反激变换器副边同步整流控制器STSR3应用电路详解

反激变换器副边同步整流控制器STSR3应用电路详解
反激变换器副边同步整流控制器STSR3应用电路详解

反激变换器副边同步整流控制器STSR3应用电路详解

摘要:为大幅度提高小功率反激开关电源的整机效率,可选用副边同步整流技术取代原肖特基二极管整流器。它是提高低压直流输出开关稳压电源性能的最有效方法之一。

关键词:反激变换器;副边同步整流控制器STSR3;高效率变换器

1 概述

本文给出ST公司2003年新推出的开关电源IC产品STSR3应用电路分析。它是反激变换器副边同步整流控制器,具有数字控制的智能IC驱动器。采用STSR3作同步整流控制芯片的反激变换器基本电路简化结构见图1。STSR3的内部功能方框见图2,其引脚排列见图3。

图1 STSR3典型应用电路简化示意图

图2 STSR3内部功能方框图

图3 STSR3各引脚排列图

STSR3智能驱动器IC可提供大电流输出,以正常地驱动副边的功率MOSFET,使之作为大电流输出的高效率反激变换器中的同步整流器。根据取自隔离变压器副边的一个同步时钟输入,IC产生一个驱动信号,它具有与原边PWM信号相关的死区时间设置。

在原边开关导通时,IC的工作可防止副边发生错误状态,它提供预期的输出截止状态。这个智能的功能实现了快速的逐周逻辑控制机制,它是建立在高频振荡器由时钟脉冲信号来同步。该项预置可由IC外部元件来调节。

经传感检测同步整流器的源极—漏极电压脉冲。这个特殊的禁止功能可以关闭驱动输出,因此当有必要时即刻关掉它。该特性使电源能工作在非连续导通模式下,及避免与变换器并联工作的同步整流器反向导通。

STSR3允许开关电源工作在非连续模式PWM,连续模式PWM,以及在准谐振状态的反激变换器,均能实现同步整流任务。

STSR3的封装的SO-8片状部件,各引脚的符号与功能概述如下:

脚1 N/C,它并不接内电路;

脚2 VCC,供电输入4~5.5V;

脚3 SETANT,设置预期的关断输出;

脚4 CK,为IC工作的同步信号;

脚5 INHIBT,接非连续模式检测器;

脚6 SGLGND,所有控制逻辑信号的基准地线;

脚7 OUTGATE,输出去MOSFET栅极驱动;

脚8 PWRGND,功率信号的基准地电平。

2 STSR3的应用电路分析

STSR3同步整流器控制器具体应用于一种90W笔记本电脑稳压电源的实际电路见图4,其直流输出为+19V,4.74A。开关电源是反激式变换器,原边主芯片采用复合PFC/PWM新品CM6805。图4中给出了详细的阻容数值。下面分别介绍STSR3在电路设计上的一些特点。

图4 采用STSR3作副边同步整流控制器的实际应用电路图之一

2.1 IC供电Vcc和欠压闭锁输出

STSR3的Vcc供电范围是4~5.5V,其内部有一个齐纳二极管限制最大的供电电压为5 8V。需要外接一只100nF瓷介电容器连在脚2(Vcc)与脚6(SGLGND)之间,以确保稳定供电。该高频电容器应尽量紧靠芯片。而用另一只100nF瓷介电容器接在脚2(Vcc)与脚8(PWMGND)之间。欠压闭锁输出特性保证了正常的起动,避免了万一在Vcc过低时不希望的驱动工作状态。Vcc电压也供给输出端驱动器,因此最大的驱动电压设在5.5V,所以推荐用逻辑栅极门限电平的MOSFET。

2.2 同步工作状态

STSR3具有一种革新的特性,即内在设计使STSR3能工作在副边没有任何来自原边的同步信号条件下。STSR3的同步是直接从副边获得的,它利用同步开关管MOSFET两端上施加的电压脉冲,作为开关转换的传递信息。图2中同步信号从脚4(CK)输入,芯片内部的门限电平设置在2.6V。在CK的输入端接一个峰值检波器,该单元电路能够辨别原边MOSFET开关转换感应信号以及之后出现的正弦波形。它由非连续模式工作或者谐振复位形态引起,。

(a) 峰值检波器输入

(b) 峰值检波器输出

图5 非连续模式DCM工作波形

2.3 连续导通模式

当反激变换器工作在连续导通模式(CCM)时,在同步MOSFET开关管源极与漏极之间的电压脉冲已变为矩形波状,。该电压可以用两种不同的方式加到芯片脚CK上:一是用图7中的电阻分压器方法;二是用图8中的一只二极管和拉住电阻器方法。在大多数情况下,当同步MOSFETA管关断截止时,在电压脉冲波形上会出现一个尖峰信号。在芯片脚CK输入端,必须先消除这一尖峰电压,以避免导致虚假同步触发。在采用电阻分压器R1及R2时,可再增加一只C1高频小电容器来消除尖峰电压突起,。

图6 连续导通模式(CCM)波形

图7 用电阻分压器的同步电路

图8 用二极管D1和R1给脚4(CK)脉冲输入

反激变换器用于电信的一个典型例子,就是直流输入电压具有1:2的可变性范围,典型值为36~72V。因此,副边绕组电压也有1:2的可变范围。那么在36V输入时,由分压电阻器可计算出在脚CK的电压约为2 8V;而当直流输入为72V时,则脚CK电压达到5 6V。即使该值高于脚CK的最大电压也是可以接受的,因为它限制了流入该脚的电流为10mA。

电容器C1的数值取决于同步MOSFET管关断尖峰的幅度,并随R1的数值而变化。为了减小因R1和C1两者引起的延迟,应选用最小的电容值。

在用电源适配器的反激变换器时,其电网输入工作电压为AC85~270V,它的可变范围是1:3。在电网输入电压最低时,必须保证脚CK的电压为2.8V;因此当电网输入电压为最高值时,电压将达到8.9V,或者更高些。该电压值超过了器件允许的最大值。如果通过R1限制流入脚CK的电流值,使之低于脚CK允许的最大电流值,那么芯片仍然可以正常地工作。否则,必须加接二极管D1,以保护芯片不受损。

图8给出了用二极管D1和R1拉住电阻器的同步电路图,用这种电路不存在关断尖峰和脚CK最高电压的问题。由于同步整流器的漏极电压出现振铃,故该电路不能在非连续状态下正常工作。

通过增设一只NPN晶体管接在脚CK与脚SGLGND之间,,用一只二极管和拉住电阻器去同步STSR3的关断电路,用Q1和R2接法来等效于电阻分压器电路,可以容易地关断STSR3。当图9中信号“OFF”为高电平时,该三极管导通,迫使脚CK降到地电平。在这种条件下,OUTGATE脚将变为低电平状态,从而关断同步MOSFET开关管。

图9 芯片增设的外部关闭电路

2.4 非连续导通模式

正如前面图5所示,在非连续模式工作状态下,当检测原边开关转换信号时,可能会存在一些问题。芯片内部的峰值检波器,只能确定脚CK达到的峰值,而忽略其他所有较低值的信号。查看图5可知,应确保开关转换波形与正弦波之间最小的电压差为V1=400mV时,也能让峰值检波器正常地工作。正像前面的叙述中提到的,如果输入电压可变范围大于1:2,那么就必须增加二极管D1,来箝位脚CK上的电压。在这种条件下,无论是开关转换波形,还是正弦波形都被箝位,使峰值检波器不能正确工作,则易产生STSR3错误触发时的驱动脉冲波形。这时若采用一个的外部峰值检波器电路,就能解决问题,使芯片在连续或非连续模式下均能正确工作。

(a) 峰值检波器输入

(b) 峰值检波器输出

图10 错误箝位的异常驱动输出

图11 外部加设的峰值检波器电路

2.5 外部峰值检测器

当输入电压可变范围高于1:2时,可用图11外峰值钟检测器,取代前面图7中电路,以保证STSR3在非连续或连续导通模式下均正确工作,它向脚CK供纯净的矩形波。

R20是一只拉住电阻器,当同步整流MOSFET导通或者它的体二极管导通时,图11中V1电压值是低电平。当MOSFET截止时(对应于原边的开关时间),电压V1在5V值。图11中的R22和C10构成一个低通滤波器,甚至当振铃脉冲几乎为零值时(见图12中波形),它也能具备正确的同步信号。但是,R22和C10又会引起不希望的延迟时间,所以,再增加R21和C9组合电路,就能在快速开关转换时减小该延迟。ST公司的逻辑器件74V1T70可消除噪声,防止它误触发STSR3内部的峰值检波器。在后面的叙述中会给出该电路的建议值。

图12 当振铃电压接近零值时可能会引起IC错误触发

2.6 禁止工作电路

在二极管整流与同步整流之间存在着一种差异,即MOSFET导通时电流可能双向流动,而二极管导通时电流只呈单方向。在非连续模式用二极管整流时,当电感器的电流降到零值,它也不能反向流动,若用MOSFET做整流器,当电感电流降到零,它将继续减小变为负值,并从同步MOSFET漏极流向源极。在这种条件下,变换器好像就工作在连续模式。

若需工作在非连续模式,则当电感电流为零时,同步MOSFET应截止,故体二极管作共用整流器,避免电感电流反向。当该电流接近0时,脚INHIBIT能关断同步MOS,使变换器工作在非连续模式。

芯片在脚INHIBIT的内部接了一个门限电平为-25mV的比较器。该脚外部通过一只电阻器接到同步MOSFET的漏极。在开始截止时间(此时CK处于低电平),OUTGATE处于高电平。INHIBIT电压的监控时间为250ns:如果脚INHIBIT上的电压高于-25mV,那么OUTGATE变为

低电平;如果脚INHIBIT电压低于-25mV,那么OUTGATE保持高电平,直到其电压达到-25mV 为止。这是由于当同步MOSFET导通时,其漏极上电压为VDS=-RDS(ON)×ID。如果VDS 高于-25mV,这就意味电流在减小,并且接近非连续模式,所以OUTGATE关断,让MOSFET 的体二极管工作,见图13。当变换器在连续模式时,脚INHIBIT电压总是低于-25mV,则OUTGATE保持高电平。

(a) 同步整流MOSFET源极—漏极电压

(b) 电感电流

(c) 禁止INHIBIT工作电压

(d) 同步整流MOSFET栅极电压

图13 禁止电路工作波形

在原边MOSFET转换到关断期间,脚INHIBIT电压应在250ns之内从高降到-25mV。选择R26阻值应适合该特性。当变换器与其他电源并联工作时,脚INHIBIT检测同步MOSFET两端电压,也避免变换器从输出端吸入电流。

虽然脚INHIBIT允许工作在非连续模式,但是在原边开关管关断期间,-25mV门限电平对同步整流MOSFET漏极出现的振铃,可能是敏感的,会引起不完全的OUTGATE导通。利用时钟信号提供负极性电压加到脚INHIBIT起消隐时间作用,就能避免这一不恰当的情况。采用图14中所示的一些元器件,可容易地产生该负极性电压。消隐时间值由C11和R25确定。它对覆盖振铃时间结束是必要的,图15中的振铃信号由原边开关截止时引起。(待续)

图14 给INHIBIT提供负极性电压的电路

图15 关断原边开关管时的振铃波形

江苏宏微科技股份有限公司 Power for the Better
同步整流技术及主要拓扑电路
宏微科技市场部
2015-9-16

Contents
? 同步整流电路概述 ? 典型电路及其特点 ? 损耗分析 ? 同步整流电路中常见问题 ? MOSFET选型设计参考
Power for the Better
1 CONFIDENTIAL





Contents
? 同步整流技术概述 ? 典型电路及其特点 ? 损耗分析 ? 同步整流电路中常见问题 ? MOSFET选型设计参考
Power for the Better
2 CONFIDENTIAL





同步整流技术概述
由于中低压MOSFET具有很小的导通电阻,在有电流通过时产生的电压降很 小,可以替代二极管作为整流器件,可以提高变换器的效率。
diode
MOSFET
MOSFET作整流器时,栅源极间电压必须与被整流电压的相位保持同步关系才 能完成整流功能,故称同步整流技术。 MOSFET是电压控制型开关器件,且没有反向阻断能力,必须在其栅-源之 间加上驱动电压来控制器漏-源极之间的导通和关断。这是同步整流设计的难 点和重点。 根据其控制方式,同步整流的驱动电路分为 ?自驱动方式; ? 独立控制电路他驱方式; ? 部分自驱+部分他驱方式结合;
Power for the Better
3 CONFIDENTIAL





随着现代电子技术向高速度高频率发展的趋势,电源模块的发展趋势必然是朝着更低电压、更大电流的方向发展,电源整流器的开关损耗及导通压降损耗也就成为电源功率损耗的重要因素。而在传统的次级整流电路中,肖特基二极管是低电压、大电流应用的首选。其导通压降基本上都大于0.4V,当电源模块的输出电压随着现代电子技术发展继续降低时,电源模块的效率就低得惊人了,例如在输出电压为3.3V时效率降为80%,1.5V输出时效率不到70%,这时再采用肖特基二极管整流方式就变得不太可能了。 为了提高效率降低损耗,采用同步整流技术已成为低电压、大电流电源模块的一种必然手段。同步整流技术大体上可以分为自驱动(selfdriven)和他驱动(controldriven)两种方式。本文介绍了一种具有预测时间和超低导通电阻(低至2.8mΩ/25℃)的他驱动同步整流技术,既达到了同步整流的目的,降低了开关损耗和导通损耗,又解决了交叉导通问题,使同步整流的效率高达95%,从而使整个电源的效率也高达90%以上。 1SRM4010同步整流模块功能简介 SRM4010是一种高效率他激式同步整流模块,它直接和变压器的次级相连,可提供40A的输出电流,输出电压范围在1∽5V之间。它能够在200∽400kHz 工作频率范围内调整,且整流效率高达95%。如果需要更大的电流,还可以直接并联使用,使设计变得非常简单。 SRM4010模块是一种9脚表面封装器件,模块被封装在一个高强电流接口装置包里,感应系数极低,接线端功能强大,具有大电流低噪声等优异特性。 SRM4010引脚功能及应用方式一览表 引脚号引脚名称引脚功能应用方式 1CTCHCatch功率MOSFET漏极接滤波电感和变压器次级正端 2FWDForward功率MOSFET漏极接变压器次级负端 3SGND外控信号参考地外围控制电路公共地 4REGin内部线性调整器输入可以外接辅助绕组或悬空 5REGout5V基准输出可为次级反馈控制电路提供电压 6PGND同步整流MOSFET功率地Catch和Forward功率MOSFET公共地 7CDLY轻载复位电容端设置变压器轻载时的复位时间 8CPDT同步整流预测时间电容端Catch同步整流管设置预置时间

单相整流电路试题 1、在单相整流电路中,流过负载电阻的电流是()。 A.交流电流 B.平滑直流 C.脉动直流 D.纹波电流 2、一个半波整流电路的变压器副边电压有效值为10V,负载电阻为500Ω,流过二极管的平均电流为()。 A.90mA B.180 mA C.9 mA D.18 mA 3、整流电路如图P10.3所示,输出电压 U o1 和 U o2 分别为()。 A.40.5V,-9V B.-40.5V,9V C.45V, -9V D.-45V,+9V 4、图P10.4(1)所示为单相全波整流电路,因故障VD2烧断。当 u 2 = U 2m sin?ωtV 时,输出电压 u o 的波形应为图P10.4(2)所示的()。

A B C D 5、在单相桥式整流电路中,设变压器副边电压有效值为 U 2 =100V ,则负载两端的平均电压是()。 A.100V B.90V C.45V D.141V 6、在单相桥式整流电路中,如果某个整流二极管极性接反,则会出现()现象。 A.输出电压升高 B.输出电压降低 C.短路无输出 D.输出电压不变 7、在单相桥式整流电路中,设变压器副边电压有效值为 U 2 ,若负载开路,则每只整流二极管承受的最高反向电压是()。 A . 2 U 2 B. 2 U 2 C . U 2 D . 2 2 U 2 8、桥式整流电路如图P10.8(1)所示,当 u= U m sin?ωtV 时,因故障VD3烧断。输出电压 u o 的波形应为图P10.8(2)所示的()。

A B C D 9、桥式整流电路的变压器副边电压为20V,每个整流二极管所承受的最大反向电压为()。 A.20V B.28.28V C.40V D.56.56V 10、测量桥式整流电路的输出直流电压为9V,此时发现有一只二极管已经断开,其变压器副边电压为()。 A.10V B.15V C.20V D.25V 11、如果在整流电路的负载两端并联一个滤波电容,其输出波形脉动的大小将随着负载电阻值和电容量的增加而()。 A.增大 B.减小 C.不变 D.不能确定 12、在单相半波整流电容滤波电路中,设变压器副边电压有效值为 U 2 =100V,若滤波电容开路,则二极管承受的最高反向电压可达到()。 A.200V B.141V C. 282V D.100V 13、桥式整流电容滤波电路的变压器副边电压为20V,当R L C ≥(3~5)T/2时,输出电压为()。 A.24V B.28V C.9V D.18V 14、图P10.14所示电路中,负载电阻 R L 增大时,输出电压 U o 和二极管导通角θ的变化为()。

适配器的反激同步整流控制电路分析随着消费类电子的发展,其外部供电电源(适配器)所消耗的电能占全球能耗的比例在急剧加大,成为不可忽视的耗能“大户”。以美国为例,每年适配器需要消耗电能3000亿度/年,占整个国家每年用电总量的11%。 在节能减排深入人心的当今,目前各国政府的法规中对外部电源的要求越来越严格。美国能源之星5.0,针对外部电源的平均效率也作出了更为苛刻的规范。 表1:输出电压Vout>6V时的电源效率。 表2:输出电压Vout<6V时的电源效率。 高功率密度,高集成度毫无疑问已经成为电子技术发展的方向,电源效率的提升不仅能减小电源的体积还能大大提高电源的可靠性。 适配器作为小功率的消费品,设计成本成为设计工程师首要考虑关键因素,Flyback 结构因为电路简单,已经成为设计150W以下适配器普遍采用的电路架构。 传统采用肖特基作为整流输出的设计中,因为肖特基的壁垒电压VF的存在,使得大电流输出的情况下,消耗在肖特基上的损耗很大,不仅造成电源效率低下,更因为温度过高降低了电源的可靠性。为了解决这问题,同步整流技术应运而生,同步整流是采用通态电阻极低的专用功率MOSFET,来取代整流肖特基二极管以降低整流损耗的一项新技术。 深圳鹏源电子致力于为客户提供成本更优,效率更高的同步整流方案,为了满足客户高效高功率密度的设计需要。 准谐振(Quasi-resonance)因为谷底开通,能有效降低Flyback的开关损耗,提升效率,但需要注意的是QR临界电流模式,其导通损耗较连续电流模式(CCM)要大,所以在115Vac电压输入无PFC的情况下,QR的控制方式反而没有CCM的效率高。而且QR为变频控制,在低输入电压满载的情况下开关频率很低,这就需要更大的变压器,电源的体积受到了限制。因此,为提高效率,目前许多厂家都采用多模式控制方式,即在高压输入的情况下工作QR模式,在低压输入的情况下工作在CCM模式。众所周知,目前所有厂家的同步整流控制器都只能工作在断续或临界模式,而擎力科技所推出的同步整流控制IC采用

同步整流总结 1概述 近年来,为了适应微处理器的发展,模块电源的发展呈现两个明显的发展趋势:低 压和快速动态响应,在过去的10年中,模块电源大大改善了分布式供电系统的面貌。即使是在对成本敏感器件如线路卡,单板安装,模块电源也提供了诱人的解决方案。然而,高速处理器持续降低的工作电压需要一个全新的,适应未来的电压方案,尤其考虑到肖特级二极管整流模块不能令人满意的效率。同步整流电路正是为了适应低压输出要求应运而生的。由于一般的肖特基二极管的正向压降为0.3V以上,在低压输出时模块的效率 就不能做的很高,有资料表明采用肖特基二极管的隔离式DC-DC模块电源的效率可以 按照下式进行估算: V out V out (0.1 V out V cu V f) 0.1 V out—原边和控制电路损耗 V cu —印制板的线路损耗 V f —整流管导通压降损耗 我们假设采用0.4V的肖特基整流二极管,印制板的线路损耗为0.1V,则1.8V的模 块最大的估算效率为 72%。这意味着28%的能量被模块内部损耗了。其中由于二极管导通压降造成的损耗占了约15%。随着半导体工艺的发展,低压功率MOS管的的有着越 来越小的通态电阻,越来越低的开关损耗,现在IR公司最新的技术可以制作30V/2.5m Q的MOS管,在电流为15A时,导通压降为0.0375,比采用肖特基二极管低了一个数量级。所以近年来对同步整流电路的研究已经引起了人们的极大关注。在中大功率低压输出的DC-DC变换器的产品开发中,采用低压功率MOSFET替代肖特基二极管的方案 得到了广泛的认同。今天,采用同步整流技术的ON-BOARD 模块已经广泛应用于通讯 的所有领域。 2同步整流电路的工作原理 图1采用同步整流的正激电路示意图(无复位绕组)

电流驱动同步整流反激变换器的研究 陈丹江,张仲超 (浙江大学,浙江杭州310027) 摘要:分析了工作在恒频DCM方式下的反激同步整流变换器。为了提高电路的效率,采用了一种能量反馈的电流型驱动电路来控制同步整流管。分析了该驱动电路的工作原理,并给出了设计公式。实验结果表明该方法提高了反激变换器效率的有效性。 关键词:反激;同步整流;能量反馈;电流驱动ResearchonaFlybackConverterUsing 1引言 随着数字处理电路(data processingcircuits)的工作电压的持续下降,保持电路的高效率受到了很大的技术挑战。这是由于在低压电源中,二极管的正向压降引起的损耗占了电路总损耗的50%以上。由于MOSFET同步整流管SR(synchronousrectifiers)的低导通电阻,在大量的电路中都用来代替效率低的肖特基二极管,特别是在低压电源中[1]。 反激是一种广泛应用于小功率的拓扑,由于只有一个磁性元件,而具有体积小,成本低的优点。但是,目前同步整流在正激电路中的应用比较多,而在反激电路中的应用却很少。这是由于正激电路比较适合大电流输出,能够更好地体现同步整流的优势;另外一个原因是可采用简单的自驱动,而反激电路原边开关和副边开关理论上会有共通。但是,如果考虑到实际电路中变压器的漏感,则这种情况是不会产生的,所以当输出电流不是很大时,采用反激电路还是值得考虑的。本文将对工作在DCM方式下的同步反激电路进行分析。 同步整流中最重要的一个问题是同步管的驱动设计。同步管的驱动大体上可以分为自驱动(self driv en)和他驱动(control driven),本文介绍了一种能量反馈的自驱动电路。 2同步整流在反激电路中的应用 带有同步整流的反激电路如图1所示。一般来说,电路可以工作在CCM或DCM方式,开关频率可以是恒频(CF),也可以是变频(VF)。下面主要对工作在恒频DCM方式的工作过程进行分析。主要波形如图2所示。在DCM方式下工作时,原边开关开通时储存在变压器励磁电感上的能量在开关关断时全部传送到副边。从图2可以看出,在原边开关开通之前,副边电流已经为零了。由于MOSFET具有双向导电特性,所以为了防止副边电流逆流,必须在其到达零点时(即t3)或很短的一小段时间里关断SR。因此,DCM方式下工作的反激电路必须要有一个零电流检测环节来控制电路。 在t3时刻SR关断以后,励磁电感Lm和电容Ceq=Csw+进行谐振,谐振阻抗为: Zm=(1) 直到t5时刻原边开关开通为止。同时,由于VDS的存在,原边开关开通时的开通损耗为:

同步整流技术
电源网第20届技术交流会
邹超洋
2012.11

内 容 简 介
?同步整流简介。 ?同步整流的分类。 。 ?同步整流的驱动方式 ?同步整流的 MOSFET

同步整流简介
z 高速超大规模集成电路的尺寸的不断减小,功耗的不断降低,要求
供电电压也越来越低,而输出电流则越来越大。 z 电源本身的高输出电流、低成本、高频化(500kHz~1MHz)高 功率密度、高可靠性、高效率的方向发展。 z 在低电压、大电流输出DC-DC变换器的整流管,其功耗占变换器 全部功耗的50~60%。 z用低导通电阻MOSFET代替常规肖特基整流/续流二极管,可以大大 降低整流部分的功耗,提高变换器的性能,实现电源的高效率,高功 率密度。

同步整流简介
diode
=
MOSFET 代替diode
MOSFET
D
相当于二极管的功能 ?电流从S流向D ?V/I特性,工作于3rd 象限
G S
z 用MOSFET来代替二极管在电路中的整流功能
z 相对于二极管的开关算好极小 g 控制,可以根据系统的需要, z 整流的时序受到MOSFET的Vgs 把整流的损耗做到最小

同步整流简介
? 例如:一个5V?30A输出的电源
Diode
Vf=0.45V Ploss=0.45*30=13.5W Ploss/Po=13.5/45=30% /Po=13 5/45=30% Rdson=1.2m? Ploss=0.0012*30 0 0012*302=1.08W 1 08W Ploss/Po=1.08/45=2.4%
Mosfet
MBR8040(R)
SC010N04LS

倍流同步整流在DC/DC变换器中工作原理分析 在低压大电流变换器中倍流同步整流拓扑结构已经被广泛采用。就其工作原理进行了详细的分析说明,并给出了相应的实验和实验结果。 关键词:倍流整流;同步整流;直流/直流变换器;拓扑 0 引言 随着微处理器和数字信号处理器的不断发展,对芯片的供电电源的要求越来越高了。不论是功率密度、效率和动态响应等方面都有了新要求,特别是要求输出电压越来越低,电流却越来越大。输出电压会从过去的3.3V降低到1.1~1.8 V之间,甚至更低[1]。从电源的角度来看,微处理器和数字信号处理器等都是电源的负载,而且它们都是动态的负载,这就意味着负载电流会在瞬间变化很大,从过去的13A/μs到将来的30A/μs~50A/μs[2]。这就要求有能够输出电压低、电流大、动态响应好的变换器拓扑。而对称半桥加倍流同步整流结构的DC/DC变 换器是最能够满足上面的要求的[3]。 本文对这种拓扑结构的变换器的工作原理作出了详细的分析说明,实验结果 证明了它的合理性。 1 主电路拓扑结构 主电路拓扑如图1中所示。由图1可以看出,输入级的拓扑为半桥电路,而输出级是倍流整流加同步整流结构。由于要求电路输出低压大电流,则倍流同步 整流结构是最合适的,这是因为: 图1 主电路拓扑 1)变压器副边只需一个绕组,与中间抽头结构相比较,它的副边绕组数只有中间抽头结构的一半,所以损耗在副边的功率相对较小; 2)输出有两个滤波电感,两个滤波电感上的电流相加后得到输出负载电流,而这两个电感上的电流纹波有相互抵消的作用,所以,最终得到了很小的输出电 流纹波;

3)流过每个滤波电感的平均电流只有输出电流的一半,与中间抽头结构相比较,在输出滤波电感上的损耗明显减小了; 4)较少的大电流连接线(high current inter-connection),在倍流整流拓扑中,它的副边大电流连接线只有2路,而在中间抽头的拓扑中有3路; 5)动态响应很好。 它唯一的缺点就是需要两个输出滤波电感,在体积上相对要大些。但是,有一种叫集成磁(integrated magnetic)的方法,可以将它的两个输出滤波电感和变压器都集成到同一个磁芯内,这样可以大大地减小变换器的体积。 2 电路基本工作原理 电路在一个周期内可分为4个不同的工作模式,如图2所示,理想的波形图 如图3所示。 (a) 模式1[t0-t1] (b) 模式2[t1-t2]

1.第一种的模拟电子书上(第三版442页)介绍的经典电路。A1用的是半波整流并且放 大两倍,A2用的是求和电路,达到精密整流的目的。(R1=R3=R4=R5=2R2) 2.第二种方法看起来比较简单A1是半波整流电路,是负半轴有输出,A2的电压跟随器的 变形,正半轴有输出,这样分别对正负半轴的交流电进行整流!(R1=R2) 3.第三种电路

仿真效果如下: 这个电路真是他妈的坑爹,经过我半天的分析才发现是这样的结论:Uo=-|Ui|,整出来的电路全是负的,真想不通为什么作者放到这里,算了先把分析整理一下: 当Ui>0的时候电路等效是这样的

放大器A是同相比例电路,Uo1=(1+R2/R1)Ui=2Ui 放大器B是加减运算电路,Uo2=(1+R2/R1)Ui-(R4/R3)Uo1=-Ui 当Ui<0的时候电路图等效如下: 放大器A是电压跟随器,放大器B是加减运算电路 式子整理:Uo2=(1+R4/(R2+R3))Ui- R4/(R2+R3)Ui=Ui 以上是这个电路的全部分析,但是想达到正向整流的效果就应该把二极管全部反向过来电路和仿真效果如下图所示

4.第四种电路是要求所有电阻全部相等。这个仿真相对简单。 电路和仿真效果如下 计算方法如下: 当Ui>0时,D1导通,D2截止(如果真是不清楚为什么是这样分析,可以参照模拟电子技术书上对于第一种电路的分析),这是电路图等效如下(R6是为了测试信号源用的跟这个电路没有直接的关系,不知道为什么不加这个电阻就仿真不了)

放大器A构成反向比例电路,uo1=-ui, 这时在放大器B的部分构成加减运算电路,uo2=-uo1=-(-ui) 注意:这里放大器B的正相输入端是相当于接地的,我刚开始一直没有想通,后来明白了,这一条线路上是根本就没有电流的,根本就没有办法列出方程来。(不知道这么想是不是正确的) 当Ui<0的时候,D1截止,D2导通,电路图等效如下: 这时就需要列方程了 Ui<0时Ui/R1=-(U2/R5+U2/(R2+R3))计算得到U2=-2/3 Ui 再根据U2/(R2+R3)=(U0-U2)/R4 得到U0=3/2 U2 带入得到U0=-Ui

同步整流实现反激变换器设计 摘要:详细分析了同步整流反激变换器的工作原理和该驱动电路的工作原理,并在此基础上设计了100V~375VDC 输入,12V/4A 输出的同步整流反激变换器,工作于电流断续模式,控制芯片选用UC3842,对设计过程进行了详细论述。通过Saber 仿真验证了原理分析的正确性,证明该变换器具有较高的变换效率。 引言 反激变换器具有电路简单、输入输出电压隔离、成本低、空间要求少等优点,在小功率开关电源中得到了广泛的应用。但输出电流较大、输出电压较低时,传统的反激变换器,次级整流二极管通态损耗和反向恢复损耗大,效率较低。同步整流技术,采用通态电阻极低的专用功率MOSFET来取代整流二极管。把同步整流技术应用到反激变换器能够很好提高变换器的效率。 1 同步整流反激变换器原理 反激变换器次级的整流二极管用同步整流管SR 代替,构成同步整流反激变换器,基本拓扑如图1(a)所示。为实现反激变换器的同步整流,初级MOS 管Q 和次级同步整流管SR 必须按顺序工作,即两管的导通时间不能重叠。当初级MOS 管Q 导通时,SR 关断,变压器存储能量;当初级MOS 管Q 关断时,SR 导通,变压器将存储的能量传送到负载。驱动信号时序如图1(b)所示。在实际电路中,为了避免初级MOS 管Q 和次级同步整流管SR 同时导通,Q 的关断时刻和SR 导通时刻之间应有延迟;同样Q 的导通时刻和SR 的关断时刻之间也应该有延迟。 图1 同步整流反激变换器 2 同步整流管的驱动 SR 的驱动是同步整流电路的一个重要问题,需要合理选择。本文采用分立元件构成驱动电路,该驱动电路结构较简单、成本较低,适合宽输入电压范围的变换器,具体驱动电路如图2 所示。SR 的栅极驱动电压取自变换器输出电压,因此使用该驱动电路的同步整流变换器的输出电压需满足SR 栅极驱动电压要求。

同步整流电路分析作者gyf2000 日期2007-4-22 20:21:00 一、传统二极管整流电路面临的问题 近年来,电子技术的发展,使得电路的工作电压越来越低、电流越来越大。低电压工作有利于降低电路的整体功率消耗,但也给电源设计提出了新的难题。 开关电源的损耗主要由3部分组成:功率开关管的损耗,高频变压器的损耗,输出端整流管的损耗。在低电压、大电流输出的情况下,整流二极管的导通压降较高,输出端整流管的损耗尤为突出。快恢复二极管(FRD)或超快恢复二极管(SRD)可达1.0~1.2V,即使采用低压降的肖特基二极管(SBD),也会产生大约0.6V的压降,这就导致整流损耗增大,电源效率降低。 举例说明,目前笔记本电脑普遍采用3.3V甚至1.8V或1.5V的供电电压,所消耗的电流可达20A。此时超快恢复二极管的整流损耗已接近甚至超过电源输出功率的50%。即使采用肖特基二极管,整流管上的损耗也会达到(18%~40%)P O,占电源总损耗的60%以上。因此,传统的二极管整流电路已无法满足实现低电压、大电流开关电源高效率及小体积的需要,成为制约DC/DC变换器提高效率的瓶颈。 二、同步整流的基本电路结构 同步整流是采用通态电阻极低的专用功率MOSFET,来取代整流二极管以降低整流损耗的一项新技术。它能大大提高DC/DC变换器的效率并且不存在由肖特基势垒电压而造成的死区电压。功率MOSFET属于电压控制型器件,它在导通时的伏安特性呈线性关系。用功率MOSFET做整流器时,要求栅极电压必须与被整流电压的相位保持同步才能完成整流功能,故称之为同步整流。 1、基本的变压器抽头方式双端自激、隔离式降压同步整流电路

同步整流电路分析 一、传统二极管整流电路面临的问题 近年来,电子技术的发展,使得电路的工作电压越来越低、电流越来越大。低电压工作有利于降低电路的整体功率消耗,但也给电源设计提出了新的难题。 开关电源的损耗主要由3部分组成:功率开关管的损耗,高频变压器的损耗,输出端整流管的损耗。在低电压、大电流输出的情况下,整流二极管的导通压降较高,输出端整流管的损耗尤为突出。快恢复二极管(FRD)或超快恢复二极管(SRD)可达1.0~1.2V,即使采用低压降的肖特基二极管(SBD),也会产生大约0.6V的压降,这就导致整流损耗增大,电源效率降低。 举例说明,目前笔记本电脑普遍采用3.3V甚至1.8V或1.5V的供电电压,所消耗的电流可达20A。此时超快恢复二极管的整流损耗已接近甚至超过电源输出功率的50%。即使采用肖特基二极管,整流管上的损耗也会达到(18%~40%)P O,占电源总损耗的60%以上。因此,传统的二极管整流电路已无法满足实现低电压、大电流开关电源高效率及小体积的需要,成为制约DC/DC变换器提高效率的瓶颈。 二、同步整流的基本电路结构 同步整流是采用通态电阻极低的专用功率MOSFET,来取代整流二极管以降低整流损耗的一项新技术。它能大大提高DC/DC变换器的效率并且不存在由肖特基势垒电压而造成的死区电压。功率MOSFET属于电压控制型器件,它在导通时的伏安特性呈线性关系。用功率MOSFET做整流器时,要求栅极电压必须与被整流电压的相位保持同步才能完成整流功能,故称之为同步整流。 1、基本的变压器抽头方式双端自激、隔离式降压同步整流电路

2、单端自激、隔离式降压同步整流电路 图1 单端降压式同步整流器的基本原理图 基本原理如图1所示,V1及V2为功率MOSFET,在次级电压的正半周,V1导通,V2关断,V1起整流作用;在次级电压的负半周,V1关断,V2导通,V2起到续流作用。同步整流电路的功率损耗主要包括V1及V2的导通损耗及栅极驱动损耗。当开关频率低于1MHz时,导通损耗占主导地位;开关频率高于1MHz时,以栅极驱动损耗为主。 3、半桥他激、倍流式同步整流电路

一、传统二极管整流电路面临的问题 近年来,电子技术的发展,使得电路的工作电压越来越低、电流越来越大。低电压工作有利于降低电路的整体功率消耗,但也给电源设计提出了新的难题。 开关电源的损耗主要由3部分组成:功率开关管的损耗,高频变压器的损耗,输出端整流管的损耗。在低电压、大电流输出的情况下,整流二极管的导通压降较高,输出端整流管的损耗尤为突出。快恢复二极管(FRD)或超快恢复二极管(SRD)可达~,即使采用低压降的肖特基二极管(SBD),也会产生大约的压降,这就导致整流损耗增大,电源效率降低。 举例说明,目前笔记本电脑普遍采用甚至或的供电电压,所消耗的电流可达20A。此时超快恢复二极管的整流损耗已接近甚至超过电源输出功率的50%。即使采用肖特基二极管,整流管上的损耗也会达到(18%~40%)P O,占电源总损耗的60%以上。因此,传统的二极管整流电路已无法满足实现低电压、大电流开关电源高效率及小体积的需要,成为制约DC /DC变换器提高效率的瓶颈。 二、同步整流的基本电路结构 同步整流是采用通态电阻极低的专用功率MOSFET,来取代整流二极管以降低整流损耗的一项新技术。它能大大提高DC/DC变换器的效率并且不存在由肖特基势垒电压而造成的死区电压。功率MOSFET属于电压控制型器件,它在导通时的伏安特性呈线性关系。用功率MOSFET做整流器时,要求栅极电压必须与被整流电压的相位保持同步才能完成整流功能,故称之为同步整流。 1、基本的变压器抽头方式双端自激、隔离式降压同步整流电路 2、单端自激、隔离式降压同步整流电路 图1 单端降压式同步整流器的基本原理图 基本原理如图1所示,V1及V2为功率MOSFET,在次级电压的正半周,V1导通,V2关断,V1起整流作用;在次级电压的负半周,V1关断,V2导通,V2起到续流作用。同步整流电路的

由于传统开关电源存在对电网造成谐波污染以及工作效率低等问题,因此目前国内外各类开关电源研究机构正努力寻求运用各种高新技术改善电源性能[1]。其中,在开关电源设计中通过功率因数校正PFC(Power Factor Correction)技术降低电磁污染及利用同步整流技术提高效率的研发途径尤其受到重视。参考文献[2-3]专题研讨了有源功率因数校正(APFC)技术;参考文献[4]综述了单相并联式技术的最新发展;参考文献[5-6]分别优化设计了带负载电流反馈、并联式PFC 芯片的AC/DC变换器和升压式PFC变换器,但所设计的电源效率及功率因数分别在85%和90%以下,其性能还有待进一步提高。 本文设计并制作了一种高效低电磁污染的开关电源样机。测试结果表明,该电源具有优良的动态性能、较高的功率因数和工作效率,且控制简单,故具有一定的实际应用价值。 1 开关电源设计方案 开关电源的结构如图1所示,它主要由220V交流电压整流及滤波电路、功率因数校正电路、DC/DC变换器三大部分组成。 220V交流电经整流供给功率因数校正电路,采用Boost型PFC来提高电源的输入功率因数,同时降低了谐波电流,从而减小了谐波污染。PFC的输出为一直流电压UC,通过DC/DC变换可将该电压变换成所要求的两输出直流电压 Uo1(12V)和Uo2(24V)。 从图中可以看出,本电源系统设计的关键是在整流滤波器和DC/DC变换器之间加入了功率因数校正电路,使输入电流受输入电压严格控制,以实现更高的功率因数。同时设计中还采用同步整流技术以减少整流损耗,提高DC/DC变换效率。选用反激式准谐振DC/DC变换器,既能增强对输入电压变化的适应能力,又可以降低工作损耗。 为保证开关电源的性能,电源实际制作时还附加了一些电路:(1)保护电路。防止负载本身的过压、过流或短路;(2)软启动控制电路。它能保证电源稳定、可

摘要:同步整流技术的广泛应用促进了低电压大电流技术的发展,但是,使用同步整流技术会造成开关电源在轻载情况下的低效率问题。以正激式同步整流变换器为例,从电感电流连续和断续两种状态,分析了轻载工况下的工作情况。 关键词:同步整流;CCM;DCM;环路电流;振铃 O 引言 随着计算机、通讯和网络技术的迅猛发展,低压大电流DC/DC变换器成为目前一个重要的研究课题。传统的二极管或肖特基二极管整流方式,由于正向导通压降大,整流损耗成为变换器的主要损耗。功率MOSFET导通电阻低、开关时间短、输入阻抗高,成为低压大电流功率变换器首选的整流器件。根据MOSFET的控制特点,应运而生了同步整流(Synchronous rectification,SR这一新型的整流技术。 1 同步整流正激变换器 图l给出的是一种电压自驱动同步整流正激变换器,图l中两个与变压器耦合的分离辅助绕组N4、N5用来分别驱动两个同步整流管S201、S202。当主开关管导通时,变压器副边绕组上正下负,S201栅极电压为高,导通整流;主开关管截止时,副边绕组下正上负,续流S202 栅极为高,导通续流。 正激变换器中,同步整流S201的运行情况与变压器磁复位方式有关。如果采用如图1所示的辅助绕组复位电路,在复位结束过程之后,变压器电压保持为零的死区时间内,输出电流流经续流同步整流管S202,但是S202栅极无驱动电压,所以输出电流必须流经S202的体二极管。M0SFET体二极管的正向导通电压高,反向恢复特性差,导通损耗非常大,这就使采用MOSFET整流的优势大打折扣,为了解决这一问题,较为简单的做法是在S202的漏极和源极之间并联一个肖特基二极管D201,在S202截止的时间内,代替S202的体二极管续流,这 一方法增加的元件不多,线路简单,也很实用。 为了优化驱动波形,可以采用分离的辅助绕组来分别驱动两个同步整流管,比起传统的副边绕组直接驱动的同步整流变换器来说,这种驱动方式无工作电流通过驱动绕组,因此不需要建立输出电流的时间,MOSFET能够迅速开通,开通时的死区时间即体二极管导通的时间减少了一半。另一方面驱动电压不只局限于副边电压,可以通过调整辅助线圈来得到合适的驱动电压。 2 轻载条件下的同步整流 对于正激变换器,在主开关管截止的时间里,输出电流是靠输出储能电感里的能量维持的,因此变换器有两种可能的运行情况:电感电流连续模式(CCM,continuous current mode和电感电流断续模式(DCM,discontinuous current mode。

第 6 章整流与稳压电路习题 6.1单相桥式整流电路 一、填空题: 1.整流是指将变换成的过程,整流电路中起整流作 用的是具有性质的或。 2、把交流电变换成直流电的电路称为___________电路中 , 整流电路中起整 流作用的是 __________。 3 、单相半波整流电路中滤波电容器的容量是_________, 耐压是 ________, 单相半波整流电路中滤波电容器的容量是_________,耐压是 ________. 4、将 ________变成 _________的过程称为整流 , 在单相半波整流电路中 , 常见的整流形式有 _________,________,________. 5. 单相半波整流有载电路中,若U2=20V,则输出电压, UO=_____,IL_____, URM=。 6.在单向桥式整流电路中,如果负载电流是20A,则流过每只二极管的电 流是 A 。 V;硅7.硅二极管的正向压降约为V,锗二极管的正向压降约为 二极管的死区电压约为V,锗二极管的死区电压约为V。 二、选择题: ) 倍。 1.交流电通过整流电路后,所得到的输出电压是( A. 交流电压 B.稳定的直流电压 C. 脉动的直流电压 D.平滑的直流电压 2.单相桥式整流电路的输出电压是输入电压的 () 倍。 A.0.5 B. 1.2 C. 0.9 D. 1 3.桥式整流电路的输入电压为 10V,负载是 2Ω,则每个二极管的平均电流是 () 。 A.9A B.2.25A C.4.5A D.5A 4.桥式整流电路每个二极管承受的反向电压是输入电压的() 倍。 A.2 B. 0.9 C .1.2 D. 0.45 5.单相桥式整流电路中,如果一只整流二极管接反,则() 。 A. 引起电源短路 B.成为半波整流电路 C.仍为桥式整流电路,但输出电压减小 D.仍为桥式整流电路,但输出电压上升 6. 在单相桥式整流电路中,整流二极管的反向电压最大值出现在二极管()。A.截止时B.由截止转为导通时 C .由导通转为截止时D.导通时 7. 在单相桥式整流电路中,每个二极管的平均电流等于输出平均电流的()。A.1/4B.1/2C. 1/3D.2 8.整流的目的是()。 A. 将交流变为直流 B.将正弦波变为方波 C.将低频信号变为高频信号D.将直流变为交流信号 9.某单相桥式整流电路,变压器二次电压为U2,当负载开路时,整流输出

绿色同步整流器控制IC—UCC24610 在新一代绿色开关电源中,提高能效的关键技术是同步整流。二次侧控制各种电路拓扑的同步整流器控制IC—UCC24610。其为高性能控制器,即能驱动标准电平MOSFET,也可以驱动逻辑电平MOSFET,它即能大幅度减小整流的功耗,还能间接地减小初级侧的损耗。采用漏源电压检测,最适于反激变换器和LLC谐振半桥,其最适于4.5V~5.5V的输出电压,它提供一个可调节的辅助触发滤波器调节时段自动地在轻载之下开关,而且SYNC输入还可用于CCM系统,保护特色在TON和EN/TOFF端,防止由于开路或短路造成的导通运行。 主要特色如下: ◆直到600kHz工作频率; ◆V DS MOSFET检测; ◆ 1.6Ω漏入、2.0Ω源出的栅驱动阻抗; ◆自动轻载管理; ◆可调输入的保护特色; ◆20ns典型的关断比例延迟; ◆可以直接从5V输出电压供电; ◆可以从休眠和轻载模式下同步唤醒; ◆最少的外部元件; 由UCC24610作反激变换器同步整流的电路如图1: 图1 UCC24610 做反激电路同步整流的基本应用电路 由UCC24610作LLC谐振半桥同步整流的电路如图2:

图2 UCC24610 做半桥电路的同步整流驱动电路 UCC24610的内部方框电路如图3: 图3 UCC24610 的内部等效方框电路 * UCC24610外部引脚功能如下: ◆1PIN SYNC 栅关断同步端在SYNC端一个下降沿立即令栅电压为低电平, 将MOSFET关断,异步端到源漏电压,而不管TON时段的状态,当功率变换器在CCM下工作时,在开关变换器的命令下必须关断控制MOSFET,将SYNC接到初级侧变换器的信号处,用一支高压电容隔离,或变压器隔离,或其他合适的元件,连续的低电平在SYNC端将会使栅电平一直为低。 ◆2PIN EN/TOFF 使能功能和关断时段调节端,当V CC电平降到V CC(OFF)以下 时,UCC24610处在UVLO模式,EN/TOFF端在IC内经过一支10K电阻接

轻载下的正激同步整流变换器分析 摘要:同步整流技术的广泛应用促进了低电压大电流技术的发展,但是,使用同步整流技术会造成开关电源在轻载情况下的低效率问题。以正激式同步整流变换器为例,从电感电流连续和断续两种状态,分析了轻载工况下的工作情况。 关键词:同步整流;CCM;DCM;环路电流;振铃 O 引言 随着计算机、通讯和网络技术的迅猛发展,低压大电流DC/DC变换器成为目前一个重要的研究课题。传统的二极管或肖特基二极管整流方式,由于正向导通压降大,整流损耗成为变换器的主要损耗。功率MOSFET导通电阻低、开关时间短、输入阻抗高,成为低压大电流功率变换器首选的整流器件。根据MOSFET的控制特点,应运而生了同步整流(Synchronous rectification,SR)这一新型的整流技术。 1 同步整流正激变换器 图l给出的是一种电压自驱动同步整流正激变换器,图l中两个与变压器耦合的分离辅助绕组N4、N5用来分别驱动两个同步整流管S201、S202。当主开关管导通时,变压器副边绕组上正下负,S201栅极电压为高,导通整流;主开关管截止时,副边绕组下正上负,续流S202栅极为高,导通续流。 正激变换器中,同步整流S201的运行情况与变压器磁复位方式有关。如果采用如图1所示的辅助绕组复位电路,在复位结束过程之后,变压器电压保持为零的死区时间内,输出电流流经续流同步整流管S202,但是S202栅极无驱动电压,所以输出电流必须流经S202的体二极管。M0SFET体二极管的正向导通电压高,反向恢复特性差,导通损耗非常大,这就使采用MOSFET整流的优势大打折扣,为了解决这一问题,较为简单的做法是在S202的漏极和源极之间并联一个肖特基二极管D201,在S202截止的时间内,代替S202的体二极管续流,这一方法增加的元件不多,线路简单,也很实用。

同步整流的基本工作原理 https://www.360docs.net/doc/e118049940.html,文章出处:发布时间:2008/10/09 | 6869 次阅读| 1次推荐| 0条留言 Samtec连接器完整的信号来源开关,电源限时折扣最低45折每天新产品时刻新体验ARM Cortex-M3内核微控制器最新电子元器件资料免费下载完整的15A开关模式电源首款面向小型化定向照明应用代替 图1(a)所示为N沟道功率MOS管构成的同步整流管SR和SBD整流二极管的电路图形符号,整流二极管有两个极:即阳极A和阴极K。功率MOS管有三个极:即漏极D、源极S和门极G。在用做同步整流管时,将功率MOS管反接使用,即源极S接电源正端,相当于二极管的阳极A;漏极D接电压负端,相当于二极管的阴极K;当功率MOS管在门极G信号的作用下导通时,电流电源极S流向漏极D。而功率MOS管作为开关使用时,漏极D接电源正端,源极S接电压负端;导通时,相当于开关闭合,电流由漏极D流向源极S。 图1 同步整流管和整流二极管 同步整流管SR及整流二极管构成的半波整流电路如图1(b)所示。当SR的门极驱动电压ug,与正弦波电源电压仍同步变化时,则负载R上得到的是与二极管整流电路相同的半波正弦波电压波形1fR。 同步整流管的源一漏极之间有寄生的体二极管,还有输出结电容(未画出),驱动信号加在门极和源极(G-S)之间,是一种可控的开关器件。皿关断时,电流仍然可以由体二极管流通。不过m体二极管的正向导通压降和反向恢复时间都比SBD大得多,因此,一旦电流流过SR的体二极管,则整流损耗将明显增加。

由于同步整流是由可控的三端半导体开关器件来实现的,因此必须要有符合一定时序关系的门极驱动信号去控制它,使其像一个二极管一样地导通和关断。驱动方法对银的整体性能影响很大,因此,门极驱动信号往往是设计同步整流电路时必须要解决的首要问题。例如,SR开通过早或关断过晚,都可能造成短路,而开通过晚或关断过早又可能使SR的体二极管导通,使整流损耗和器件应力增大。 综上所述,当功率MOS管反接时可以作为SR使用,其特点如下: (1)SR是一个可控的三极开关器件,在门极和源极之间加人驱动信号时,可以控制功率MOS管源极S和漏极D之间的通/断。 (2)门极驱动信号和源极电压同步,如源极为高电平时,驱动信号也是高电平则MOS 管导通;反之,源极为低电平时,驱动信号也是低电平,则MOS管关断;这样就自然实现了整流,而且电流也只能由源极s流向漏极D。由于是通过门极信号和源极电压同步来实现整流的,因此把这种整流方式称为同步整流。 (3)用于PWM开关转换器中的同步整流管SD代替SBD作为整流管或续流工作时,必须保证门极有正确的控制时序,使其工作与PWM开关转换器的主开关管同步协调工作。因此不同的开关转换器主电路,其同步整流管的控制时序也是不同的。同步整流开关管的控制时序将在后面进行介绍。 (4)在功率MOS管反接的情况下,其固有的体二极管极性却是正向的。有时要利用它先导通,以便过渡到功率MOS管进入整流状态。但由于体二极管的正向压降较大,常常不希望它导通或导通时问过长。

一种反激同步整流DC-DC变换器设计 作者:华南理工大学自动化学院任光深圳华为技术有限公司电源研发部李卫东深圳信息职业技术学 院电子2004年4月B版 摘要:对反激同步整流在低压小电流DC-DC变换器中的应用进行了研究,介绍了主电路工作原理,几种驱动方式及其优缺点,选择出适合于自驱动同步整流的反激电路拓扑,并通过样机试验,验证了该电路的实用性。 关键词:反激变换;同步整流;电路拓扑 引言 低压大电流DC-DC模块电源一直占模块电源市场需求的一半左右,对其相关技术的研究有着重要的应用价值。模块电源的高效率是各厂家产品的亮点,也是业界追逐的重要目标之一。同步整流可有效减少整流损耗,与适当的电路拓扑结合,可得到低成本的高效率变换器。本文针对36V-75V输入,3.3V/15A输出的二次电源模块,在分析同步整流技术的基础上,根据同步整流的特点,选择出适合于自驱动同步整流的反激电路拓扑,进行了详细的电路分析和试验。 反激同步整流 基本的反激电路结构如图1。 其工作原理:主MOSFET Q1导通时,进行电能储存,这时可把变压器看成一个电感,原边绕组电流Ip上升斜率由dIp/dt=Vs/Lp决定,磁芯不饱和,则Ip 线性增加; 磁芯内的磁感应强度将从Br增加到工作峰值Bm;Q1关断时,原边电流将降到零,副边整流管开通,感生电流将出现在副边;按功率恒定原则,副边安匝值与原边安匝值相等。 在稳态时,开关导通期间,变压器内磁通增量△Φ应等于反激期间内的磁通变化量,即: △Φ=VsTon / Np=Vs'Toff / Ns 从此式可见,如果磁通增量相等的工作点稳定建立时,变压器原边绕组每匝的伏-秒值必然等于副边每匝绕组的伏-秒值。 反激变换器的拓扑实际就是一个BUCK-BOOST组合的变换器拓扑的应用,而且如果副边采用同步整流,电路总是工作于CCM的模式下,其电压增益

同步整流技术的发展及应用(上) 从二十世纪末,由于MOSFET技术大幅度进步,引入开关电源技术中的同步整流技术给开关电源效率的提升带来了巨大的收益。效率提升的百分点从3%~8%,比软开关技术带来的效果要好的多。而且没有多少专利技术的限制。目前使用的同步整流有,自驱动方式的同步整流;辅助绕组控制方式的同步整流;控制IC方式的同步整流。近来已经出现了软开关技术的同步整流方式。这种软开关的含义主要指减少或消除MOSFET的开关损耗,即减少体二极管的导通时间并消除体二极管的反响恢复时间造成的损耗。它首先出现在推挽、全桥电路拓扑中,随之又出现在正激电路拓扑中。软开关方式的同步整流,由于其处理的多为大电流,低电压,所以对效率的提升比初级侧软开关处理的高电压小电流更为有效。为了更精确地控制二次侧同步整流,已有几种PWM控制IC将同步整流控制信号设计在IC内部,用外部元件调节同步整流信号的延迟时间,从而能更准确地做到同步整流的软开关控制。 ?此外功率半导体技术的进步使得MOSFET的导通电阻已经达到低于 2mΩ,开关速度小于20ns。栅驱动电荷小于25nq的先进水平。有些MOSFET的体二极管还做成了快恢复的,这使得DC/DC变换器中只要采用 同步整流技术,初级既使不用软开关技术,效果也已经很不错了。 ?同步整流技术已经成为现代开关电源技术的标志。凡是高水平开关电源,必定有同步整流技术。在使用面上早已不再局限于5V、3.3V、2.5V这些低 输出电压领域,现在上至12V,15V,19V至24V以下输出,几乎都在使用同步整流技术。下面介绍和分析各种同步整流技术的优点、缺点及实现方法。 ?一.自驱动同步整流

相关文档
最新文档