晶闸管可控整流电路

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13.1 电力电子器件 13.2 晶闸管可控整流电路(AC-DC) 13.3 晶闸管的触发电路
• 利用电力电子器件实现工业规模的电能变换,它是将一 种形式的工业电能转换成另一种形式的工业电能。例如, 将交流电能变换成直流电能或将直流电能变换成交流电 能;将工频电源变换为设备所需频率的电源;在正常交 流电源中断时,用逆变器将蓄电池的直流电能变换成工 频交流电能。应用电力电子技术还能实现非电能与电能 之间的转换。例如,利用太阳电池将太阳辐射能转换成 电能。
• 与电子技术不同,电力电子技术变换的电能是作为能源 而不是作为信息传感的载体。 • 电力电子器件以半导体为基本材料,最常用的材料为单 晶硅;它的理论基础为半导体物理学。
• 作用
(1)优化电能使用。通过电力电子技术对电能的处理, 使电能的使用达到合理、高效和节约,实现了电能 使用最佳化。例如,风机水泵、电力牵引、轧机冶 炼、工业窑炉、感应加热、电焊、化工、电解等行 业,都有很大的潜在节电,所以推广应用电力电子 技术是节能的一项战略措施。 (2) 改造传统产业和发展机电一体化等新兴产业。 电力电子技术是弱电控制强电的媒体,是机电设备 与计算机之间的重要接口,它为传统产业和新兴产 业采用微电子技术创造了条件,成为发挥计算机作 用的保证和基础。
i B 2 iG
K EA > 0、EG > 0
3. 伏安特性 ( I f (U )曲线)
I
正向平均电流
IF
+ _
IG2 > IG1 > IG0 IG2 IG1 IG0 U UFRM UBO U
维持电流
UBR URRM
IH o
反向转折电压
_
+
正向转折电压
正向特性
反向特性
4. 主要参数
UFRM: 正向重复峰值电压(晶闸管耐压值) 晶闸管控制极开路且正向阻断情况下,允 许重复加在晶闸管两端的正向峰值电压。 一般取UFRM = 80% UB0 。 普通晶闸管 UFRM 为100V — 3000V
13.1 电力电子器件
一、 电力电子器件的分类
1.不控器件,如整流二极管。 2.半控器件,如普通晶闸管。 3.全控器件,如可关断晶闸管、功率晶闸 管等。
电力电子器件的主要性能指标:
电压、电流、工作频率
二、 晶闸管(可控硅)-半控型器件
晶闸管是在晶体管基础上发展起来的一种大功率半 导体器件。它的出现使半导体器件由弱电领域扩展到 强电领域。 晶闸管也像半导体二极管那样具有单向导电性, 但它的导通时间是可控的,主要用于整流、逆变、调 压及开关等方面。 优点: 体积小、重量轻、效率高、动作迅速、维修简单、 操作方便、寿命长、 容量大(正向平均电流达千安、 正向耐压达数千伏)。
EA 加正压,S断开 EA 加正压, S闭合 KP导通后,S再断开
L不亮
KP截止
L亮
KP导通
L仍亮
KP仍导通
晶闸管导通的条件:
1. 晶闸管阳极电路(阳极与阴极之间)施加正向电压。 2. 晶闸管控制电路(控制极与阴极之间)加正向电压 或正向脉冲(正向触发电压)。 晶闸管导通后,控制极便失去作用。 依靠正反 馈,晶闸管仍可维持导通状态。
URRM: 反向重复峰值电压
控制极开路时,允许重复作用在晶闸管元 件上的反向峰值电压。 一般取 URRM = 80% UBR 普通晶闸管 URRM为100V—3000V
IF:正向平均电流 环境温度为40 C及标准散热条件下,晶闸 管处于全导通时可以连续通过的工频正弦 半波电流的平均值。 如果正弦半波电流的最大值为Im, 则 π 1 Im IF I m sin td (t ) 2π 0 π i
• (3) 电力电子技术高频化和变频技术的发展, 将使机电设备突破工频传统,向高频化方向 发展。实现最佳工作效率,将使机电设备的 体积减小,响应速度达到高速化。
• (4) 电力电子智能化的进展,使微电子技术与 电力电子技术一体化,其发展有可能引起电 子技术的重大改革。
• 应用领域
• 一般工业: 交直流电机、电化学工业、冶金工业 交通运输: 电气化铁道、电动汽车、航空、航海 • 电力系统: 高压直流输电、柔性交流输电、无功补偿 • 电子装置电源: 为信息电子装置提供动力 家用电器: “节能灯”、变频空调 • 其他: UPS、 航天飞行器、新能源、发电装置
K
2. 工作原理分析
A
形成正反馈过程
β 1β 2 iG
T1
R
iC 2 2 iG i B 1
i B 2 iG
G
iG
EG
iB 2
β 2 iG
T2 EA
T2正偏
+ _
iC 1 β 1 iC 2
1 2iG
T2 进一步导通… 依靠正反馈,在极短时间 内使两个三极管均饱和导 通,此过程称触发导通。
K EA > 0、EG > 0
2. 工作原理分析
A
形成正反馈过程
β1β2 iG
T1 G
R
iG
E
G
iB 2
β 2 iG
T2
EA
+ _
iC 2 2 iG i B 1 iC 1 β 1 iC 2 1 2iG
由于 iB1≈iC2, iB2≈iC1, 可使 iG = 0 依靠正反馈,晶闸管导 通后,去掉EG , 仍可维 持导通状态。
晶闸管关断的条件:
1. 必须使可控硅阳极电流减小,直到正反馈效应不能维持。 2. 将阳极电源断开或者在晶闸管的阳极和阴极间加反相 电压。
2. 工作原理分析 A
P1 N1 G P2 N2 G
A P N P N
+ IA
P1 P2
A N1 T1 P2 N1 T2
G
P
IG
N
N2
IK
_K
K 晶闸管相当于PNP和NPN型两个晶体管的组合
IF
普通晶闸管IF为1A — 1000A。
2
t
IH: 维持电流 在规定的环境和控制极断路时,晶闸管维持导 通状态所必须的最小电流。 一般IH为几十 ~ 一百多毫安。
1. 基本结构
晶闸管是具有三个 PN结的四层结构, 其外 形、结构及符号如图。 A
源自文库
A 阳极
P1
G K
(a) 外形 (b) 符号
四 层 半 导 体
N1
三 个 PN 结
GG
控制极
P2
N2
(c) 结构 K 阴极
晶闸管的外形、结构及符号
2. 工作原理 晶闸管实验
S EG L
+
EA
KP
-
+
EA 加反压 如EG 加反压 (S闭合或断开) 无论EA 是正或负 L不亮 L不亮 KP截止 KP截止
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