射频微电子复习题
相关主题
- 1、下载文档前请自行甄别文档内容的完整性，平台不提供额外的编辑、内容补充、找答案等附加服务。
- 2、"仅部分预览"的文档,不可在线预览部分如存在完整性等问题,可反馈申请退款(可完整预览的文档不适用该条件!)。
- 3、如文档侵犯您的权益，请联系客服反馈,我们会尽快为您处理(人工客服工作时间：9:00-18:30)。
射频微电子复习题
试写出Leeson方程，并予以说明其含义。 相位噪声的量化（P168）
1 一个 3 为＋5dBm的混频器， IIP3约等于多少 mV rms ？ 一个IIP 的混频器， 的混频器 2某双极型晶体管基极电阻 某双极型晶体管基极电阻rb=50Ω,IC=1mA,则室温 ＝300k条件 则室温T＝ 某双极型晶体管基极电阻 则室温 条件 该晶体管在通频带为f=100KHz时的散粒噪声值为多少 下，该晶体管在通频带为 时的散粒噪声值为多少 A/Hz ？ （已知电荷 q = 1.6 × 10 −19 C ） 3 已知发射机发出的调幅信号功率为：PM＝10KW，计算当调 已知发射机发出的调幅信号功率为： ＝ ， 制比为0.8时 载波功率PC是多少 是多少？ 下边带的功率是多少? 制比为 时，载波功率 是多少？上、下边带的功率是多少 4 试用频谱特性分析Hartley镜像抑制结构
射频电子学复习题
6 试计算下图源跟随器的输出电阻及电压增益系数。
Vin Is Rout M1 Vout RL
7 一个反偏PN结当作可变电容器，其电容值与电压的关系可表示为
C var = C0 V 1+ R ΦB
m
C0为零偏置电压下 的电容值，VR为反偏电压，ΦB为PN结内建电势，m 为与PN结型有关参数，计算当 电容值
Φ B = 0 .7 v,m = 0 .35 ,VR = 2 v
8 接收机前端电路中低噪声放大器、场效应混频器的噪声因子和功率增益如图， 接收机前端电路中低噪声放大器、场效应混频器的噪声因子Байду номын сангаас功率增益如图， 求前端电路的噪声因子。（本振产生的噪声忽略） 。（本振产生的噪声忽略 求前端电路的噪声因子。（本振产生的噪声忽略）
LNA NF1＝3dB AP1=10dB
FET Mixer NF2＝6.5dB AP2=9dB
至中频
LO
9 已知放大器 dB压缩点的输入功率为－10 dB，带宽为 已知放大器1 压缩点的输入功率为－ 压缩点的输入功率为 ，带宽为100KHz，噪声因子 ，噪声因子NF 为2dB, ( SNR )o,min = 20dB ，若 （1）放大器的线性动态范围定义为它的 ）放大器的线性动态范围定义为它的1dB压缩点的输入功率与噪声底数之比 压缩点的输入功率与噪声底数之比 ； （2）放大器的线性动态范围定义为它的 放大器的线性动态范围定义为它的1dB压缩点的输入功率与灵敏度之比； 压缩点的输入功率与灵敏度之比； 放大器的线性动态范围定义为它的 压缩点的输入功率与灵敏度之比 试计算（ ）、（ ）、（2） 试计算（1）、（ ）两种情形下的线性动态范围
10
试分别求下图虚线框所示端口噪声系数
R Rs R Rs
Es
Es
图1 (a) 图1 (b)
11 如图电阻R两端接有可变负载电阻RL，试推导电阻R所能输出的最大噪声功率。
RL R
试写出Leeson方程，并予以说明其含义。 相位噪声的量化（P168）
1 一个 3 为＋5dBm的混频器， IIP3约等于多少 mV rms ？ 一个IIP 的混频器， 的混频器 2某双极型晶体管基极电阻 某双极型晶体管基极电阻rb=50Ω,IC=1mA,则室温 ＝300k条件 则室温T＝ 某双极型晶体管基极电阻 则室温 条件 该晶体管在通频带为f=100KHz时的散粒噪声值为多少 下，该晶体管在通频带为 时的散粒噪声值为多少 A/Hz ？ （已知电荷 q = 1.6 × 10 −19 C ） 3 已知发射机发出的调幅信号功率为：PM＝10KW，计算当调 已知发射机发出的调幅信号功率为： ＝ ， 制比为0.8时 载波功率PC是多少 是多少？ 下边带的功率是多少? 制比为 时，载波功率 是多少？上、下边带的功率是多少 4 试用频谱特性分析Hartley镜像抑制结构
射频电子学复习题
6 试计算下图源跟随器的输出电阻及电压增益系数。
Vin Is Rout M1 Vout RL
7 一个反偏PN结当作可变电容器，其电容值与电压的关系可表示为
C var = C0 V 1+ R ΦB
m
C0为零偏置电压下 的电容值，VR为反偏电压，ΦB为PN结内建电势，m 为与PN结型有关参数，计算当 电容值
Φ B = 0 .7 v,m = 0 .35 ,VR = 2 v
8 接收机前端电路中低噪声放大器、场效应混频器的噪声因子和功率增益如图， 接收机前端电路中低噪声放大器、场效应混频器的噪声因子Байду номын сангаас功率增益如图， 求前端电路的噪声因子。（本振产生的噪声忽略） 。（本振产生的噪声忽略 求前端电路的噪声因子。（本振产生的噪声忽略）
LNA NF1＝3dB AP1=10dB
FET Mixer NF2＝6.5dB AP2=9dB
至中频
LO
9 已知放大器 dB压缩点的输入功率为－10 dB，带宽为 已知放大器1 压缩点的输入功率为－ 压缩点的输入功率为 ，带宽为100KHz，噪声因子 ，噪声因子NF 为2dB, ( SNR )o,min = 20dB ，若 （1）放大器的线性动态范围定义为它的 ）放大器的线性动态范围定义为它的1dB压缩点的输入功率与噪声底数之比 压缩点的输入功率与噪声底数之比 ； （2）放大器的线性动态范围定义为它的 放大器的线性动态范围定义为它的1dB压缩点的输入功率与灵敏度之比； 压缩点的输入功率与灵敏度之比； 放大器的线性动态范围定义为它的 压缩点的输入功率与灵敏度之比 试计算（ ）、（ ）、（2） 试计算（1）、（ ）两种情形下的线性动态范围
10
试分别求下图虚线框所示端口噪声系数
R Rs R Rs
Es
Es
图1 (a) 图1 (b)
11 如图电阻R两端接有可变负载电阻RL，试推导电阻R所能输出的最大噪声功率。
RL R