5.《电子技术基础》复习题-晶闸管可控整流电路
《电子技术基础》复习题(模拟)
一、填空题：1—1—1 半导体是一种导电能力介于导体与绝缘体之间的物质。
常用的半导体单晶材料是硅和锗，还有部分金属与氧、硫、磷、砷等元素组成的氧化物。
1—1—2 利用半导体材料的某种敏感特性，如热敏特性和光敏特性可制成热敏电阻和光敏元件。
1—1—3 在本征半导体中，自由电子浓度等于空穴浓度；在P型半导体中，自由电子浓度小于空穴浓度；在N型半导体中，自由电子浓度大于空穴浓度。
1—1—4 半导体中的电流是电子电流与空穴电流的代数和。
杂质半导体中的多数载流子是由掺杂产生的；少数载流子是由本证激发产生的。
1—1—5 使PN结正偏的方法是：将P区接高电位，N区接低电位。
正偏时PN结处于导通状态，反偏时PN结处于截止状态。
1—1—7 反向电压引起反向电流剧增时的PN结处于击穿状态，该状态是稳压二极管的工作状态，是普通二极管的故障状态。
1—1—9 整流二极管的最主要特性是单项导电性，它的两个主要参数是：最大平均整流电流 和 最高反向工作电压 。
1—1—10 在常温下，硅二极管的开启电压(死区电压)约为0.5 V ，导通后在较大电流下的正向压降约为 0.7 V ；锗二极管的开启电压(死区电压)约为 0.1 V ，导通后在较大电流下的正向压降约为 0.3 V 。
1—1—11 理想二极管正向导通时，其压降为 0 V , 反向截止时，其中电流为 0 A 。
这两种状态相当于一个 开关 。
1—1—12 稳压二极管工作时，其反向电流必须在WmanW I I ~min 范围内，才能起稳压作用，并且不会因热击穿而损坏。
1—1—13 发光二极管内部 PN 结 ，当外加适当的正向电压时，N 区的自由电子和P 区的空穴在扩散过程中 复合 ，释放的能量以 光 的形式表现出来。
1—1—14 发光二极管按其发光效率的高低可分为 超高亮度 型 高亮度 型和 普通型。
1—1—15 用万用表及R ×100Ω或R ×1K 档测试一个正常二极管时指针偏转角很大，这时可判定黑表笔接的是二极管阳(正) 极，红表笔接的是二极管 阴（负） 极。
中职电子线路习题库(答案)
《 电子技术基础与实训》课程考试答卷一. 填空题(请将正确的答案填写在试题相应的位置上。
)1. 内存储器、高速缓冲存储器、CPU 、内、主板、高速缓冲、存取速度2. 逐次逼近、转换速度3. n+1n n+1n =+Q =nQ JQ K Q D 、。
4. "1"、"0"5. n+11=S+R (CP 1)SR 0n QQ ==、、。
6. 的两个输入端连在一起、保持、翻转7. 时钟脉冲控制、同、异、异、时钟脉冲控制、同一时刻 8. 分频、控制、测量、三、6、2 9. 数码、移位、双向、4、8 10. 空翻、钟控RS 、电平11. TTL 、左移和右移、保持数据、清除数据12. 二进、组合、编码、二进、十进、译码、集成、数值比较13. 随机存取、可编程逻辑、只读存储器ROM 、随机存取存储器RAM 14. "1"、"0"15. 回差、整形、变换、单、单、暂稳、稳、单稳、稳、暂稳、稳16. 分辨率、绝对精度、非线性度、建立时间等、相对精度、分辨率、转换速度等 17. 参考电压、译码电路、电子开关、运算放大器18. R-2R T 型电阻、R-2R 倒T 型电阻、权电阻、CMOS 、双极型 19. 四舍五入、舍尾取整法20. 采样、采样、保持、量化、编码 21. 半个周期22. 寄存、触发、触发、寄存、触发 23. 进位制、数、按位权展开求和24. 桥式整流、单相半波整流、22U 、22U25. 结构简单、使用的元器件少、效率低、输出脉动大、交流成分低 26. 交流成分、电抗元件、输出直流电、电容、电感、RC 型、LC 型 27. 并联、小功率、串联、大功率 28.22.1U U o =。
29. 电网电压波动、负载、输出电压 30. 串联型稳压电路、并联型稳压电路 31. 简单、少、不需要调节、比较小 32. 1、置0、置133. 基数、位权、基、位权34. 倒T 、R 、2R 、权电阻、高速电子开关、转换速度 35. 二进、二进制、三位、四位 36. 8、4、2、1、二进制、0～937. 原码、反码、补码、补码38. 分配、结合、交换、反演、非非39. 开关、双极、单极、双极、单极40. 图腾、高电平"1"、低电平"0"、"1"、"0"、高阻41. TTL、CMOS、CMOS42. PMOS、NMOS、输入、输出、控制43. "与"、悬空、"或"、低、高、低、悬空44. 小、高、好、三端集成稳压器、输入端、输出端、公共端、正电压、负电压45. 预置、清零46. 双积分、逐次逼近47. 数据选择、多路48. 边沿、主从型JK、维持阻塞D49. 置0、置1、保持、翻转、1、150. T、翻转51. 二进制、二进制、二进制、同步、异步、加减、加、减、可逆52. 十进制、四、842153. 莫尔、米莱54. 三态、OC55. 无效、有效循环体、无效、自启动56. "1"、"0"57. 输入缓冲、与阵列、或阵列、输出缓冲、PLA、PAL、GAL58. 简单型、复杂型、寄存器型59. 可编程、固定、可编程、可编程、可编程、固定60. EPROM、浮置栅61. 整形、稳态、变换、整形62. 正反馈、稳定、暂稳态、充放电63. 延时、定时、稳态、单稳态电路内部定时元件R和C64. 滞回、强65. 五、自由电子、空穴、正、三、空穴、自由电子、负66. 驱动、输出、次态、异、时钟脉冲67. 单门限比较器、滞回比较器、方波68. CMOS、8、逐次比较、CMOS、869. R×1K、阴、阳、击穿、绝缘老化不通70. 栅71. 大、高、可调72. 电角度、触发延迟角α、移相范围、导通角θ，0~π73. 错74. 静、动、动、直流、交流、大、小75. 窄、越窄76. 并、并、并77. 同相输入、反相输入、微分78. 越好、大于、τ放电=R L C≥（3~5）T/279. 滞回80. 基本不变、约减小一半81. 线性应用、非线性应用、线性、非线性82. 250mV、50mV83. 截止区、截止区、放大区、半个、截止区边缘、多半个84. NPN、PNP、使两个射极输出器相同、无输出变压器、无输出电容器85. 电感、电容86. 5V、1.5A87. 最小项、相邻、最小项、一位变量88. 相等、虚短、等于零、虚断89. 取样环节、基准电压环节、比较放大环节、调整环节90. 功能真值表、逻辑函数式、状态转换图、时序波形图91. 发射、基、集电、发射、集电、发射、基、集电92. 正反馈和负反馈、电压反馈和电流反馈、串联反馈和并联反馈、直流反馈和交流反馈93. 稳定放大器放大倍数、减小非线性失真、展宽通频带94. 虚短、虚断95. 放大、极限、输出电压、输出电流96. 推动负载工作97. 电源变压器、整流电路、滤波电路、稳压电路98. 稳定输出电压99. 整流、单相半波整流电路、单相全波整流电路、单相桥式整流电路100. 同相、反相、同相、反相、双端101. 模拟、数字102. 高、低103. 逻辑、逻辑、逻辑、与逻辑、或逻辑、非逻辑104. 8421、2421、余3、格雷105. 除2取余、乘2取整106. 门电路、与门、或门107. 异或、同或108. 或非、有1出1，全0出0、与非109. 清零、置1、保持、为低电平110. 单向导电性、大小和方向、单向脉动、整流二极管、晶闸管111. 微弱的信号放大、幅值由小增大、实现能量的控制、变化量112. 或项、与项113. 硅稳压管稳压电路、串联型稳压电路、集成稳压电路114. 场效应（MOS）、N、P115. 可控硅、控制其导通与截止、弱电流、强电流、单向晶闸管、双向晶闸管、光控晶闸管、快速晶闸管116. 三个、阳极、阴极、控制极117. 共发射极、共集电极、共基极118. 发射、集电119. 发射、集电120. 放大电路、负反馈网络电路121. 几十至几千欧、负反馈、负反馈、并联一个约为几十微法的较大射极旁路电容C E122. 太低、太高123. 电压放大电路、功率放大电路124. 具有电压放大倍数、增大而减小、反向 125. 直流、交流126. 射极输出器（射极跟随器）、电压放大倍数小于1、同向、高、低、输入级、输出级、中间隔离级127. 输入级、中间级、输出级、耦合方式、阻容耦合、直接耦合、变压器耦合、光电器件耦合 128. 输出信号、反馈、负、正、电压串联、电流串联、电压并联、电流并联 129. 温度、零点、零点、差动 130. 差模、共模 131. 共模、差模132. 电压增益、输入信号、输出信号、输入电阻、输出电阻 133. 滞回、跃变、过零134. 共发射极电路、共基极电路、共集电极电路 135. 阻容耦合、直接耦合136. 互不影响、零点漂移、变化缓慢的直流信号、相互影响、零点漂移137. 每一级放大电路放大倍数的乘积、第一级放大电路的输入电阻、最后一级放大电路的输出电阻138. 相等139. 差模放大倍数与共模放大倍数之比、抑制共模信号的能力140. 深度负、正、开环工作、输入电流、输出电阻、两种、零、线性、非线性 141. ∞、∞、0、∞142. 温度、电路中引入电流负反馈、分压式偏置放大电路 143. 同相、反相、同相、反相144. 一部分或全部、净输入、净输入信号减小、净输入信号增加 145. 减小、增大、输出电压、减小、输出电流、增大、增大、减小146. 开环电压放大倍数趋于无穷大、差模输入电阻趋于无穷大、开环输出电阻趋于零、共模抑制比趋于无穷大147. 大、高、小148. 增加放大器的动态工作范围、减小电源供给的平均功率149.Eo P P =η、表示放大电路的交流输出功率、表示电源供给的直流功率150. 门电路、触发器 151. 断路、短路152. 电容、电感、将整流后的单向脉动直流电压中的纹波成分尽可能滤除掉、直流电 153. 直流电压、温度、稳定 154. 反相、同相、同相、反相155. 输入的数字、与数字量成正比的输出模拟、输入的模拟、与其成正比的输出数字 156. 4096157. 字、位、字、位同时158. 逻辑电路、输入、输出、功能、分析 159. 输入级、中间级、输出级、偏置电路160. 0、n n Q R S Q +=+1、1=+S R161. 1kΩ162. 存储容量、存取速度、功耗、可靠性163. 地址译码器、存储矩阵、读/写控制164. 固定、可编程的、可光擦除可编程、可电擦除可编程165. 相反、多数载流子、扩散、少数载流子、漂移、一致、少子、漂移、多子、扩散、反向饱和166. P、N、N、P、空间电荷区、N、P、空间电荷区、扩散、漂移、PN结167. 面、硅晶体、反向击穿168. 带负载169. 导通、截止、阳极上加正向电压、加控制电压170. 输入电阻大些、输出电阻小些171. 上、反馈环节、合适的基极电位172. 越大、越小173. 微变等效电路法、可变电阻、受控电流源174. 基极、集电极175. 动态、电压放大倍数、输入电阻、输出电阻、交流通路、图解法、微变等效电路法176. 静态、为了消除非线性失真、I BQ、I CQ、U CEQ、直流通路、图解法、估算法二. 单选题(请将正确答案的序号填写在试题对应的括号内。
《电子技术基础》第4至7章试题及答案
《电子技术基础》（中职电工类第5版）第4至7章试题及答案一．填空题：1.将交流电变换成直流的过程叫整流。
2.在单相桥式整流电路中，如果负载电流是20A,则流过每只晶体二极管的电流是10 A。
3.在输出电压平均值相等的情况下，三相半波整流电路中二极管承受的最高反向电压是三相桥式整流电路的2倍.4.整流二极管的冷却方式有自冷、风冷和水冷三种。
5.检查硅整流堆正反向电阻时，对于高压硅堆应用兆欧表。
6.三端可调输出稳压器的三端是指输入、输出和调整三端。
7.三端固定输出稳压器CW7812型号中的12表示为+12 V。
8.并联型稳压电路是直接利用稳压管电流的变化，并通过限流电阻的调压作用，达到稳压的目的。
9.用“1”表示低电平，“0”表示高电平，称为负逻辑。
10.由与、或、非三种基本门电路可以组合成复合门电路。
11.集电极开路门的英文编写为OC 门.12. TTL门电路输出端不允许直接接电源或接地。
13. CMOS 集成电路的多余输人端不能悬空_。
14.为有良好的静电屏蔽，CMOS集成电路应存在密闭容器中。
15.十进制数有16个数码，基数为16 。
16.将十进制数175转换成二进制数为（10101111）217.在数字电路中，逻辑变量的值只有 2 个。
18.四位二进制编码器有十个输入端2个输出端。
19. BCD码编码器能将二进制数码编成十进制代码。
20. 优先编码器当多个信号同时输入时，只对优先级别最高位的一个进行编码。
21. 8线-3线优先编码74LS148,有 8 个输入端，3个输出端。
22. 触发器有 2 个稳定状态。
23. JK触发器的逻辑功能为置1，置0，保持和翻转。
24. JK触发器中，若J=1 ，K= 1 则实现计数功能。
25.计数器还可以用来统计，定时、分频或者进行数字运算等。
26.计数器按计数趋势不同可分为加法、减法和可逆计数器。
27.模数转换器通常要经过采样、保持、量化和编码四步完成。
28.晶闸管的电流参数有通态平均电流和维持电流等。
电子技术基础试题库(1~6章)
电子技术基础第一学期试题库（1~6章）一、填空题：（每空1分）1、根据导电能力来衡量，自然界的物质可以分为，和三类。
答：导体、半导体、绝缘体。
2、半导体具有特性，特性和特性。
答：热敏、光敏、掺杂。
3、PN结具有特性，即加正向电压时，加反向电压时。
答：单向导电、导通、截止。
4、硅二极管导通时的正向管压降约v,锗二极管导通时的管压降约v。
答：0.7V、0.3V。
（中）5、使用二极管时，应考虑的主要参数是和。
答：最大整流电流、最高反向工作电压。
5、在相同的反向电压作用下，硅二极管的反向饱和电流常锗二极管的反向饱和电流，所以硅二极管的热稳定性。
答：小于、较好。
6、发光二极管将信号转换成信号；光电二极管将信号转换成信号。
答：电、光、光、电。
7、三极管有三个电极，即极、极和极。
答：集电极、基极、发射极。
8、半导体三极管有型和型。
答：NPN、PNP。
（中）9、三极管基极电流I B的微小变化，将会引起集电极电流I C的较大变化，这说明三极管具有作用。
答：电流放大。
10、硅三极管发射结的死区电压约v，锗三极管的死区电压约v。
晶体三极管处在正常放大状态时，硅管的导通电压约为v，锗管约为v。
答：0 .5、0.2、0.7、0.3。
11、三极管工作在放大状态时，其集电极电流与基极电流的关系是。
答：I C=βI B。
（中）25、三极管的穿透电流I CEO随温度的升高而，硅三极管的穿透电流比锗三极管的。
答：增加、小。
12、三极管的极限参数分别是，，和。
答：集电极最大允许电流、集-射间的反向击穿电压、集电极最大允许耗散功率。
（中）13、工作在放大状态的三极管可作为器件；工作在截止和饱和状态的三极管可作为器件。
答：放大、开关。
14、放大电路按三极管连接方式可分为，和。
答：共基极放大器、共集电极放大器、共射极放大器。
15、放大电路设置静态工作点的目的是。
答：使放大器能不失真地放大交流信号。
16、放大器中晶体三极管的静态工作点是指，和。
电子技术基础试题库及参考答案
电子技术基础试题库及参考答案试卷一一、单项选择题：在下列各题中，将唯一正确的答案代码填入括号内(本大题共13小题，总计34分)1、(本小题2分)由开关组成的逻辑电路如图所示，设开关接通为“1”，断开为“0”，电灯亮为“1”，电灯暗为“0”，则该电路为 ( )。
(a)“与”门(b)“或”门(c) “非”门A2、(本小题2分)若用万用表测二极管的正、反向电阻的方法来判断二极管的好坏，好的管子应为( )。
(a) 正、反向电阻相等(b) 正向电阻大，反向电阻小(c) 反向电阻比正向电阻大很多倍(d) 正、反向电阻都等于无穷大3、(本小题2分)运算放大器电路如图所示，RF1和RF2均为反馈电阻，其反馈极性为 ( ) 。
(a) RF1引入的为正反馈，RF2引入的为负反馈(b) RF1和RF2引入的均为负反馈(c) RF1和RF2引入的均为正反馈(d) RF1引入的为负反馈，RF2引入的为正反馈R-∞＋R4、(本小题2分)振荡电路的幅度特性和反馈特性如图所示，通常振荡幅度应稳定在（）。
(a) O 点(b) A 点(c) B 点(d) C 点U omfm5、(本小题2分)电容三点式振荡电路如图所示，其振荡频率为（ ）。
(a)f L C C C C o ≈+121212π() (b) f L C C C C o ≈+121212π()(c) f L C C C C o ≈+11212()+U CC6、(本小题2分)整流电路如图所示， 直流电压表V （内阻设为无穷大） 的读数均为90 V ，二极管承受的最高反向电压为141 V 的电路是下列图中（ ）。
～～D ()a7、(本小题2分)若晶闸管的控制电流由小变大， 则正向转折电压 （ ）。
(a) 由大变小 (b) 由小变大 (c) 保持不变 8、(本小题2分)某数/模转换器的输入为8 位二进制数字信号（D7 ~ D0），输出为 0~25.5V 的模拟电压。
若数字信号的最低位是“1” 其余各位是“0”， 则输出的模拟电压为( )。
电子技术基础课后答案
电子技术基础课后答案《电子技术基础》是2009年9月由人民邮电出版社出版的一本教材图书，作者是姜桥。
该书全面、系统地介绍了电子技术的基础知识和基本技术。
以下是整理的电子技术基础课后答案，欢迎阅读。
解晶闸管、二极管以及三极管虽然是3种截然不同的器件，但它们都可以作为单方向导电的开关。
然而，即使作为开关使用，它们之间却也存在着很大的差异。
与二极管比较，晶闸管具有可控性，即在阳极和阴极之间加上正向电压的时候，并且在控制极和阴极之间也加上正向电压晶闸管才能导通。
二极管没有可控性，只要在阳极和阴极之间加上正向电压二极管就会导通。
此外，晶闸管导通后可以通过几十至上千安培的电流，比二极管大得多。
与三极管比较，晶闸管不具有放大作用，只有当控制极电流达到某一数值时，阳极与阴极之间由阻断突然变为导通，导通后可以通过几十至上千安培的电流，并且控制极就不再起控制作用。
三极管具有放大作用，在放大区集电极电流与基极电流成正比，即使在饱和区或截止区，也可以通过改变基极电流使其脱离饱和区或截止区，仍可用基极电流去控制集电极电流的大小。
解晶闸管的导通条件是：在阳极和阴极之间加适当的正向电压UAK，并且在控制极和阴极之间加适当的正向触发电压UGK。
因为晶闸管导通后的管压降约为1V左右，电源电压UA 几乎全部加到负载电阻RA上，阳极电流，所以，晶闸管导通后阳极的电流大小基本上由电源电压UA和负载电阻RA决定。
晶闸管阻断分正向阻断和反向阻断两种情况。
正向阻断时所承受的正向电压由正向转折电压UBO决定，超过此值时晶闸管被击穿导通而损坏。
通常将正向转折电压UBO的80%规定为正向阻断峰值电压UFRM。
反向阻断时所承受的反向电压由反向转折电压UBR决定，超过此值时晶闸管被反向击穿，漏电流剧烈增大而损坏。
通常将反向转折电压UBR的80%规定为反向阻断峰值电压UFRM。
解晶闸管由导通变为阻断状态的条件是，晶闸管阳极电流小于维持电流IH，或将阳极与电源断开或给阳极与阴极之间加反向电压。
电力电子技术基础复习题
一、单项选择题1、硅材料电力二极管正向压降为（）。
A、0.3VB、0.7VC、1VD、1.5V2、锗材料电力二极管正向压降为（）。
A、0.3VB、0.7VC、1VD、1.5V3、研究电力电子电路的重要方法是（）。
A、电阻法B、电流法C、电压法D、波形分析法4、三相逆变电路中相邻序号开关导通间隔为（）。
A、30°B、60°C、90°D、120°5、以下（）属于不控型器件。
A、晶闸管B、三极管C、二极管D、场效应管6、工频交流电是指频率为（）的交流电源。
A、50HzB、60HzC、90HzD、120Hz7、半导体器件的最高结温一般限制在（）。
A、30°～50°B、50°～100°C、100°～150°D、150°～200°8、晶闸管额定电压是其在电路中可能承受最高电压的（）倍。
A、1～2B、2～3C、3～4D、4～59、晶闸管额定电流是在通态电流平均值的基础上增加（）倍。
A、1～1.5B、1.5～2C、2～2.5D、2.5～310、发展最快最有前景的电力电子器件是（）器件。
A、不控型B、半控型C、可控性D、全控型11、电力场效应晶体管中主要类型是（）。
A、P沟道增强型B、N沟道增强型C、P沟道耗尽型D、N沟道耗尽型12、以下属于电阻性负载的是（）。
A、白炽灯B、蓄电池C、电动机励磁绕组D、电磁铁13、电力电子器件的通态损耗与器件的通态（）有关。
A、电压B、电流C、电阻D、电感14、功率因数λ为（）时电力系统发送功率的利用率最高。
A、0>λ>-1B、1C、0<λ<1D、0.915、在放大电路中，场效应晶体管应工作在漏极特性的（）。
A、可变电阻区B、截止区C、饱和区D、击穿区16、场效应管三个电极中，用D表示的电极称为（）。
A. 栅极B. 源极C. 基极D. 漏极17、三相对称交流电相互之间相差（）。
大学《电力电子技术》试题及答案(七)
大学《电力电子技术》试题及答案一、填空题（本题共14小题，每空1分，共20分）1、晶闸管是三端器件，三个引出电极分别为：阳极、阴极和极。
2、晶闸管的额定电流是用在一定条件下的电流来标定。
3、为了保证晶闸管可靠与迅速地关断，通常在管子阳极电压下降为零之后，加一段时间的电压。
4、同一晶闸管，维持电流I H与擎住电流I L的数值大小上有I L I H。
5、某晶闸管的型号为KP200-5，其中200表示，5表示。
6、从晶闸管开始承受正向电压的到晶闸管导通时刻的电度角称为。
7、为了保证三相全控桥电路能启动工作，触发脉冲必须采用或。
8、三相半波整流电路有和两种接法。
9、三相全控桥的共阴极组要求触发脉冲以120°为间隔，依次在半周触发共阴极组的各晶闸管。
10、电阻性负载三相桥式可控整流电路中，晶闸管所承受的最大正向电压U Fm等于，设U2为相电压有效值。
11、在单相全控桥式变流器控制直流电动机卷扬机拖动系统中，若使变流器工作于有源逆变状态时，需使控制角a>π/2，同时|E d| |U d|。
12、为了防止逆变失败，对于工作在逆变状态的电路，对其的可靠性，的质量以及的保护功能，都比整流电路要求高，同时对逆变角的限制为。
13、电压型逆变器其中间直流环节以贮能。
14、晶闸管串联时，给每只管子并联相同的RC电路是措施。
二、选择题（本题共10小题，每题1分，共10分）1、当晶闸管承受反向阳极电压时，不论门极加何种极性触发电压，管子都将工作在( )A、导通状态B、关断状态C、饱和状态D、不定2、在型号KP10－12G中，数字10表示( )A、额定电压10VB、额定电流10AC、额定电压1000VD、额定电流100A3、单相半波可控整流电阻性负载电路中，控制角α的最大移相范围是( )A、90°B、120°C、150°D、180°4、三相半波可控整流电路的自然换相点是( )A、交流相电压的过零点B、本相相电压与相邻相电压正半周的交点处C、比三相不控整流电路的自然换相点超前30°D、比三相不控整流电路的自然换相点滞后60°5、在晶闸管三相桥式可控整流电路电流断续时的机械特性中，当α( )时，所有不同控制角的特性曲线实际空载转速均相同。
2020—2021学年秋季学期信息工程专业《电子技术基础》期末考试题试卷(卷五)
2020—2021学年秋季学期信息工程专业《电子技术基础》期末考试题试卷（卷五）题 号 一 二 三 四 总 分 得 分一、计算题。
1、如图5-1所示电路中，已知三极管均为硅管，且β=50，试估算静态值IB 、IC 、UCE 。
院（系） 班级 姓名 学号……………………………………………装…………………………订………………………线……………………………………………2、晶体管放大电路如图5-2所示，已知U CC= 12V，R B =480k Ω，R C = 2kΩ，R L =2kΩ，β=50。
（1）、求静态工作点；（2）、画出微变等效电路；（3）、求放大倍数、输入电阻、输出电阻。
3、如图5-3所示为某放大电路中，已知V CC= 24 V，R B1 =33 k Ω， R B2 =10 kΩ，R C =3.3 kΩ，R E =1.5 kΩ， R L =5.1kΩ，β=66。
(1)、试估算静态工作点，(2)、若换上一只β=100的管子，放大器能否正常工作；(3)、画出微变等效电路；(4)、求放大倍数、输入电阻、输出电阻。
4、如图5-3所示为分压式放大电路中，已知V CC= 12 V，R e=1.3 kΩ， R L =2 kΩ，R B2=20 kΩ，R C =2 kΩ，U BE=0.7V，β=50,电阻R B1标志不清,现用万用表测得U C=10V。
试求：（1）、I C、U RB1和R B1的值；（2）、ri和ro；（3）、空载时A U和负载时A U。
5、试画出同相比例运放电路，并推出其闭环电压放大倍数。
6、如图5-4所示，已知R f = 100KΩ,R1=50KΩ,u i = -0.5V，试求输出电压u o。
7、如图5-5所示,u i1=1V,u i2=2V,u i3=3V,R1=R2=20KΩ,R3=10K Ω,R f=R4=20 KΩ,求输出电压u O的值?8、如图5-6所示，若R1＝R2=300 Ω，R P＝200Ω，当Ui=15V,Rp电位器在中点位置时，U O=10V，U BE不计;试计算：（1）、稳压管V Z的稳定电压V Z值，U oR PR2R1R3R CU i VT2VT1VD 图5-6（2）、输出电压U o的可调范围。
《电子技术基础》期末试题(附答案)
一、填空题（每空1分，共100分）1、将交流电变成直流电的过程叫整流。
2、整流器一般由整流变压器、整流电路、滤波电路。
3、常用的单相整流有单相半波整流、单相桥式整流等几种。
4、整流电路按被整流的交流电相数，可分为单相整流与三相整流两种，按整流后输出的电压电流的波形，又可分为半波整流与全波整流两种。
5、在变压器二次侧电压相同的情况下，全波整流的输出电压比半波整流高1倍，而且脉动小。
6、在三相整流电路中，在某时刻，只有正极电位最高和负极电位最低的二极管才能导通。
7、三相桥式整流电路适宜工作在高电压、脉动小场合。
8、所谓滤波，就是保留脉动脉动中的直流成分，尽可能滤除其中的交流成分，把脉动直流变成平滑直流的过程。
9、常用的滤波电路有电容滤波、电感滤波、复式滤波等几种，滤波电路一般接在整流电路的后面。
10、滤波电路中，滤波电容和负载并联，滤波电感和负载串联。
11、电容滤波是利用电路中电容充电速度快，放电速度慢的特点，使脉动直流电压变的平滑，从而实现滤波的。
12、负载电阻的阻值越大，电容C的容量越大，电容滤波的效果越好。
13、电容滤波适用于小负载，电感滤波适用于大负载场合。
14、选用整流二极管时，主要考虑最高反向电压、最大电流。
15、整流二极管的冷却方式有自冷、风冷和水冷三种。
16、所谓稳压电路，就是当电网电压波动或负载发生变化，能使输出电压稳定的电路。
17、硅稳压管在电路中，它的正极必须接电源的负极，它的负极接电源的正极。
18、电压调整件和负载串联的稳压电路叫串联型稳压电路。
19、串联型稳压电路包括基准电压、取样电压、比较放大电路和调整器件等几部分。
20、常用的稳压电路有三种类型：即串联稳压电路、并联稳压电路、和开关型稳压电路21、硅晶体闸流管简称，俗称。
22、晶闸管有三个电极：、和。
23、晶闸管有个ＰＮ结，单结管有ＰＮ结。
24、电阻性负载单相半波角可控整流电路的最大控制角为，最大导通角为，最大移相范围是。
《电力电子技术》复习资料
《电力电子技术》复习资料一、填空题1．晶闸管有三个电极：阳极、阴极和门极。
2．晶闸管导通的条件是：在阳极和阴极之间加足够的正向电压的同时，门极加适当的正向电压。
3．反电势负载的特点是只有整流电路输出电压大于负载反电势时才有电流产生。
4．晶闸管关断可以采取减少阳极电流使之不能维持正反馈，断开阳极电源或者在阳极和阴极之间加反向电压的方法。
5．三相全控桥式整流电路在任何时刻必须有两个晶闸管同时导通，一个在共阴极组，一个在共阳极组。
6．不可控两端器件，它具有整流作用，而无可控功能。
7．同一套晶闸管电路，既可作整流，又能作逆变，常称这一装置为变流器。
8．当0＜α＜90°时。
变流器工作在整流状态，当α=90°时工作在中间状态，当90°＜α＜180°时，若同时存在一个适当的外接直流电源，变流器工作于逆变状态。
9．在逆变电路中，由于电路的电阻很小，应当尽量避免两个电源反极性相连。
10．规定逆变角β以控制角α=∏时作为计量的起始点，此时的β等于β=0。
11．逆变电路可以分为有源逆变和无源逆变两大类。
12．三相可控整流电路的基本形式是三相半波可控整流电路。
13．绝缘栅双极晶体管具有开关速度快、输入阻抗高、通态电压低、耐压高、电容量大等优点。
14．晶闸管逆变器是一种把固定的直流电压变成固定或可调的交流电压的装置。
15．功率场效应晶体管的最大功耗，随管壳温度的增高而下降。
16．肖特基二极管适用于电压不高，要求快速、高效的电路中。
17．功率场效应晶体管的特点是：栅极的静态内阻高，驱动功率小，撤除栅极信号后能自动关断，同时不存在二次击穿，安全工作区范围宽。
18. 绝缘栅双极晶体管的本质是一个____场效应晶体管__________ 。
19、肖特基二极管的_____开关时间______短，故开关损耗远小于普通二极管。
21. 肖特基二极管正向压降小，开启电压__低_____ ，正向导通损耗小。
电力电子技术试题及答案一
电力电子技术试题(第一章)一、填空题1、普通晶闸管内部有PN结,,外部有三个电极,分别就是极极与极。
1、两个、阳极A、阴极K、门极G。
2、晶闸管在其阳极与阴极之间加上电压的同时,门极上加上电压,晶闸管就导通。
2、正向、触发。
3、、晶闸管的工作状态有正向状态,正向状态与反向状态。
3、阻断、导通、阻断。
4、某半导体器件的型号为KP50—7的,其中KP表示该器件的名称为,50表示,7表示。
4、普通晶闸管、额定电流50A、额定电压100V。
5、只有当阳极电流小于电流时,晶闸管才会由导通转为截止。
5、维持电流。
6、当增大晶闸管可控整流的控制角α,负载上得到的直流电压平均值会。
6、减小。
7、按负载的性质不同,晶闸管可控整流电路的负载分为性负载, 性负载与负载三大类。
7、电阻、电感、反电动势。
8、当晶闸管可控整流的负载为大电感负载时,负载两端的直流电压平均值会,解决的办法就就是在负载的两端接一个。
8、减小、并接、续流二极管。
9、工作于反电动势负载的晶闸管在每一个周期中的导通角、电流波形不连续、呈状、电流的平均值。
要求管子的额定电流值要些。
9、小、脉冲、小、大。
10、单结晶体管的内部一共有个PN结,外部一共有3个电极,它们分别就是极、极与极。
10、一个、发射极E、第一基极B1、第二基极B2。
11、当单结晶体管的发射极电压高于电压时就导通;低于电压时就截止。
11、峰点、谷点。
12、触发电路送出的触发脉冲信号必须与晶闸管阳极电压,保证在管子阳极电压每个正半周内以相同的被触发,才能得到稳定的直流电压。
12、同步、时刻。
13、晶体管触发电路的同步电压一般有同步电压与电压。
13、正弦波、锯齿波。
14、正弦波触发电路的同步移相一般都就是采用与一个或几个的叠加,利用改变的大小,来实现移相控制。
14、正弦波同步电压、控制电压、控制电压。
15、在晶闸管两端并联的RC回路就是用来防止损坏晶闸管的。
15、关断过电压。
16、为了防止雷电对晶闸管的损坏,可在整流变压器的一次线圈两端并接一个或。
电力电子技术试卷和答案(2)
《电力电子技术》试题(G)一、填空题（每空1分，34分）1、实现有源逆变的条件为和。
2、在由两组反并联变流装置组成的直流电机的四象限运行系统中，两组变流装置分别工作在正组状态、状态、反组状态、状态。
3、在有环流反并联可逆系统中，环流指的是只流经而不流经的电流。
为了减小环流，一般采用αβ状态。
4、有源逆变指的是把能量转变成能量后送给装置。
5、给晶闸管阳极加上一定的电压；在门极加上电压，并形成足够的电流，晶闸管才能导通。
6、当负载为大电感负载，如不加续流二极管时，在电路中出现触发脉冲丢失时与电路会出现失控现象。
7、三相半波可控整流电路，输出到负载的平均电压波形脉动频率为 H Z；而三相全控桥整流电路，输出到负载的平均电压波形脉动频率为 H Z；这说明电路的纹波系数比电路要小。
8、造成逆变失败的原因有、、、等几种。
9、提高可控整流电路的功率因数的措施有、、、等四种。
10、晶闸管在触发开通过程中，当阳极电流小于电流之前，如去掉脉冲，晶闸管又会关断。
二、判断题：(每题2分,20分) 对√，错×。
1、有源逆变指的是把直流能量转变成交流能量送给用电器。
（）2、给晶闸管加上正向门极电压它就会导通。
（）3、在半控桥整流带大电感负载，不加续流二极管电路中，电路不正常时可能会出现失控现象。
（）4、三相半波可控整流电路中，如果三个晶闸管采用同一组触发装置，则α的移相范围只有120o。
（）5、设置补偿电容可以提高变流装置的功率因数。
（）6、三相半波可控整流电路也要采用双窄脉冲触发。
（）7、KP2—5表示的是额定电压200V，额定电流500A的普通型晶闸管。
（）8、在单结晶体管触发电路中，稳压管削波的作用是为了扩大脉冲移相范围。
（）9、在单相全控桥整流电路中，晶闸管的额定工作电压应取电源相电压U2。
（）10、在三相桥式全控整流电路中，采用双窄脉冲触发晶闸管元件时，电源相序还要满足触发电路相序要求时才能正常工作。
（）三、选择题（10分）1、在单相全控桥整流电路中，两对晶闸管的触发脉冲，应依次相差度。
大学知识课件(作为考研考试参考)：电力电子技术基础5—可控整流
一周期中，在t1~t2期间，VD1导通，ud=ua 在t2~t3期间， VD2导通，ud=ub 在t3~ t4期间，VD3导通，ud=uc
PW = 2ms MCR3918-10A
V0-V
PER = 20ms V1 = 0
TR = 10ns
V 2 = 15
V+
0
V4
TD = 5ms TF = 10ns 0VPPWER==22m0sms V1 = 0 TR = 10ns V 2 = 15
V 0V
R1
200
100V
第三部分 电力电子变换电路
电力电子技术基础 第三部分 电力电子变换电路 ——单相全桥全控整流电路的特点
克服了单相半波可控整流电路 的缺点：电流脉动小，消除了 变压器的直流分量，提高了变 压器的利用率。
在小容量设备里边得到应用。
电力电子技术基础 第三部分 电力电子变换电路 ——电阻性负载
VT3
VT1
工作原理及波形分析 VT1和VT4组成一对 桥臂，在u2正半周承 受电压u2，得到触发 脉冲即导通，当u2过 零时关断 VT2和VT3组成另一 对桥臂，在u2正半周 承受电压-u2，得到触 发脉冲即导通，当u2 过零时关断
2R
1 sin 2
2
I VT
1I 2
★晶闸管电流平均值为负载电流平均值的一半
I dVT
1 2
Id
0.45 U 2 R
1
cos
2
★功率因数
cos P UI2 1 sin2
电力电子技术练习题1
电⼒电⼦技术练习题1电⼒电⼦技术习题⼀、可控整流部分1、如某晶闸管的正向阻断重复峰值电压为745V，反向重复峰值电压为825V，则该晶闸管的额定电压应为（）。
A、700VB、750VC、800VD、850V2、单相半波可控整流电阻性负载电路中，控制⾓α的最⼤移相范围是( )A、0o-90°B、0o-120°C、0o-150°D、0o-180°3、三相全控桥式整流电路带电阻负载，当触发⾓α=0o时，输出的负载电压平均值为（）。
A、0.45U2B、0.9U2C、1.17U2D、2.34U24、三相全控整流桥电路，如采⽤双窄脉冲触发晶闸管时，下图中哪⼀种双窄脉冲间距相隔⾓度符合要求。
请选择。
5、单相半波可控整流电路，晶闸管两端承受的最⼤电压为（）。
A、U2B、2U2C、22UD、6U26、单相桥式整流电路的同⼀桥臂两只晶闸管的触发脉冲应相差度。
A、60°B、180°C、360°D、120°7、在三相半波可控整流电路中，当负载为电感性时，负载电感量越⼤，则（）A. 输出电压越⾼B.输出电压越低C.导通⾓越⼩D. 导通⾓越⼤8、在三相半波可控整流电路中，每只晶闸管的最⼤导通⾓为（D）A. 30°B. 60°C. 90°D. 120°9、三相半波可控整流电路由(A)只晶闸管组成。
A、3B、5C、4D、210、三相半波可控整流电路电阻负载的控制⾓α移相范围是(A)。
A、0～90°B、0～100°C、0～120°D、0～150°11、三相半波可控整流电路⼤电感负载⽆续流管，每个晶闸管电流平均值是输出电流平均值的(D)。
A、1/3B、1/2C、1/6D、1/412、三相半控桥式整流电路由(A)晶闸管和三只功率⼆极管组成。
A、四只B、⼀只C、⼆只D、三只13、三相半控桥式整流电路电阻性负载时，控制⾓α的移相范围是(D)。
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(2)通过晶闸管的平均电流为45A
(3)晶闸管承受的最高正向、反向电压均为
2、
3、 的波形如下图所示。
4、
(1)
(2)由 得
故= 60导通角= 180- 60=120。
(3)晶闸管承受的最高正向电压为 。
5、由 知，当1= 90时:
当2= 60时：
6、由 知，当1= 60时 ，得
;
当2= 30时，得 。
(a)由大变小(b)由小变大(c)保持不变
13、晶闸管导通后，其正向压降约等于（）。
(a)零(b) 0.3 V(c) 1 V左右
14、普通晶闸管属于（）器件
(a)不控(b)半控(c)全控
二、计算题
1、电路如图所示，已知交流电压有效值 ，输出电压平均值 ，输出电流平均值 。要求计算：
(1)晶闸管的导通角。
7、根据 ，得 ，当 时
，故1= 116.4，通过晶闸管的电流平均值为 ，电路如图所示。
8、该电路的作用是全波可控整流。通过二极管 、 和晶闸管T的电流波形ห้องสมุดไป่ตู้图所示。
9、
《电子技术基础》复习题
晶闸管可控整流电路
一、选择与填空
1、在电能变换电路中，（）称为整流电路，（）称为逆变电路
2、晶闸管导通的条件是：（）、（）。晶闸管导通后，（）便失去作用。依靠正反馈，晶闸管仍可维持导通状态。
3、晶闸管关断的条件是：（）或（）
4、（）是在规定的环境和控制极断路时，晶闸管维持导通状态所必须的最小电流。
(2)晶闸管承受的最高正向电压。
。
5、单相半波可控整流电路，电阻性负载，交流电源电压 ，当控制角1= 90时，输出电压平均值 ，问控制角2= 60时，输出电压平均值 为多少伏？并定性画出2= 60时，输出电压 的波形(两个周期)。
6、单相半波可控桥式整流电路如图所示，交流电源电压 ，当控制角
1= 60时，输出电压平均值 ，问控制角2= 30时，输出电压平均值 应为多少？并定性画出2= 30时输出电压 的波形(一个半周期)。
10、晶闸管可控整流电路中，增加控制角α时，导通θ（减小），负载直流电压（减小）
11、晶闸管的主要参数之一是正向平均电流 ，现通过晶闸管的是正弦半波电流，该正弦半波电流已达到该管正常工作允许的最大电流，那么该正弦半波电流最大值 与 之间的关系是（）。
(a) (b) (c)
12、若晶闸管的控制电流由大变小，则正向转折电压（）。
5、（5）、（700）
6、（ ）、（控制角）
7、（承受过电压、过电流的能力）
8、（快速熔断器保护）、（过流继电器保护）、（过流截止保护）、（阻容保护）。
9、（发射极电压大于峰点电压）、（发射极电压小于谷点电压）
10、（减小），（减小）
11、(b)12、(b)13、(c)14、(b)
四、计算题
1、(1)由 可以求出
(2)通过晶闸管的平均电流。
(3)晶闸管承受的最高正向，反向电压。
2、一单相桥式半控整流电路，要求直流输出电压UO在40～90 V的范围内可调，求输入交流电压和控制角的变化范围。
3、电路如图1所示，交流电压的波形如图2所示，画出当控制角= 90时，负载电阻 两端电压 的波形。
4、图示可控整流电路，已知 ， ，交流电压有效值U= 220 V,求：(1)通过晶闸管的平均电流;(2)晶闸管的导通角;
5、KP5-7表示普通晶闸管额定正向平均电流为（）A,额定电压为（）V。
6、单相半波可控整流电阻性负载，整流输出电压的平均值为（）改变（），可改变输出电压Uo。
7、晶闸管主要缺点是（）很差。
8、晶闸管的过流保护有（）、（）、（）。
晶闸管的过压保护有（）。
9、单结晶体管当（）时导通。当（）时恢复截止。
7、电阻性负载两端直流电压为50V，电流为10A，变压器副边电压有效值为200V，试计算采用单相半控桥式整流电路时，晶闸管的导通角以及通过晶闸管中的电流平均值，并将下列半控桥式整流电路连接完整。
8、电路如图1所示，交流电压的波形如图 所示，定性画出= 30时通过二极管 、 和晶闸管T的电流波形。
9、有一电阻性直流负载，RL= 10Ω，要求负载的端电压UO在40 ~ 120 V之间可调，若采用单相半控桥式整流电路供电，求（1）U2（2）控制角的变化范围（3）画出＝60o时控制极电压Ug、负载端电压uo的波形。
《电子技术基础》复习题-晶闸管可控整流电路参考答案
三、选择与填空
1、（AC—DC）、（DC—AC）
2、（晶闸管阳极电路施加正向电压）、（晶闸管控制电路正向触发电压）、（控制极）
3、（必须使可控硅阳极电流减小,直到正反馈效应不能维持）
（将阳极电源断开或者在晶闸管的阳极和阴极间加反相电压）
4、（维持电流）