SIM卡上电复位流程

合集下载
  1. 1、下载文档前请自行甄别文档内容的完整性,平台不提供额外的编辑、内容补充、找答案等附加服务。
  2. 2、"仅部分预览"的文档,不可在线预览部分如存在完整性等问题,可反馈申请退款(可完整预览的文档不适用该条件!)。
  3. 3、如文档侵犯您的权益,请联系客服反馈,我们会尽快为您处理(人工客服工作时间:9:00-18:30)。

5 SIM卡上电复位流程

SIM卡符合国际标准ISO7816的要求,按照协议中的规定,SIM应有8个触点,包括电源接口、复位控制接口、时钟输入接口、数据输入输出接口,SIM卡工作时整体电流消耗小于10 mA。SIM卡的时钟频率可由外部提供,在指定时问内运行鉴权过程时至少需要13/4 MHz的时钟频率,其他情况下,使用最小为13/8 MHz 的时钟频率。I/O端口的数据传输波特率为时钟频率的1/372。

5.1 触点接通与冷复位时序(Activation and cold reset)

初始时,所有端口皆处于低电平(L)态,电压范围0~0.4 V;VCC电源电压先上电(H态),后提供VPP编程电压,在智能SIM卡中,VPP端无用,电压范围5 V±0.4 V;VCC电源端稳定一段时间后,将IO端口置为接收方式(H态),并提供稳定的CLK时钟信号(注:IO口需在提供CLK信号前或在提供CLK信号后200个时钟周期内(ta)置为接收方式);RST复位信号需在提供CLK信号后400个时钟周期内(tb)保持L态,之后才可置为H态;提供复位信号后400~40 000个时钟周期内(tc),I/O口有复位应答。

5.2 热复位时序(Warm reset)

热复位在冷复位失败情况下使用,过程中保持VCC为H态,且有稳定的CLK时钟信号;热复位时需保持RST 端为L态的时间至少为400个时钟周期(te);在RST端置L态之前或之后200个时钟周期时间内(td),IO 口应置为接收方式;在RST置为H态后的400~40 000个时钟周期内,I/O口有复位应答。

5.3 时钟停止时序(Clock stop)

外部控制停止时钟,可使SIM卡通信暂时中断,过程中保持VCC端与复位端RST为H态;要停止时钟,需在I/O口输出最后一个字符之后等待至少1 860个时钟周期(tg);恢复时钟后至少等待700个时钟周期(th),I/O开始有字符输出。

5.4 触点释放时序(Deactivation)

将RST端置为L态;结束CLK输入并将I/O口置为L态;最后将VCC端置为L态。

5.5 SIM卡的复位应答

SIM卡的触点被激活之后,终端启动一个冷复位。如果SIM卡在冷复位后回送的字节数不符,或在19 200个初始etu之内复位应答未完成,终端不立即终止卡片操作过程,而是再发一个热复位信号。如果仍然得到同样的结果,那么,接口没备应释放触点,否则卡将继续进行后续操作。流程如图6所示。

复位应答最多为32个字节(包括历史字符,不包括初始字符),其中历史字符最多为15个字符,协议分为T=O与T=1两种,一张SIM卡只支持其中的一种协议。位持续时间:在IO上的位持续时间被定义为一个基本时间单元etu。复位应答期间的位持续时间称为"初始etu"。初始etu=372/fs=372个时钟周期。复位应答之后的位持续时间称为"当前etu",当前etu=F/D/fs。F为时钟频率变换因数,D为比特率调整因数,均在SIM卡复位应答的接口字符TA1中给出,缺省值为F=372,D=1,即复位应答之后的当前etu=初始etu。复位应答过程中相连两字符起始位前沿之间的最小时间间隔为12个初始etu,最大时间间隔为9 600个初始etu,所有应答字符在19 200个初始etu的时间内传送完,即从第一个字符的起始位前沿到最后一个字符起始位前沿后的12个初始etu结束)。

相关文档
最新文档