半导体二极管的参数及温度特性

U(BR)
击穿 电压
硅管为（nA）级，锗管为微安（μA）级
死区 电压
O
uD
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1 半导体二极管及其应用
（5） 正向电压降 UF
指通过一定的直流测试电流时
的管压降。
硅管0.6~0 .8V
管压降uD 约为
锗管0.2~0.3V
估算时取管压降uD
硅管---0.7V 锗管---0.3V
iD
U(BR) 击穿 电压
1 半导体二极管及其应用
1.2 半导体二极管
1.2.1 半导体二极管的结构和类型 1.2.2 半导体二极管的伏安特性
1.2.3 半导体二极管的参数及温度特性
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1 半导体二极管及其应用
1.2.3 半导体二极管的参数及温度特性
iD
1. 半导体二极管的参数
（1）额定电流 IF 管子长期运行所允许通过的电
死区 电压
O
uD
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（6）最高工作频率 fM 当工作频率过高时，其单向导 电性明显变差。
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二极管电路仿真：
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大幅提高信号频率，二极管失去单向导电性：
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2. 半导体二极管的温度特性
T2 T1
O
uD
T1＞T2
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U(BR)
流的平均值。
（2）反向击穿电压 U(BR）
击穿 电压
二极管能承受的最高反向电压。
O
uD
普通二极管的最高反向电压一般在几十伏以上。
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（3）最高允许反向工作电压 UR
iD
为了确保管子安全工作，所允许的最高
反向电压。
IR
UR=（1/2~2/3）U(BR）
（4）反向电流 IR 室温下加上规定的反向电压 测得的电流。
(1) 当温度上升时,死区电压缩小， 正向管压降降低。
△uD/ △T = –（2∽2.5）mV/℃。
T2 T1
iD
O
uD
即 温度每升高1°C，管压降
降低（2∽2.5）mV
T2 T1
T1＞T2
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(2) 温度升高，反向饱和电流增大。
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T2 T1
iD
即 平均温度每升高10°C，反向饱和电流 增大一倍