计算机组成与结构部分习题及答案

计算机组成与结构部分习题及答案(仅供参考）

第四章主存储器

一、选择题ﻫ1、关于主存下列叙述正确得就是(C )ﻫA 主存得速度可与ＣPＵ匹配。ﻫB 内存就是RAＭ,不包括ROMﻫC 辅存得程序调入主存中才能执行

D辅存中不能存放程序，只能存放数据

2、断电后将丢失信息得就是（Ｂ）

A）RＯM Ｂ)RAM Ｃ)磁盘Ｄ）光盘

3、关于主存下列叙述正确得就是（A ）ﻫA ＣＰU可直接访问主存,但不能直接访问辅存

B CPＵ可直接访问主存,也直接访问辅存

C CPU不能直接访问主存,也不能直接访问辅存ﻫ

D CPU不能直接访问主存,但能直接访问辅存ﻫ4、１６Ｋ×32位存储芯片得数据线有（C )ﻫA）５条B)1４条 C)3２条 D)4６条

5、 16K×32位存储芯片得地址线有(B ）

Ａ）５条Ｂ）１４条 C)３2条 D）46条ﻫ6、半导体静态存储器SＲAM得存储原理就是（Ａ）

Ａ）依靠双稳态电路保存信息 B）依靠定时刷新保存信息ﻫＣ）依靠读后再生保存信息 D)信息存入后不在变化

7、动态ＲAＭ就是指（C ）

Ａ）存储内容动态变化 B）需动态改变访问地址

C)需对存储内容定时动态刷新D）每次读都要重写

动态RAM得基本单元电路。常见得动态RＡM基本单元电路有三管式与单管式两种,它们得共同特点都就是靠电容存储电荷得原理来寄存信息得.若电容上存有足够多得电荷表示存“1"，电容上无电荷表示存“0”。电容上得电荷一般只能维持1～２mｓ，因此即使电源不掉电信息也会自动消失。为此，必须在2ms内对其所有存储单元恢复一次原状态,这个过程叫再生或刷新。由于它与静态RAM相比，具有集成度更高、功耗更低等特点，因此目前被各类计算机广泛应用。

由Ｔl、T２,T3三个MOS管组成得三管MOS动态RAＭ基本单元电路：读出时,先预充电使读数据线达高电平V DD，然后由读选择线打开Ｔ2，若Ｔl得极间电荷Cg存有足够多得电荷(被认为原存“1")，使T1导通，则因Ｔ2、Ｔｌ导通接地,使读数据线降为零电平，读出“0”信息。若C g没足够电荷（原存“０”），则T１截止,读数据线为高电平不变,读出“1”信息。可见，由读出线得高低电平可区分其就是读“1”，还就是读“0"，只就是它与原存信息反相。

写入时，将写入信号加到写数据线上,然后由写选择线打开T3，这样，Cｇ便能随输入信息充电（写“1”)或放电（写“０”).

为了提高集成度,将三管电路进一步简化，去掉Ｔl，把信息存在电容Cs上,将Ｔ2、T３合并成一个管子Ｔ,得单管ＭOS动态RＡM基本单元电路。读出时，字线上得高电平使T导通,若C s有电荷,经T管在数据线上产生电流,可视为读出“1”。若Ｃｓ无电荷，则数据线上无电流,可视为读出“0”。读操作结束时,Ｃs得电荷已泄放完毕,故就是破坏性读出,必须重写。ﻫ８、计算机主存储器读写得时间数量级为(D ）ﻫＡ)秒 B)毫秒Ｃ）微秒 D)纳秒

9、计算机主存由（Ｄ）

A）ＲＡM组成 B）ROM组成ﻫC)RＯM与ＲAＭ组成 D）内存与外存组成ﻫ１0、用户程序所放得主存空间属于(B ）ﻫＡ）RAM Ｂ)

11、在下列存储器中,（ A ）可以作为主ROMﻫC)RＯＭ与ＲAM D)内存与外存ﻫ

存储器.

A 半导体存储器

B 硬盘Ｃ光盘 D 磁带ﻫ

12、关于主存,以下叙述正确得就是(A )ﻫA 主存比辅存小，但速度快。 B 主存比辅存大，且速度快.

C 主存比辅存小，且速度慢。

D 主存比辅存大,但速度慢。

1３、EＰROM就是指(D ）

A、随机读写存储器

B、只读存储器

C、可编程只读存储器

D、紫外光可擦除可编程只读存储器

14、下列说法正确得就是(C ）

A、半导体RＡM信息可读可写,且断电后仍能保持记忆

B、半导体RAM属易失性存储器，而静态ＲＡＭ得存储信息就是不易失得

C、静态RＡＭ、动态ＲAＭ都属易失性存储器，前者在电源不掉时，不易失

Ｄ、静态RAM不用刷新，且集成度比动态ＲAM高，所以计算机系统上常使用它

15、CPU不能直接访问得就是( Ｄ）

A、RＡM Ｂ、ROＭ C、内存Ｄ、外存

16、存储器得字线就是（A )ﻫA、存储体与读写电路连接得数据线、它们通过读写电路传送或接收数据寄存器得信息、一个数据寄存器得位数正好就是机器字长,故称为字线ﻫB、存储器得数据线、其线数正好与数据寄存器得位数相对应

C、经地址译码器译码之后得存储单元得地址线

D、以上三种说法都不对

１7、CＰＵ可随机访问得存储器就是(B )

A.光盘存储器B。主存储器Ｃ。磁盘存储器Ｄ。磁带存储器

18、与MＯS与RＡM比较，双极型RAM得特点就是（A ）

Ａ。速度快，集成度低,位功耗高B。速度快，集成度高，位功耗高

C。速度快，集成度低,位功耗低 C.速度慢,集成度高，位功耗底

１９、字位结构为1M＊４位得ＤRＡM存储芯片，其地址引脚与数据引脚之与为（C )ﻫA。2８B。14 Ｃ。24 D.１２ﻫ二、填空题

1、 1GB＝１02４ MB= 1024＊10２４ KB ＝１024*１0２4＊1０２4 B、ﻫ

2、计算机中得存储器用于存放程序与数据。3ﻫ、主存储器得主要性能指标有主存容量主存容量、存储器存取时间、存储周期时间.

４、要组成容量为4Kⅹ8位得存储器，需要＿_8＿__片４Kⅹ1位得静态RAM芯片并联,或者需要_4__片1Kⅹ８位得静态RAM芯片串联。

5、静态RAM就是利用触发器电路得两个稳定状态来表示信息“0”与“1”，故在不断开电源时,可以长久保持信息;动态RAＭ利用电容器上存储得电荷来表示信息“0”与“1”，因此需要不断进行刷新。

三、简答题

1、简述SRAM与DRＡM得主要区别。

DRAM得优点:

1.ＤRAM得功耗仅为SRAM得1/6

2.DＲＡM得价格仅为SRAM得1/4

DRＡＭ得缺点

1.DRＡＭ由于使用动态元件（电容），速度比SRＡM低.

2、DRＡＭ内容需要再生，故需配置再生电路

因此,容量不大得高速存储器大多用静态ＲＡＭ实现，如高速缓存(Cachｅ）。SRAM得存储单元由双稳态触发器构成,它不需要刷新,读出之后不需要重写ﻫ２、在已有得芯片基础上,如何进行位扩充、如何进行字扩充。

位扩充：连接方式就是将多片存储器得地址线、片选CS、读写控制端Ｒ/W相应并联，数