成度可以做的很高，容量可以很大。

Flash Rom写入前需要用电进行擦除，而且擦除不同与EEPROM可以以byte（字节）为单位进行，Flash Rom只能以sector（扇区）为单位进行。

不过其写入时可以byte为单位。

Flash Rom主要用于bios，U盘，Mp3等需要大容量且断电不丢数据的设备
举个例子，手机软件一般放在EEPROM中，我们打电话，有些最后拨打的号码，暂时是存在SRAM中的，不是马上写入通话记录（通话记录保存在EEPROM中），因为当时有很重要工作（通话）要做，如果写入，漫长的等待是让用户忍无可忍的。

注释：
①、我们通常可以这样认为，RAM是单片机的数据存储器（这里的数据包括内部数据存储器（用户RAM区，可位寻址区和工作组寄存器）和特殊功能寄存器SFR），或是电脑的内存
和缓存，它们掉电后数据就消失了（非易失性存储器除外，比如某些数字电位器就是非易失性的）。

ROM是单片机的程序存储器，有些单片机可能还包括数据存储器，这里的数据指的是要保存下来的数据，即单片机掉电后仍然存在的数据，比如采集到的最终信号数据等。

而RAM这个数据存储器只是在单片机运行时，起一个暂存数据的作用，比如对采集的数据做一些处理运算，这样就产生中间量，而RAM这个数据存储器就是来暂时存取中间量的，最终的结果要放到ROM的数据存储器中
②、ROM在正常工作状态下只能从中读取数据，不能快速的随时修改或重新写入数据。

它的优点是电路结构简单，而且在断电以后数据不会丢失。

缺点是只适用于存储那些固定数据的场合。

RAM与ROM的根本区别是RAM在正常工作状态下就可以随时向存储器里写入数据或从中读取数据
CDRAM：CachedDRAM——高速缓存存储器 CVRAM：CachedVRAM——高速缓存视频存储器 DDRRAM：Double-Date-Rate RAM——双倍速率存储器 DRAM：DynamicRAM——动态存储器
EDRAM：EnhancedDRAM——增强型动态存储器
EDORAM：ExtendedDateOutRAM——外扩充数据模式存储器 EDOSRAM：ExtendedDateOutSRAM——外扩充数据模式静态存储器 EDOVRAM：ExtendedDateOutVRAM ——外扩充数据模式视频存储器 FPM：FastPageMode——快速页模式 FRAM：FerroelectricRAM——铁电体存储器 SDRAM：SynchronousDRAM——同步动态存储器 SRAM：StaticRAM——静态存储器
SVRAM：SynchronousVRAM——同步视频存储器 3DRAM：3DIMESIONRAM——3维视频处理器专用存储器 VRAM：VideoRAM——视频存储器
WRAM：WindowsRAM——视频存储器（图形处理能力优于VRAM） MDRAM：MultiBankDRAM ——多槽动态存储器 SGRAM：SignalRAM——单口存储器
Flash存储器
Flash存储器又称闪存，它结合了ROM和RAM的长处，不仅具备电子可擦除可编程（EEPROM）的性能，还不会断电丢失数据同时可以快速读取数据（NVRAM的优势），U盘和MP3里用的就是这种存储器。

在过去的20年里，嵌入式系统一直使用ROM（EPROM）作为它们的存储设备，然而近年来Flash全面代替了ROM（EPROM）在嵌入式系统中的地位，用作存储Boot loader以及操作系统或者程序代码或者直接当硬盘使用（U盘）。

目前Flash主要有两种NOR Flash和NAND Flash两种。

Intel于1988年首先开发出NOR Flash 技术，彻底改变了原先由EPROM和EEPROM一统天下的局面。

紧接着，1989年，东芝公司发表了NAND Flash结构，强调降低每比特的成本，更高的性能，并且象磁盘一样可以通过接口轻松升级。

目前市面上的NOR FLASH主要来自Intel，AMD，Fujitsu和Toshiba，而生产NAND Flash的主要厂家有Toshiba和Samsung。

1、NOR Flash的读取和我们常见的SDRAM的读取是一样，用户可以直接运行装载在NOR Flash里面的代码，这样可以减少SRAM的容量从而节约了成本。

NOR是现在市场上主要的非易失闪存技术，其特点是应用简单、无需专门的接口电路、传输效率高，它是属于芯片内执行（XIP, eXecute In Place），这样应用程序可以直接在（NOR型）Flash闪存内运行，不必再把代码读到系统RAM中。

在1～4MB的小容量时具有很高的成本效益，但是很低的写入和擦除速度大大影响了它的性能。

NOR Flash带有SRAM接口，有足够的地址引脚来寻址，可以很容易地存取其内部的每一个字节。

NOR Flash占据了容量为1～16MB闪存市场的大部分。

2、NAND Flash没有采取内存的随机读取技术，它的读取是以一次读取一块的形式来进行的，通常是一次读取512个字节，采用这种技术的Flash比较廉价。

用户不能直接运行NAND Flash 上的代码，因此好多使用NAND Flash的开发板除了使用NAND Flash以外，还用一块小的NOR Flash来运行启动代码。

但是NAND结构能提供极高的单元密度，可以达到高存储密度，并且写入和擦除的速度也很快。

许多业内人士也搞不清楚NAND闪存技术相对于NOR技术的优越之处，因为大多数情况下闪存只是用来存储少量的代码，这时NOR闪存更适合一些。

而NAND则是高数据存储密度的理想解决方案。

所以，一般小容量的用NOR Flash，因为其读取速度快，多用来存储操作系统等重要信息。

而大容量的用NAND Flash，最常见的NAND Flash应用是嵌入式系统采用的DOC（Disk On Chip）和我们通常用的"闪盘"，可以在线擦除。

1）性能比较
Flash闪存是非易失存储器，可以对称为块的存储器单元块进行擦写和再编程。

任何Flash器件的写入操作只能在空或已擦除的单元内进行，所以大多数情况下，在进行写入操作之前必须先执行擦除。

NAND器件执行擦除操作是十分简单的，而NOR则要求在进行擦除前先要将目标块内所有的位都写为1。

由于擦除NOR器件时是以64～128KB的块进行的，执行一个写入/擦除操作的时间为5s；与此相反，擦除NAND器件是以8～32KB的块进行的，执行相同的操作最多只需要4ms。

执行擦除时块尺寸的不同进一步拉大了NOR和NADN之间的性能差距，统计表明，对于给定的一套写入操作（尤其是更新小文件时），更多的擦除操作必须在基于NOR的单元中进行。

这样，当选择存储解决方案时，设计师必须权衡以下的各项因素：
a、NOR的读速度比NAND稍快一些；
b、NAND的写入速度比NOR快很多；
c、NAND 的4ms擦除速度远比NOR的5s快；
d、大多数写入操作需要先进行擦除操作；
e、NAND的擦除单元更小，相应的擦除电路更少。

2）接口差别
NOR Flash带有SRAM接口，有足够的地址引脚来寻址，可以很容易地存取其内部的每一个字节。

NAND器件使用复杂的I/O口来串行地存取数据，各个产品或厂商的方法可能各不相同，8个引脚用来传送控制、地址和数据信息。

NAND读和写操作采用512字节的块，这一点有点像硬盘管理此类操作，很自然地，基于NAND的存储器就可以取代硬盘或其他块设备。

3）容量和成本
NAND Flash的单元尺寸几乎是NOR器件的一半，由于生产过程更为简单，NAND结构可以在给定的模具尺寸内提供更高的容量，也就相应地降低了价格。

NOR占据了容量为1～16MB闪存市场的大部分，而NAND只是用在8～128MB的产品当中，这也说明NOR主要应用在代码存储介质中，NAND适合于数据存储，在Compact Flash、Secure Digital、PC Cards和MMC存储卡市场上所占份额最大。

4）可靠性和耐用性
采用Flash介质时一个需要重点考虑的问题是可靠性，对于需要扩展MTBF的系统来说，Flash 是非常合适的存储方案，可以从寿命（耐用性）、位交换和坏块处理三个方面来比较NOR和NAND的可靠性。

a、寿命（耐用性）
在NAND闪存中每个块的最大擦写次数是一百万次，而NOR的擦写次数是十万次，NAND 存储器除了具有10比1的块擦除周期优势。

典型的NAND块尺寸要比NOR器件小8倍，
每个NAND存储器块在给定的时间内的删除次数要少一些。

b、位交换
所有Flash器件都受位交换现象的困扰。

在某些情况下（很少见，NAND发生的次数要比NOR多），一个比特（bit）位会发生反转或被报告反转了。

一位的变化可能不很明显，但是如果发生在一个关键文件上，这个小小的故障可能导致系统停机。

如果只是报告有问题，多读几次就可能解决了。

当然，如果这个位真的改变了，就必须采用错误探测/错误更正（EDC/ECC）算法。

位反转的问题更多见于NAND闪存，NAND的供应商建议使用NAND闪存的时候，同时使用EDC/ECC算法。

这个问题对于用NAND存储多媒体信息时倒不是致命的。

当然，如果用本地存储设备来存储操作系统、配置文件或其他敏感信息时，必须使用EDC/ECC 系统以确保可靠性。

c、坏块处理
NAND器件中的坏块是随机分布的。

以前也曾有过消除坏块的努力，但发现成品率太低，代价太高，根本不划算。

NAND器件需要对介质进行初始化扫描以发现坏块，并将坏块标记为不可用。

在已制成的器件中，如果通过可靠的方法不能进行这项处理，将导致高故障率。

5）易于使用
可以非常直接地使用基于NOR的闪存，可以像其他存储器那样连接，并可以在上面直接运行代码。

由于需要I/O接口，NAND要复杂得多。

各种NAND器件的存取方法因厂家而异。

在使用NAND器件时，必须先写入驱动程序，才能继续执行其他操作。

向NAND器件写入信息需要相当的技巧，因为设计师绝不能向坏块写入，这就意味着在NAND器件上自始至终都必须进行虚拟映射。

6）软件支持
当讨论软件支持的时候，应该区别基本的读/写/擦操作和高一级的用于磁盘仿真和闪存管理算法的软件，包括性能优化。

在NOR器件上运行代码不需要任何的软件支持，在NAND器件上进行同样操作时，通常需要驱动程序，也就是内存技术驱动程序（MTD），NAND和NOR器件在进行写入和擦除操作时都需要MTD。

使用NOR器件时所需要的MTD要相对少一些，许多厂商都提供用于NOR器件的更高级软件，这其中包括M-System的TrueFFS驱动，该驱动被WindRiverSystem、Microsoft、QNXSoftwareSystem、Symbian和Intel等厂商所采用。

驱动还用于对DiskOnChip产品进行仿真和NAND闪存的管理，包括纠错、坏块处理和损耗平衡。

NOR Flash的主要供应商是INTEL、MICRO等厂商，曾经是Flash的主流产品，但现在被NAND Flash挤的比较难受。

它的优点是可以直接从Flash中运行程序，但是工艺复杂，价格比较贵。

NAND Flash的主要供应商是SAMSUNG和东芝，在U盘、各种存储卡、MP3播放器里面的都是这种Flash，由于工艺上的不同，它比NOR Flash拥有更大存储容量，而且便宜。

但也有缺点，就是无法寻址直接运行程序，只能存储数据。

另外NAND Flash非常容易出现坏区，所以需要有校验的算法。

在掌上电脑里要使用NAND Flash存储数据和程序，但是必须有NOR Flash来启动。

除了SAMSUNG处理器，其他用在掌上电脑的主流处理器还不支持直接由NAND Flash启动程序。

因此，必须先用一片小的NOR Flash启动机器，然后再把OS等软件从NAND Flash载入SDRAM 中运行才行，挺麻烦的。

外存储器
外储存器是指除计算机内存及CPU缓存以外的储存器，此类储存器一般断电后仍然能保存数据。

常见的外储存器有硬盘、软盘、光盘、U盘等。

存储器的种类很多，按其用途可分为主存储器和辅助存储器，主存储器又称内存储器（简称内存），辅助存储器又称外存储器（简称外存）。

外存通常是磁性介质或光盘，像硬盘，软盘，磁带，CD等，能长期保存信息，并且不依赖于电来保存信息，但是由机械部件带动，速度与CPU相比就显得慢的多。

外部存储器软盘、硬盘、光盘、U盘都是外部存储器。

从冯.诺依曼的存储程序工作原理及计算机的组成来说，计算机分为运算器、控制器、存储器和输入/输出设备，这里的存储器就是指内存，而硬盘属于输入/输出设备。

CPU运算所需要的程序代码和数据来自于内存，内存中的东西则来自于硬盘。

所以硬盘并不直接与CPU打交道。

硬盘相对于内存来说就是外部存储器。

存储器是用来存储器数据的,内存有告诉缓存和内存,计算机内部存储,外存就是类似U盘的外部存储,内存储器速度快价格贵，容量小，断电后内存内数据会丢失。

外存储器单位价格低，容量大, 速度慢, 断电后数据不会丢失。

性能指标硬盘的基本性能指标: ●容量——通常所说的容量是指硬盘的总容量，一般硬盘厂商定义的单位1GB=1000MB,而系统定义的1GB=1024MB,所以会出现硬盘上的标称值小于格式化容量的情况,这算业界惯例, 所以会出现硬盘上的标称值小于格式化容量的情况,这算业界惯例, 属于正常情况. ●单碟容量就是指一张碟片所能存储的字节数,现在硬盘的单碟容量一般都在20GB以上.而随着硬盘单碟容量的增大,硬盘的总容量已经可以实现上百甚至上千GB了目前市场上所售的硬盘容量大都在80GB,160GB以上。

●转速——转速是指硬盘内电机主轴的转动速度,单位是RPM(每分钟旋转次数).转速是决定硬盘内部传输率的决定因素之一,它的快慢在很大程度上决定了硬盘的速度,同时也是区别硬盘档次的重要标目前一般的硬盘转速为5400 分和7200转最高的转速则可达到10000转分以上. ●最高内部传输速率——这是硬盘的内圈传输速率,它是指磁头和高速数据缓存之间的最高数据传输速率,单位为MB/s.最高内部传输速率的性能与硬盘转速以及盘片存储密度(单碟容量)有直接的关系. ●平均寻道时间平均寻道时间是指硬盘磁头移动到数据所在磁道时所用的时间,单位为毫秒(ms),现在硬盘的平均寻道时间一般低于9毫秒.平均寻道时间越短,硬盘的读取数据能力就越高. 无驱高速型优盘的主要性能指标●数据读取速度：1000kb/s ●数据写入速度：920kb/s ●无需安装驱动程序(windows 98除外) ●无需物理驱动器●符合usb 1.1标准●无需额外电源，只从usb总线取电●容量大、品种多(16mb - 512mb) ●带写保护开关，防止文件被抹掉，防病毒●led指示灯指示工作状态●体积小：76mm×25mm×16mm ●重量轻：大约20g 磁盘，已淘汰。

光盘，容易存放，价格低，易刮花，容量一般，CD碟600M左右，DVD 碟单层4.7G，双层8.5，BRD是新产品，容量更大，价格不菲。

光盘有可刻录和只读之分，有一次性刻录和反复刻录之别。

必需配置光驱、碟机、刻录机等其中一样设备才能使用。

硬盘，存储、读写比较容易，存储量也较大，价格高，现在市场上几百元元就能买到1T的产品，但是便携性比较差，再就是由于硬盘内部是物理结构器件，有磁盘，磁头，集成电路，电机等器件，也就决定了它的防震性能较差，受到摔打或撞击后容易形成硬伤。

U盘，又称闪存盘，拥有读写速度较快，携带方便，体积小等优点，容量一般，价格一般，现在普遍使用的是2G，4G，8G等产品，当然还有容量更高的16G，32G，64G等产品，但是价格也就不菲了。

闪存卡，又称内存卡，体积小巧，携带方便，存储快，与U盘相似，担体积更小，容量一般，目前常见的1G，2G，4G，价格一般。

按材质分为TF卡、MMS卡（又称记忆棒）、SD卡、XD卡、MMC卡等。

必须配置读卡器才能使用，现在手机、数码相机等电子设备都内置有读卡器。