制绒与刻蚀培训

2、刻蚀的作用及方法
Effect 1
去边缘PN结
防止 边缘 漏电
Effect 2
去磷硅玻璃
去死 层； 防色 差。
2、刻蚀的作用及方法-去边
HNO3
HF
3Si + 4HNO3+18HF =3H2 [SiF6] + 4NO2 + 8H2O
2、刻蚀的作用及方法-去PSG
HF
1、 SiO2 + 4HF = SiF4 + 2H2O
晶体硅太阳能电池生产线
制绒与刻蚀工序培训
2014-08-08
目录
制绒与刻蚀的作用及方法
制绒与刻蚀的工艺设备
主要检测项目
常见问题及解决方法
1、制绒的作用及方法 太阳能电池生产流程
我在这个位置
1、制绒的作用及方法 不同的制绒工艺
利用碱溶液对单晶硅不同晶面有不同的腐蚀速率（各向异性腐蚀）， 经过腐蚀、在表面会出现以 (111)面形成的锥体密布表面（金字塔 状），称为表面织构化。
5、制绒主要检测项目
表面结构：
多晶绒面-沟槽
金 相 显 微 镜
电 子 扫 描 显 微 镜 绒面标准：
蠕虫状细坑为2~5微米左右
5、制绒主要检测项目
反射率：
所用仪器：标准8度角绒面积分式反射仪(D8) 反射率标准：多晶为19~27%

减薄量：
所用仪器：电子天平 去重标准：多晶为0.29~0.45g
2:、SiF4 + HF= H2SiF6
3、制绒的工艺设备
槽体布局：
工艺流程
酸洗槽 。 所用溶液为HCl+HF，作用： 制绒：主要反应槽体， HNO3+HF 。作用： 碱洗槽 。 所用溶液为 KOH ，作用： 领料 上片 制绒 水洗 碱洗 1. 中和前道碱洗后残留在硅片表面的碱液； 水洗 +吹干。DI water+烘干机。作用： 1、去除表面损伤层，减少表面复合；去除脏污； 1. 对形成的多孔硅表面进行清洗； 2.HF 可去除硅片表面氧化层（SiO2），形成疏水表 1、清洗酸槽残余的酸液； 2 、形成绒面，增加光吸收。 2.中和前道刻蚀后残留在硅片表面的酸液。 面，便于吹干； 2、烘干硅片。 吹干 水洗 酸洗 水洗 3.HCl中的 Cl-有携带金属离子的能力，可以用于去 除硅片表面金属离子。
形成 绒面， 增加 光吸 收。
1、制绒的作用及方法 绒面反射率：
制绒后反射 率可下降 20~25%
1、制绒的作用及方法 绒面制作方法：
Si
1、3Si+4HNO3 →3SiO2+4NO+2H2O
2、SiO2+4HF→SiF4+2H2O
2、刻蚀的作用及方法
太阳能电池Baidu Nhomakorabea产流程
我在这个位置
7、常见问题及解决方法
类别 现象 黑绒 表面发亮 多晶制绒 扩散后发蓝 减重不在范围之内 原因 反应过于剧烈 反应过多 没有完全吹干 解决方法 增加制绒槽HNO3 增加制绒槽HF 改善吹风、增加酸洗槽HF 含量
反应速度过快或过 手动添加制绒槽的药液含 慢 量
酸液串槽 加水稀释、重新配槽
方阻上升过大
6、刻蚀主要检测项目
方阻上升： 所用仪器：四探针测试仪 方阻上升标准：方阻上升5个以内 减薄量： 所用仪器：电子天平 减薄量标准：0.045~0.075g 硅片边缘的PN型： 所用仪器：冷热探针 边缘PN型：P型
6、刻蚀主要检测项目
脱水性： 所用仪器：目测。
刻蚀线： 所用仪器：目测及比对标片。
3#槽酸性气体浓度过 检查、加大抽风 高
湿法刻蚀
整体过刻、刻不通
液面高度过高或过低 减小、增大泵浦功率
气流不均匀 液面不水平 滚轮不水平 气流不均匀 增大或减小抽风 调整抽风 调换滚轮 调节抽风
部分过刻或刻不通
碱制绒
对于多晶硅，由于晶体排列方式杂乱，如果利用碱液，无法进行腐 蚀得到良好的金字塔织构化表面，此时只能用酸溶液进行各向同性 腐蚀，获得表面存在许多凹坑的表面结构，也能起到良好的陷光作 用。
酸制绒
机械制绒、RIE等等。
其他
1、制绒的作用及方法 Effect 1
去损伤层
Effect 2
减反射
去除 表面 损伤 层， 减少 表面 复合； 去除 脏污。
4、刻蚀的工艺设备
槽体布局：
工艺流程
酸洗槽 。 所用溶液为HCl+HF，作用： 领料 1.去除扩散过程中在表面形成的 上片 刻蚀 水洗 碱洗 PSG ； 水洗+吹干。DI water+烘干机。作用： 刻蚀槽：主要反应槽体， H2SO4+HNO3+HF 。作用： 2.HF可去除硅片表面氧化层（ SiO2），形成疏水表 碱洗槽 。 所用溶液为KOH ，作用： 1、清洗酸槽残余的酸液； 面，便于吹干； 1. 1 、去除背结、边结，防止正负导通漏电。 中和前道刻蚀后残留在硅片表面的酸液。 2、烘干硅片。 吹干 水洗 去PSG 水洗 3.HCl中的 Cl-有携带金属离子的能力，可以用于去 除硅片表面金属离子。